技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明構(gòu)思提供了半導體存儲器件及其制造方法。所述半導體存儲器件可以包括：多個柵極，豎直地堆疊在基底上；豎直溝道，填充豎直地貫穿所述多個柵極的溝道孔；存儲層，在溝道的內(nèi)側(cè)壁上豎直地延伸。豎直溝道可以包括：下溝道，填充溝道孔的下部區(qū)域并電連接至基底；上溝道，填充溝道孔的上部區(qū)域并接觸下溝道。上溝道可以在溝道孔的上部區(qū)域中沿存儲層和下溝道延伸并且可以具有均勻的厚度。

技術(shù)研發(fā)人員：金成吉;南泌旭;延國賢;李圣海;張佑賑;劉東哲;林憲亨;池正根;黃棋鉉
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
文檔號碼：201480082144
技術(shù)研發(fā)日：2014.09.26
技術(shù)公布日：2017.05.24