均勻擴張的擴晶的制造方法
【專利摘要】本實用新型提供一種均勻擴張的擴晶機，沿互相垂直的兩個方向上的芯片切割道方向拉伸藍(lán)膜，使得粘貼在藍(lán)膜上已經(jīng)切好的晶元均勻擴張、晶元上的芯片互相分離，相鄰芯片之間的距離相等，使得后續(xù)的測量和分選的工藝占用較少的機器分辨和定位時間，達(dá)到芯片級封裝或晶元級封裝的要求，便于后續(xù)的工藝流程。
【專利說明】均勻擴張的擴晶機

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種半導(dǎo)體行業(yè)和LED行業(yè)使用的擴晶機，使得晶元均勻擴張，相鄰芯片之間的距離相等，減少后續(xù)的測量和分選工藝占用的機器分辨和定位時間，達(dá)到晶元級封裝的要求，便于后續(xù)的工藝流程。

【背景技術(shù)】
[0002]晶元(wafer)上正方形或者矩形芯片的切割道(cutting street)是沿互相垂直的兩個方向:X方向和Y方向，設(shè)置晶元的平邊(flat)與平X方向行。現(xiàn)有的擴晶機(waferexpander)都是沿晶元的半徑方向擴張，因此，同一切割道方向上的相鄰芯片(chip)之間的距離不相等，使得后續(xù)的測量和分選的工藝占用較多的機器分辨和定位時間。另外，芯片級封裝(chip scale package)或晶元級封裝(wafer level package)要求同一切割道方向上的芯片之間的距離相同。中國專利申請2014102053696提出一個方案，采用四邊形頂膜結(jié)構(gòu)擴張藍(lán)膜以及其上的晶元。
[0003]但是，仍然需要一種能夠更精細(xì)的控制擴張的方案，使得擴張后的晶元上的同一切割道方向的芯片之間的距離相同。
實用新型內(nèi)容
[0004]本實用新型的首要目的是提供一種擴晶機，使得擴張后的晶元上同一切割道方向上相鄰的芯片之間的距離相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離相同，使得后續(xù)的測量和分選的工藝占用較少的機器分辨和定位時間，滿足芯片級封裝的要求。第二個目的是提供一種擴晶機，使得擴張后的晶元的相鄰的芯片之間在X方向的距離相同，相鄰的芯片之間在Y方向的距離相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離不同，因此，適用于矩形芯片，滿足芯片級封裝的要求。
[0005]本實用新型的擴晶機的工作原理:擴晶機包括:框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)。設(shè)置框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)，使得擴晶機可以擴張藍(lán)膜，壓膜結(jié)構(gòu)使得擴張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。設(shè)置晶元和藍(lán)膜，使得晶元的兩個方向上的芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行，其中，X方向和Y方向互相垂直。X方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜，Y方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜，使得藍(lán)膜分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Y方向擴張，藍(lán)膜上的晶元沿互相垂直的兩個方向上的芯片切割道方向擴張。壓膜結(jié)構(gòu)使得擴張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。
[0006]本實用新型的擴晶機的實施實例:X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別包括相同數(shù)目的η個X拉伸單元，分別標(biāo)記為X拉伸單元X11、X12、......、Χ1η和X拉伸單元Χ21、Χ22、......、
Χ2η。設(shè)置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，使得第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X拉伸單元--對應(yīng),例如,X拉伸單元Xla與X拉伸單元X2a之間的虛擬的連線與X方向平行，以此類推,X拉伸單元Xln與拉伸單元X2n之間的虛擬的連線與X方向平行，使得第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動。所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元的寬度分別與一個芯片沿Y方向上的寬度相同，其他的X拉伸單元的寬度分別等于或者大于一個芯片沿Y方向上的寬度，一一對應(yīng)的2個X拉伸單元具有相同的寬度。Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元分別包括相同數(shù)目的m
個Y拉伸單元，分別標(biāo)記為Y拉伸單元Yll、Y12、......、Ylm和Y拉伸單元Υ21、Υ22、......、
Y2m。設(shè)置第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元，使得第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元--對應(yīng),例如,Y拉伸單元Yld與Y拉伸單元Y2d之間的虛擬的連線與Y方向平行，以此類推，Y拉伸單元Ylm與拉伸單元Y2m之間的虛擬的連線與Y方向平行，使得第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿Y方向往返運動。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元的寬度分別與一個芯片沿X方向上的寬度相同，其他的Y拉伸單元的寬度分別等于或者大于一個芯片沿X方向上的寬度，一一對應(yīng)的2個Y拉伸單元具有相同的寬度。
