均勻擴(kuò)張的擴(kuò)晶的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體行業(yè)和LED行業(yè)使用的擴(kuò)晶機(jī)，沿互相垂直的兩個(gè)方向上的芯片切割道方向拉伸藍(lán)膜，使得粘貼在藍(lán)膜上已經(jīng)切好的晶元均勻擴(kuò)張、晶元上的芯片互相分離，相鄰芯片之間的距離相等，使得后續(xù)的測(cè)量和分選的工藝占用較少的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，達(dá)到芯片級(jí)封裝或晶元級(jí)封裝的要求，便于后續(xù)的工藝流程。
【專利說(shuō)明】均勻擴(kuò)張的擴(kuò)晶機(jī)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體行業(yè)和LED行業(yè)使用的擴(kuò)晶機(jī)，使得晶元均勻擴(kuò)張，相鄰 芯片之間的距離相等，減少后續(xù)的測(cè)量和分選工藝占用的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，達(dá)到晶元 級(jí)封裝的要求，便于后續(xù)的工藝流程。

【背景技術(shù)】
[0002] 晶元（wafer)上正方形或者矩形芯片的切割道（cutting street)是沿互相垂直 的兩個(gè)方向：X方向和Y方向，設(shè)置晶元的平邊（flat)與平X方向行?，F(xiàn)有的擴(kuò)晶機(jī)（wafer expander)都是沿晶元的半徑方向擴(kuò)張，因此，同一切割道方向上的相鄰芯片（chip)之間 的距離不相等，使得后續(xù)的測(cè)量和分選的工藝占用較多的機(jī)器分辨和定位時(shí)間。另外，芯片 級(jí)封裝（chip scale package)或晶元級(jí)封裝（wafer level package)要求同一切割道方 向上的芯片之間的距離相同。中國(guó)專利申請(qǐng)2014102053696提出一個(gè)方案，采用四邊形頂 膜結(jié)構(gòu)擴(kuò)張藍(lán)膜以及其上的晶元。
[0003] 但是，仍然需要一種能夠更精細(xì)的控制擴(kuò)張的方案，使得擴(kuò)張后的晶元上的同一 切割道方向的芯片之間的距離相同。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的首要目的是提供一種擴(kuò)晶機(jī)，使得擴(kuò)張后的晶元上同一切割道方向上相 鄰的芯片之間的距離相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離相同，使得后續(xù)的 測(cè)量和分選的工藝占用較少的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，滿足芯片級(jí)封裝的要求。第二個(gè)目的 是提供一種擴(kuò)晶機(jī)，使得擴(kuò)張后的晶元的相鄰的芯片之間在X方向的距離相同，相鄰的芯 片之間在Y方向的距離相同，芯片之間的沿X方向的距離與沿Y方向的距離不同，因此，適 用于矩形芯片，滿足芯片級(jí)封裝的要求。
[0005] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的工作原理：擴(kuò)晶機(jī)包括：框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸 結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)。設(shè)置框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)，使得擴(kuò)晶機(jī) 可以擴(kuò)張藍(lán)膜，壓膜結(jié)構(gòu)使得擴(kuò)張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。設(shè)置晶元和藍(lán)膜，使得晶元的兩 個(gè)方向上的芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行，其中，X方向和Y方向互相垂直。 X方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜，Y方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜，使得藍(lán) 膜分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Y方向擴(kuò)張，藍(lán)膜上的晶元沿互相垂直的兩個(gè)方向上的芯 片切割道方向擴(kuò)張。壓膜結(jié)構(gòu)使得擴(kuò)張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。
[0006] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸 單元和第二列X拉伸單元，第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別包括相同數(shù)目的η 個(gè)X拉伸單元，分別標(biāo)記為X拉伸單元X1UX12、......、Χ1η和X拉伸單元X2UX22、......、 Χ2η。設(shè)置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，使得第一列X拉伸單元的X拉伸單元 與第二列X拉伸單元的X拉伸單元--對(duì)應(yīng)，例如，X拉伸單元Xla與X拉伸單元X2a之間 的虛擬的連線與X方向平行，以此類(lèi)推,Χ拉伸單元Xln與拉伸單元X2n之間的虛擬的連線 與X方向平行，使得第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列X拉伸單元向負(fù)χ 方向拉伸藍(lán)膜。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元被分別控制， 可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運(yùn)動(dòng)。所述第一列X拉伸單元和所述第二列 X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元的寬度分別與一個(gè)芯片沿Y方向上的 寬度相同，其他的X拉伸單元的寬度分別等于或者大于一個(gè)芯片沿Y方向上的寬度，一一對(duì) 應(yīng)的2個(gè)X拉伸單元具有相同的寬度。Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸 單元和第二列Y拉伸單元。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元分別包括相同數(shù)目的m 個(gè)Y拉伸單元，分別標(biāo)記為Y拉伸單元Υ11、Υ12、......、Ylm和Y拉伸單元Y21、Y22、......、 Y2m。