在本說明書中公開的本發(fā)明實(shí)施方式大體上涉及超導(dǎo)磁體裝置，并且更具體地說，涉及用于冷卻超導(dǎo)磁體裝置的系統(tǒng)和方法，尤其是在電機(jī)、磁存儲(chǔ)器以及磁共振成像(MRI)系統(tǒng)中冷卻超導(dǎo)磁體裝置的系統(tǒng)和方法。

背景技術(shù)：

超導(dǎo)線圈典型地使用氦容器進(jìn)行低溫冷卻，超導(dǎo)線圈例如形成磁體裝置的超導(dǎo)線圈。在這些傳統(tǒng)磁體裝置中，超導(dǎo)線圈在液氦(Helium)浴槽中進(jìn)行冷卻，以將線圈浸入液氦之中。這種冷卻布置要求使用包含數(shù)千公升液氦的極大高壓容器，所得結(jié)構(gòu)較為沉重。在許多情況下，需要強(qiáng)化放置有磁體裝置的底板，而且由于典型升降機(jī)，無法支撐(如MRI系統(tǒng)中)這些磁體裝置的重量，因而需要使用起重機(jī)來安裝磁體裝置。此外存在許多無法提供液氦輸送和服務(wù)的區(qū)域(例如，服務(wù)匱乏區(qū)域或尚未開發(fā)區(qū)域)。因此，傳統(tǒng)磁體裝置無法安裝在這些場(chǎng)所中。

此外，這些系統(tǒng)中的液氦有時(shí)可能汽化，如在失超事件期間汽化，其中汽化的氦從浸有磁體線圈的制冷劑浴槽中逸出。每次失超均跟隨有重新注滿(氦)和磁體升流的過程，因而成本昂貴且費(fèi)時(shí)。此外，在傳統(tǒng)超導(dǎo)磁體裝置中，需要在磁體失超之后通過通氣管道來使外部通氣系統(tǒng)排放氣體，如汽化氦。通氣管道難以安裝，并且在一些實(shí)例中，無法安裝。因此，考慮到成本結(jié)果以及一些情況，氦的排放可能需要注意環(huán)境問題或需要進(jìn)行監(jiān)管。

因此，用于磁體裝置的傳統(tǒng)冷卻布置可能產(chǎn)生特殊安裝要求，導(dǎo)致無法在某些區(qū)域安裝這些系統(tǒng)，并且使得維護(hù)成本較高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

現(xiàn)在歸納本發(fā)明實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)方面以便于本發(fā)明實(shí)施方式的基本理解，其中該歸納并不是本發(fā)明實(shí)施方式的擴(kuò)展性縱覽，且并非旨在標(biāo)識(shí)本發(fā)明實(shí)施方式的某些要素，也并非旨在劃出其范圍。相反，該歸納的主要目的是在下文呈現(xiàn)更詳細(xì)的描述之前用簡化形式呈現(xiàn)本發(fā)明實(shí)施方式的一些概念。

本發(fā)明實(shí)施方式的一個(gè)方面在于提供一種用于超導(dǎo)磁體的冷卻系統(tǒng)，其包括：

至少一個(gè)氣罐；

第一再冷凝器，用于再冷凝來自至少一個(gè)氣罐的第一氣態(tài)制冷劑并提供用于冷卻超導(dǎo)磁體的第一液態(tài)制冷劑；

至少一個(gè)制冷管；及

至少一個(gè)導(dǎo)熱帶，其一端與至少一個(gè)制冷管熱接觸，另一端與至少一個(gè)氣罐熱接觸；從而使得流經(jīng)該至少一個(gè)制冷管的第二液態(tài)制冷劑用于冷卻至少一個(gè)氣罐。

