一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器的制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器；通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部及第三耦合部和第四耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強(qiáng)，其通過仿真軟件測(cè)算出的耦合系數(shù)高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實(shí)用性大大的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不易損壞，使用壽命長(zhǎng)，而且設(shè)置的第一分離桿至第四分離桿使得隔離度大大增加。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實(shí)用新型涉及同頻合路器【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電 橋的同頻合路器。 一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器

【背景技術(shù)】
[0002] 在同頻合路器中，主要的元部件就是3dB電橋，3dB電橋是一種將兩種頻率相同的 信號(hào)進(jìn)行耦合成一路信號(hào)輸出的電器件；其要求耦合度高，精確，頻段寬；在通信行業(yè)中被 廣泛使用，其中，通信行業(yè)的新增標(biāo)準(zhǔn)LTE中，LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段為2570MHz-2750MHz，目 前市場(chǎng)上的同頻合路器中，所采用的3dB電橋普遍耦合頻率寬度為600MHz-2400MHz，不能 滿足新增LTE標(biāo)準(zhǔn)要求的頻段。另外，目前市場(chǎng)上的電橋隔離度都比較小。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 本實(shí)用新型的目的在于克服以上所述的缺點(diǎn)，提供一種耦合頻率寬能達(dá)到 2950MHZ、且兩個(gè)耦合線形狀相同，節(jié)省成本、隔離度大的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電 橋的同頻合路器。
[0004] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型的具體方案如下：具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的 同頻合路器，包括有殼體及設(shè)于殼體內(nèi)的3dB電橋；所述3dB電橋包括有第一稱合線和第二 耦合線，所述第一耦合線包括圓環(huán)形的第一耦合部及從第一耦合部底端向下延伸出的第三 耦合部；所述第一耦合線還包括有從第一耦合部一側(cè)斜向上延伸出的第一輸出腳、從第三 耦合部相對(duì)于第一輸出腳的一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳；所述第一輸出腳的自由端設(shè) 第一輸出端，第一輸入腳的自由端設(shè)第一輸入端；
[0005] 所述第二耦合線包括圓環(huán)形的第二耦合部及從第二耦合部底端向下延伸出的第 四耦合部；所述第二耦合線還包括從第二耦合部一側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳、從第四 耦合部相對(duì)于第二輸出腳的一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳；所述第二輸出腳的自由端設(shè) 第二輸出端，第一輸入腳的自由端設(shè)第二輸入端；
[0006] 所述第一耦合線和第二耦合線平行且重疊設(shè)置，第一耦合部與第二耦合部重之間 距離為4mm-8mm ；
[0007] 所述第一耦合部與第二耦合部的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔，所述第一耦合部的安裝孔 與第二耦合部的對(duì)應(yīng)的安裝孔之間設(shè)有絕緣支柱，所述第一耦合部與第二耦合部之間通過 絕緣支柱固定；
[0008] 所述第一耦合部的內(nèi)環(huán)頂端向下延伸出有一長(zhǎng)方形的第一分離桿，所述第三耦合 部的內(nèi)環(huán)底端向上延伸出有一長(zhǎng)方形的第三分離桿，所述第一分離桿及第三分離桿的橫向 寬度為2mm，堅(jiān)直高度為3mm ;所述第一分離桿向第一輸出腳的一側(cè)斜向下延伸有一第一互 擾部，所述第一互擾部的自由端向下延伸有一正方形的第一分離塊；所述第三分離桿向相 對(duì)于第一輸出腳的一側(cè)斜向上延伸有一第三互擾部，所述第三互擾部的自由端向上延伸有 一正方形的第是三分離塊；