[0007]本實用新型的擴晶機的實施實例:X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別包括相同數(shù)目的P個X拉伸單元,分別標(biāo)記為X拉伸單元X31、......、X3p和X拉伸單元X41、......、X4p。
設(shè)置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，使得第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X拉伸單元--對應(yīng),例如,X拉伸單元X31與X拉伸單元X41之間的虛擬的連線與X方向平行，以此類推,X拉伸單元X3p與拉伸單元X4p之間的虛擬的連線與X方向平行，使得第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元的寬度分別與晶元上的至少兩個芯片沿Y方向上的寬度之和相同，其他的X拉伸單元的寬度分別等于或者大于兩個芯片沿Y方向上的寬度之和，一一對應(yīng)的2個X拉伸單元具有相同的寬度。
[0008]Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元分別包括相同數(shù)目的q個Y拉伸單元，分別標(biāo)記為Y
拉伸單元Y31、......、Y3q和Y拉伸單元Y41、......、Y4q。設(shè)置第一列Y拉伸單元和第二列
Y拉伸單元，使得第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元—對應(yīng)，例如，Y拉伸單元Y31與Y拉伸單元Y41之間的虛擬的連線與Y方向平行，以此類推，Y拉伸單元Y3q與拉伸單元Y4q之間的虛擬的連線與Y方向平行，使得第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿Y方向往返運動。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元的寬度分別與晶元上的至少兩個芯片沿Y方向上的寬度之和相同，其他的Y拉伸單元的寬度分別等于或者大于兩個芯片沿X方向上的寬度之和，一一對應(yīng)的2個Y拉伸單元具有相同的寬度。
[0009]本實用新型的擴晶機的實施實例:擴晶機進(jìn)一步包括視覺識別系統(tǒng)(未在說明書附圖中展示)和藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)(未在說明書附圖中展示)，視覺識別系統(tǒng)控制藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)。視覺識別系統(tǒng)的功能包括:測量藍(lán)膜擴張前的晶元上的互相垂直的兩個方向上的芯片切割道或者晶元的平邊的方向，把測量信息傳給藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)整藍(lán)膜的方向，使得藍(lán)膜上的晶元的兩個方向上的芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行。
[0010]本實用新型的擴晶機的實施實例:擴晶機進(jìn)一步包括視覺識別系統(tǒng)，視覺識別系統(tǒng)控制X方向拉伸結(jié)構(gòu)。視覺識別系統(tǒng)測量藍(lán)膜擴張后的晶元上的沿X方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測試結(jié)果，在需要的時候，視覺識別系統(tǒng)控制相對應(yīng)的X拉伸單元拉伸藍(lán)膜，調(diào)整芯片之間的X方向上的距離，得芯片之間的X方向上的距離相同。
[0011]本實用新型的擴晶機的實施實例:擴晶機進(jìn)一步包括視覺識別系統(tǒng)，視覺識別系統(tǒng)控制所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)。視覺識別系統(tǒng)測量藍(lán)膜擴張后的晶元上的沿Y方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測試結(jié)果，在需要的時候，視覺識別系統(tǒng)控制相對應(yīng)的Y拉伸單元拉伸藍(lán)膜，調(diào)整芯片之間的Y方向上的距離，得芯片之間的Y方向上的距離相同。
[0012]本實用新型的擴晶機的實施實例:第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個拉伸單元可以分別在Y方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴張時，沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，同時保持夾緊藍(lán)膜，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴張時，沿Y方向排列的兩列X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，而不會妨礙藍(lán)膜在Y方向上的擴張。
[0013]本實用新型的擴晶機的實施實例:第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個拉伸單元可以分別在X方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴張時，沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元在X方向上互相遠(yuǎn)離。同時保持夾緊藍(lán)膜，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴張時，沿X方向排列的兩列Y拉伸單元在X方向上互相遠(yuǎn)離，而不會妨礙藍(lán)膜在X方向上的擴張。