本發(fā)明實(shí)施方式的另一個(gè)方面在于提供一種磁體系統(tǒng)，其包括：

至少一個(gè)線圈支撐架；

超導(dǎo)磁體，設(shè)置于該至少一個(gè)線圈支撐架上；

至少一個(gè)氣罐；

至少一個(gè)第一再冷凝器，用于再冷凝來自至少一個(gè)氣罐的第一氣態(tài)制冷劑并提供用于冷卻超導(dǎo)磁體的第一液態(tài)制冷劑；

至少一個(gè)制冷管；及

至少一個(gè)導(dǎo)熱帶，其一端與至少一個(gè)制冷管熱接觸，另一端與至少一個(gè)氣罐熱接觸；從而使得流經(jīng)該至少一個(gè)制冷管的第二液態(tài)制冷劑用于冷卻至少一個(gè)氣罐。

本發(fā)明實(shí)施方式的另一個(gè)方面在于提供一種用于超導(dǎo)磁體的冷卻系統(tǒng)， 該冷卻系統(tǒng)包括：

至少一個(gè)氣罐；

第一再冷凝器，用于再冷凝來自該至少一個(gè)氣罐的氣態(tài)氦并提供用于冷卻超導(dǎo)磁體的液態(tài)氦；

至少一個(gè)制冷管；及

至少一個(gè)導(dǎo)熱帶，其一端與至少一個(gè)制冷管熱接觸，另一端與至少一個(gè)氣罐熱接觸；從而使得流經(jīng)該至少一個(gè)制冷管的液態(tài)氮用于冷卻至少一個(gè)氣罐。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的冷卻系統(tǒng)及磁體系統(tǒng)，由于至少一個(gè)第一再冷凝器用于再冷凝來自至少一個(gè)氣罐的第一氣態(tài)制冷劑并提供用于冷卻超導(dǎo)磁體的第一液態(tài)制冷劑，因此該實(shí)施例能夠冷卻超導(dǎo)磁體，如MRI系統(tǒng)的超導(dǎo)磁體，需要較少液氦，從而減少M(fèi)RI系統(tǒng)重量并且放寬這些系統(tǒng)的安裝要求。此外，流經(jīng)該至少一個(gè)制冷管的第二液態(tài)制冷劑用于冷卻至少一個(gè)氣罐，因此該實(shí)施例可以減少冷卻超導(dǎo)磁體的時(shí)間。

附圖說明

當(dāng)參照附圖閱讀以下詳細(xì)描述時(shí)，本發(fā)明實(shí)施方式的這些和其它特征、方面及優(yōu)點(diǎn)將變得更好理解，在附圖中，相同的元件標(biāo)號(hào)在全部附圖中用于表示相同的部件，其中：

圖1是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式形成的MRI磁體系統(tǒng)的功能模塊圖。

圖2是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式形成的MRI磁體系統(tǒng)的示意側(cè)視圖。

圖3是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式的用于冷卻氣罐的導(dǎo)熱帶的示意圖。

圖4是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式的制冷管的一個(gè)示意圖。

圖5是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式的制冷管的另一個(gè)示意圖。

圖6是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式的用于升高氣罐溫度的加熱器的示意圖。

圖7是根據(jù)本揭露書的一個(gè)實(shí)施方式的第一再冷凝器和冷卻液罐的示意圖。

具體實(shí)施方式

為幫助本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠確切地理解本發(fā)明實(shí)施方式所要求保護(hù)的主題，下面結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的具體實(shí)施方式。在以下對(duì)這些具體實(shí)施方式的詳細(xì)描述中，本說明書對(duì)一些公知的功能或構(gòu)造不做詳細(xì)描述以避免不必要的細(xì)節(jié)而影響到本發(fā)明實(shí)施方式的披露。

除非另作定義，本權(quán)利要求書和說明書中所使用的技術(shù)術(shù)語或者科學(xué)術(shù)語應(yīng)當(dāng)為本發(fā)明實(shí)施方式所屬技術(shù)領(lǐng)域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本說明書以及權(quán)利要求書中所使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分?！耙粋€(gè)”或者“一”等類似詞語并不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個(gè)?！鞍ā被蛘摺熬哂小钡阮愃频脑~語意指出現(xiàn)在“包括”或者“具有”前面的元件或者物件涵蓋出現(xiàn)在“包括”或者“具有”后面列舉的元件或者物件及其等同元件，并不排除其他元件或者物件?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機(jī)械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的。

