本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別涉及一種具有高存儲(chǔ)密度的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。

背景技術(shù)：

近年來(lái)半導(dǎo)體元件的結(jié)構(gòu)不斷地改變，且元件的存儲(chǔ)器存儲(chǔ)容量也不斷增加。存儲(chǔ)裝置被使用于許多產(chǎn)品之中，例如MP3播放器、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)檔案等等的存儲(chǔ)元件中。隨著應(yīng)用的增加，對(duì)于存儲(chǔ)裝置的需求也趨向較小的尺寸、較大的存儲(chǔ)容量。因應(yīng)這種需求，是需要制造高元件密度及具有小尺寸的存儲(chǔ)裝置。

因此，設(shè)計(jì)者們無(wú)不致力于開(kāi)發(fā)一種三維存儲(chǔ)裝置，不但具有許多堆疊平面而達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量，具有更微小的尺寸，同時(shí)具備良好的穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，由于一對(duì)垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)皆具有水平C形剖面且以絕緣溝道相隔，因此增大單位面積內(nèi)的存儲(chǔ)密度，進(jìn)而達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量。

根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，是提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括一基板、多個(gè)導(dǎo)電層和多個(gè)絕緣層、一第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和一第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)以及一絕緣溝道(isolation trench)。導(dǎo)電層和絕緣層形成于基板上，其中導(dǎo)電層與絕緣層是交錯(cuò)設(shè)置(interlaced)堆疊于基板上。第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)穿過(guò)導(dǎo)電層與絕緣層并形成于基板上，其中第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有一第一水平C形剖面，第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有一第二水平C形剖面。絕緣溝道形成于基板上并位于第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和第二垂直結(jié)構(gòu)之間。

根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法包括以下步驟。提供一基板；形成多個(gè)導(dǎo)電層和多個(gè)絕緣層于基板上，其中此些導(dǎo)電層與此些絕緣層是交錯(cuò)設(shè)置堆疊于基板上；形成一第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和一第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)于基板上，其中第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)穿過(guò)此些導(dǎo)電層與此些絕緣層，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有一第一水平C形剖面，第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有一第二水平C形剖面；以及形成一絕緣溝道于基板上并位于第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和第二垂直結(jié)構(gòu)之間。

為了對(duì)本發(fā)明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下：

附圖說(shuō)明

圖1A是本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的上視圖；

圖1B是沿圖1A的剖面線(xiàn)1B-1B’的剖面示意圖；

圖1C是沿圖1A的剖面線(xiàn)1C-1C’的剖面示意圖；

圖1D是沿圖1A的剖面線(xiàn)1D-1D’的剖面示意圖；

圖1E是沿圖1A的剖面線(xiàn)1E-1E’的剖面示意圖；

圖2是本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的多個(gè)第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)和多個(gè)第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的配置上視圖；

圖3A～圖11B是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。

【附圖標(biāo)記說(shuō)明】

100：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

110：基板

120：導(dǎo)電層

130：絕緣層

130b：最底層

140：第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)

150：第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)

160：絕緣溝道

170：外延結(jié)構(gòu)

180：存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)層

181：阻隔層

183：存儲(chǔ)層

185：隧穿層

190：通道層

191、193：絕緣層

240：第一接觸結(jié)構(gòu)

250：第二接觸結(jié)構(gòu)

310：凹槽

480：存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層

481：阻隔材料層

483：存儲(chǔ)材料層

485：隧穿材料層

490：通道材料層

510：氧化物材料層

51a：空氣間隙

810：絕緣材料

991：絕緣材料層

BL1：第一位線(xiàn)

BL2：第二位線(xiàn)

D1、D2：距離

R1：短軸方向

T：溝道

W1、W2、X1：寬度

W4：長(zhǎng)軸

Y1：長(zhǎng)度

1B-1B’、1C-1C’、1D-1D’、1E-1E’、3B-3B’、4B-4B’、5B-5B’、5C-5C’、6B-6B’、6C-6C’、6D-6D’、7B-7B’、7C-7C’、7D-7D’、8B-8B’、8C-8C’、8D-8D’、9B-9B’、9C-9C’、9D-9D’、10B-10B’、11B-11B’：剖面線(xiàn)

