Oled 顯示基板、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種OLED顯示基板、顯示裝置，屬于顯示領(lǐng)域。所述OLED顯示基板，包括與內(nèi)部電壓連接的電源電極、至少一個薄膜晶體管和至少一個存儲電容，所述存儲電容的第一電極為摻雜后的所述薄膜晶體管的有源層，所述存儲電容的第二電極為所述電源電極。本實用新型的技術(shù)方案能夠降低顯示基板的功耗，并能夠簡化OLED顯示基板的制作工藝，降低OLED顯示基板的制作成本。
【專利說明】OLED顯示基板、顯示裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及顯示領(lǐng)域，特別是涉及一種0LED顯示基板、顯示裝置。

【背景技術(shù)】
[0002] 低溫多晶娃技術(shù)（LowTemperaturePoly_silicon，LTPS)最初是日本北美的技術(shù) 企業(yè)為了降低Note-PC顯示屏的能耗，令Note-PC顯得更薄更輕而研發(fā)的技術(shù)，大約在九十 年代中期這項技術(shù)開始走向試用階段。由LTPS衍生的新一代有機發(fā)光液晶面板0LED也于 1998年正式走上實用階段，它的最大優(yōu)勢在于超薄、重量輕、低耗電，同時其自身發(fā)光的特 點，因而可以提供更艷麗的色彩和更清晰的影像，而更為重要的是，生產(chǎn)成本只有普通液晶 面板的 1/3。AM_OLED(ActiveMatrix/OrganicLightEmittingDiode)是有源矩陣有機 發(fā)光二極體面板，相比傳統(tǒng)的液晶面板，AM-0LED具有反應(yīng)速度較快、對比度更高、視角較廣 等特點。
[0003] 傳統(tǒng)AM-0LED采用2T1C(兩個晶體管和一個電容）驅(qū)動方式，其中一個開關(guān)晶體 管，一個驅(qū)動晶體管和一個存儲電容，到掃描線有效時，開關(guān)晶體管打開，將數(shù)據(jù)信號存儲 到存儲電容；存儲電容存儲的電壓信號控制驅(qū)動晶體管的導通，將輸入的數(shù)據(jù)電壓信號轉(zhuǎn) 換成0LED發(fā)光需要的電流信號來顯示不同的灰階。因目前LTPS制程采用的鐳射退火技術(shù)， 制作的晶體管的閾值電壓（Vth)在空間上存在不均勻的特性，致使各個驅(qū)動晶體管閾值電 壓（Vth)存在較大的差異。
[0004] 現(xiàn)在應(yīng)用于AM-0LED的LTPS顯示基板采用PM0S結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)的2T1C結(jié)構(gòu)可以實現(xiàn) 顯示，但是由于多晶硅均勻性不好，Vth的波動幅度較大，從而2T1C結(jié)構(gòu)的顯示容易發(fā)生顯 示Mura(亮度不均勻），為了改善像素顯示，開發(fā)了 6T1C結(jié)構(gòu)或者6T2C結(jié)構(gòu)，6T1C的結(jié)構(gòu) 能夠有效的避免Vth波動的影響，改善顯示品質(zhì)。但是6T1C結(jié)構(gòu)增加了制程復雜度，降低 了產(chǎn)能和良率。
[0005] 另外，現(xiàn)有0LED顯示基板的存儲電容的一個電極采用摻雜后的有源層形成，另一 個電極采用柵金屬層形成，接內(nèi)部電壓的電源電極（ELVDD)通過過孔與形成存儲電容其中 一個電極的柵金屬層圖形連接，由于存儲電容充電時通常會有瞬間的大電流，為防止大電 流通過單個過孔，通常在一個像素區(qū)域設(shè)計2個到3個過孔連接柵金屬層圖形和ELVDD，增 加了過孔不良的概率；同時由于為了保證存儲電容的大小，形成存儲電容其中一個電極的 柵金屬層圖形的面積比較大，與源漏金屬層圖形有很大的交叉面積，在柵金屬層圖形和源 漏金屬層之間形成了電容，造成了很大的負載，增加了整個顯示基板的功耗。 實用新型內(nèi)容
[0006] 本實用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種0LED顯示基板、顯示裝置，能夠降低顯 示基板的功耗，并能夠簡化0LED顯示基板的制作工藝，降低0LED顯示基板的制作成本。