請(qǐng)參閱圖1，MRI磁體系統(tǒng)90設(shè)置于真空容器102(例如，鋼制真空容器)內(nèi)。真空容器102圍繞MRI磁體系統(tǒng)90的熱屏蔽罩104設(shè)置。本文，作為一個(gè)非限制性示例，第一制冷劑是氦，第二制冷劑是氮。

MRI磁體系統(tǒng)90包括一個(gè)或多個(gè)超導(dǎo)磁體和冷卻系統(tǒng)。冷卻系統(tǒng)包括用于冷卻超導(dǎo)磁體的兩級(jí)冷卻布置。在本具體實(shí)施方式中，超導(dǎo)磁體由一個(gè)或多個(gè)超導(dǎo)主線圈26和一個(gè)或多個(gè)超導(dǎo)反磁線圈56構(gòu)成。

冷卻系統(tǒng)包括第一級(jí)冷卻布置，其包括一個(gè)或多個(gè)制冷管10、第二再冷凝器16、輸入管160及預(yù)冷卻液罐18。第一級(jí)冷卻布置用于提供第一級(jí)冷卻， 例如，使用液態(tài)氮(Liquid Nitrogen)，在大約77K和80K之間的溫度內(nèi)實(shí)現(xiàn)冷卻或預(yù)冷卻，例如在安裝或第一次打開MRI磁體系統(tǒng)90時(shí)。

制冷管10包括連接管164。第二再冷凝器16與輸入管160流體連通。第二再冷凝器16還通過連接管164與預(yù)冷卻液罐18流體連通。

輸入管160具有入口部162。入口部162延伸到熱屏蔽罩104的內(nèi)部，用于引入第二氣態(tài)制冷劑(例如，氮?dú)?。第二再冷凝器16用于再冷凝來自輸入管160的氮?dú)獠⑻峁┮簯B(tài)氮，流經(jīng)連接管164的液態(tài)氮用于填充預(yù)冷卻液罐18。預(yù)冷卻液罐18與超導(dǎo)主線圈26熱耦合，因此，預(yù)冷卻液罐18可以提供液態(tài)氮以用于冷卻超導(dǎo)主線圈26。

制冷管10還包括兩個(gè)預(yù)冷卻管12和15。預(yù)冷卻管12和15穿過真空容器102進(jìn)入熱屏蔽罩104的內(nèi)部。預(yù)冷卻管12與預(yù)冷卻管15流體連通。預(yù)冷卻管12與超導(dǎo)主線圈26熱耦合。預(yù)冷卻管15與熱屏蔽罩104熱耦合。

預(yù)冷卻管15具有入口部150，入口部150延伸到熱屏蔽罩104的內(nèi)部，用于引入第二液態(tài)制冷劑(例如，液態(tài)氮)到MRI磁體系統(tǒng)90。預(yù)冷卻管12具有出口部120，出口部120延伸到熱屏蔽罩104的外部，用于釋放第二液態(tài)或氣態(tài)制冷劑(例如，氣態(tài)或液態(tài)氮)。

因此，預(yù)冷卻管12可以提供液態(tài)氮以用于冷卻超導(dǎo)主線圈26，并且預(yù)冷卻管15可以提供液態(tài)氮以用于冷卻熱屏蔽罩104。

在其他實(shí)施方式中，制冷管10僅包括預(yù)冷卻管12。預(yù)冷卻管12具有用于引入液態(tài)氮的入口部150和用于釋放液態(tài)或氣態(tài)氮的出口部120。因此，預(yù)冷卻管12可提供液態(tài)氮以用于冷卻超導(dǎo)主線圈26。

冷卻系統(tǒng)還包括第二級(jí)冷卻布置，其包括兩個(gè)或多個(gè)磁體冷卻管22和52、氣罐46、第一再冷凝器42、冷卻液罐44、入口歧管45和出口歧管47。例如，第二級(jí)冷卻布置使用液態(tài)氦(He)，在穩(wěn)定狀態(tài)運(yùn)行期間和/或在斷電狀態(tài)期間實(shí)現(xiàn)對(duì)超導(dǎo)磁體的冷卻，因此，允許以“穿越”(ride-through)模式來達(dá)到約4.2K的運(yùn)行溫度。在其他實(shí)施方式中，MRI磁體系統(tǒng)90包括兩個(gè)或 兩個(gè)以上氣罐46。

