全屏蔽電感器的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)一種全屏蔽電感器，由扁平線(xiàn)圈、底座、左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一和第二鐵氧體磁芯組成，組裝后，該底座與第一和第二鐵氧體磁芯圍合形成全封閉內(nèi)腔，從而扁平線(xiàn)圈收納于全封閉內(nèi)腔內(nèi)，實(shí)現(xiàn)全屏蔽，能大大地降低EMI，尤其適合應(yīng)用于DCtoDC電源供應(yīng)器、電池供應(yīng)設(shè)備、大電流電源供應(yīng)設(shè)備、EMI濾波器，均能滿(mǎn)足EMI測(cè)試需求。
【專(zhuān)利說(shuō)明】全屏蔽電感器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及電感器領(lǐng)域技術(shù)，尤其是指一種全屏蔽電感器。

【背景技術(shù)】
[0002]額定電流作為電感的一個(gè)主要參數(shù)，是指電感器在允許的工作環(huán)境下能承受的最大電流值。一些高功率電路對(duì)電感器的額定電流要求比較高，因此出現(xiàn)了大電流電感器。
[0003]目前國(guó)內(nèi)外大電流電感器規(guī)格與形狀有很多種，一般的電感器器采用鎳鋅磁棒或鐵粉磁棒作為導(dǎo)磁材料，制作成棒形電感器。這種電感器因?yàn)椴捎瞄_(kāi)磁路結(jié)構(gòu)，并且導(dǎo)磁材料自身的導(dǎo)磁系數(shù)低，所以電感器量一般都比較小，應(yīng)用場(chǎng)合有限。并且，由于采用開(kāi)磁路結(jié)構(gòu)，在大電流狀態(tài)下，磁泄漏大，對(duì)其他元件干擾明顯。有另外一種電感器，為改善電磁干擾問(wèn)題，采用工形磁芯外套屏蔽罩組合而成，這種結(jié)構(gòu)減少了元件的磁泄漏，電感器的疊加性能比較差，無(wú)法做成上十或者幾十安培耐電流的電感器。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]有鑒于此，本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)存在之缺失，其主要目的是提供一種全屏蔽電感器，實(shí)現(xiàn)全屏蔽，能大大地降低EMI。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用如下之技術(shù)方案:
[0006]一種全屏蔽電感器，包括扁平線(xiàn)圈、底座、左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一和第二鐵氧體磁芯，該第一鐵氧體磁芯具有一體式的第一磁殼和第一導(dǎo)磁內(nèi)心，該第二鐵氧體磁芯具有一體式的第二磁殼和第二導(dǎo)磁內(nèi)心，該底座安裝于第一和第二鐵氧體磁芯下方與第一、第二磁殼包圍形成全封閉內(nèi)腔，該扁平線(xiàn)圈收納于全封閉內(nèi)腔中并繞設(shè)在第一、第二導(dǎo)磁內(nèi)心上。
[0007]作為一種優(yōu)選的方案，所述第一鐵氧體磁芯中，該第一磁殼由左端面、頂面、底面、前端面和后端面圍合形成左圓形凹腔，所述第一導(dǎo)磁內(nèi)心一體自左端面內(nèi)側(cè)橫向延伸以懸設(shè)于該左圓形凹腔中心；所述第二鐵氧體磁芯中，該第二磁殼由右端面、頂面、底面、前端面和后端面圍合形成右圓形凹腔，所述第二導(dǎo)磁內(nèi)心一體自右端面內(nèi)側(cè)橫向延伸以懸設(shè)于該右圓形凹腔中心；所述第一、第二鐵氧體磁芯拼合在底座上，第一磁殼與第二磁殼相緊貼，第一導(dǎo)磁內(nèi)心與第二導(dǎo)磁內(nèi)心相緊貼，左、右圓形凹腔正對(duì)構(gòu)成所述全封閉內(nèi)腔。
[0008]作為一種優(yōu)選的方案，所述第一磁殼的底面前側(cè)具有第一避讓槽，該第二磁殼的底面后側(cè)具有第二避讓槽，該扁平線(xiàn)圈的進(jìn)、出線(xiàn)分別從第一、第二避讓槽伸出第一和第二鐵氧體磁芯的下方。
[0009]作為一種優(yōu)選的方案,所述底座的其中一對(duì)角設(shè)有一對(duì)固定腳,另一對(duì)角設(shè)有一對(duì)通孔，所述扁平線(xiàn)圈的進(jìn)、出線(xiàn)分別穿過(guò)該通孔伸向底座下方。
[0010]作為一種優(yōu)選的方案，所述第一和第二導(dǎo)磁內(nèi)心均呈圓柱形。
[0011]本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果，具體而言，由上述技術(shù)方案可知，由于本電感器是由扁平線(xiàn)圈、底座、左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一和第二鐵氧體磁芯組成，組裝后，該底座與第一和第二鐵氧體磁芯圍合形成全封閉內(nèi)腔，從而扁平線(xiàn)圈收納于全封閉內(nèi)腔內(nèi)，實(shí)現(xiàn)全屏蔽，能大大地降低EMI，尤其適合應(yīng)用于DC to DC電源供應(yīng)器、電池供應(yīng)設(shè)備、大電流電源供應(yīng)設(shè)備、EMI濾波器，均能滿(mǎn)足EMI測(cè)試需求。