設(shè)置第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元，使得第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與 第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元--對(duì)應(yīng)，例如,Υ拉伸單元Yld與Y拉伸單元Y2d之間的 虛擬的連線與Y方向平行，以此類(lèi)推，Y拉伸單元Ylm與拉伸單元Y2m之間的虛擬的連線與 Y方向平行，使得第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方 向拉伸藍(lán)膜。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元被分別控制，可 以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿Y方向往返運(yùn)動(dòng)。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元 中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單元的寬度分別與一個(gè)芯片沿X方向上的寬度相同， 其他的Y拉伸單元的寬度分別等于或者大于一個(gè)芯片沿X方向上的寬度，一一對(duì)應(yīng)的2個(gè) Y拉伸單元具有相同的寬度。
[0007] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸 單元和第二列X拉伸單元，第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別包括相同數(shù)目的P 個(gè)X拉伸單元，分別標(biāo)記為X拉伸單元X31、......、X3p和X拉伸單元X41、......、X4p。設(shè) 置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，使得第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X 拉伸單元的X拉伸單元--對(duì)應(yīng)，例如,Χ拉伸單元X31與X拉伸單元X41之間的虛擬的連 線與X方向平行，以此類(lèi)推，X拉伸單元Χ3ρ與拉伸單元Χ4ρ之間的虛擬的連線與X方向平 行，使得第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán) 膜。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元被分別控制，可以分別夾 緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運(yùn)動(dòng)。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的與晶 元上的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元的寬度分別與晶元上的至少兩個(gè)芯片沿Υ方向上的寬度之 和相同，其他的X拉伸單兀的寬度分別等于或者大于兩個(gè)芯片沿Υ方向上的寬度之和， 對(duì)應(yīng)的2個(gè)X拉伸單元具有相同的寬度。
[0008] Υ方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Υ拉伸單元和第二列Υ拉伸單元。第 一列Υ拉伸單元和第二列Υ拉伸單元分別包括相同數(shù)目的q個(gè)Υ拉伸單元，分別標(biāo)記為Υ 拉伸單元Y31、......、Y3q和Y拉伸單元Y41、......、Y4q。設(shè)置第一列Y拉伸單元和第二列 Y拉伸單元，使得第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元-對(duì) 應(yīng)，例如，Y拉伸單元Y31與Y拉伸單元Y41之間的虛擬的連線與Y方向平行，以此類(lèi)推，Y 拉伸單元Y3q與拉伸單元Y4q之間的虛擬的連線與Y方向平行，使得第一列Y拉伸單元向 正Y方向拉伸藍(lán)膜，使得第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜。第一列Y拉伸單元和第 二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿Y方向 往返運(yùn)動(dòng)。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單 元的寬度分別與晶元上的至少兩個(gè)芯片沿Y方向上的寬度之和相同，其他的Y拉伸單元的 寬度分別等于或者大于兩個(gè)芯片沿X方向上的寬度之和，一一對(duì)應(yīng)的2個(gè)Y拉伸單元具有 相同的寬度。
[0009] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：擴(kuò)晶機(jī)進(jìn)一步包括視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)（未在說(shuō)明書(shū)附圖 中展示）和藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)（未在說(shuō)明書(shū)附圖中展示），視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)。視 覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)的功能包括：測(cè)量藍(lán)膜擴(kuò)張前的晶元上的互相垂直的兩個(gè)方向上的芯片切割道 或者晶元的平邊的方向，把測(cè)量信息傳給藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)整藍(lán)膜的方向，使 得藍(lán)膜上的晶元的兩個(gè)方向上的芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行。
[0010] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：擴(kuò)晶機(jī)進(jìn)一步包括視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控 制X方向拉伸結(jié)構(gòu)。視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)測(cè)量藍(lán)膜擴(kuò)張后的晶元上的沿X方向排列的芯片之間的 距離，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，在需要的時(shí)候，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元拉伸藍(lán)膜，調(diào) 整芯片之間的X方向上的距離，得芯片之間的X方向上的距離相同。
[0011] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：擴(kuò)晶機(jī)進(jìn)一步包括視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控 制所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)。視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)測(cè)量藍(lán)膜擴(kuò)張后的晶元上的沿Y方向排列的芯片 之間的距離，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，在需要的時(shí)候，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單元拉伸藍(lán) 膜，調(diào)整芯片之間的Y方向上的距離，得芯片之間的Y方向上的距離相同。