[0009] 所述第四耦合部的內(nèi)環(huán)頂端向下延伸出有一長(zhǎng)方形的第四分離桿，所述第二耦合 部的內(nèi)環(huán)底端向上延伸出有一長(zhǎng)方形的第二分離桿，所述第四分離桿及第二分離桿的橫向 寬度為2mm，堅(jiān)直高度為3mm ;所述第二分離桿向相對(duì)于第一輸出腳的一側(cè)斜向上延伸有一 第二互擾部，所述第二互擾部的自由端向上延伸有一正方形的第二分離塊；所述第四分離 桿向第一輸出腳的一側(cè)斜向上延伸有一第四互擾部，所述第四互擾部的自由端向下延伸有 一正方形的第是四分離塊。
[0010] 其中，所述第一耦合部和第二耦合部的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
[0011] 其中，每個(gè)絕緣支柱上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個(gè)絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
[0012] 其中，第一耦合部與第二耦合部重之間距離為5_。
[0013] 其中，第一耦合部的一側(cè)斜向下延伸出有第五分離桿；所述第三耦合部相對(duì)于第 五分離桿的一側(cè)斜向上延伸出有第六分離桿。
[0014] 其中，第二耦合部的一側(cè)斜向下延伸出有第七分離桿；所述第四耦合部相對(duì)于第 七分離桿的一側(cè)斜向上延伸出有第八分離桿。
[0015] 本實(shí)用新型的有益效果為：通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部和第二耦合部及第三 耦合部和第四耦合部，可使得環(huán)形耦合效果大大增強(qiáng)，其通過仿真軟件測(cè)算出的耦合系數(shù) 高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實(shí)用性大大 的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不易損壞，使用壽命長(zhǎng)，而且設(shè)置的第一分離桿至第四分離桿使 得隔離度大大增加。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1是本實(shí)用新型的3dB電橋的正視圖；
[0017] 圖2是第一耦合線的正視圖；
[0018] 圖3是第二耦合線的正視圖；
[0019] 圖4是本實(shí)用新型制作的正視圖；
[0020] 圖5是第一耦合線、第二耦合線及絕緣支柱配合時(shí)的剖面圖；
[0021] 圖6是本實(shí)用新型在仿真軟件中達(dá)到最高耦合頻率的曲線示意圖；
[0022] 圖1至圖6中的附圖標(biāo)記說明：
[0023] 1-第一稱合線；11a-第一稱合部；lib-第三稱合部；12-第一輸出腳；13-第一輸 入腳；14-第一輸出端；15a-第一互擾部；15b-第三互擾部；15c-第一分離塊；16a_第五 分離桿；16b-第六分離桿；
[0024] 2-第二耦合線；21a-第二耦合部；21b-第四耦合部；22-第二輸出腳；23-第二輸 入腳；24-第二輸出端；25a-第二互擾部；25b-第四互擾部；25c-第二分離塊；26a-第七分 離桿；26b-第八分離桿；
[0025] 3-安裝孔；3a_絕緣支柱；
[0026] 4-殼體。

【具體實(shí)施方式】
[0027] 下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，并不是把本實(shí)用 新型的實(shí)施范圍局限于此。
[0028] 如圖1至圖6所示，本實(shí)施例所述的具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器， 包括有殼體及設(shè)于殼體4內(nèi)的3dB電橋；所述3dB電橋包括有第一稱合線1和第二稱合線 2,所述第一f禹合線1包括圓環(huán)形的第一f禹合部11a及從第一f禹合部11a底端向下延伸出的 第三耦合部lib ;所述第一耦合線1還包括有從第一耦合部11a-側(cè)斜向上延伸出的第一 輸出腳12、從第三耦合部lib相對(duì)于第一輸出腳12的一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳13 ; 所述第一輸出腳12的自由端設(shè)第一輸出端14,第一輸入腳13的自由端設(shè)第一輸入端；所 述第二耦合線2包括圓環(huán)形的第二耦合部21a及從第二耦合部21a底端向下延伸出的第四 奉禹合部21b ;所述第二f禹合線2還包括從第二f禹合部21a -側(cè)斜向上延伸出的第二輸出腳 22、從第四耦合部21b相對(duì)于第二輸出腳22的一側(cè)斜向下延伸出的第二輸入腳23 ;所述第 二輸出腳22的自由端設(shè)第二輸出端24,第一輸入腳13的自由端設(shè)第二輸入端；所述第一 耦合線1和第二耦合線2平行且重疊設(shè)置，第一耦合部11a與第二耦合部21a重之間距離 為4mm-8mm。所述第一稱合部11a與第二稱合部21a的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔3,所述第一奉禹 合部11a的安裝孔3與第二耦合部21a的對(duì)應(yīng)的安裝孔3之間設(shè)有絕緣支柱3a，所述第一 耦合部11a與第二耦合部21a之間通過絕緣支柱3a固定；通過設(shè)置的圓環(huán)形的第一耦合部 1 la和第二耦合部21a，可使得環(huán)形耦合效果大大增強(qiáng)，其通過仿真軟件測(cè)算出的耦合系數(shù) 高，耦合頻率可以達(dá)2950KHZ，大大的滿足了目前主流LTE技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的要求，其實(shí)用性大大 的增加，另外其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，不易損壞，使用壽命長(zhǎng)。
