一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型涉及一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器，包括樹脂包封層、電極層、瓷介質(zhì)芯片及引線，整體形狀為中心對(duì)稱的凹碟形，即中心為圓盤形，外部為圓環(huán)形，外部圓環(huán)形的厚度大于中心圓盤形的厚度，圓環(huán)形芯片表面設(shè)有外電極，圓盤形芯片表面設(shè)有內(nèi)電極，外電極與內(nèi)電極為整體的銅電極，內(nèi)電極與引線焊接，樹脂包封層將內(nèi)、外電極和瓷介質(zhì)芯片包覆在里面。本實(shí)用新型有效提高了標(biāo)稱電容量和耐壓強(qiáng)度，有效化解了兩者之間的矛盾，在保證電容器大容量、高耐電強(qiáng)度的前提下，大大縮小了電容器體積，適應(yīng)了電子整機(jī)小型化的需求。
【專利說明】一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及陶瓷電容器，特別涉及一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容 器。

【背景技術(shù)】
[0002] 傳統(tǒng)的分立元件一陶瓷電容器以圓片形為主，這種結(jié)構(gòu)成型簡(jiǎn)單、工藝成熟、操作 簡(jiǎn)便，便于批量化、規(guī)?；a(chǎn)。但是對(duì)于高壓陶瓷電容器來說，主要考慮的是耐壓強(qiáng)度和 標(biāo)稱電容器盡可能高。而這兩者之間，恰恰是相互矛盾的。同等條件下：介質(zhì)越薄，電容量 越大，耐壓強(qiáng)度越低，反之亦然。傳統(tǒng)的圓盤式陶瓷電容器體積相對(duì)大，不利于電力器件的 組裝。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容 器，通過對(duì)電容器整體形狀的設(shè)計(jì)，在保證產(chǎn)品的技術(shù)性能不變的前提下，可以縮小電容器 體積，實(shí)現(xiàn)小型化。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)：
[0005] 一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器，包括樹脂包封層、電極層、瓷介質(zhì)芯片 及引線，整體形狀為中心對(duì)稱的凹碟形，即中心為圓盤形，外部為圓環(huán)形，外部圓環(huán)形的厚 度大于中心圓盤形的厚度，圓環(huán)形芯片表面設(shè)有外電極，圓盤形芯片表面設(shè)有內(nèi)電極，外電 極與內(nèi)電極為整體的銅電極，內(nèi)電極與引線焊接，樹脂包封層將內(nèi)、外電極和瓷介質(zhì)芯片包 覆在里面。
[0006] 與現(xiàn)有的技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果是：
[0007] -種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器，整體為凹碟式設(shè)計(jì)，相當(dāng)于兩個(gè)電容 器并聯(lián)，提高了電容量。利用電容量與極板距離成反比的原理，減小了中心圓盤的厚度，有 效提高了標(biāo)稱容量。外部圓環(huán)形介質(zhì)較厚，有效防止了飛弧和邊緣擊穿。本實(shí)用新型有效 提高了標(biāo)稱電容量和耐壓強(qiáng)度，有效化解了兩者之間的矛盾，在保證電容器大容量、高耐電 強(qiáng)度的前提下，大大縮小了電容器體積，適應(yīng)了電子整機(jī)小型化的需求。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008] 圖1-1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0009] 圖1-2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)側(cè)視示意圖。
[0010]圖2-1為本實(shí)用新型的部分剖視示意圖。
[0011] 圖2-2為本實(shí)用新型側(cè)視的部分剖視示意圖。
[0012] 圖3-1為現(xiàn)有技術(shù)形狀示意圖。
[0013] 圖3-2為本實(shí)用新型形狀示意圖。
[0014] 圖中：1-樹脂包封層2-外電極3-內(nèi)電極4-瓷介質(zhì)芯片5-引線6-焊料
[0015] D-圓板直徑τ-圓板厚度D1-大圓直徑D2-小圓直徑T1-大圓厚度T2-小圓厚 度

【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】進(jìn)一步說明：
[0017]如圖1?圖2所示，一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器，包括樹脂包封層1、 電極層、瓷介質(zhì)芯片4及引線5,整體形狀為中心對(duì)稱的凹碟形，即中心為圓盤形，外部為圓 環(huán)形，圓盤形與圓環(huán)形為一整塊芯片，外部圓環(huán)形的厚度大于中心圓盤形的厚度，圓環(huán)形芯 片表面設(shè)有外電極2,圓盤形芯片表面設(shè)有內(nèi)電極3,外電極2與內(nèi)電極3為整體的銅電極， 內(nèi)電極 3與引線5焊接，樹脂包封層1將內(nèi)、外電極3、2和瓷介質(zhì)芯片4包覆在里面。
[0018] 本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)的比較
[0019] 如圖3-1所示，電容器容量Cx =介電常數(shù)X圓板直徑D2/厚度Τ/14. 4
[0020] 如圖3-2所示，電容器容量Cy = Q+C2 =介電常數(shù)X圓板直徑D22/厚度T2/14. 4+ 介電常數(shù)X圓板直徑（D「D2)2/厚度T/14. 4
[0021] 由于 = T、T2 < V Di = D，可得 Cy > Cx。
[0022] 本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)尺寸對(duì)比表
[0023]

【權(quán)利要求】
1. 一種凹形雙電極積成芯片高壓陶瓷電容器，包括樹脂包封層、電極層、瓷介質(zhì)芯片及 引線，其特征在于，整體形狀為中心對(duì)稱的凹碟形，即中心為圓盤形，外部為圓環(huán)形，外部圓 環(huán)形的厚度大于中心圓盤形的厚度，圓環(huán)形芯片表面設(shè)有外電極，圓盤形芯片表面設(shè)有內(nèi) 電極，外電極與內(nèi)電極為整體的銅電極，內(nèi)電極與引線焊接，樹脂包封層將內(nèi)、外電極和瓷 介質(zhì)芯片包覆在里面。
【文檔編號(hào)】H01G4/12GK204067064SQ201420492675
【公開日】2014年12月31日 申請(qǐng)日期:2014年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月28日
【發(fā)明者】史寶林, 范垂旭, 于金龍 申請(qǐng)人:鞍山奇發(fā)電子陶瓷科技有限公司