[0014]下面的事項對所有本實用新型的擴晶機的實施實例都適用:
[0015]I).陽圖中的尺寸不成比例；
[0016]2).X方向拉伸結(jié)構(gòu)和Y方向拉伸結(jié)構(gòu)既可以先后依次拉伸藍(lán)膜(例如，圖3a、3b、3c、3d、圖4a、4b所不)，也可以同時拉伸藍(lán)膜(例如，圖5、圖6a、圖6b所不)；
[0017]3).藍(lán)膜形狀是正方形或者矩形(例如，圖3a、3b、3c、3d、圖4a、4b、圖6a、6b所示)，或者十字形(例如，圖5所示)。
[0018]4).同一列Y拉伸單元的各個Y拉伸單元的寬度既可以相同(例如，圖3a、圖3b、圖3c、圖3d、圖4a、圖4b、圖5所示)，也可以不相同(例如，圖6a中的Y71和Y7a和圖6b中的Y91和Y9a所示所示)。
[0019]5).第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元和相對應(yīng)的第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元的寬度分別相同(例如，圖6a中的Y71和Y81以及Y7a和Y8a所示)。
[0020]6).同一列X拉伸單元的各個X拉伸單元的寬度既可以相同(例如，圖3a、圖3b、圖3c、圖3d、圖4a、圖4b、圖5所示)，也可以不相同(例如，圖6a中的X71和X7a所示)。
[0021]7).第一列X拉伸單元的X拉伸單元和相對應(yīng)的第二列X拉伸單元的X拉伸單元的寬度相同(例如，圖6a中的X71和X81以及X7a和X8a所示)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]圖1傳統(tǒng)擴晶機的擴張藍(lán)膜的工作原理的俯視圖。
[0023]圖2展示本實用新型的擴晶機的目的、工作原理和技術(shù)方案。
[0024]圖3a至圖3d是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。
[0025]圖4a和圖4b是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。
[0026]圖5是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。
[0027]圖6a是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。
[0028]圖6b是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。
[0029]圖7a和圖7b是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的工作原理圖。
[0030]圖中的數(shù)字符號代表的含義如下:
[0031]10表示傳統(tǒng)的頂膜結(jié)構(gòu)，
[0032]20a、20b和20c分別表示擴張前、第一次擴張后和第二次擴張后的藍(lán)膜，
[0033]22a、22b分別表不藍(lán)膜的兩個相對的邊，
[0034]23a、23b分別表示藍(lán)膜的另外兩個相對的邊，
[0035]31、32、33、41、42、43分別表示X或者Y拉伸單元
[0036]XI1、X12、Xla, Xlb, Xlc, XlcU Xle, Xlg, Xln, X31、X3g、X3h、X3k、X3p、X51、X52、X5a、X5b、X5c、X5d、X5r、X71、X7a、X7b、X7c、X7d、X7u、X91、X9a、X9b、X9c、X9d、X9t 和 X21、X22、X2a、X2b、X2c、X2d、X2e、X2g、X2n、X41、X4g、X4h、X4k、X4p、X61、X62、X6a、X6b、X6c、X6d、X6r、X81、X8a、X8b、X8c、X8d、X8u、X101、XlOa、XlOb、X1c、XlOcU XlOt 分別表示第一列和第二列X拉伸單元，
[0037]YlU Y12、Yla, Ylb, Ylc, YlcU Ylm, Y31、Y3a、Y3b、Y3c、Y3q、Y51、Y52、Y5a、Y5b、Y5c、Y5d、Y5s、Y71、Y7a、Y7b、Y7c、Y7d、Y7v、Y91、Y9a、Y9b、Y9w 和 Y21、Y22、Y2a、Y2b、Y2c、Y2d、Y2m、Y41、Y4a、Y4b、Y4c、Y4q、Y61、Y62、Y6a、Y6b、Y6c、Y6d、Y6s、Y81、Y8a、Y8b、Y8c、Y8d、Y8v、Y101、Y10a、Y10b、YlOw分別表示第一列和第二列Y拉伸單元，
[0038]100表示晶元，
[0039]101表示沿X方向的X芯片切割道，
[0040]102表示沿Y方向的Y芯片切割道，X方向垂直于Y方向，Y芯片切割道102、邊22a和邊22b互相平行，
[0041]103表示晶元的平邊(flat)，平邊103、X芯片切害道101、邊23a、23b互相平行，
[0042]105a、105b、105c、105d、105e、105u、105v、105w、105z、106a、106b、106c、106d、106e、106f、106g、106h、1061、106j、106k、106m、106n、106p、106q、106r、106s、106t、106u、106v分別表示藍(lán)膜擴張后的芯片。

【具體實施方式】
[0043]為使本實用新型的實施實例的目的、工作原理、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本實用新型的實施實例中的附圖，對本實用新型的實施實例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施實例是本實用新型的一部分實施實例，而不是全部的實施實例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤嵗?，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施實例，都屬于本實用新型保護(hù)的范圍。
