專利名稱：一種用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及等離子刻蝕、淀積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于等離子刻蝕、淀積設(shè)備的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)中的勻氣盤。
背景技術(shù)：
在刻蝕和淀積等等離子體工藝中，進(jìn)氣勻氣結(jié)構(gòu)，不僅決定工藝氣體的壓力和流量分布，對(duì)于加載射頻啟輝生成的等離子體的均勻分布也有很大影響，從而，影響處理芯片的質(zhì)量。在刻蝕工藝中，進(jìn)氣結(jié)構(gòu)，一般采用進(jìn)氣管直接通入腔室，由于進(jìn)氣管和腔室尺寸的差別比較大?；蛘撸谶M(jìn)氣管壁上加工一些均勻分布的小孔。進(jìn)氣后，氣體的壓力和流量梯度較大。這樣，在射頻加載后，啟輝得到的等離子體均勻一致性難以保證。處理芯片時(shí)， 因進(jìn)氣結(jié)構(gòu)勻氣效果差，腔室內(nèi)部水平方向氣體分布梯度較大，導(dǎo)致等離子體在芯片表面的密度分布不均勻，造成刻蝕芯片表面和刻蝕速率的均勻性不一致。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，在等離子體工藝中實(shí)現(xiàn)氣體壓力和流量分布均勻，啟輝后，確保在處理芯片的表面，得到均勻一致性的等離子體。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為一種用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，所述勻氣盤上分布若干小孔，所述小孔從所述勻氣盤的中心到邊緣按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布。上述方案中，所述勻氣盤的直徑為1 5000mm，厚度為1 100mm，所述勻氣盤上的小孔在所述勻氣盤的直徑范圍內(nèi)分布，所述小孔直徑為0. 1 20mm。上述方案中，所述勻氣盤的材質(zhì)為非金屬材料，所述非金屬材料為聚四氟、聚碳酸酯、PE等工程塑料、石墨、陶瓷、石英、碳化硼或碳化硅。上述方案中，所述勻氣盤上的小孔的形狀為圓形、三角形、方形或菱形。上述方案中，所述勻氣盤包括側(cè)壁和底盤，所述側(cè)壁和所述底盤之間設(shè)有高度調(diào)節(jié)裝置。上述方案中，所述高度調(diào)節(jié)裝置的高度調(diào)節(jié)范圍為0. 1 100mm。上述方案中，所述高度調(diào)節(jié)裝置包括固定板和調(diào)節(jié)螺釘，所述固定板固定在所述側(cè)壁上，所述固定板上設(shè)有螺紋孔，所述調(diào)節(jié)螺釘穿過所述固定板上的螺紋孔將所述側(cè)壁與所述底盤固定連接，所述底盤與所述側(cè)壁之間的相對(duì)高度通過所述調(diào)節(jié)螺釘進(jìn)行調(diào)節(jié)。與現(xiàn)有技術(shù)方案相比，本發(fā)明采用的技術(shù)方案產(chǎn)生的有益效果如下本發(fā)明有利于反應(yīng)腔室內(nèi)氣流密度均勻一致，起到提高芯片表面氣體的均勻性作用，使到達(dá)芯片表面的氣體密度分布趨于一致。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的勻氣盤的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實(shí)施例中勻氣盤側(cè)壁的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實(shí)施例中勻氣盤側(cè)壁與底盤連接的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為將本發(fā)明實(shí)施例應(yīng)用在進(jìn)氣結(jié)構(gòu)中的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)描述。如圖1所示，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，勻氣盤5上分布若干小孔51，小孔51從勻氣盤5的中心到邊緣按照由密到疏再到密的方式分布，小孔51的分布方式可以使等離子體在通過勻氣盤5時(shí)，提高芯片邊緣部位的密度，使得到達(dá)芯片的粒子更加均勻。勻氣盤5的直徑為1 5000mm，厚度為1 100mm，勻氣盤5上的小孔51在勻氣盤5的直徑范圍內(nèi)分布，小孔直徑為0. 1 20mm。勻氣盤5上的小孔51的形狀為圓形、 三角形、方形、菱形或其他形狀。勻氣盤5的材質(zhì)為聚四氟、聚碳酸酯、PE等工程塑料、石墨、 陶瓷、石英、碳化硼或碳化硅等非金屬材料。本實(shí)施例中，勻氣盤5上的小孔51的分布方式還可以是從中心到邊緣由密到疏或由疏到密的分布。如圖2和圖3所示，勻氣盤5包括側(cè)壁52和底盤55，側(cè)壁52上均勻分布三個(gè)固定板53，調(diào)節(jié)螺釘56穿過固定板53上的螺紋孔M將底盤55與側(cè)壁52固定連接，底盤55 與側(cè)壁52之間的相對(duì)高度通過調(diào)節(jié)螺釘56的長(zhǎng)度進(jìn)行調(diào)節(jié)，通過高度的調(diào)節(jié)可以使到達(dá)芯片上方的氣流密度趨于一致，高度的調(diào)節(jié)范圍為0. 