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。

在此發(fā)明的實(shí)施例中，是提出一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，由于一對(duì)垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)皆具有水平C形剖面且以絕緣溝道相隔，因此增大單位面積內(nèi)的存儲(chǔ)密度，進(jìn)而達(dá)到更高的存儲(chǔ)存儲(chǔ)容量。然而，實(shí)施例僅用以作為范例說(shuō)明，并不會(huì)限縮本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。此外，實(shí)施例中的圖式省了部份非必要的元件，以清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。

請(qǐng)參照?qǐng)D1A～圖1E，圖1A是本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的上視圖，圖1B是沿圖1A的剖面線(xiàn)1B-1B’的剖面示意圖，圖1C是沿圖1A的剖面線(xiàn)1C-1C’的剖面示意圖，圖1D是沿圖1A的剖面線(xiàn)1D-1D’的剖面示意圖，圖1E是沿圖1A的剖面線(xiàn)1E-1E’的剖面示意圖。實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100例如是三維存儲(chǔ)裝置的主要結(jié)構(gòu)。

如圖1A～圖1E所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100包括基板110、多個(gè)導(dǎo)電層120、多個(gè)絕緣層130、第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140、第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150以及絕緣溝道(isolation trench)160。導(dǎo)電層120和絕緣層130形成于基板110上，且此些導(dǎo)電層120與此些絕緣層130是交錯(cuò)設(shè)置(interlaced)堆疊于基板110上。第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150穿過(guò)導(dǎo)電層120與絕緣層130并形成于基板110上。如圖1A所示，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140具有一第一水平C形剖面，第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150具有一第二水平C形剖面。如第1B和1E圖所示，絕緣溝道160形成于基板110上并位于第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直結(jié)構(gòu)150之間。

實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100用于三維存儲(chǔ)裝置時(shí)，基板110例如是底源極(bottom source)，導(dǎo)電層120例如是字符線(xiàn)，導(dǎo)電層120中的最底層例如是接地選擇線(xiàn)(ground select line，GSL)，導(dǎo)電層120中的最頂層例如是行選擇線(xiàn)(string select line，SSL)，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直結(jié)構(gòu)150例如是存儲(chǔ)行(memory string)，則此三維存儲(chǔ)裝置例如是垂直通道型(vertical channel)存儲(chǔ)裝置。

實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100中，由于一對(duì)垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)皆具有水平C形剖面且以絕緣溝道160相隔，因此增大單位面積內(nèi)的存儲(chǔ)密度，進(jìn)而達(dá)到更高的存儲(chǔ)容量。實(shí)施例中，兩個(gè)對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150可分別連接至不同的位線(xiàn)，不僅增大存儲(chǔ)密度，同時(shí)經(jīng)由不同的位線(xiàn)可以同時(shí)選取多個(gè)不同的垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(存儲(chǔ)行)，因而可以同時(shí)處理不同的編程/抹除(program/erase)操作，因此可以進(jìn)一步提升處理速度。

如第1B和1E圖所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括外延結(jié)構(gòu)170。外延結(jié)構(gòu)170形成于絕緣溝道160和基板110之間，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150經(jīng)由外延結(jié)構(gòu)170電性連接至基板110。

如第1B和1D～1E圖所示，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150分別包括一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)層180和一通道層190，通道層190形成于存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)層180上。

實(shí)施例中，存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)層180包括阻隔層(blocking layer)181、存儲(chǔ)層183和隧穿層185，阻隔層181形成于導(dǎo)電層120上，存儲(chǔ)層183形成于阻隔層181上，隧穿層185形成于存儲(chǔ)層183上。實(shí)施例中，阻隔層181和隧穿層185例如是氧化硅層，存儲(chǔ)層183例如是氮化硅層，通道層190例如是多晶硅層。