[0029] 進(jìn)一步的，利用本實(shí)施例所述的3dB電橋制作的與之對(duì)應(yīng)的同頻合路器，包括有 殼體4及上述所述3dB電橋；上述的3dB電橋固定于殼體4內(nèi)形成同頻合路器。
[0030] 進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，所 述第一稱合部11a和第二稱合部21a的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm ;通過計(jì)算機(jī)軟件仿真測(cè)算，當(dāng) 第一稱合部11a和第二稱合部21a的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm時(shí)，其頻率寬帶最優(yōu)，效果最好。
[0031] 進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，每 個(gè)絕緣支柱3a上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個(gè)絕緣柱體的兩道卡槽距離相等；如此設(shè)置，可 精準(zhǔn)的控制第一耦合部11a和第二耦合部21a之間的距離，防止距離的變化產(chǎn)生效果的失 真。
[0032] 進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，第 一耦合部1 la與第二耦合部21a重之間距離為5_。通過計(jì)算機(jī)軟件仿真測(cè)算，當(dāng)一耦合部 與第二稱合部21a重之間距離為5mm時(shí)，其頻率寬帶最優(yōu)，效果最好。
[0033] 進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，所 述第一耦合部11a的內(nèi)環(huán)頂端向下延伸出有一長(zhǎng)方形的第一分離桿，所述第三耦合部lib 的內(nèi)環(huán)底端向上延伸出有一長(zhǎng)方形的第三分離桿，所述第一分離桿及第三分離桿的橫向?qū)?度為2mm，堅(jiān)直高度為3mm ;所述第一分離桿向第一輸出腳12的一側(cè)斜向下延伸有一第一 互擾部15a，所述第一互擾部15a的自由端向下延伸有一正方形的第一分離塊15c ;所述第 三分離桿向相對(duì)于第一輸出腳12的一側(cè)斜向上延伸有一第三互擾部15b，所述第三互擾部 15b的自由端向上延伸有一正方形的第是三分離塊；通過設(shè)置的第一分離桿、第三分離桿 可使得電橋的隔離度大大增加，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，可知，如此設(shè)置可達(dá)到25db的隔離 度，而梯形的第三互擾部15b、圓形的第三分離塊、梯形的第一互擾部15a及圓形的第一分 離塊15c起到了更大的隔離度，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，其達(dá)到了 30db的隔離度。
[0034] 進(jìn)一步的，本實(shí)施例所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，所 述第四耦合部21b的內(nèi)環(huán)頂端向下延伸出有一長(zhǎng)方形的第四分離桿，所述第二耦合部21a 的內(nèi)環(huán)底端向上延伸出有一長(zhǎng)方形的第二分離桿，所述第四分離桿及第二分離桿的橫向?qū)?度為2mm，堅(jiān)直高度為3mm ;所述第二分離桿向相對(duì)于第一輸出腳12的一側(cè)斜向上延伸有一 第二互擾部25,所述第二互擾部25的自由端向上延伸有一正方形的第二分離塊25c ;所述 第四分離桿向第一輸出腳12的一側(cè)斜向上延伸有一第四互擾部25b，所述第四互擾部25b 的自由端向下延伸有一正方形的第是四分離塊；同上通過設(shè)置的第二分離桿、第四分離桿 可使得電橋的隔離度大大增加，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，可知，如此設(shè)置可達(dá)到25db的隔離 度，而梯形的第二互擾部25、圓形的第二分離塊25c、梯形的第四互擾部25b及圓形的第四 分離塊起到了更大的隔離度，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，其達(dá)到了 30db的隔離度。
[0035] 進(jìn)一步的，第一耦合部11a的一側(cè)斜向下延伸出有第五分離桿16a ;所述第三耦合 部lib相對(duì)于第五分離桿16a的一側(cè)斜向上延伸出有第六分離桿16b。進(jìn)一步的，第二奉禹 合部21a的一側(cè)斜向下延伸出有第七分離桿26a ;所述第四耦合部21b相對(duì)于第七分離桿 26a的一側(cè)斜向上延伸出有第八分離桿26b ;通過設(shè)置的第二分離桿及第四分離桿，可使得 電橋的隔離度大大增加，通過計(jì)算機(jī)軟件仿真，可知，如此設(shè)置可增加1. 2%的隔離度。