氣罐46與入口部460流體連通，入口部460延伸到熱屏蔽罩104的內(nèi)部，用于將第一氣態(tài)制冷劑引入MRI磁體系統(tǒng)90。作為一個(gè)非限定的示例，第一氣態(tài)制冷劑是氦氣(He)。

第一再冷凝器42流體連通于氣罐46與冷卻液罐44之間。第一再冷凝器42、氣罐46和冷卻液罐44形成閉合循環(huán)冷卻系統(tǒng)，以用于冷卻超導(dǎo)主線圈26和超導(dǎo)反磁線圈56。

第一再冷凝器42通過連接管420再冷凝來自氣罐46的氦氣，并通過連接管422用液態(tài)氦填充冷卻液罐44。

磁體冷卻管22、52與冷卻液罐44之間的流體連通可以通過入口歧管45實(shí)現(xiàn)。磁體冷卻管32與超導(dǎo)主線圈26熱耦合。磁體冷卻管52與超導(dǎo)反磁線圈56熱耦合。冷卻液罐44用于提供液態(tài)氦，該液態(tài)氦經(jīng)過入口歧管45進(jìn)入磁體冷卻管22和52。因此，磁體冷卻管22可提供液態(tài)氦以用于冷卻超導(dǎo)主線圈26，磁體冷卻管52可提供液態(tài)氦以用于冷卻超導(dǎo)反磁線圈56。

在低溫制冷器40的運(yùn)輸、斷電或關(guān)機(jī)期間，例如維修低溫制冷器40，冷卻液罐44中的液態(tài)氦可用于冷卻超導(dǎo)線圈26和56。

磁體冷卻管22和52還與出口歧管47流體連通，出口歧管47通過第一再冷凝器42與一個(gè)或多個(gè)氣罐46流體連通。因?yàn)榇朋w冷卻管22和52分別從超導(dǎo)線圈26和56中去除熱量，所以第一再冷凝器42通過出口歧管47再冷凝來自磁體冷卻管22和52的汽化氦氣，并提供液態(tài)氦以用于填充冷卻液罐44。第一再冷凝器還用于再冷凝來自氣罐46的汽化氦氣，并提供液態(tài)氦以用于填充冷卻液罐44。

低溫制冷器40可為冷頭或其他合適的制冷機(jī)，其延伸穿過真空容器102，真空容器102中包含MRI磁體系統(tǒng)90以及各項(xiàng)實(shí)施例的冷卻部件。

在MRI系統(tǒng)運(yùn)行期間，根據(jù)在本說明書中更詳細(xì)的描述來控制超導(dǎo)磁體線圈26以獲得MRI成像數(shù)據(jù)。此外，在MRI系統(tǒng)運(yùn)行期間，液態(tài)氦冷卻超 導(dǎo)磁體線圈26。

請(qǐng)參閱圖2，MRI磁體系統(tǒng)90還包括線圈支撐架24和54。線圈支撐架24和54由導(dǎo)熱材料(例如，鋁)制成，其分別用于支撐超導(dǎo)主線圈26和超導(dǎo)反磁線圈56或保持其定位。

預(yù)冷卻液罐18設(shè)置于線圈支撐架24的外表面上，并與線圈支撐架24熱耦合。

預(yù)冷卻管12和磁體冷卻管22設(shè)置于線圈支撐架24的外表面上，并與線圈支撐架24熱耦合。

磁體冷卻管52設(shè)置于線圈支撐架54的外表面上，并與線圈支撐架54熱耦合。

具體來說，參見圖2，四個(gè)磁體冷卻管22設(shè)置于線圈支撐架24的外表面上，用于冷卻若干超導(dǎo)主線圈26。兩個(gè)磁體冷卻管52設(shè)置于線圈支撐架54的外表面上，用于冷卻若干超導(dǎo)反磁線圈56。