[0007] 為解決上述技術(shù)問題，本實用新型的實施例提供技術(shù)方案如下：
[0008] 一方面，提供一種0LED顯示基板，包括與內(nèi)部電壓連接的電源電極、至少一個薄 膜晶體管和至少一個存儲電容，所述存儲電容的第一電極為摻雜后的所述薄膜晶體管的有 源層，所述存儲電容的第二電極為所述電源電極。
[0009] 進一步地，所述OLED顯示基板還包括：
[0010] 位于所述有源層和所述電源電極之間的所述薄膜晶體管的柵電極，所述柵電極與 所述有源層之間間隔有柵絕緣層，所述柵電極與所述電源電極之間間隔有中間絕緣層。
[0011] 進一步地，所述電源電極與所述薄膜晶體管的源電極、漏電極位于同一層。
[0012] 進一步地，所述OLED顯示基板還包括：
[0013] 位于所述源電極、漏電極和電源電極之上的平坦層。
[0014] 進一步地，所述OLED顯示基板還包括：
[0015] 位于所述平坦層上的陽極、有機發(fā)光層和陰極，所述陽極通過所述平坦層中的過 孔與所述漏電極電性連接。
[0016] 進一步地，所述有源層為采用多晶硅制成。
[0017] 本實用新型實施例還提供了一種顯示裝置，包括上述的OLED顯示基板。
[0018] 本實用新型的實施例具有以下有益效果：
[0019] 上述方案中，OLED顯示基板存儲電容的電極分別由電源電極和摻雜后的有源層 形成，相比較于現(xiàn)有技術(shù)中利用摻雜后的有源層和柵金屬層圖形形成存儲電容的電極而 言，大幅減少了柵金屬層圖形的面積，從而減少了柵金屬層圖形與源漏金屬層圖形的交叉 面積，減少了顯示基板的負載，降低了顯示基板的功耗；另外，由于柵金屬層圖形的面積大 幅減少，因此，在利用柵金屬層形成柵電極之后，可以直接以柵電極為掩膜對有源層進行摻 雜，不必額外進行一次專門的構(gòu)圖工藝來對有源層進行摻雜，簡化了 OLED顯示基板的制作 工藝，降低了 OLED顯示基板的制作成本；進一步地，由于不需要利用柵金屬層圖形來形成 存儲電容的電極，因此，不必再設(shè)計連接柵金屬層圖形和電源電極的過孔，減少了過孔不良 的概率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1為本實用新型實施例的OLED顯示基板形成有源層后的平面示意圖；
[0021] 圖2為圖1的A-A'處截面示意圖；
[0022] 圖3為本實用新型實施例的OLED顯示基板形成柵電極后的平面示意圖；
[0023] 圖4為圖3的A-A'處截面示意圖；
[0024] 圖5為本實用新型實施例的OLED顯示基板形成中間絕緣層后的平面示意圖；
[0025] 圖6為圖5的A-A'處截面示意圖；
[0026] 圖7為本實用新型實施例的OLED顯示基板形成源電極和漏電極后的平面示意 圖；
[0027] 圖8為圖7的A-A'處截面示意圖；
[0028] 圖9為本實用新型實施例的OLED顯示基板形成平坦層后的平面示意圖；
[0029] 圖10為圖9的A-A'處截面示意圖；
[0030] 圖11為本實用新型實施例的OLED顯示基板形成陽極后的平面示意圖；
[0031] 圖12為圖11的A-A'處截面示意圖；
[0032] 圖13為圖11的B-B'處截面示意圖；
[0033] 圖14為本實用新型一實施例的OLED顯不基板的像素結(jié)構(gòu)不意圖；
[0034] 圖15為本實用新型實施例的OLED顯示基板的電路結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖16為本實用新型實施例的OLED顯示基板的信號時序圖；
[0036] 圖17為現(xiàn)有OLED顯示基板的平面示意圖；
[0037] 圖18為圖17的A-A'處截面示意圖。
[0038] 附圖標記
[0039] 1基板，2有源層，3柵絕緣層，4柵電極，5發(fā)射電極，6復位端，7中間絕緣層，8源 電極和漏電極，9電源電極，10數(shù)據(jù)線，11平坦層，12陽極，13公共電極，14柵金屬層圖形。

【具體實施方式】
[0040] 為使本實用新型要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖 及具體實施例進行詳細描述。