[0012] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)拉 伸單元可以分別在Y方向上自由滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴(kuò)張時(shí)，沿Y方向排列的第一 列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，同時(shí)保持夾 緊藍(lán)膜，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴(kuò)張時(shí)，沿Y方向排列的兩列X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn) 離，而不會(huì)妨礙藍(lán)膜在Y方向上的擴(kuò)張。
[0013] 本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例：第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)拉 伸單元可以分別在X方向上自由滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴(kuò)張時(shí)，沿X方向排列的第一 列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元在X方向上互相遠(yuǎn)離。同時(shí)保持夾 緊藍(lán)膜，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴(kuò)張時(shí)，沿X方向排列的兩列Y拉伸單元在X方向上互相遠(yuǎn) 離，而不會(huì)妨礙藍(lán)膜在X方向上的擴(kuò)張。
[0014] 下面的事項(xiàng)對(duì)所有本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的實(shí)施實(shí)例都適用：
[0015] 1).附圖中的尺寸不成比例；
[0016] 2). X方向拉伸結(jié)構(gòu)和Y方向拉伸結(jié)構(gòu)既可以先后依次拉伸藍(lán)膜（例如，圖3a、3b、 3c、3d、圖4a、4b所不），也可以同時(shí)拉伸藍(lán)膜（例如，圖5、圖6a、圖6b所不）；
[0017] 3).藍(lán)膜形狀是正方形或者矩形（例如，圖3&、313、3(：、3(1、圖4 &、413、圖6&、613所 示），或者十字形（例如，圖5所示）。
[0018] 4).同一列Y拉伸單元的各個(gè)Y拉伸單元的寬度既可以相同（例如，圖3a、圖3b、 圖3c、圖3d、圖4a、圖4b、圖5所示），也可以不相同（例如，圖6a中的Y71和Y7a和圖6b 中的Y91和Y9a所示所示）。
[0019] 5).第一列Y拉伸單元的Y拉伸單元和相對(duì)應(yīng)的第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元 的寬度分別相同（例如，圖6a中的Y71和Y81以及Y7a和Y8a所示）。
[0020] 6).同一列X拉伸單元的各個(gè)X拉伸單元的寬度既可以相同（例如，圖3a、圖3b、 圖3c、圖3d、圖4a、圖4b、圖5所示），也可以不相同（例如，圖6a中的X71和X7a所示）。
[0021] 7).第一列X拉伸單元的X拉伸單元和相對(duì)應(yīng)的第二列X拉伸單元的X拉伸單元 的寬度相同（例如，圖6a中的X71和X81以及X7a和X8a所示）。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022] 圖1傳統(tǒng)擴(kuò)晶機(jī)的擴(kuò)張藍(lán)膜的工作原理的俯視圖。
[0023] 圖2展示本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的目的、工作原理和技術(shù)方案。
[0024] 圖3a至圖3d是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0025] 圖4a和圖4b是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0026] 圖5是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0027] 圖6a是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0028] 圖6b是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。
[0029] 圖7a和圖7b是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的工作原理圖。
[0030] 圖中的數(shù)字符號(hào)代表的含義如下：
[0031] 10表示傳統(tǒng)的頂膜結(jié)構(gòu)，
[0032] 20a、20b和20c分別表示擴(kuò)張前、第一次擴(kuò)張后和第二次擴(kuò)張后的藍(lán)膜，
[0033] 22a、22b分別表不藍(lán)膜的兩個(gè)相對(duì)的邊，
[0034] 23a、23b分別表示藍(lán)膜的另外兩個(gè)相對(duì)的邊，
[0035] 31、32、33、41、42、43分別表示X或者Y拉伸單元
[0036] XII、X12、Xla、Xlb、Xlc、Xld、Xle、Xlg、Xln、X31、X3g、X3h、X3k、X3p、X51、X52、 X5a、X5b、X5c、X5d、X5r、X71、X7a、X7b、X7c、X7d、X7u、X91、X9a、X9b、X9c、X9d、X9t 和 X21、 X22、X2a、X2b、X2c、X2d、X2e、X2g、X2n、X41、X4g、X4h、X4k、X4p、X61、X62、X6a、X6b、X6c、 X6d、X6r、X81、X8a、X8b、X8c、X8d、X8u、X101、X10a、X10b、X10c、X10d、XIOt 分別表示第一 列和第二列X拉伸單元，
[0037] Yll、Y12、Yla、Ylb、Ylc、Yld、Ylm、Y31、Y3a、Y3b、Y3c、Y3q、Y51、Y52、Y5a、Y5b、 Y5c、Y5d、Y5s、Y71、Y7a、Y7b、Y7c、Y7d、Y7v、Y91、Y9a、Y9b、Y9w 和 Y21、Y22、Y2a、Y2b、Y2c、 Y2d、Y2m、Y41、Y4a、Y4b、Y4c、Y4q、Y61、Y62、Y6a、Y6b、Y6c、Y6d、Y6s、Y81、Y8a、Y8b、Y8c、 Y8d、Y8v、Y101、Y10a、Y10b、YlOw分別表示第一列和第二列Y拉伸單元，
[0038] 100表示晶元，
[0039] 101表示沿X方向的X芯片切割道，
[0040] 102表示沿Y方向的Y芯片切割道，X方向垂直于Y方向，Y芯片切割道102、邊22a 和邊22b互相平行，
[0041] 103表示晶元的平邊（flat)，平邊103、X芯片切割道101、邊23a、23b互相平行，