[0036] 以上所述僅是本實(shí)用新型的一個(gè)較佳實(shí)施例，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所 述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，包含在本實(shí)用新型專利申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，包括有殼體及設(shè)于殼體（4)內(nèi)的 3dB電橋；所述3dB電橋包括有第一耦合線（1)和第二耦合線（2)，其特征在于：所述第一耦 合線（1)包括圓環(huán)形的第一耦合部（1 la)及從第一耦合部（1 la)底端向下延伸出的第三耦 合部（lib);所述第一耦合線（1)還包括有從第一耦合部（11a) -側(cè)斜向上延伸出的第一輸 出腳（12)、從第三耦合部（lib)相對(duì)于第一輸出腳（12)的一側(cè)斜向下延伸出的第一輸入腳 (13);所述第一輸出腳（12)的自由端設(shè)第一輸出端（14)，第一輸入腳（13)的自由端設(shè)第一 輸入端； 所述第二耦合線（2)包括圓環(huán)形的第二耦合部（21a)及從第二耦合部（21a)底端向下 延伸出的第四耦合部（21b);所述第二耦合線（2)還包括從第二耦合部（21a)-側(cè)斜向上延 伸出的第二輸出腳（22)、從第四耦合部（21b)相對(duì)于第二輸出腳（22)的一側(cè)斜向下延伸出 的第二輸入腳（23);所述第二輸出腳（22)的自由端設(shè)第二輸出端（24)，第一輸入腳（13)的 自由端設(shè)第二輸入端； 所述第一耦合線（1)和第二耦合線（2)平行且重疊設(shè)置，第一耦合部（1 la)與第二耦合 部（21a)重之間距離為; 所述第一耦合部（11a)與第二耦合部（21a)的兩側(cè)分別設(shè)有安裝孔（3)，所述第一耦合 部（1 la)的安裝孔（3)與第二耦合部（21a)的對(duì)應(yīng)的安裝孔（3)之間設(shè)有絕緣支柱（3a)，所 述第一稱合部（11a)與第二稱合部（21a)之間通過絕緣支柱（3a)固定； 所述第一耦合部（11a)的內(nèi)環(huán)的頂端向下延伸出有一梯形的第一分離桿，所述第一分 離桿的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第一分離桿的上底邊還向下延伸有一圓形的 第一分離片；所述第三耦合部（lib)的內(nèi)環(huán)的底端向上延伸出有一梯形的第三分離桿，所 述第三分離桿的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第三分離桿的上底邊還向下延伸有 一圓形的第三分離片； 所述第二耦合部（21a)的內(nèi)環(huán)的底端向下延伸出有一梯形的第二分離桿，所述第二分 離桿的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第二分離桿的上底邊還向上延伸有一圓形的 第二分離片；所述第四耦合部（21b)的內(nèi)環(huán)的頂端向下延伸出有一梯形的第四分離桿，所 述第四分離桿的下底邊寬為3mm，上底邊寬為1mm，所述第四分離桿的上底邊還向上延伸有 一圓形的第四分離片。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，其特征在 于：所述第一耦合部（11a)和第二耦合部（21a)的內(nèi)環(huán)直徑均為25mm。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，其特征在 于：每個(gè)絕緣支柱（3a)上均設(shè)有兩道卡槽，并且每個(gè)絕緣柱體的兩道卡槽距離相等。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，其特征在 于：第一耦合部（11a)與第二耦合部（21a)重之間距離為5_。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，其特征在 于：第一耦合部（11a)的一側(cè)斜向下延伸出有第五分離桿（16a);所述第三耦合部（lib)相 對(duì)于第五分離桿（16a)的一側(cè)斜向上延伸出有第六分離桿（16b)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種具有梯形互擾部雙環(huán)3dB電橋的同頻合路器，其特征在 于：第二耦合部（21a)的一側(cè)斜向下延伸出有第七分離桿（26a);所述第四耦合部（21b)相 對(duì)于第七分離桿（26a)的一側(cè)斜向上延伸出有第八分離桿（26b)。
【文檔編號(hào)】H01P5/16GK203895587SQ201420166192
【公開日】2014年10月22日 申請(qǐng)日期:2014年4月8日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月8日
【發(fā)明者】王英立, 張小清, 王同, 張軍政 申請(qǐng)人:哈爾濱理工大學(xué)