復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻，包括本體組件和設(shè)置在本體組件下端的引線，所述的引線與本體組件內(nèi)部所設(shè)置的電極層相連接，所述的電極層是一種三層復(fù)合電極，外層電極為原子數(shù)47，79貴金屬鍍膜層、中間層電極為原子數(shù)23，28，29的多元素阻擋層、底層電極為原子數(shù)48的過渡層。本實(shí)用新型在保證原有產(chǎn)品性能前提下，可以1.貴金屬耗用量降低65～85％，大大節(jié)約成本；2.制電極過程減免了有機(jī)溶劑對環(huán)境的污染；3.解決傳統(tǒng)電極長時(shí)間使用后電極元素?cái)U(kuò)散遷移至陶瓷層造成短路的問題；4.解決高濕度(大于85％RH環(huán)境)下電極脫落造成開路的問題。
【專利說明】復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及熱敏電阻，尤其是一種復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻。

【背景技術(shù)】
[0002]測溫型負(fù)溫度熱敏電阻主要起到感知被測物體、溶液等的溫度并通過程控溫度的作用。如今已廣泛應(yīng)用于汽車(如油箱、水箱、車載空調(diào)溫控，液位傳感等)，家電(冰箱、電飯鍋、微波爐等)，醫(yī)療(體溫監(jiān)控、醫(yī)療器械等)，航空，軍事等領(lǐng)域，起著不可或缺的作用。
[0003]目前，行業(yè)內(nèi)普遍采用的測溫型熱敏電阻的電極制作均采用絲網(wǎng)印刷電極工藝:即采用絲網(wǎng)印刷，將電極漿(普遍采用銀含量為60?78%的銀漿，也有采用黃金、鉬金等)印刷在本體瓷體上，通過高溫?zé)Y(jié)使電極漿里有機(jī)溶劑(氯化物、溴化物、阻燃劑等)揮發(fā)，使金屬電極與本體瓷體結(jié)合成一個(gè)整體。因金屬電極在高溫高濕下的物體化學(xué)特性變得敏感，會(huì)產(chǎn)生兩種隱患:1.長期使用后金屬電極呈樹枝狀逐漸滲透到本體組件的陶瓷體中，形成短路；2.在高濕度環(huán)境下，水汽滲透到電極與本體組件的陶瓷體之間，使電極逐漸脫落，形成斷路。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是:提供一種復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻，使其不僅能解決產(chǎn)品在高溫高濕環(huán)境下的短路、斷路問題，還能減少貴金屬的使用量，減少制造成本。
[0005]為提高產(chǎn)品在耐電極遷移、及在高溫(150°C環(huán)境)高濕(大于85% RH)條件下的電極穩(wěn)定性，避免因短路、斷路造成的產(chǎn)品缺陷，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是:一種復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻，包括本體組件和設(shè)置在本體組件下端的引線，所述的引線與本體組件內(nèi)部所設(shè)置的電極層相連接，所述的電極層是一種三層復(fù)合電極，外層電極為原子數(shù)47，79貴金屬鍍膜層、中間層電極為原子數(shù)23，28，29的多元素阻擋層、底層電極為原子數(shù)48的過渡層。
[0006]本實(shí)用新型所述的電極層單面總厚度為0.3?2.0 μ m。
[0007]本實(shí)用新型的制作工藝為:
[0008]I)所用瓷片采用流延(薄帶)工藝的方片，增加產(chǎn)品利用率；
[0009]2)采用真空濺鍍工藝制作三層式復(fù)合電極，外層電極為原子數(shù)47，79貴金屬鍍膜層、中間層電極為原子數(shù)23，28，29的多元素阻擋層、底層電極為原子數(shù)48的過渡層；
[0010]3)依據(jù)產(chǎn)品電性能將大銀片劃成大小各異的方芯片；
[0011]4)方芯片焊接引線，涂裝，精選等工序，完成整個(gè)制備過程。
[0012]本實(shí)用新型的有益效果是，解決了【背景技術(shù)】中存在的缺陷，在保證原有產(chǎn)品性能前提下，可以1.貴金屬耗用量降低65?85%，大大節(jié)約成本；2.制電極過程減免了有機(jī)溶劑對環(huán)境的污染；3.解決傳統(tǒng)電極長時(shí)間使用后電極元素?cái)U(kuò)散遷移至陶瓷層造成短路的問題；4.解決高濕度(大于85% RH環(huán)境)下電極脫落造成開路的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。
[0014]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]圖2是本實(shí)用新型的工藝總流程圖；
[0016]圖3是本實(shí)用新型工藝與傳統(tǒng)印銀工藝特征流程的區(qū)別圖；
[0017]圖4是本實(shí)用新型工藝與傳統(tǒng)印銀工藝電極層的區(qū)別圖；
[0018]圖中:1.保護(hù)層；2.電極層；3.本體組件；4.引線。