[0044]圖1是傳統(tǒng)的擴晶機的頂膜結(jié)構(gòu)的俯視圖。藍(lán)膜20a放置在圓柱體形狀的頂膜結(jié)構(gòu)10的頂部上。晶元100黏貼在藍(lán)膜20a的中心位置。晶元100具有平邊103，沿X方向的多個X芯片切割道101，沿Y方向的多個Y芯片切割道102。X方向垂直于Y方向，X方向平行于晶元100的平邊103。當(dāng)頂膜結(jié)構(gòu)向上運動時，藍(lán)膜20a被圓形的頂膜結(jié)構(gòu)頂起并擴張。藍(lán)膜20a是沿圓形的頂膜結(jié)構(gòu)的半徑擴張，所以，沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向分離的相鄰芯片之間的距離不相同，增加了后續(xù)的測量和分選工藝的機器分辨和定位時間，不能做晶元級封裝。
[0045]圖2展示本實用新型的擴晶機的目的、工作原理和技術(shù)方案。
[0046]目的:使得擴張后的相鄰芯片之間分離的距離相同。
[0047]工作原理:只沿X方向的X芯片切割道101與沿Y方向的Y芯片切割道102兩個方向擴張藍(lán)膜。X方向和Y方向互相垂直。
[0048]技術(shù)方案:⑴采用藍(lán)膜20a ；⑵放置晶元100在藍(lán)膜20a的中心位置處，使得晶元100的平邊103與藍(lán)膜20a的邊23a和邊23b基本平行；(3)放置藍(lán)膜20a，使得晶元100的平邊103與X方向拉伸結(jié)構(gòu)基本平行，視覺識別系統(tǒng)識別晶元上的X和Y芯片切割道或者晶元的平邊的方向，藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)整藍(lán)膜的方向，使得藍(lán)膜上的晶元的X芯片切割道和Y芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行；(4)分別沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向拉伸藍(lán)膜20a;因此，(5)藍(lán)膜20a只沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102方向擴張，擴張后的藍(lán)膜20b上X方向的相鄰芯片(例如，圖3d中，芯片105a和芯片105b之間以及芯片105b和芯片105c之間)分離的距離相同，Y方向相鄰芯片(例如，圖3d中，芯片105a和芯片105d之間以及芯片105a和芯片105e之間)分離的距離相同，降低了后續(xù)的測量和分選工藝的機器分辨和定位時間，可以直接進(jìn)行晶元級封裝。
[0049]圖3a至圖3d是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。擴晶機包括:框架結(jié)構(gòu)(未在圖中展示)、x方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)(未在圖中展示)。設(shè)置框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)，使得X方向拉伸結(jié)構(gòu)和Y方向拉伸結(jié)構(gòu)可以分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜，使得藍(lán)膜分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Y方向擴張，壓膜結(jié)構(gòu)使得擴張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。
[0050]X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元。第一列X拉伸單元包括η個X拉伸單元,分別標(biāo)記為X拉伸單元XI1、Χ12、......、Xla、Xlb、
Xlc、Xld、......、Χ1η。X拉伸單元X12與Xla之間的虛線表示在X拉伸單元X12與Xla之間存在至少一個X拉伸單元。第二列X拉伸單元包括相同數(shù)目的η個X拉伸單元，分別標(biāo)記為 X 拉伸單元 X21、X22、......、X2a、X2b、X2c、X2d、......、X2n。X 拉伸單元 X22 與 X2a 之間的虛線表示在X拉伸單元X22與X2a之間存在至少一個X拉伸單元。設(shè)置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，使得第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X
拉伸單元--對應(yīng)，例如，第一列X拉伸單元的X拉伸單元Xla與第二列X拉伸單元的X拉伸單元X2a——對應(yīng)，即，X拉伸單元Xla與X拉伸單元X2a之間的虛擬的連線與X方向平行。
[0051]第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元的寬度與晶元上的一個芯片沿Y方向上的寬度相同，使得任意一行芯片所在的藍(lán)膜可以在與其相對應(yīng)的X拉伸單元的拉伸下沿X方向擴張。例如，與晶元上的芯片105d相對應(yīng)的X拉伸單元Xla和X2a的寬度與芯片105d沿Y方向上的寬度相同；包括芯片105d、105u、105v的一行芯片所在的藍(lán)膜在與其相對應(yīng)的X拉伸單元Xla的拉伸下向正X方向擴張，在與其相對應(yīng)的X拉伸單元X2a的拉伸下向負(fù)X方向擴張；包括芯片105a、105b、105c的一行芯片所在的藍(lán)膜在與其相對應(yīng)的X拉伸單元Xlb的拉伸下向正X方向擴張，在與其相對應(yīng)的X拉伸單元X2b的拉伸下向負(fù)X方向擴張。沿X方向擴張后的芯片之間的沿X方向的距離相同，例如，芯片105a與105b之間的距離和芯片105c與105b之間的沿X方向的距離相同，芯片105d與105u之間的距離和芯片105u與105v之間的沿X方向的距離相同。