[0042] 105a、105b、105c、105d、105e、105u、105v、105w、105z、106a、106b、106c、106d、 106e、106f、106g、106h、106i、106j、106k、106m、106n、106p、106q、106r、106s、106t、106u、 l〇6v分別表示藍(lán)膜擴(kuò)張后的芯片。

【具體實(shí)施方式】
[0043] 為使本發(fā)明的實(shí)施實(shí)例的目的、工作原理、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合 本發(fā)明的實(shí)施實(shí)例中的附圖，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施實(shí)例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯 然，所描述的實(shí)施實(shí)例是本發(fā)明的一部分實(shí)施實(shí)例，而不是全部的實(shí)施實(shí)例?；诒景l(fā)明中 的實(shí)施實(shí)例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施實(shí) 例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0044] 圖1是傳統(tǒng)的擴(kuò)晶機(jī)的頂膜結(jié)構(gòu)的俯視圖。藍(lán)膜20a放置在圓柱體形狀的頂膜結(jié) 構(gòu)10的頂部上。晶元100黏貼在藍(lán)膜20a的中心位置。晶元100具有平邊103,沿X方向 的多個(gè)X芯片切割道101，沿Y方向的多個(gè)Y芯片切割道102。X方向垂直于Y方向，X方向 平行于晶元100的平邊103。當(dāng)頂膜結(jié)構(gòu)向上運(yùn)動(dòng)時(shí)，藍(lán)膜20a被圓形的頂膜結(jié)構(gòu)頂起并 擴(kuò)張。藍(lán)膜20a是沿圓形的頂膜結(jié)構(gòu)的半徑擴(kuò)張，所以，沿X芯片切割道101和Y芯片切割 道102方向分離的相鄰芯片之間的距離不相同，增加了后續(xù)的測(cè)量和分選工藝的機(jī)器分辨 和定位時(shí)間，不能做晶元級(jí)封裝。
[0045] 圖2展示本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的目的、工作原理和技術(shù)方案。
[0046] 目的：使得擴(kuò)張后的相鄰芯片之間分離的距離相同。
[0047] 工作原理：只沿X方向的X芯片切割道101與沿Y方向的Y芯片切割道102兩個(gè) 方向擴(kuò)張藍(lán)膜。X方向和Y方向互相垂直。
[0048] 技術(shù)方案：（1)采用藍(lán)膜20a ;⑵放置晶元100在藍(lán)膜20a的中心位置處，使得晶 元100的平邊103與藍(lán)膜20a的邊23a和邊23b基本平行；（3)放置藍(lán)膜20a，使得晶元100 的平邊103與X方向拉伸結(jié)構(gòu)基本平行，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)識(shí)別晶元上的X和Y芯片切割道或者 晶元的平邊的方向，藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)整藍(lán)膜的方向，使得藍(lán)膜上的晶元的X芯片切割道和Y 芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平行；（4)分別沿X芯片切割道101和Y芯片切割 道102方向拉伸藍(lán)膜20a ;因此，（5)藍(lán)膜20a只沿X芯片切割道101和Y芯片切割道102 方向擴(kuò)張，擴(kuò)張后的藍(lán)膜20b上X方向的相鄰芯片（例如，圖3d中，芯片105a和芯片105b 之間以及芯片105b和芯片105c之間）分離的距離相同，Y方向相鄰芯片（例如，圖3d中， 芯片105a和芯片105d之間以及芯片105a和芯片105e之間）分離的距離相同，降低了后 續(xù)的測(cè)量和分選工藝的機(jī)器分辨和定位時(shí)間，可以直接進(jìn)行晶元級(jí)封裝。
[0049] 圖3a至圖3d是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。擴(kuò)晶機(jī)包括：框架結(jié) 構(gòu)（未在圖中展示）、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)（未在圖中展示）。設(shè)置 框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)，使得X方向拉伸結(jié)構(gòu)和Y方向拉伸 結(jié)構(gòu)可以分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Y方向拉伸藍(lán)膜，使得藍(lán)膜分別沿正、負(fù)X方向和沿 正、負(fù)Y方向擴(kuò)張，壓膜結(jié)構(gòu)使得擴(kuò)張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。
[0050] X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元。第 一列X拉伸單元包括η個(gè)X拉伸單元，分別標(biāo)記為X拉伸單元XII、X12、......、Xla、Xlb、 Xlc、Xld、......、Χ1η。X拉伸單元X12與Xla之間的虛線表示在X拉伸單元X12與Xla之 間存在至少一個(gè)X拉伸單元。第二列X拉伸單元包括相同數(shù)目的η個(gè)X拉伸單元，分別標(biāo) 記為 X 拉伸單元 X2UX22、......、X2a、X2b、X2c、X2d、......、X2n。X 拉伸單元 X22 與 X2a 之 間的虛線表示在X拉伸單元X22與X2a之間存在至少一個(gè)X拉伸單元。設(shè)置第一列X拉伸 單元和第二列X拉伸單元，使得第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X 拉伸單元--對(duì)應(yīng)，例如,第一列X拉伸單元的X拉伸單元Xla與第二列X拉伸單元的X拉 伸單元X2a--對(duì)應(yīng)，即，X拉伸單元Xla與X拉伸單元X2a之間的虛擬的連線與X方向平 行。
