技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種功率器件的制備方法和一種功率器件，其中，方法包括：制備具有柵極氧化層的襯底結(jié)構(gòu)，其中，襯底結(jié)構(gòu)包括外延層；在柵極氧化層上形成多晶硅層，對(duì)多晶硅層進(jìn)行圖形化處理，以暴露出柵極氧化層；通過暴露出的柵極氧化層在外延層中形成體區(qū)；在多晶硅層的表面形成介質(zhì)層氧化層；對(duì)暴露出的柵極氧化層進(jìn)行刻蝕，以暴露出體區(qū)；形成與介質(zhì)層氧化層的側(cè)壁以及柵極氧化層接觸的多晶側(cè)墻；將多晶側(cè)墻中的雜質(zhì)擴(kuò)散至體區(qū)中，以形成與多晶側(cè)墻接觸的源區(qū)，以完成功率器件的制備。通過本發(fā)明的技術(shù)方案，可以減少在制備功率器件的源區(qū)時(shí)使用光刻版的數(shù)量，從而簡(jiǎn)化功率器件的制備工藝，進(jìn)而降低功率器件的生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：趙圣哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：北大方正集團(tuán)有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號(hào)碼：201510386495
技術(shù)研發(fā)日：2015.06.30
技術(shù)公布日：2017.01.11