如圖1A所示，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140的第一水平C形剖面的圖案和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150的第二水平C形剖面的圖案是相對(duì)于絕緣溝道160而左右對(duì)稱(chēng)。舉例而言，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140的第一水平C形剖面的C形圖案的缺口和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150的第二水平C形剖面的C形圖案的缺口均朝向絕緣溝道160。

如第1B和1E圖所示，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150直接接觸絕緣溝道160。

如圖1A和圖1D～圖1E所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括第一接觸結(jié)構(gòu)240和第二接觸結(jié)構(gòu)250。第一接觸結(jié)構(gòu)240電性連接至第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140，第二接觸結(jié)構(gòu)250電性連接至第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150。實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括絕緣層191，絕緣層191形成于第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150上，而第一接觸結(jié)構(gòu)240和第二接觸結(jié)構(gòu)250 形成于絕緣層191之中。絕緣層191例如是層間介電層(ILD)，例如是由氧化物所制成。

如圖1A和圖1D～圖1E所示，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括第一位線(xiàn)BL1和第二位線(xiàn)BL2。第一位線(xiàn)BL1電性連接至第一接觸結(jié)構(gòu)240，第二位線(xiàn)BL2電性連接至第二接觸結(jié)構(gòu)250。實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100還包括絕緣層193，絕緣層193形成于絕緣層191上，而第一位線(xiàn)BL1和第二位線(xiàn)BL2形成于絕緣層193之中。絕緣層193例如是氧化物層。

圖2是本發(fā)明的一實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的多個(gè)第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和多個(gè)第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150的配置上視圖。圖式中，是省略部份非必要的元件，并且部分元件以透視方式繪制，以清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。

如圖2所示，多組第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150以絕緣溝道160分隔開(kāi)來(lái)。實(shí)施例中，絕緣溝道160的寬度W1例如是40～50納米(nm)，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150經(jīng)由絕緣溝道160的寬度W1相隔開(kāi)來(lái)。實(shí)施例中，絕緣溝道160之間的距離D1例如是大約90納米。

實(shí)施例中，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140的第一水平C形剖面的尺寸和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150的第二水平C形剖面的尺寸例如是約50～80納米。實(shí)施例中，第一水平C形剖面的尺寸和第二水平C形剖面的尺寸實(shí)質(zhì)上相同。舉例而言，如圖2所示，多個(gè)第一水平C形剖面和多個(gè)第二水平C形剖面的尺寸與形狀實(shí)質(zhì)上相同，各個(gè)C形剖面的最大寬度W2例如是大約80納米，各個(gè)C形剖面的最小寬度W3例如是大約50納米。再者，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和相鄰的第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150之間的距離D2例如是大約30～40納米。

實(shí)施例中，以相隔的區(qū)域源極線(xiàn)(local source line)SL之間的Y方向的長(zhǎng)度Y1大約為560納米、而X方向的寬度X1大約為156納米作為一個(gè)存儲(chǔ)陣列單元為例，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，此種尺寸的存儲(chǔ)陣列單元中可包括16個(gè)垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)(存儲(chǔ)行)，則大約每平方微米內(nèi)可容納92個(gè)存儲(chǔ)行。然而，當(dāng)存儲(chǔ)行結(jié)構(gòu)的剖面為具有約110納米的尺寸的同心圓時(shí)，在Y方向的長(zhǎng)度大約為480納米、而X方向的寬度大約為160納米的存儲(chǔ)陣 列單元中僅可包括8個(gè)存儲(chǔ)行，則大約每平方微米內(nèi)僅可容納52個(gè)存儲(chǔ)行。如此一來(lái)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，存儲(chǔ)密度可提高大約1.8倍。

再者，相較于剖面為具有約110納米的尺寸的同心的存儲(chǔ)行結(jié)構(gòu)，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)具有尺寸為大約是50～80納米的C形剖面，因此具有較小的曲度(curvature)，而具有較佳的電場(chǎng)增強(qiáng)(field enhancement)效果，進(jìn)而可以提高整體裝置的效能。