[0051] 第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元被分別控制，可以分 別夾緊和放松藍(lán)膜，第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，第二列X拉伸單元向負(fù)X方向 拉伸藍(lán)膜，分別沿X方向往返運(yùn)動(dòng)。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉 伸單元的寬度與晶元上的一個(gè)芯片沿Y方向上的寬度相同，使得任意一行芯片所在的藍(lán)膜 可以在與其相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元的拉伸下沿X方向擴(kuò)張。例如，與晶元上的芯片105d相 對(duì)應(yīng)的X拉伸單元xia和X2a的寬度與芯片105d沿Y方向上的寬度相同；包括芯片105d、 105u、105v的一行芯片所在的藍(lán)膜在與其相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元Xla的拉伸下向正X方向擴(kuò) 張，在與其相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元X2a的拉伸下向負(fù)X方向擴(kuò)張；包括芯片105a、105b、105c 的一行芯片所在的藍(lán)膜在與其相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元Xlb的拉伸下向正X方向擴(kuò)張，在與其 相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元X2b的拉伸下向負(fù)X方向擴(kuò)張。沿X方向擴(kuò)張后的芯片之間的沿X方 向的距離相同，例如，芯片l〇5a與105b之間的距離和芯片105c與105b之間的沿X方向的 距離相同，芯片105d與105u之間的距離和芯片105u與105v之間的沿X方向的距離相同。
[0052] Y方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元。第 一列Y拉伸單元包括m個(gè)Y拉伸單元，分別標(biāo)記為Y拉伸單元Yll、Y12、......、Yla、Ylb、 Ylc、Yld、......、Ylm。第一列Y拉伸單元的兩個(gè)Y拉伸單元之間的虛線表示在該兩個(gè)Y拉 伸單元之間存在至少一個(gè)Υ拉伸單元，例如，Υ拉伸單元Υ12與Yla之間的虛線表示在Υ拉 伸單元Y12與Yla之間存在至少一個(gè)Y拉伸單元。第二列Y拉伸單元包括相同數(shù)目的m個(gè) Y拉伸單元，分別標(biāo)記為Y拉伸單元Y21、Y22、......、Y2a、Y2b、Y2c、Y2d、......、Y2m。第二 列Y拉伸單元的兩個(gè)Y拉伸單元之間的虛線表示在該兩個(gè)Y拉伸單元之間存在至少一個(gè)Y 拉伸單元，例如,Y拉伸單元Y22與Y2a之間的虛線表示在Y拉伸單元Y22與Y2a之間存在 至少一個(gè)Y拉伸單元。設(shè)置第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元，使得第一列Y拉伸單 元的Y拉伸單元與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元-對(duì)應(yīng)，例如，第一列Y拉伸單元的Y 拉伸單元Yla與第二列Y拉伸單元的Y拉伸單元Y2a--對(duì)應(yīng)，即，Y拉伸單元Yld與Y拉 伸單元Y2d之間的虛擬的連線與Y方向平行。
[0053] 第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元被分別控制，可以分 別夾緊和放松藍(lán)膜，第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，第二列Y拉伸單元向負(fù)Y方向 拉伸藍(lán)膜，分別沿Y方向往返運(yùn)動(dòng)。第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的與晶元上 的芯片相對(duì)應(yīng)的每個(gè)Y拉伸單元的寬度與一個(gè)芯片沿X方向上的寬度相同，使得任意一行 芯片所在的藍(lán)膜可以在與其相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單元的拉伸下沿Y方向擴(kuò)張，例如，Y拉伸單元 Ylb和Y2b的寬度與晶元上的芯片105d沿X方向上的寬度相同，包括芯片105d、105a、105e 的一行芯片所在的藍(lán)膜在與其相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單元Ylb的拉伸下向正X方向擴(kuò)張，在與其 相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元Y2b的拉伸下向負(fù)Y方向擴(kuò)張。沿Y方向擴(kuò)張后的芯片之間的沿Y方 向的距離相同，例如，芯片l〇5a與105d之間的距離和芯片105a與105e之間的沿Y方向的 距離相同，芯片105u與105b之間的距離和芯片105w與105b之間的沿Y方向的距離相同。
[0054] 本實(shí)施實(shí)例的擴(kuò)晶機(jī)的操作程序如下：
[0055] 第一步，設(shè)置第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別沿藍(lán)膜的兩邊22a和22b 排列直到藍(lán)膜的邊緣23a和23b，并且?jiàn)A緊藍(lán)膜。X拉伸單元XII和X21沿藍(lán)膜的邊緣23b 排列，X拉伸單元Xln和X2n沿藍(lán)膜的邊緣23a排列，晶元100設(shè)置在第一列X拉伸單元和 第二列X拉伸單元之間。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元分別向正、負(fù)X方向拉伸 藍(lán)膜。
[0056] 第二步，在藍(lán)膜沿X方向擴(kuò)張后，分別靠近藍(lán)膜的邊緣23a和23b的第一列X拉 伸單元和第二列X拉伸單元中相對(duì)應(yīng)的至少一對(duì)X拉伸單元松開(kāi)藍(lán)膜，并退回到原始位置 (home position)，例如，XII和X21以及Xln和X2n松開(kāi)藍(lán)膜，并退回到原始位置，使得第一 列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元分別沿藍(lán)膜的兩邊23a和23b排列直到藍(lán)膜的邊緣22a 和22b，并且?jiàn)A緊藍(lán)膜。Y拉伸單元Y11和Y21沿藍(lán)膜的邊緣22a排列，Y拉伸單元Ylm和 Y2m沿藍(lán)膜的邊緣22b排列。
[0057] 第三步，第一列Y拉伸單元向正Y方向拉伸藍(lán)膜，同時(shí)，第二列Y拉伸單元向負(fù)Y 方向拉伸藍(lán)膜；第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元可以分別在Y 方向上自由滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴(kuò)張時(shí)，沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二 列X拉伸單元中的X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，不妨礙藍(lán)膜20b沿Y方向的擴(kuò)張。
[0058] 第四步，壓膜結(jié)構(gòu)（未在圖中展示）使得擴(kuò)張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)。
