技術(shù)特征：

1.一種形成用于場效應(yīng)晶體管的歐姆接觸的方法，其特征在于，包括：

在阻擋層的接觸區(qū)形成Ta層；

在第一Ta層上形成Ti層；和

在Ti層上形成Al層；

其中所述阻擋層包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和至之間范圍內(nèi)的厚度；以及

其中所述阻擋層在包含GaN的溝道層上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于：

Ta層為厚；

Ti層為厚；以及

Al層為厚。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

以的蒸發(fā)速率通過蒸發(fā)形成Ta層；和

所述蒸發(fā)之后，將Ta層冷卻至30℃以下。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在750℃至850℃的溫度范圍內(nèi)快速熱退火10秒至60秒。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在襯底上形成GaN溝道層，所述溝道層具有大約1μm的厚度；以及

在所述溝道層上以及在所述溝道層和所述阻擋層之間形成厚度為的AlN間隔層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述歐姆接觸的接觸電阻小于或等于0.5Ω/mm。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述Ta層、Ti層和Al層通過光刻、蒸發(fā)和剝離或通過濺射和干蝕刻形成。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在形成歐姆接觸之前，使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在阻擋層上形成鈍化層，然后使用光致抗蝕劑和光刻來限定至少一個接觸區(qū)；和

通過蝕刻所述鈍化層去除所述接觸區(qū)中的鈍化層。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述鈍化層包括Si₃N₄。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括：

在形成所述歐姆接觸之后，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)在所述阻擋層上形成鈍化層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述鈍化層包括Si₃N₄。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，形成Ta層包括：

通過以的蒸發(fā)速率蒸發(fā)在所述接觸區(qū)中形成厚的第一Ta層；

在所述蒸發(fā)后將所述第一Ta層冷卻至30℃以下；和

通過以的蒸發(fā)速率蒸發(fā)在所述第一Ta層上形成厚的第二Ta層；

在所述蒸發(fā)后將所述第二Ta層冷卻至30℃以下；

在所述第二Ta層上形成所述Ti層；和

在所述Ti層上形成所述Al層。

13.一種用于場效應(yīng)晶體管的歐姆接觸，其特征在于，包括：

在阻擋層的接觸區(qū)的Ta層；

在第一Ta層上的Ti層；以及

在Ti層上的Al層；

其中所述阻擋層包括AlGaN，其具有10％至40％的Al成分和至之間范圍內(nèi)的厚度；并且

其中所述阻擋層在包含GaN的溝道層上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的歐姆接觸，其特征在于：

Ta層為厚；

Ti層為厚；以及

Al層為厚。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的歐姆接觸，其特征在于，還包括：

在襯底上的GaN溝道層，所述溝道層具有大約1μm的厚度；以及

在所述溝道層上以及在所述溝道層和所述阻擋層之間的厚度為的AlN間隔層。

16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的歐姆接觸，其特征在于，所述歐姆接觸的接觸電阻小于或等于0.5Ω/mm。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的歐姆接觸，其特征在于，還包括：

在源極接觸和漏極接觸之間的阻擋層上的鈍化層。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的歐姆接觸，其特征在于，所述鈍化層包括Si₃N₄。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的歐姆接觸，其特征在于，所述Ta層是以的蒸發(fā)速率蒸發(fā)形成的。

20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的歐姆接觸，其特征在于，所述Ta層包括：

在所述接觸區(qū)中的厚的第一Ta層，其通過以的蒸發(fā)速率蒸發(fā)并且在所述蒸發(fā)后冷卻至30℃以下而形成；和

在所述第一Ta層上的厚的第二Ta層，其通過以的蒸發(fā)速率蒸發(fā)并且在所述蒸發(fā)后冷卻所述第二Ta層至30℃以下而形成；

在所述第二Ta層上的Ti層；和

在所述Ti層上的Al層。