[0012]為更清楚地闡述本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征和功效，下面結(jié)合附圖與具體實(shí)施例來(lái)對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1是本實(shí)用新型之實(shí)施例的組裝立體示意圖；
[0014]圖2是圖1的另一視角圖；
[0015]圖3是本實(shí)用新型之實(shí)施例的分解圖；
[0016]圖4是圖3的另一視角圖；
[0017]圖5是本實(shí)用新型之實(shí)施例的內(nèi)部剖視圖。
[0018]附圖標(biāo)識(shí)說(shuō)明:
[0019]10、扁平線(xiàn)圈11、進(jìn)線(xiàn)
[0020]12、出線(xiàn)20、底座
[0021]21、固定腳22、通孔
[0022]31、第一鐵氧體磁芯311、第一磁殼
[0023]3111、左端面3112、頂面
[0024]3113、底面3114、前端面
[0025]3115、后端面3116、左圓形凹腔
[0026]3117、第一避讓槽312、第一導(dǎo)磁內(nèi)心
[0027]32、第二鐵氧體磁芯321、第二磁殼
[0028]3211、右端面3212、頂面
[0029]3213、底面3214、前端面
[0030]3215、后端面3216、右圓形凹腔
[0031]3217、第二避讓槽322、第二導(dǎo)磁內(nèi)心
[0032]33、全封閉內(nèi)腔。

【具體實(shí)施方式】
[0033]請(qǐng)參照?qǐng)D1至圖5所示，其顯示出了本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例的具體結(jié)構(gòu)，是一種全屏蔽電感器，其結(jié)構(gòu)包括有扁平線(xiàn)圈10、底座20、左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一和第二鐵氧體磁芯 31、32。
[0034]其中，該第一鐵氧體磁芯31具有一體式的第一磁殼311和第一導(dǎo)磁內(nèi)心312,該第二鐵氧體磁芯32具有一體式的第二磁殼321和第二導(dǎo)磁內(nèi)心322,第一和第二導(dǎo)磁內(nèi)心312、322均呈圓柱形。該底座20安裝于第一和第二鐵氧體磁芯31、32下方與第一、第二磁殼311、321包圍形成全封閉內(nèi)腔33。該扁平線(xiàn)圈10收納于全封閉內(nèi)腔33中并繞設(shè)在第一和第二導(dǎo)磁內(nèi)心312、322上；從而電感器是全屏蔽的，能大大地降低EMI。
[0035]本實(shí)施例中，由于采用鐵氧磁芯，可以減少磁芯損耗，提高電源效率。所述第一鐵氧體磁芯31中，該第一磁殼311由左端面3111、頂面3112、底面3113、前端面3114和后端面3115圍合形成左圓形凹腔3116,所述第一導(dǎo)磁內(nèi)心312 —體自左端面3111內(nèi)側(cè)橫向延伸以懸設(shè)于該左圓形凹腔3116中心。所述第二鐵氧體磁芯32中，該第二磁殼321由右端面3211、頂面3212、底面3213、前端面3214和后端面3215圍合形成右圓形凹腔3216，所述第二導(dǎo)磁內(nèi)心322 —體自右端面3211內(nèi)側(cè)橫向延伸以懸設(shè)于該右圓形凹腔3216中心。組裝后，所述第一、第二鐵氧體磁芯31、32拼合在底座20上，使第一磁殼311和第二磁殼321相緊貼，以及第一導(dǎo)磁內(nèi)心312與第二導(dǎo)磁內(nèi)心322相緊貼，使左、右圓形凹腔3116、3216正對(duì)，基本上達(dá)到磁殼內(nèi)部密封，以實(shí)現(xiàn)全屏蔽。
[0036]由于本廣品米用扁平線(xiàn)圈10而不是常見(jiàn)的圓形線(xiàn)圈，扁平線(xiàn)圈10可以得到更小的DC電阻和AC電阻，更好地減少電源損耗，從而提高電源效率。當(dāng)扁平線(xiàn)圈10繞設(shè)在第一和第二導(dǎo)磁內(nèi)心312、322時(shí)，在第一、第二磁殼311、321上需要設(shè)計(jì)出避讓位置以伸扁平線(xiàn)圈10的進(jìn)、出線(xiàn)11、12穿過(guò)。本實(shí)施例的設(shè)計(jì)是在第一磁殼311的底面3113前側(cè)具有第一避讓槽3117，該第二磁殼321的底面3213后側(cè)具有第二避讓槽3217，從而，該扁平線(xiàn)圈10的進(jìn)、出線(xiàn)11、12分別從第一、第二避讓槽3117、3217伸出第一和第二鐵氧體磁芯31、32的下方。
