1.一種封裝結(jié)構(gòu)，應(yīng)用于OLED面板上，其特征在于，包括：
基板，設(shè)置有帶有半導(dǎo)體器件的器件區(qū)和位于所述器件區(qū)外圍的密封區(qū)，且在所述器件區(qū)與所述密封區(qū)之間還設(shè)置有廢材區(qū)；
水氧防護(hù)層，設(shè)置于所述基板上且位于所述廢材區(qū)；
玻璃膏，設(shè)置于所述基板上且位于所述密封區(qū)；
UV膠層，覆蓋所述玻璃膏的上表面；以及
蓋板玻璃，壓合于所述UV膠層上，以與所述UV膠層、所述玻璃膏及所述基板一起構(gòu)成將所述半導(dǎo)體器件與外界隔離的密封空間；
其中，所述水氧防護(hù)層吸收位于所述密封空間中的水氧。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的材質(zhì)為鈣。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的高度小于所述玻璃膏的高度，以不與所述蓋板玻璃接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的高度等于所述玻璃膏的高度且與所述蓋板玻璃接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的高度為5～7um。
6.一種封裝結(jié)構(gòu)的制備方法，應(yīng)用于OLED面板，其特征在于，所述方法包括：
提供設(shè)置有帶有半導(dǎo)體器件的器件區(qū)和位于所述器件區(qū)外圍的密封區(qū)的基板，且在所述基板上位于所述器件區(qū)與所述密封區(qū)之間還設(shè)置有廢材區(qū)；
在所述廢材區(qū)的基板上制備水氧防護(hù)層；
于所述密封區(qū)的基板上涂布玻璃膏；
制備具有玻璃膏圖形的蓋板玻璃，并于所述玻璃膏圖形上涂布UV膠層；
將所述蓋板玻璃與所述基板壓合，以使得所述蓋板玻璃與所述UV膠層、所述玻璃膏及所述基板一起構(gòu)成將所述半導(dǎo)體器件與外界隔離的密封空間；以及
對(duì)所述玻璃膏圖形進(jìn)行鐳射燒結(jié)工藝。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，采用蒸鍍工藝，并利用一掩膜，于所述廢材區(qū)制備所述水氧防護(hù)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的材質(zhì)為鈣。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的高度小于所述玻璃膏的高度且未與所述蓋板玻璃接觸。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的高度等于所述玻璃膏的高度且與所述蓋板玻璃接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制備方法，其特征在于，所述水氧防護(hù)層的高度為5～7um。