【具體實(shí)施方式】
[0019]現(xiàn)在結(jié)合附圖和優(yōu)選實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些附圖均為簡化的示意圖，僅以示意方式說明本實(shí)用新型的基本結(jié)構(gòu)，因此其僅顯示與本實(shí)用新型有關(guān)的構(gòu)成。
[0020]如圖1所示，一種復(fù)合電極型測溫型負(fù)溫度熱敏電阻，包括本體組件3和設(shè)置在本體組件3下端的引線4，所述的引線4與本體組件內(nèi)部所設(shè)置的電極層2相連接，本體組件表面設(shè)置有保護(hù)層I。
[0021]可結(jié)合圖4理解，本實(shí)用新型所述的電極2中所采用的是:通過真空濺鍍工藝制作三層電極，其中的過渡層采用原子數(shù)48的元素，其物體特性與陶瓷基本相似度高，所以其可以與陶瓷基體形成完美結(jié)合，形成穩(wěn)定的接觸，避免電極層脫落導(dǎo)致產(chǎn)品斷路失效。阻擋層采用多元金屬形成的致密層，其物理穩(wěn)定性好，可避免在高溫高濕下銀(或金等)元素滲透導(dǎo)致產(chǎn)品短路失效；表層電極為銀(或金)等貴金屬，與引線4相連。
[0022]本實(shí)用新型設(shè)計(jì)的總工藝流程如圖2所示:首先配料，按照特定配方配置粉料(含多種過度元素)；其次采用流延(薄帶)工藝成型、燒結(jié)；然后使用本實(shí)用新型工藝，在瓷片上制作復(fù)合多層電極層；再通過劃片制成芯片，通過焊接引線，涂裝保護(hù)層等制成最終復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻。其中主要的電極制作工藝，本實(shí)用新型工藝與傳統(tǒng)絲網(wǎng)印刷工藝區(qū)別如圖3所述。
[0023]綜合以上，本實(shí)用新型產(chǎn)品一復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻可在保持原有產(chǎn)品電性能不變前提下，還可以:本實(shí)用新型可以可以:1.貴金屬耗用量降低65?85%，大大節(jié)約成本(原有絲網(wǎng)印刷工藝貴金屬厚度約8um，此實(shí)用新型電極厚度可減薄至2um以下)；2.制電極過程減免了有機(jī)溶劑對環(huán)境的污染(原有絲網(wǎng)印刷工藝制作過程中有氯化物、溴化物等溶劑揮發(fā)，對環(huán)境造成損害)；3.解決傳統(tǒng)電極長時(shí)間使用后電極元素?cái)U(kuò)散遷移至陶瓷層造成短路的問題(復(fù)合電極中過渡層產(chǎn)生功效)；4.解決高濕度(大于85% RH環(huán)境)下電極脫落造成開路的問題(復(fù)合電極中阻擋層產(chǎn)生功效)。
[0024]本實(shí)用新型可以在保持電氣特性規(guī)格不降低的情況下，替代傳統(tǒng)電極制造工藝；由于在電極制作工藝中，可減少貴金屬Ag (黃金、鉬金等)的耗用，從而可以降低生產(chǎn)成本，提升產(chǎn)品競爭力；尤其是其摒棄使用有機(jī)溶劑Ag(黃金、鉬金等)漿的傳統(tǒng)燒滲工藝，對我國倡導(dǎo)的可持續(xù)發(fā)展路線及其吻合。此實(shí)用新型產(chǎn)品及工藝，能耗少、無污染、綠色環(huán)保，且可靠性好。
[0025]以上說明書中描述的只是本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】，各種舉例說明不對本實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)內(nèi)容構(gòu)成限制，所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員在閱讀了說明書后可以對以前所述的【具體實(shí)施方式】做修改或變形，而不背離實(shí)用新型的實(shí)質(zhì)和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻，包括本體組件以及設(shè)置在本體組件下端的引線；所述的引線與本體組件內(nèi)部所設(shè)置的電極層相連接；其特征在于:所述的電極層為三層復(fù)合電極層，包括外層電極、中間層電極以及底層電極；所述的外層電極為貴金屬鍍膜層；所述的中間層電極為多元素阻擋層；所述的底層電極為過渡層；所述的電極層的厚度為 0.3 ?2 μ m。
2.如權(quán)利要求1所述的復(fù)合電極型測溫負(fù)溫度熱敏電阻，其特征在于:所述的外層電極為原子數(shù)為47或79的貴金屬鍍膜層；中間層電極為原子數(shù)為23、28或29的多元素阻擋層；底層電極為原子數(shù)為48的過渡層。
【文檔編號(hào)】H01C7/04GK204066919SQ201420539383
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年9月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月18日
【發(fā)明者】張一平 申請人:興勤（常州）電子有限公司