[0059] 圖4a和圖4b是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。圖4a和圖4b展示的 實(shí)施實(shí)例與圖3a至圖3d展示的實(shí)施實(shí)例相似，不同之處在于：（1)第一列X拉伸單元和第 二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元的寬度與晶元上的兩個(gè)芯片沿Y方向上的寬度相同； 一一對(duì)應(yīng)的X拉伸單元拉伸與其相對(duì)應(yīng)的兩行芯片所在的藍(lán)膜，沿X方向擴(kuò)張，例如，X拉 伸單元X3b和與其相對(duì)應(yīng)的X4b的寬度分別與晶元上的芯片105a和105d沿Y方向上的寬 度之和相同，包括芯片l〇5d、105u、105v和芯片105a、105b、105c的兩行芯片所在的藍(lán)膜在X 拉伸單元X3b的拉伸下向正X方向擴(kuò)張，在X拉伸單元X4b的拉伸下向負(fù)Y方向擴(kuò)張。（2) 第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元的寬度與晶元上的兩個(gè)芯片沿 X方向上的寬度之和相同， 對(duì)應(yīng)的Y拉伸單兀拉伸與其相對(duì)應(yīng)兩行芯片所在的藍(lán)膜，沿 Y方向擴(kuò)張，例如，Y拉伸單元Y3b和與其相對(duì)應(yīng)的Y4b的寬度分別與晶元上的芯片105b和 105c沿X方向上的寬度之和相同，包括芯片105u、105b、105w和芯片105v、105c、105z的兩 行芯片所在的藍(lán)膜在Y拉伸單元Y3b的拉伸下向正X方向擴(kuò)張，在Y拉伸單元Y4b的拉伸 下向負(fù)Y方向擴(kuò)張。
[0060] 第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元具有相同的寬度。第 一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元具有相同的寬度。
[0061] X 拉伸單元 X31、X3a、X3b、X3c、X3p、X3h、X3g、Y 拉伸單元 Y31、Y3a、Y3b、Y3c、Y3q 分別與 X41、X4a、X4b、X4c、X4p、X4h、X4g、Y 拉伸單元 Y41、Y4a、Y4b、Y4c、Y4q --對(duì)應(yīng)。
[0062] 圖5是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。圖5展示的實(shí)施實(shí)例與圖3a 至圖3d展示的實(shí)施實(shí)例相似，不同之處在于：（1)藍(lán)膜具有十字形狀；（2)X拉伸單元（包括 X51至X5r以及X61至X6r)和Y拉伸單元（包括Y51至Y5s以及Y61至Y6s)同時(shí)拉伸藍(lán) 膜。第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元可以分別在Y方向上自由 滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴(kuò)張時(shí)，沿Y方向排列的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單 元中的X拉伸單元在Y方向上互相遠(yuǎn)離，不妨礙藍(lán)膜20b沿Y方向的擴(kuò)張。第一列Y拉伸 單元和第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元可以分別在X方向上自由滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜 在X方向上擴(kuò)張時(shí)，沿X方向排列的第一列Y拉伸單元和第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單 元在X方向上互相遠(yuǎn)離，不妨礙藍(lán)膜20b沿X方向的擴(kuò)張。
[0063] 圖6a是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。圖6a展示的實(shí)施實(shí)例與圖3a 至圖3d展示的實(shí)施實(shí)例相似，不同之處在于，圖6a展示的實(shí)施實(shí)例中：（一）第一列X拉 伸單元中的X拉伸單元具有不同的寬度：（1)與晶元的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元X7a、X7b、 X7c、X7d的寬度分別與一個(gè)芯片沿Y方向的寬度相同；（2)其他的X拉伸單元X71、X7u的寬 度分別大于一個(gè)芯片沿Y方向的寬度。（二）第二列X拉伸單元中的X拉伸單元具有不同 的寬度：（1)與晶元的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元X8a、X8b、X8c、X8d的寬度分別與一個(gè)芯片 沿Y方向的寬度相同；（2)其他的X拉伸單元X81、X8u的寬度分別大于一個(gè)芯片沿Y方向 的寬度。（三）第一列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的寬度：（1)與晶元的芯片相對(duì) 應(yīng)的Y拉伸單元Y7a至X7d的寬度分別與一個(gè)芯片沿X方向的寬度相同；（2)其他的Y拉 伸單元Y71、Y7v的寬度分別大于一個(gè)芯片沿X方向的寬度。（四）第二列Y拉伸單元中的 Υ拉伸單元具有不同的寬度：（1)與晶元的芯片相對(duì)應(yīng)的Υ拉伸單元Y8a、Y8b、Y8c、Y8d的 寬度分別與一個(gè)芯片沿X方向的寬度相同；(2)其他的Y拉伸單元Y81、Y8v的寬度分別大 于一個(gè)芯片沿X方向的寬度。（五）第一列和第二列X拉伸單兀中的X拉伸單兀以及第一 列和第二列Υ拉伸單元中的Υ拉伸單元同時(shí)拉伸藍(lán)膜。
[0064] X 拉伸單元 Χ71、X7a、X7b、X7c、X7d、X7u、Υ 拉伸單元 Υ71、Y7a、Y7b、Y7c、Y7d、Υ7ν 分別與 X81、X8a、X8b、X8c、X8d、X8u、Y 拉伸單元 Y81、Y8a、Y8b、Y8c、Y8d、Y8v --對(duì)應(yīng)。
[0065] 圖6b是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的示意圖。圖6b展示的實(shí)施實(shí)例與圖6a 展示的實(shí)施實(shí)例相似，不同之處在于，圖6b展示的實(shí)施實(shí)例中：（一）第一列X拉伸單元中 的X拉伸單元具有不同的寬度：（1)與晶元的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元X9a至X9d的寬度 分別等于一個(gè)芯片沿Y方向的寬度；（2)其他的X拉伸單元X91和X9t的寬度分別大于一 個(gè)芯片沿Y方向的寬度。（二）第二列X拉伸單元中的X拉伸單元具有不同的寬度：（1)與 晶元的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉伸單元Xl〇a至X10d的寬度分別等于一個(gè)芯片沿Y方向的寬度； (2)其他的X拉伸單元X101、X10t的寬度分別大于一個(gè)芯片沿Y方向的寬度。（三）第一 列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的寬度：（1)與晶元相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單元Y9a和Y9b 的寬度分別等于三個(gè)芯片沿X方向的寬度之和；（2)其他的Y拉伸單元Y91和Y9w的寬度 分別大于一個(gè)芯片沿X方向的寬度。（四）第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元具有不同的 寬度：（1)與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的Y拉伸單元Yl〇a和Y10b的寬度分別等于三個(gè)芯片沿X 方向的寬度之和；（2)其他的Y拉伸單元Y101和Y10w的寬度分別大于一個(gè)芯片沿X方向 的寬度。
