技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出了一種高頻晶體管,包括:多個并行的發(fā)射區(qū)窗口;多個并行的發(fā)射極金屬,多個所述發(fā)射極金屬中的每個所述發(fā)射極金屬均覆蓋在多個所述發(fā)射區(qū)窗口中的每個所述發(fā)射區(qū)窗口的上方,其中,多個所述發(fā)射極金屬中的第一個發(fā)射極金屬和最后一個發(fā)射極金屬獨立于其他發(fā)射極金屬,且所述其他發(fā)射極金屬均并行相連,其中,所述其他發(fā)射極金屬為多個所述發(fā)射極金屬中除所述第一個發(fā)射極金屬和所述最后一個發(fā)射極金屬之外的發(fā)射極金屬。通過本發(fā)明的技術(shù)方案,可以確保線寬相同的相互平行的高頻晶體管的發(fā)射區(qū)窗口在復制到晶圓后,多發(fā)射極高頻晶體管內(nèi)部不同位置的發(fā)射極可以產(chǎn)生一致的高頻特性,以避免使多發(fā)射極高頻晶體管產(chǎn)生較大噪音。
技術(shù)研發(fā)人員:潘光燃;文燕;高振杰;馬萬里;石金成
受保護的技術(shù)使用者:北大方正集團有限公司;深圳方正微電子有限公司
文檔號碼:201510208919
技術(shù)研發(fā)日:2015.04.28
技術(shù)公布日:2016.11.23