現(xiàn)參照?qǐng)D3，MRI磁體系統(tǒng)90包括兩個(gè)氣罐46A、46B和兩個(gè)導(dǎo)熱帶92、94。兩個(gè)氣罐46A、46B與熱屏蔽罩104機(jī)械耦合。作為一個(gè)非限制性示例，氣罐46A、46B與熱屏蔽罩104通過不銹鋼連接。

導(dǎo)熱帶92的一端與預(yù)冷卻管15熱接觸，另一端與氣罐46A熱接觸。導(dǎo)熱帶94的一端與預(yù)冷卻管12熱接觸，另一端與氣罐46B熱接觸。在非限定的實(shí)施方式中，導(dǎo)熱帶92、94均由銅制成。

因?yàn)轭A(yù)冷卻管15具有用于將液態(tài)氮引入MRI磁體系統(tǒng)90的入口部150，所以預(yù)冷卻管15可以通過導(dǎo)熱帶92，提供用于冷卻氣罐46A的液態(tài)氮。預(yù)冷卻管12可以通過導(dǎo)熱帶94，提供用于冷卻氣罐46B的液態(tài)氮。

MRI磁體系統(tǒng)90還包括兩個(gè)導(dǎo)熱帶96和98。導(dǎo)熱帶96的一端與連接管164熱接觸，另一端與氣罐46A熱接觸。導(dǎo)熱帶98的一端與連接管164熱接觸，另一端與氣罐46B熱耦合。在非限定的實(shí)施方式中，導(dǎo)熱帶96和98均由銅制成。

因?yàn)榈诙倮淠?6通過連接管164用液態(tài)氮填充預(yù)冷卻液罐18，所以流經(jīng)連接管164的液態(tài)氮可以通過導(dǎo)熱帶96來冷卻氣罐46A。同樣，流經(jīng)連接管164的液態(tài)氮還可以通過導(dǎo)熱帶98冷卻氣罐46B。

預(yù)冷卻管15包括第一部分和第二部分，第一部分與導(dǎo)熱帶92熱接觸。預(yù)冷卻管15用作熱開關(guān)，其導(dǎo)通狀態(tài)表示第一部分與第二部分熱耦合，斷開狀態(tài)表示第一部分與第二部分熱解耦。作為一個(gè)非限定的示例，第一部分可以是導(dǎo)熱帶92和預(yù)冷卻管15之間的連接點(diǎn)，第二部分是入口部150。

預(yù)冷卻管12包括第一部分和第二部分，第一部分與導(dǎo)熱帶94熱接觸。預(yù)冷卻管12用作熱開關(guān)，其導(dǎo)通狀態(tài)表示第一部分與第二部分熱耦合，斷開狀態(tài)表示第一部分與第二部分熱解耦。作為一個(gè)非限定的示例，第一部分可以是導(dǎo)熱帶94和預(yù)冷卻管12之間的連接點(diǎn)，第二部分是出口部120。

其原因是，在冷卻過程中，第一部分通過流經(jīng)預(yù)冷卻管12或15的液態(tài)氮，實(shí)現(xiàn)與第二部分的熱耦合。

MRI磁體系統(tǒng)90還包括第一傳感器260和泵262。第一傳感器260用于偵測(cè)超導(dǎo)主線圈26的溫度，如果偵測(cè)到的溫度低于第一閾值溫度，泵262用于通過出口部120抽出預(yù)冷卻管12和15中的氣態(tài)氮或液態(tài)氮，使得預(yù)冷卻管12和15成為真空預(yù)冷卻管。作為一個(gè)非限制性實(shí)例，第一閾值溫度是80K。由于預(yù)冷卻管12和15是真空預(yù)冷卻管，因此預(yù)冷卻管12或15的第一部分與第二部分熱解耦。

連接管164包括與導(dǎo)熱帶96或98熱接觸的第一部分和第二部分。連接管164用作熱開關(guān)，其導(dǎo)通狀態(tài)表示第一部分與第二部分熱耦合，斷開狀態(tài)表示第一部分與第二部分熱解耦。作為一個(gè)非限定的示例，第一部分可以是導(dǎo)熱帶96或98和連接管164之間的連接點(diǎn)，第二部分可以是第二再冷凝器16和連接管164之間的連接點(diǎn)。其原因是，在冷卻過程中，第一部分通過流經(jīng)連接管164的液態(tài)氮，實(shí)現(xiàn)與第二部分熱耦合。如果超導(dǎo)主線圈26進(jìn)一步被冷卻至氮的凝固溫度，大約在63K，預(yù)冷卻液罐18中的液態(tài)氮凝固，使得 連接管164變成真空管。因此，連接管164的第一部分也與第二部分熱藕解。