[0052]Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元。第一列Y拉伸單元包括m個Y拉伸單元,分別標(biāo)記為Y拉伸單元Yll、Y12、......、Yla、Ylb、
Ylc、Yld、......、Ylm。第一列Y拉伸單元的兩個Y拉伸單元之間的虛線表示在該兩個Y拉伸單元之間存在至少一個Y拉伸單元，例如，Y拉伸單元Y12與Yla之間的虛線表示在Y拉伸單元Y12與Yla之間存在至少一個Y拉伸單元。第二列Y拉伸單元包括相同數(shù)目的m個
Y拉伸單元，分別標(biāo)記為Y拉伸單元Y21、Y22、......、Y2a、Y2b、Y2c、Y2d、......、Y2m。第二列Y拉伸單元的兩個Y拉伸單元之間的虛線表示在該兩個Y拉伸單元之間存在至少一個Y拉伸單元,例如,Y拉伸單元Y22與Y2a之間的虛線表示在Y拉伸單元Y22與Y2a之間存在至少一個Y拉伸單元。設(shè)置第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元，使得第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元—對應(yīng)，例如，第一列Y拉伸單元的Y
拉伸單元Yla與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元Y2a--對應(yīng)，即，Y拉伸單元Yld與Y拉伸單元Y2d之間的虛擬的連線與Y方向平行。
[0053]第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜，分別沿Y方向往返運動。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的每個Y拉伸單元的寬度與一個芯片沿X方向上的寬度相同，使得任意一行芯片所在的藍(lán)膜可以在與其相對應(yīng)的Y拉伸單元的拉伸下沿Y方向擴張，例如，Y拉伸單元Ylb和Y2b的寬度與晶元上的芯片105d沿X方向上的寬度相同，包括芯片105d、105a、105e的一行芯片所在的藍(lán)膜在與其相對應(yīng)的Y拉伸單元Ylb的拉伸下向正X方向擴張，在與其相對應(yīng)的X拉伸單元Y2b的拉伸下向負(fù)Y方向擴張。沿Y方向擴張后的芯片之間的沿Y方向的距離相同，例如，芯片105a與105d之間的距離和芯片105a與105e之間的沿Y方向的距離相同，芯片105u與105b之間的距離和芯片105w與105b之間的沿Y方向的距離相同。
[0054]本實施實例的擴晶機的操作程序如下:
[0055]第一步，設(shè)置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別沿藍(lán)膜的兩邊22a和22b排列直到藍(lán)膜的邊緣23a和23b，并且夾緊藍(lán)膜。X拉伸單元Xll和X21沿藍(lán)膜的邊緣23b排列，X拉伸單元Xln和X2n沿藍(lán)膜的邊緣23a排列，晶元100設(shè)置在第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元之間。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別向正、負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜。
[0056]第二步，在藍(lán)膜沿X方向擴張后，分別靠近藍(lán)膜的邊緣23a和23b的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中相對應(yīng)的至少一對X拉伸單元松開藍(lán)膜，并退回到原始位置(home posit1n)，例如，Xll和X21以及Xln和X2n松開藍(lán)膜，并退回到原始位置，使得第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元分別沿藍(lán)膜的兩邊23a和23b排列直到藍(lán)膜的邊緣22a和22b，并且夾緊藍(lán)膜。Y拉伸單元Yll和Y21沿藍(lán)膜的邊緣22a排列，Y拉伸單元ylm和Y2m沿藍(lán)膜的邊緣22b排列。
[0057]第三步，第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，同時，第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜；第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元可以分別在Y方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴張時，沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，不妨礙藍(lán)膜20b沿Y方向的擴張。
[0058]第四步，壓膜結(jié)構(gòu)(未在圖中展示)使得擴張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。
[0059]圖4a和圖4b是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。圖4a和圖4b展示的實施實例與圖3a至圖3d展示的實施實例相似，不同之處在于:(1)第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元的寬度與晶元上的兩個芯片沿Y方向上的寬度相同；對應(yīng)的X拉伸單兀拉伸與其相對應(yīng)的兩行芯片所在的藍(lán)膜，沿X方向擴張，例如，X拉伸單元X3b和與其相對應(yīng)的X4b的寬度分別與晶元上的芯片105a和105d沿Y方向上的寬度之和相同，包括芯片105d、105u、105v和芯片105a、105b、105c的兩行芯片所在的藍(lán)膜在X拉伸單元X3b的拉伸下向正X方向擴張，在X拉伸單元X4b的拉伸下向負(fù)Y方向擴張。(2)第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元的寬度與晶元上的兩個芯片沿X方向上的寬度之和相同， 對應(yīng)的Y拉伸單兀拉伸與其相對應(yīng)兩行芯片所在的藍(lán)膜，沿Y方向擴張，例如，Y拉伸單元Y3b和與其相對應(yīng)的Y4b的寬度分別與晶元上的芯片105b和105c沿X方向上的寬度之和相同，包括芯片105u、105b、105w和芯片105v、105c、105z的兩行芯片所在的藍(lán)膜在Y拉伸單元Y3b的拉伸下向正X方向擴張，在Y拉伸單元Y4b的拉伸下向負(fù)Y方向擴張。