更進(jìn)一步，如圖1A所示，第一接觸結(jié)構(gòu)240和第二接觸結(jié)構(gòu)250沿位線(xiàn)BL1/BL2方向并未對(duì)齊而彼此錯(cuò)開(kāi)，且多組第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150排列成蜂巢狀(honeycomb-like)配置，因而可以于單位面積內(nèi)連接至較多的位線(xiàn)并且有效增大存儲(chǔ)密度。

請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1A～圖1E和圖3A～圖11B，其是依照本發(fā)明的一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100的制造方法示意圖。

圖3B是沿圖3A的剖面線(xiàn)3B-3B’的剖面示意圖。如圖3A～圖3B所示，提供基板110，以及形成多個(gè)導(dǎo)電層120和多個(gè)絕緣層130于基板110上，此些導(dǎo)電層120與此些絕緣層130交錯(cuò)設(shè)置堆疊于基板110上。

接著，形成第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150于基板110上。第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150的制造方法例如包括以下步驟。

如圖3A～圖3B所示，形成一凹槽310，凹槽310穿過(guò)導(dǎo)電層120與絕緣層130并停止于基板110上。如圖3A所示，凹槽310具有一橢圓形剖面，且此橢圓形的長(zhǎng)軸W4(最大直徑)例如大約為150納米。

圖4B是沿圖4A的剖面線(xiàn)4B-4B’的剖面示意圖。如圖4A～圖4B所示，形成存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層480于凹槽310內(nèi)，形成通道材料層490于存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層480上。存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層480包括阻隔材料層(blocking layer)481、存儲(chǔ)材料層483和隧穿材料層485，阻隔材料層481形成于導(dǎo)電層120上，存儲(chǔ)材料層483形成于阻隔材料層481上，隧穿材料層485形成于存儲(chǔ)材料層483上。實(shí)施例中，阻隔材料層481和隧穿材料層485例如是氧化硅層，存儲(chǔ)材料層483例如是氮化硅層，通道材料層490例如是多晶硅層。

圖5B是沿圖5A的剖面線(xiàn)5B-5B’的剖面示意圖，圖5C是沿圖5A的剖面線(xiàn)5C-5C’的剖面示意圖。如圖5A～圖5C所示，形成氧化物材料層510 于通道材料層490上并填入凹槽310中，形成的氧化物材料層510中具有一空氣間隙(air gap)510a。

圖6B是沿圖6A的剖面線(xiàn)6B-6B’的剖面示意圖，圖6C是沿圖6A的剖面線(xiàn)6C-6C’的剖面示意圖，圖6D是沿圖6A的剖面線(xiàn)6D-6D’的剖面示意圖。如圖6A～圖6D所示，沿著橢圓形剖面的短軸方向R1移除部分導(dǎo)電層120、部分絕緣層130、部分存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層480、部分通道材料層490和部分氧化物材料層510以形成一溝道T。

如第6A～6C圖所示，例如是以一蝕刻制程移除部分導(dǎo)電層120、部分絕緣層130、部分存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層480、部分通道材料層490和部分氧化物材料層510。蝕刻之后，如圖6B所示，凹槽310內(nèi)的部分存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)材料層480、部分通道材料層490和部分氧化物材料層510被蝕刻移除以暴露出基板110。蝕刻之后，如圖6C所示，凹槽310之外的部分導(dǎo)電層120和部分絕緣層130被蝕刻移除以暴露出此些絕緣層130的一最底層130b。換言之，由于空氣間隙510a的存在，凹槽310內(nèi)的材料以較快的速度被蝕刻，因而蝕刻的深度較深，形成的溝道T的此區(qū)域連接至基板110。而凹槽310之外的材料不具有空氣間隙510a，以較慢的速度被蝕刻，因而蝕刻的深度較淺，形成的溝道T的此區(qū)域僅到達(dá)絕緣層130的最底層130b，并未接觸到基板110。至此，形成多個(gè)存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)層180。