現(xiàn)參照?qǐng)D4，具體來說，制冷管10包括兩個(gè)預(yù)冷卻管12、15、入口管105、出口管106和連接管108。預(yù)冷卻管12、15分別與線圈支撐架24和熱屏蔽罩104熱耦合。入口管105流體連通于入口部150和預(yù)冷卻管15之間。連接管108流體連通于預(yù)冷卻管12和15之間。出口管106流體連通于出口部120和預(yù)冷卻管12之間。入口管105、出口管106和連接管108均由不銹鋼制成。預(yù)冷卻管12由鋁制成，預(yù)冷卻管15由銅制成。

現(xiàn)參照?qǐng)D5，冷卻管164包括連接管166和轉(zhuǎn)換管168。連接管166與第二再冷凝器16流體連通。轉(zhuǎn)換管168流體連通于連接管166和預(yù)冷卻液罐18之間。具體地，導(dǎo)熱帶96熱耦合于連接管166和氣罐46A之間，導(dǎo)熱帶98熱耦合于連接管166和氣罐46B之間。作為一個(gè)非限定的示例，連接管166由不銹鋼制成，轉(zhuǎn)換管168由鋁制成。

請(qǐng)參閱圖6，在一具體實(shí)施方式中，MRI磁體系統(tǒng)90還包括第二傳感器202、控制器204和加熱器206。第二傳感器202設(shè)置于氣罐46上，用于偵測(cè)氣罐46的溫度。如果偵測(cè)到的溫度低于第二閾值溫度，控制器204用于控制加熱器206升高氣罐46的溫度；使得第一再冷凝器42可以冷凝更多的來自氣罐46的氣態(tài)氦，因此可以提供更多的液態(tài)氦以用于填充冷卻液罐44。作為一個(gè)非限制性示例，第二閾值溫度可以是50K。

因此，將會(huì)有較多的液態(tài)氦進(jìn)入冷卻液罐44，這有助于冷卻超導(dǎo)主線圈26和超導(dǎo)反磁線圈56。在另一具體實(shí)施方式中，MRI磁體系統(tǒng)包括多個(gè)設(shè)置于氣罐46上的第二傳感器204。

現(xiàn)參照?qǐng)D7，第一再冷凝器42通過連接管422與冷卻液罐44流體連通。在一具體實(shí)施方式中，連接管422由不銹鋼制成。在其他的實(shí)施方式中，連接管422可以由碳化纖維或環(huán)氧樹脂玻璃纖維制成。

連接管422用作熱開關(guān)，其導(dǎo)通狀態(tài)表示第一再冷凝器42與冷卻液罐44熱耦合，斷開狀態(tài)表示第一再冷凝器42與冷卻液罐44熱解耦。

其原因是，當(dāng)?shù)谝辉倮淠?2再冷凝來自氣罐46的氣態(tài)氦，并用液態(tài)氦填充冷卻液罐44。由于液態(tài)氦流經(jīng)連接管422，因此第一再冷凝器42與冷卻液罐44熱耦合。如果第一再冷凝器42處于關(guān)閉狀態(tài)(例如，在保修期間)，第一再冷凝器42的溫度高于冷卻液罐44的溫度，冷卻液罐44與第一再冷凝器42之間不會(huì)有氣態(tài)氦的對(duì)流，因此第一再冷凝器42與冷卻液罐44熱解耦。

雖然結(jié)合特定的具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明，但本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以理解，對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式可以作出許多修改和變型。因此，要認(rèn)識(shí)到，權(quán)利要求書的意圖在于覆蓋在本發(fā)明實(shí)施方式真正構(gòu)思和范圍內(nèi)的所有這些修改和變型。