[0041] 實施例一
[0042] 本實施例提供了一種OLED顯示基板，包括與內(nèi)部電壓連接的電源電極、至少一個 薄膜晶體管和至少一個存儲電容，其中，所述存儲電容的第一電極為摻雜后的所述薄膜晶 體管的有源層，所述存儲電容的第二電極為所述電源電極。
[0043] 本實施例的OLED顯示基板存儲電容的電極分別由電源電極和摻雜后的有源層形 成，相比較于現(xiàn)有技術(shù)中利用摻雜后的有源層和柵金屬層圖形形成存儲電容的電極而言， 大幅減少了柵金屬層圖形的面積，從而減少了柵金屬層圖形與源漏金屬層圖形的交叉面 積，減少了顯示基板的負載，降低了顯示基板的功耗；另外，由于柵金屬層圖形的面積大幅 減少，因此，在利用柵金屬層形成柵電極之后，可以直接以柵電極為掩膜對有源層進行摻 雜，不必額外進行一次專門的構(gòu)圖工藝來對有源層進行摻雜，簡化了 OLED顯示基板的制作 工藝，降低了 OLED顯示基板的制作成本；進一步地，由于不需要利用柵金屬層圖形來形成 存儲電容的電極，因此，不必再設(shè)計連接柵金屬層圖形和電源電極的過孔，減少了過孔不良 的概率。
[0044] 進一步地，所述OLED顯示基板還包括：
[0045] 位于所述有源層和所述電源電極之間的所述薄膜晶體管的柵電極，所述柵電極與 所述有源層之間間隔有柵絕緣層，所述柵電極與所述電源電極之間間隔有中間絕緣層。
[0046] 進一步地，所述電源電極與所述薄膜晶體管的源電極、漏電極位于同一層。
[0047] 進一步地，所述OLED顯示基板還包括：
[0048] 位于所述源電極、漏電極和電源電極之上的平坦層。
[0049] 進一步地，所述OLED顯示基板還包括：
[0050] 位于所述平坦層上的陽極、有機發(fā)光層和陰極，所述陽極通過所述平坦層中的過 孔與所述漏電極電性連接。
[0051] 進一步地，為了保證OLED顯示基板的性能，所述有源層為采用多晶硅制成。
[0052]實施例二
[0053] 本實施例提供了一種顯示裝置，包括如實施例一所述的OLED顯示基板。所述顯示 裝置可以為：顯示面板、電視、顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等任何具有顯示功能的產(chǎn) 品或部件。
[0054] 實施例三
[0055] 本實施例還提供了一種上述OLED顯示基板的制作方法，所述制作方法包括：
[0056] 提供一基板；
[0057] 在所述基板上形成有源層的圖形；
[0058] 在形成有所述有源層的圖形的基板上形成柵絕緣層；
[0059] 在所述柵絕緣層上形成柵電極的圖形，以柵電極的圖形為掩膜，對所述有源層進 行摻雜，利用摻雜后的所述有源層形成所述存儲電容的第一電極；
[0060] 在形成有所述柵電極的基板上形成中間絕緣層；
[0061] 在所述中間絕緣層上形成所述電源電極的圖形，利用所述電源電極形成所述存儲 電容的第二電極。
[0062] 本實施例分別由電源電極和摻雜后的有源層形成OLED顯示基板存儲電容的電 極，相比較于現(xiàn)有技術(shù)中利用摻雜后的有源層和柵金屬層圖形形成存儲電容的電極而言， 大幅減少了柵金屬層圖形的面積，從而減少了柵金屬層圖形與源漏金屬層圖形的交叉面 積，減少了顯示基板的負載，降低了顯示基板的功耗；另外，由于柵金屬層圖形的面積大幅 減少，因此，在利用柵金屬層形成柵電極之后，可以直接以柵電極為掩膜對有源層進行摻 雜，不必額外進行一次專門的構(gòu)圖工藝來對有源層進行摻雜，簡化了 OLED顯示基板的制作 工藝，降低了 OLED顯示基板的制作成本；進一步地，由于不需要利用柵金屬層圖形來形成 存儲電容的電極，因此，不必再設(shè)計連接柵金屬層圖形和電源電極的過孔，減少了過孔不良 的概率。
[0063] 進一步地，所述在所述基板上形成有源層的圖形包括：
[0064] 在所述基板上沉積非晶硅層，對所述非晶硅層進行激光晶化，形成多晶硅層；
[0065] 通過一次構(gòu)圖工藝利用所述多晶硅層形成所述有源層的圖形。
[0066] 進一步地，所述在所述中間絕緣層上形成所述電源電極的圖形包括：
[0067] 通過一次構(gòu)圖工藝利用源漏金屬層形成所述電源電極和源電極、漏電極。
[0068] 實施例四
[0069] 下面結(jié)合附圖對本實施例的OLED顯示基板進行詳細說明：
