一種基于柔性基板的倒置oled器件結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上設(shè)置有使柔性基板表面平整化的高分子導電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有n型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。本實用新型的優(yōu)點是：使基板表面平整化，防止短路點的產(chǎn)生，倒置OLED器件結(jié)構(gòu)具有高效率長壽命性。
【專利說明】—種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型屬于有機電致發(fā)光器件領(lǐng)域，特別是涉及一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]研究表明:選擇柔性襯底作為OLED的基板時，由于選擇柔性襯底作為OLED的基板時，由于襯底本身的性質(zhì)，給器件和制作過程帶來了很多問題。(I)平整性較差:通常柔性襯底的平整性要比玻璃襯底差，這不符合表面要求。大部分淀積技術(shù)是共形的，制備的薄膜會復制襯底的表面形態(tài)，使得襯底的各層都凹凸不平，這會造成器件的短路，引起器件損壞；(2)熔點低:柔性襯底的熔點很低，而OLED基板的工藝溫度卻很高，所以，在制作過程中柔性襯底會變形甚熔化。即使溫度較低的環(huán)境中，柔性襯底尺寸也不穩(wěn)定，這給多層結(jié)構(gòu)的OLED制作在精確地整齊排列上帶來了很大的困難；(3 )壽命短:0LED對水蒸汽和氧氣都比較敏感，而大部分柔性襯底的水、氧透過率均比較高。當水汽和氧氣進入到器件內(nèi)部時，會影響陰極與發(fā)光層之間的粘附性、使有機膜層內(nèi)發(fā)生化學反應。這些都會導致器件的光電特性急劇衰退，造成器件迅速老化、失效。與玻璃襯底相比，塑料襯底對水汽和氧氣的隔離及對器件防老化的保護作用都不夠理想，無法滿足顯示器連續(xù)工作超過1000小時的壽命要求。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型目的是提供一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)。
[0004]本實用新型的技術(shù)方案是:
[0005]一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，包括透明的柔性基板，所述柔性基板上旋涂有使柔性基板表面平整化的高分子導電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有η型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。
[0006]優(yōu)選地，所述防短路層為PEDOT:PSS為高分子導電聚合物，厚度為100-300 nm。防短路層的厚度必須保證在一兩百納米以上，這樣才能有效的保證柔性基地表面粗糙表面能夠很好被遮覆，保證器件不會因為基底粗糙造成短路，該厚度增強了器件的穩(wěn)定性。
[0007]優(yōu)選地，所述陰極薄膜為納米銀線，石墨烯，金屬薄層，ΙΤ0，碳納米管的一種，厚度為 15?60nm。
[0008]優(yōu)選地，所述陽極為半透明或全反射的電極薄膜。
[0009]優(yōu)選地，所述金屬氧化物薄膜為WO3 (氧化鎢)，Mo03(氧化鑰)，V2O5 (五氧化二釩)，ReO3 (氧化錸)，的厚度為1-15 nm。
[0010]優(yōu)選地，所述η型摻雜的電子傳輸層中η型摻雜劑為Li或銫的氧化物或氮化物，如 LiH, Li2CO3, Cs2CO30
[0011]優(yōu)選地，所述陽極為金屬電極薄膜，透明金屬氧化物薄膜或復合陽極薄膜。
[0012]本實用新型的優(yōu)點是:使基板表面平整化，防止短路點的產(chǎn)生，倒置OLED器件結(jié)構(gòu)具有高效率長壽命性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]下面結(jié)合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
[0014]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0015]具體實施
[0016]一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，是在柔性基板上旋涂一層200 nm厚的PEDOT: PSS (高分子導電聚合物)，其次是30 nm的石墨烯，接著是10 nm的Mo03，然后是55 nm的Bphen: Li，其它功能層的蒸鍍順序自下而上依次為20 nm TmPyPB電子傳輸層，20 nm CBP:1r (ppy) 3發(fā)光層，40 nm的TAPC空穴傳輸層，10 nm HAT-CN空穴注入層，100nm招金屬陽極。
[0017]本實用新型的PED0T:PSS (高分子導電聚合物)使基板表面平整化，防止短路點的產(chǎn)生，倒置OLED器件結(jié)構(gòu)具有高效率長壽命性。
[0018]上述實施例只為說明本實用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人能夠了解本實用新型的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本實用新型的保護范圍。凡根據(jù)本實用新型主要技術(shù)方案的精神實質(zhì)所做的等效變換或修飾，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種基于柔性基板的倒置OLED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括透明的柔性基板，所述柔性基板上設(shè)置有使柔性基板表面平整化的高分子導電聚合物的防短路層，所述防短路層上由下及上依次沉積有陰極薄膜，金屬氧化物薄膜，所述金屬氧化物薄膜上由下至上依次蒸鍍有η型摻雜的電子傳輸層，電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述防短路層厚度為100-300 nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陰極薄膜為厚度為15飛Onm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述金屬氧化物薄膜的厚度為1-15 nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陽極為半透明或全反射的電極薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種基于柔性基板的倒置0LED器件結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述陽極為金屬電極薄膜，透明金屬氧化物薄膜或復合陽極薄膜。
【文檔編號】H01L51/50GK204088384SQ201420461006
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年8月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月15日
【發(fā)明者】丁磊, 馮亞青, 徐杰, 楊玲, 馮敏強, 廖良生 申請人:蘇州方昇光電裝備技術(shù)有限公司