[0066] X 拉伸單元 X91、X9a、X9b、X9c、X9d、X9t、Y 拉伸單元 Y91、Y9a、Y9b、Y9w 分別與 X101、X10a、X10b、X10c、X10d、XIOt、Y 拉伸單元 Y101、Y10a、Y10b、YlOw --對(duì)應(yīng)。
[0067] 圖7a和圖7b是本發(fā)明的擴(kuò)晶機(jī)的一個(gè)實(shí)施實(shí)例的工作原理圖。擴(kuò)晶機(jī)包括視覺(jué) 識(shí)別系統(tǒng)（未在圖7a和7b中展示），視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制X方向拉伸結(jié)構(gòu)和Y方向拉伸結(jié) 構(gòu)。視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)測(cè)量藍(lán)膜擴(kuò)張后的晶元上的沿X和Y方向排列的芯片之間的距離，根據(jù) 測(cè)試結(jié)果，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)操縱相對(duì)應(yīng)的X和Y拉伸單元拉伸藍(lán)膜，使得芯片之間的X和Y方 向上的距離相同。圖7a中，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)測(cè)量結(jié)果：芯片106i與106j之間的距離小于芯 片106e與106f之間的距離，芯片106e與106f之間的距離小于芯片106a與106b之間的 距離，芯片106k與106m之間的距離小于芯片106g與106h之間的距離，芯片106g與106h 之間的距離小于芯片l〇6c與106d之間的距離。
[0068] 根據(jù)上述測(cè)量結(jié)果，視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)操縱相對(duì)應(yīng)的拉伸單元31和41、拉伸單元32和 42、拉伸單元33和43分別拉伸藍(lán)膜不同的距離，使得芯片之間的距離相同（如圖7b所示） ： 芯片106i與106j之間的距離、芯片106e與106f之間的距離、芯片106a與106b之間的距 離、芯片106k與106m之間的距離、芯片106g與106h之間的距離、芯片106c與106d之間 的距離、芯片106η與106p之間的距離、芯片106q與106r之間的距離、芯片106s與106t 之間的距離、芯片l〇6u與106v之間的距離相等。
[0069] 注：拉伸單元31和41、拉伸單元32和42、拉伸單元33和43可以是X拉伸單元或 者Y拉伸單元。
[0070] 最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上實(shí)施實(shí)例僅用以說(shuō)明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制； 盡管參照前述實(shí)施實(shí)例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其 依然可以對(duì)前述實(shí)施實(shí)例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或?qū)ζ渲胁糠旨夹g(shù)特征進(jìn)行等同替 換；而這些修改或替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施實(shí)例技術(shù)方案的精 神和范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種擴(kuò)晶機(jī)，包括：框架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Y方向拉伸結(jié)構(gòu)、壓膜結(jié)構(gòu)；設(shè)置框 架結(jié)構(gòu)、X方向拉伸結(jié)構(gòu)、Υ方向拉伸結(jié)構(gòu)和壓膜結(jié)構(gòu)，使得所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)和所述Υ方 向拉伸結(jié)構(gòu)可以擴(kuò)張藍(lán)膜，所述壓膜結(jié)構(gòu)使得擴(kuò)張后的藍(lán)膜保持?jǐn)U張狀態(tài)；其特征在于，所 述X方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜，所述Υ方向拉伸結(jié)構(gòu)沿正、負(fù)Υ方向拉伸藍(lán)膜， 使得藍(lán)膜分別沿正、負(fù)X方向和沿正、負(fù)Υ方向擴(kuò)張；其中，所述X方向和所述Υ方向互相垂 直。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Υ方向排列 的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，所述第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，所 述第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單 元分別包括數(shù)目相同的多個(gè)X拉伸單元；設(shè)置所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸 單元，使得所述第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X拉伸單元-對(duì) 應(yīng)；一一對(duì)應(yīng)的2個(gè)所述X拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列X拉伸單元和所述第二列 X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返 運(yùn)動(dòng)；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉 伸單元的寬度分別與一個(gè)芯片沿Υ方向上的寬度相同，其他的X拉伸單元的寬度分別等于 或者大于一個(gè)芯片沿Υ方向上的寬度；所述Υ方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方向排列的第一列Υ 拉伸單元和第二列Υ拉伸單元，所述第一列Υ拉伸單元向正Υ方向拉伸藍(lán)膜，所述第二列Υ 拉伸單元向負(fù)Υ方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列Υ拉伸單元和所述第二列Υ拉伸單元分別包括 數(shù)目相同的多個(gè)Υ拉伸單元；設(shè)置所述第一列Υ拉伸單元和所述第二列Υ拉伸單元，使得所 述第一列Υ拉伸單元的Υ拉伸單元與第二列Υ拉伸單元的Υ拉伸單元-對(duì)應(yīng)；-對(duì)應(yīng) 的2個(gè)所述Υ拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列Υ拉伸單元和所述第二列Υ拉伸單元 中的每個(gè)Υ拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返運(yùn)動(dòng)；所述 第一列Υ拉伸單元和所述第二列Υ拉伸單元中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的Υ拉伸單元的寬 度分別與一個(gè)芯片沿X方向上的寬度相同，其他的Υ拉伸單元的寬度分別等于或者大于一 個(gè)芯片沿X方向上的寬度。