[0060]第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元具有相同的寬度。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元具有相同的寬度。
[0061]X 拉伸單元 X31、X3a、X3b、X3c、X3p、X3h、X3g、Y 拉伸單元 Y31、Y3a、Y3b、Y3c、Y3q分別與 X41、X4a、X4b、X4c、X4p、X4h、X4g、Y 拉伸單元 Y41、Y4a、Y4b、Y4c、Y4q ——對應(yīng)。
[0062]圖5是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。圖5展示的實施實例與圖3a至圖3d展示的實施實例相似，不同之處在于:(I)藍(lán)膜具有十字形狀；(2)X拉伸單元(包括X51至X5r以及X61至X6r)和Y拉伸單元(包括Y51至Y5s以及Y61至Y6s)同時拉伸藍(lán)膜。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元可以分別在Y方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴張時，沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，不妨礙藍(lán)膜20b沿Y方向的擴張。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元可以分別在X方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴張時，沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元在X方向上互相遠(yuǎn)離，不妨礙藍(lán)膜20b沿X方向的擴張。
[0063]圖6a是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。圖6a展示的實施實例與圖3a至圖3d展示的實施實例相似，不同之處在于，圖6a展示的實施實例中:(一)第一列X拉伸單元中的X拉伸單元具有不同的寬度:(I)與晶元的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元X7a、X7b、X7c、X7d的寬度分別與一個芯片沿Y方向的寬度相同；(2)其他的X拉伸單元X71、X7u的寬度分別大于一個芯片沿Y方向的寬度。(二)第二列X拉伸單元中的X拉伸單元具有不同的寬度:(I)與晶元的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元X8a、X8b、X8c、X8d的寬度分別與一個芯片沿Y方向的寬度相同；(2)其他的X拉伸單元X81、X8u的寬度分別大于一個芯片沿Y方向的寬度。(三)第一列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的寬度:(I)與晶元的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元Y7a至X7d的寬度分別與一個芯片沿X方向的寬度相同；(2)其他的Y拉伸單元Y71、Y7v的寬度分別大于一個芯片沿X方向的寬度。(四)第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的寬度:(I)與晶元的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元Y8a、Y8b、Y8c、Y8d的寬度分別與一個芯片沿X方向的寬度相同；(2)其他的Y拉伸單元Y81、Y8v的寬度分別大于一個芯片沿X方向的寬度。(五)第一列和第二列X拉伸單元中的X拉伸單元以及第一列和第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元同時拉伸藍(lán)膜。
[0064]X 拉伸單元 Χ71、X7a、X7b、X7c、X7d、X7u、Y 拉伸單元 Y71、Y7a、Y7b、Y7c、Y7d、Y7v分別與 X81、X8a、X8b、X8c、X8d、X8u、Y 拉伸單元 Y81、Y8a、Y8b、Y8c、Y8d、Y8v ——對應(yīng)。
[0065]圖6b是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的示意圖。圖6b展示的實施實例與圖6a展示的實施實例相似，不同之處在于，圖6b展示的實施實例中:(一)第一列X拉伸單元中的X拉伸單元具有不同的寬度:(I)與晶元的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元X9a至X9d的寬度分別等于一個芯片沿Y方向的寬度；(2)其他的X拉伸單元X91和X9t的寬度分別大于一個芯片沿Y方向的寬度。(二)第二列X拉伸單元中的X拉伸單元具有不同的寬度:(1)與晶元的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元XlOa至XlOd的寬度分別等于一個芯片沿Y方向的寬度；
(2)其他的X拉伸單元X101、XlOt的寬度分別大于一個芯片沿Y方向的寬度。(三)第一列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的寬度:(I)與晶元相對應(yīng)的Y拉伸單元Y9a和Y9b的寬度分別等于三個芯片沿X方向的寬度之和；(2)其他的Y拉伸單元Y91和Y9w的寬度分別大于一個芯片沿X方向的寬度。(四)第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的寬度:(1)與晶元上的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元YlOa和YlOb的寬度分別等于三個芯片沿X方向的寬度之和；(2)其他的Y拉伸單元YlOl和YlOw的寬度分別大于一個芯片沿X方向的寬度。