[0037]所述底座20是一塊方形板體，其符合Stand-off底座標(biāo)準(zhǔn)，可以方便地組裝到PCB上，并方便清潔殘物。該底座20的其中一對(duì)角設(shè)有一對(duì)固定腳21，另一對(duì)角設(shè)有一對(duì)通孔22，以供扁平線(xiàn)圈10的進(jìn)、出線(xiàn)11、12分別穿過(guò)該通孔22伸向底座20下方。
[0038]本實(shí)用新型的全屏蔽電感器組裝成型后產(chǎn)品整體最大尺寸L*W*H控制在20.5mm*18.0mm*19.0mm的范圍內(nèi)，其電量感從1.0uH至10Uh,飽和電流達(dá)到30Amps,操作頻率可達(dá)到5MHz。尤其適合應(yīng)用于DC to DC電源供應(yīng)器、電池供應(yīng)設(shè)備、大電流電源供應(yīng)設(shè)備、EMI濾波器，均能滿(mǎn)足EMI測(cè)試需求。
[0039]綜上所述，本實(shí)用新型的設(shè)計(jì)重點(diǎn)在于，由于本電感器是由扁平線(xiàn)圈10、底座20、左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一和第二鐵氧體磁芯31、32組成,組裝后,該底座20與第一和第二鐵氧體磁芯31、32圍合形成全封閉內(nèi)腔33，從而扁平線(xiàn)圈10收納于全封閉內(nèi)腔33內(nèi)，實(shí)現(xiàn)全屏蔽，能大大地降低EMI，尤其適合應(yīng)用于DC to DC電源供應(yīng)器、電池供應(yīng)設(shè)備、大電流電源供應(yīng)設(shè)備、EMI濾波器，均能滿(mǎn)足EMI測(cè)試需求。
[0040]以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)范圍作任何限制，故凡是依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何細(xì)微修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種全屏蔽電感器，其特征在于:包括扁平線(xiàn)圈、底座、左右對(duì)稱(chēng)設(shè)置的第一和第二鐵氧體磁芯，該第一鐵氧體磁芯具有一體式的第一磁殼和第一導(dǎo)磁內(nèi)心，該第二鐵氧體磁芯具有一體式的第二磁殼和第二導(dǎo)磁內(nèi)心，該底座安裝于第一和第二鐵氧體磁芯下方與第一、第二磁殼包圍形成全封閉內(nèi)腔，該扁平線(xiàn)圈收納于全封閉內(nèi)腔中并繞設(shè)在第一、第二導(dǎo)磁內(nèi)心上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全屏蔽電感器，其特征在于: 所述第一鐵氧體磁芯中，該第一磁殼由左端面、頂面、底面、前端面和后端面圍合形成左圓形凹腔，所述第一導(dǎo)磁內(nèi)心一體自左端面內(nèi)側(cè)橫向延伸以懸設(shè)于該左圓形凹腔中心； 所述第二鐵氧體磁芯中，該第二磁殼由右端面、頂面、底面、前端面和后端面圍合形成右圓形凹腔，所述第二導(dǎo)磁內(nèi)心一體自右端面內(nèi)側(cè)橫向延伸以懸設(shè)于該右圓形凹腔中心； 所述第一、第二鐵氧體磁芯拼合在底座上，第一磁殼與第二磁殼相緊貼，第一導(dǎo)磁內(nèi)心與第二導(dǎo)磁內(nèi)心相緊貼，左、右圓形凹腔正對(duì)構(gòu)成所述全封閉內(nèi)腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的全屏蔽電感器，其特征在于:所述第一磁殼的底面前側(cè)具有第一避讓槽，該第二磁殼的底面后側(cè)具有第二避讓槽，該扁平線(xiàn)圈的進(jìn)、出線(xiàn)分別從第一、第二避讓槽伸出第一和第二鐵氧體磁芯的下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的全屏蔽電感器，其特征在于:所述底座的其中一對(duì)角設(shè)有一對(duì)固定腳，另一對(duì)角設(shè)有一對(duì)通孔，所述扁平線(xiàn)圈的進(jìn)、出線(xiàn)分別穿過(guò)該通孔伸向底座下方。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的全屏蔽電感器，其特征在于:所述第一和第二導(dǎo)磁內(nèi)心均呈圓柱形。
【文檔編號(hào)】H01F27/30GK204130314SQ201420560516
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年9月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月26日
【發(fā)明者】鄧必林, 周水振, 李良如, 陳乾 申請(qǐng)人:東莞普思電子有限公司