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿Υ方向排列 的第一列X拉伸單元和第二列X拉伸單元，所述第一列X拉伸單元向正X方向拉伸藍(lán)膜，所 述第二列X拉伸單元向負(fù)X方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單 元分別包括數(shù)目相同的多個(gè)X拉伸單元；設(shè)置所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸 單元，使得所述第一列X拉伸單元的X拉伸單元與第二列X拉伸單元的X拉伸單元-對(duì) 應(yīng)；一一對(duì)應(yīng)的2個(gè)所述X拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列X拉伸單元和所述第二列 X拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方向往返 運(yùn)動(dòng)；所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng)的X拉 伸單元的寬度分別與至少兩個(gè)芯片沿Υ方向上的寬度之和相同，其他的X拉伸單元的寬度 分別等于或者大于至少兩個(gè)芯片沿Υ方向上的寬度之和；所述Υ方向拉伸結(jié)構(gòu)包括沿X方 向排列的第一列Υ拉伸單元和第二列Υ拉伸單元，所述第一列Υ拉伸單元向正Υ方向拉伸 藍(lán)膜，所述第二列Υ拉伸單元向負(fù)Υ方向拉伸藍(lán)膜；所述第一列Υ拉伸單元和所述第二列Υ 拉伸單元分別包括數(shù)目相同的多個(gè)Υ拉伸單元；設(shè)置所述第一列Υ拉伸單元和所述第二列 Υ拉伸單元，使得所述第一列Υ拉伸單元的Υ拉伸單元與第二列Υ拉伸單元的Υ拉伸單元 一一對(duì)應(yīng)；一一對(duì)應(yīng)的2個(gè)所述Y拉伸單元具有相同的寬度；所述第一列Y拉伸單元和所述 第二列Y拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元被分別控制，可以分別夾緊和放松藍(lán)膜，分別沿X方 向往返運(yùn)動(dòng)；所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的與晶元上的芯片相對(duì)應(yīng) 的Y拉伸單元的寬度分別與至少兩個(gè)芯片沿X方向上的寬度之和相同，其他的Y拉伸單元 的寬度分別等于或者大于至少兩個(gè)芯片沿X方向上的寬度之和。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述擴(kuò)晶機(jī)進(jìn)一步包括視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng) 和藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)，所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制所述藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)；所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)識(shí)別藍(lán)膜 擴(kuò)張前的晶元上的兩條芯片切割道或者晶元的平邊的方向，所述藍(lán)膜旋轉(zhuǎn)系統(tǒng)調(diào)整藍(lán)膜的 方向，使得藍(lán)膜上的晶元的X芯片切割道和Y芯片切割道的方向分別與X方向和Y方向平 行。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述擴(kuò)晶機(jī)進(jìn)一步包括視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)， 所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制所述X方向拉伸結(jié)構(gòu)；所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)測(cè)量藍(lán)膜擴(kuò)張后的晶元上 的沿X方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)操縱相對(duì)應(yīng)的X拉伸 單元拉伸藍(lán)膜，使得芯片之間的X方向上的距離相同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述擴(kuò)晶機(jī)進(jìn)一步包括視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)， 所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)控制所述Y方向拉伸結(jié)構(gòu)；所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)測(cè)量藍(lán)膜擴(kuò)張后的晶元上 的沿Y方向排列的芯片之間的距離，根據(jù)測(cè)試結(jié)果，所述視覺(jué)識(shí)別系統(tǒng)操縱相對(duì)應(yīng)的Y拉伸 單元拉伸藍(lán)膜，使得芯片之間的Y方向上的距離相同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述第一列X拉伸單元和所述第二列X 拉伸單元中的每個(gè)X拉伸單元可以分別在Y方向上自由滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜在Y方向上擴(kuò)張 時(shí)，沿Y方向排列的所述第一列X拉伸單元和所述第二列X拉伸單元中的X拉伸單元在Y 方向上互相遠(yuǎn)離。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的擴(kuò)晶機(jī)，其特征在于，所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y 拉伸單元中的每個(gè)Y拉伸單元可以分別在X方向上自由滑動(dòng)，使得當(dāng)藍(lán)膜在X方向上擴(kuò)張 時(shí)，沿X方向排列的所述第一列Y拉伸單元和所述第二列Y拉伸單元中的Y拉伸單元在X 方向上互相遠(yuǎn)離。
【文檔編號(hào)】H01L21/67GK104112691SQ201410364441
【公開(kāi)日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年7月26日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月26日
【發(fā)明者】彭暉, 李文玉, 王 華, 宋定潔, 張亞菲, 黃映儀 申請(qǐng)人:佛山市南海區(qū)聯(lián)合廣東新光源產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心, 彭暉