[0066]X 拉伸單元 X91、X9a、X9b、X9c、X9d、X9t、Y 拉伸單元 Y91、Y9a、Y9b、Y9w 分別與X101、XlOa、XlOb、X1c、XlOcU X10t、Y 拉伸單元 Y101、Y10a、Y10b、YlOw ——對應(yīng)。
[0067]圖7a和圖7b是本實用新型的擴晶機的一個實施實例的工作原理圖。擴晶機包括視覺識別系統(tǒng)(未在圖7a和7b中展示)，視覺識別系統(tǒng)控制X方向拉伸結(jié)構(gòu)和Y方向拉伸結(jié)構(gòu)。視覺識別系統(tǒng)測量藍(lán)膜擴張后的晶元上的沿X和Y方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測試結(jié)果，視覺識別系統(tǒng)操縱相對應(yīng)的X和Y拉伸單元拉伸藍(lán)膜，使得芯片之間的X和Y方向上的距離相同。圖7a中，視覺識別系統(tǒng)測量結(jié)果:芯片106i與106j之間的距離小于芯片106e與106f之間的距離，芯片106e與106f之間的距離小于芯片106a與106b之間的距離，芯片106k與106m之間的距離小于芯片106g與106h之間的距離，芯片106g與106h之間的距離小于芯片106c與106d之間的距離。
[0068]根據(jù)上述測量結(jié)果，視覺識別系統(tǒng)操縱相對應(yīng)的拉伸單元31和41、拉伸單元32和42、拉伸單元33和43分別拉伸藍(lán)膜不同的距離，使得芯片之間的距離相同(如圖7b所示):芯片106i與106j之間的距離、芯片106e與106f之間的距離、芯片106a與106b之間的距離、芯片106k與106m之間的距離、芯片106g與106h之間的距離、芯片106c與106d之間的距離、芯片106η與106ρ之間的距離、芯片106q與106r之間的距離、芯片106s與106t之間的距離、芯片106u與106v之間的距離相等。
[0069]注:拉伸單元31和41、拉伸單元32和42、拉伸單元33和43可以是X拉伸單元或者Y拉伸單元。
[0070]最后應(yīng)說明的是:以上實施實例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實施實例對本實用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解:其依然可以對前述實施實例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或?qū)ζ渲胁糠旨夹g(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實用新型各實施實例技術(shù)方案的精神和范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種擴晶機，包括:框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)；設(shè)置框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)，使得所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)和所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)可以擴張藍(lán)膜，所述壓膜結(jié)構(gòu)使得擴張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)；其特征在于，所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜，所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜，使得藍(lán)膜分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Y方向擴張；其中，所述X方向和所述Y方向互相垂直。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，所述第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，所述第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元分別包括數(shù)目相同的多個X拉伸單元；設(shè)置所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元，使得所述第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X拉伸單元—對應(yīng)；一一對應(yīng)的2個所述X拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元的寬度分別與一個芯片沿Y方向上的寬度相同，其他的X拉伸單元的寬度分別等于或者大于一個芯片沿Y方向上的寬度；所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元，所述第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，所述第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元分別包括數(shù)目相同的多個Y拉伸單元；設(shè)置所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元，使得所述第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