[0070] 如圖17和18所示，現(xiàn)有OLED顯示基板的存儲電容的一個電極采用摻雜后的有源 層2形成，另一個電極為由柵金屬層形成，接內(nèi)部電壓的電源電極（ELVDD)9通過過孔與形 成存儲電容Cst其中一個電極的柵金屬層圖形14連接，由于存儲電容充電時通常會有瞬間 的大電流，為防止大電流通過單個過孔，通常在一個像素區(qū)域設(shè)計2個到3個過孔連接柵金 屬層圖形14和電源電極9,增加了過孔不良的概率；同時由于為了保證存儲電容的大小，形 成存儲電容其中一個電極的柵金屬層圖形14的面積比較大，與源漏金屬層圖形有很大的 交叉面積，在柵金屬層圖形14和源漏金屬層之間形成了電容，造成了很大的負載，增加了 整個顯示基板的功耗；另外，有源層2采用多晶硅制成，多晶硅仍是本征態(tài)，迀移率很低，不 能作為存儲電容的電極，需要對有源層2進行摻雜來形成存儲電容的電極，但是由于柵金 屬層圖形14的面積比較大，有源層2的大部分區(qū)域被柵金屬層圖形14所遮擋，因此不能以 柵金屬層圖形2為掩膜對有源層2進行摻雜，需要進行額外的構(gòu)圖工藝來專門對有源層2 進行摻雜，增加了OLED顯示基板制作工藝的復雜性，提高了OLED顯示基板的制作成本；另 夕卜，如圖17所示，與源漏金屬層圖形交叉的柵金屬層圖形14與形成T1和T2的柵金屬層圖 形之間的間距很小，工藝波動很可能導致這兩個柵金屬層圖形相連，使得T1、T2失效，導 致出現(xiàn)顯示不良。
[0071] 為了解決上述問題，本實施例提供了一種OLED顯不基板，該OLED顯不基板的制作 方法具體包括以下步驟：
[0072] 步驟1:提供一基板1，并在基板1上形成有源層2;
[0073] 基板1可以為石英基板或玻璃基板，具體地，基板1可以為厚度在0. 4-0. 7mm 之間的玻璃基板。對基板1進行清洗，待基板1潔凈無塵后采用CVD(ChemicalVapor Deposition，化學氣相沉積）方法在基板1上沉積一層厚度為

【權(quán)利要求】
1. 一種OLED顯示基板，包括與內(nèi)部電壓連接的電源電極、至少一個薄膜晶體管和至少 一個存儲電容，其特征在于，所述存儲電容的第一電極為摻雜后的所述薄膜晶體管的有源 層，所述存儲電容的第二電極為所述電源電極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED顯示基板，其特征在于，所述0LED顯示基板還包括： 位于所述有源層和所述電源電極之間的所述薄膜晶體管的柵電極，所述柵電極與所述 有源層之間間隔有柵絕緣層，所述柵電極與所述電源電極之間間隔有中間絕緣層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的0LED顯示基板，其特征在于，所述電源電極與所述薄膜晶體 管的源電極、漏電極位于同一層。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的0LED顯示基板，其特征在于，所述0LED顯示基板還包括： 位于所述源電極、漏電極和電源電極之上的平坦層。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的0LED顯示基板，其特征在于，所述0LED顯示基板還包括： 位于所述平坦層上的陽極、有機發(fā)光層和陰極，所述陽極通過所述平坦層中的過孔與 所述漏電極電性連接。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項所述的0LED顯示基板，其特征在于，所述有源層為采用 多晶硅制成。
7. -種顯示裝置，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-6任一項所述的0LED顯示基板。
【文檔編號】H01L27/32GK204216048SQ201420791318
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月12日
【發(fā)明者】張金中, 肖昂 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 鄂爾多斯市源盛光電有限責任公司