1 100mm。側(cè)壁52和底盤55之間屬于過度配合，確保調(diào)節(jié)滑動(dòng)過程上下對(duì)正。如圖4所示，本發(fā)明實(shí)施例提供的勻氣盤5應(yīng)用在進(jìn)氣結(jié)構(gòu)中，進(jìn)氣結(jié)構(gòu)還包括進(jìn)氣管1和勻氣筒4，進(jìn)氣結(jié)構(gòu)設(shè)置在腔室上蓋2和腔室8組成的反應(yīng)腔上方，腔室上蓋2內(nèi)側(cè)設(shè)有射頻電極3。進(jìn)氣管1固定設(shè)置在腔室上蓋2中部，與腔室上蓋2法蘭密封，進(jìn)氣管 1末端延伸至反應(yīng)腔內(nèi)的勻氣筒4內(nèi)，勻氣盤5設(shè)置在勻氣筒4下方，勻氣盤5的側(cè)壁固定在腔室上蓋2內(nèi)側(cè)，通過高度調(diào)節(jié)裝置可以調(diào)節(jié)底盤在反應(yīng)腔內(nèi)的高度。排氣口 9設(shè)置在腔室8下端，芯片6放置在反應(yīng)腔內(nèi)載片臺(tái)7上。在刻蝕工藝過程中，由于采用了本發(fā)明是實(shí)施例提供的勻氣盤，使得到達(dá)芯片6表面的氣體流量和密封分布趨于均勻，有利于等離子體的均勻一致，確保刻蝕芯片的均勻性。本發(fā)明在工作時(shí)，工藝氣體由進(jìn)氣管1進(jìn)入反應(yīng)腔室上方，到達(dá)勻氣筒4，然后氣體分流9進(jìn)入勻氣盤5上方的空間，再到達(dá)載片臺(tái)6上部；最后反應(yīng)生成物和部分工藝氣體匯流10從排氣口 8流出。通過高度調(diào)節(jié)裝置調(diào)節(jié)勻氣盤5在反應(yīng)腔內(nèi)的安裝高度，可以使到達(dá)芯片上方的氣流密度趨于一致。本發(fā)明有利于反應(yīng)腔室內(nèi)氣流密度均勻一致，起到提高芯片表面氣體的均勻性作用，使到達(dá)芯片表面的氣體密度分布趨于一致。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述勻氣盤上分布若干小孔，所述小孔從所述勻氣盤的中心到邊緣按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布。
2.如權(quán)利要求1所述的用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述勻氣盤的直徑為 1 5000mm，厚度為1 100mm，所述勻氣盤上的小孔在所述勻氣盤的直徑范圍內(nèi)分布，所述小孔直徑為0. 1 20mm。
3.如權(quán)利要求1所述的用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述勻氣盤的材質(zhì)為非金屬材料，所述非金屬材料為聚四氟、聚碳酸酯、工程塑料、石墨、陶瓷、石英、碳化硼或碳化娃。
4.如權(quán)利要求1所述的用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述勻氣盤上的小孔的形狀為圓形、三角形、方形或菱形。
5.如權(quán)利要求1所述的用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述勻氣盤包括側(cè)壁和底盤，所述側(cè)壁和所述底盤之間設(shè)有高度調(diào)節(jié)裝置。
6.如權(quán)利要求5所述的用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述高度調(diào)節(jié)裝置的高度調(diào)節(jié)范圍為0. 1 100mm。
7.如權(quán)利要求5所述的用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤，其特征在于所述高度調(diào)節(jié)裝置包括固定板和調(diào)節(jié)螺釘，所述固定板固定在所述側(cè)壁上，所述固定板上設(shè)有螺紋孔，所述調(diào)節(jié)螺釘穿過所述固定板上的螺紋孔將所述側(cè)壁與所述底盤固定連接，所述底盤與所述側(cè)壁之間的相對(duì)高度通過所述調(diào)節(jié)螺釘進(jìn)行調(diào)節(jié)。
全文摘要
本發(fā)明涉及等離子刻蝕、淀積設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種應(yīng)用于等離子刻蝕、淀積設(shè)備的進(jìn)氣結(jié)構(gòu)中的勻氣盤。所述用于進(jìn)氣結(jié)構(gòu)的勻氣盤上分布若干小孔，所述小孔從所述勻氣盤的中心到邊緣按照由密到疏、由疏到密或由密到疏再到密的方式分布。本發(fā)明有利于反應(yīng)腔室內(nèi)氣流密度均勻一致，起到提高芯片表面氣體的均勻性作用，使到達(dá)芯片表面的氣體密度分布趨于一致。
文檔編號(hào)H01J37/32GK102437002SQ20111038839
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月29日
發(fā)明者夏洋, 席峰, 張慶釗, 李勇滔, 李楠 申請(qǐng)人:中國(guó)科學(xué)院微電子研究所