元—對應(yīng)；—對應(yīng)的2個所述Y拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元的寬度分別與一個芯片沿X方向上的寬度相同，其他的Y拉伸單元的寬度分別等于或者大于一個芯片沿X方向上的寬度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，所述第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，所述第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元分別包括數(shù)目相同的多個X拉伸單元；設(shè)置所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元，使得所述第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X拉伸單元—對應(yīng)；一一對應(yīng)的2個所述X拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的X拉伸單元的寬度分別與至少兩個芯片沿Y方向上的寬度之和相同，其他的X拉伸單元的寬度分別等于或者大于至少兩個芯片沿Y方向上的寬度之和；所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元，所述第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，所述第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元分別包括數(shù)目相同的多個Y拉伸單元；設(shè)置所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元，使得所述第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元一一對應(yīng)；一一對應(yīng)的2個所述Y拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運動；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對應(yīng)的Y拉伸單元的寬度分別與至少兩個芯片沿X方向上的寬度之和相同，其他的Y拉伸單元的寬度分別等于或者大于至少兩個芯片沿X方向上的寬度之和。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述擴晶機進(jìn)一步包括視覺識別系統(tǒng)和藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，所述視覺識別系統(tǒng)控制所述藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)；所述視覺識別系統(tǒng)識別藍(lán)膜擴張前的晶元上的兩條芯片切割道或者晶元的平邊的方向，所述藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)整藍(lán)膜的方向，使得藍(lán)膜上的晶元的X芯片切割道和Y芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述擴晶機進(jìn)一步包括視覺識別系統(tǒng)，所述視覺識別系統(tǒng)控制所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)；所述視覺識別系統(tǒng)測量藍(lán)膜擴張后的晶元上的沿X方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測試結(jié)果，所述視覺識別系統(tǒng)操縱相對應(yīng)的X拉伸單元拉伸藍(lán)膜，使得芯片之間的X方向上的距離相同。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述擴晶機進(jìn)一步包括視覺識別系統(tǒng)，所述視覺識別系統(tǒng)控制所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)；所述視覺識別系統(tǒng)測量藍(lán)膜擴張后的晶元上的沿Y方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測試結(jié)果，所述視覺識別系統(tǒng)操縱相對應(yīng)的Y拉伸單元拉伸藍(lán)膜，使得芯片之間的Y方向上的距離相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的每個X拉伸單元可以分別在Y方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴張時，沿Y方向排列的所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴晶機，其特征在于，所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的每個Y拉伸單元可以分別在X方向上自由滑動，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴張時，沿X方向排列的所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元在X方向上互相遠(yuǎn)離。
【文檔編號】H01L21/67GK204011374SQ201420421786
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月26日
【發(fā)明者】彭暉, 李文玉, 王 華, 宋定潔, 張亞菲, 黃映儀 申請人:佛山市南海區(qū)聯(lián)合廣東新光源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心, 彭暉