技術(shù)總結(jié)
一種鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管及其形成方法，其中，所述形成方法包括：提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底表面具有凸起的鰭部；形成橫跨所述鰭部的頂部和側(cè)壁、并位于半導(dǎo)體襯底表面的金屬硫化物層，所述金屬硫化物層后續(xù)作為鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道區(qū)；形成位于所述金屬硫化物層表面的第一柵極結(jié)構(gòu)，所述第一柵極結(jié)構(gòu)橫跨鰭部的頂部和側(cè)壁；形成分別位于所述第一柵極結(jié)構(gòu)兩側(cè)的源電極層和漏電極層。形成的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的載流子遷移率高，晶體管性能優(yōu)越。

技術(shù)研發(fā)人員：肖德元
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司
文檔號(hào)碼：201510387770
技術(shù)研發(fā)日：2015.07.02
技術(shù)公布日：2017.01.11