由于溝道T的形成，而能夠形成后續(xù)的第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直結(jié)構(gòu)150的水平C形剖面，因而可以使最后制作完成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有如前所述的功效與優(yōu)點(diǎn)。

圖7B是沿圖7A的剖面線(xiàn)7B-7B’的剖面示意圖，圖7C是沿圖7A的剖面線(xiàn)7C-7C’的剖面示意圖，圖7D是沿圖7A的剖面線(xiàn)7D-7D’的剖面示意圖。如第7A～7D圖所示，形成溝道T之后，形成外延結(jié)構(gòu)170于凹槽310內(nèi)的基板110上。也就是說(shuō)，外延結(jié)構(gòu)170形成于后續(xù)會(huì)形成的絕緣溝道160和基板110之間。

實(shí)施例中，外延結(jié)構(gòu)170以選擇性外延(Selective epitaxial growth，SEG)制程制作，因此外延結(jié)構(gòu)170成長(zhǎng)的區(qū)域具有高選擇性，會(huì)形成于具有晶種的表面，例如是具有單晶硅結(jié)構(gòu)的基板110表面上，而不會(huì)形成于其他材料(例如是氧化物層或多晶硅層)上。

圖8B是沿圖8A的剖面線(xiàn)8B-8B’的剖面示意圖，圖8C是沿圖8A的剖面線(xiàn)8C-8C’的剖面示意圖，圖8D是沿圖8A的剖面線(xiàn)8D-8D’的剖面示意圖。如圖8A～圖8D所示，填入一絕緣材料810于溝道T中，此時(shí)，絕緣溝道160形成。

圖9B是沿圖9A的剖面線(xiàn)9B-9B’的剖面示意圖，圖9C是沿圖9A的剖面線(xiàn)9C-9C’的剖面示意圖，圖9D是沿圖9A的剖面線(xiàn)9D-9D’之剖面示意圖。如圖9A～圖9D所示，以化學(xué)機(jī)械研磨制程移除暴露于溝道T之外的通道材料層490，以形成多個(gè)通道層190。

至此，如圖9A～圖9D所示，形成多個(gè)第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和多個(gè)第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150穿過(guò)導(dǎo)電層120與絕緣層130，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140具有第一水平C形剖面，第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150具有第二水平C形剖面。

再者，化學(xué)機(jī)械研磨制程之后，留在溝道T中的氧化物材料層510和絕緣材料810形成絕緣溝道160，絕緣溝道160形成于基板110上并位于第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直結(jié)構(gòu)150之間。

并且，各個(gè)垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的通道層190沿著Y方向彼此分隔開(kāi)來(lái)，則形成的外延結(jié)構(gòu)170位于絕緣溝道160和基板110之間，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150經(jīng)由外延結(jié)構(gòu)170電性連接至基板110。詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140的通道層190和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150的通道層190經(jīng)由外延結(jié)構(gòu)170電性連接至基板110。

圖10B是沿圖10A的剖面線(xiàn)10B-10B’的剖面示意圖，如第10A～10B圖所示，形成絕緣材料層991于第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140和第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)150上。

圖11B是沿圖11A的剖面線(xiàn)11B-11B’的剖面示意圖，如第11A～11B圖所示，形成第一接觸結(jié)構(gòu)240電性連接至第一垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)140，以及形成第二接觸結(jié)構(gòu)250電性連接至第二垂直存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)250。實(shí)施例中，例如是在絕緣材料層991中形成接觸孔，接著將導(dǎo)電材料填入接觸孔中以形成第一接觸結(jié)構(gòu)240和第二接觸結(jié)構(gòu)250于絕緣層191之中。

接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1A～圖1E，形成絕緣層193于絕緣層191上，形成第一位線(xiàn)BL1和第二位線(xiàn)BL2于絕緣層193之中。第一位線(xiàn)BL1電性連 接至第一接觸結(jié)構(gòu)240，第二位線(xiàn)BL2電性連接至第二接觸結(jié)構(gòu)250。至此，形成于圖1A～圖1E所示的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100。

以上所述的具體實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明，應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。