一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊的制作方法
【專利摘要】一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，屬于場(chǎng)效晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】。包括一組金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、敷銅陶瓷板、散熱器，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管安裝在敷銅陶瓷板上，其特征在于敷銅陶瓷板、散熱器之間配合設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層，所述的導(dǎo)熱硅脂層厚度為50-150um。上述一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，敷銅陶瓷板與散熱器之間設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層，可將多場(chǎng)效晶體管模塊在應(yīng)用過程中形成的熱量更快更直接地傳導(dǎo)出去，減少了熱傳導(dǎo)過程中的介質(zhì)，大大提高了產(chǎn)品的散熱效果，從而進(jìn)一步保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和安全性；同時(shí)，節(jié)省了現(xiàn)有多場(chǎng)效晶體管模塊中所廣泛采用的焊料和銅底板，不但降低了材料成本，而且減少了產(chǎn)品的厚度，從而減少了產(chǎn)品所占空間。
【專利說明】一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型屬于場(chǎng)效晶體管【技術(shù)領(lǐng)域】，具體為一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]在電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域，需要將金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)組成的六個(gè)橋臂連接成三相全橋方式用于驅(qū)動(dòng)電機(jī)。多金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)合一集成化模塊的散熱器對(duì)整個(gè)模塊的穩(wěn)定工作所起著非常重要的作用。但是現(xiàn)有技術(shù)中，由于多MOSFET合一集成化模塊的機(jī)箱內(nèi)空間是一定的，有限的機(jī)箱內(nèi)空間在很大程度上限制了散熱器的尺寸，在散熱器尺寸保持不變的情況下，想要提高散熱器的散熱效果則變得非常困難。
[0003]目前多MOSFET合一集成化模塊，所廣泛采用的結(jié)構(gòu)是將敷銅陶瓷板焊接于銅底板上，也就是將敷銅陶瓷板通過焊片在高溫環(huán)境下焊接在銅底板上。通過設(shè)置于敷銅陶瓷板外部的外殼將敷銅陶瓷板壓緊并對(duì)其施加壓力，從而將銅底板固定于散熱器上，最終將多MOSFET合一集成化模塊在工作時(shí)產(chǎn)生的熱量散發(fā)出去。在這種現(xiàn)有的多MOSFET合一集成化模塊中，芯片所產(chǎn)生的熱量首先通過敷銅陶瓷板和銅底板之間的焊料傳導(dǎo)到銅底板上，然后再通過銅底板間接地將熱量傳導(dǎo)到散熱器上，最終通過散熱器散發(fā)出去。熱傳導(dǎo)過程中存在較多的介質(zhì)(即焊料與銅底板)，不利于熱量的直接耗散，大大影響了多MOSFET合一集成化模塊產(chǎn)品的散熱效果，從而降低了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和安全性。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述問題，本實(shí)用新型的目的在于設(shè)計(jì)提供一種散熱效果好的多場(chǎng)效晶體管集成模塊的技術(shù)方案，保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和安全性，且降低了材料成本，減少了產(chǎn)品厚度，從而減少了產(chǎn)品所占空間。
[0005]所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，包括一組金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、敷銅陶瓷板、散熱器，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管安裝在敷銅陶瓷板上，其特征在于敷銅陶瓷板、散熱器之間配合設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層，所述的導(dǎo)熱硅脂層厚度為50-150um。
[0006]所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、敷銅陶瓷板及散熱器外部配合設(shè)置外殼，外殼將敷銅陶瓷板、散熱器緊壓配合。
[0007]所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導(dǎo)熱硅脂層均勻涂敷在敷銅陶瓷板底面上，敷銅陶瓷板緊壓導(dǎo)熱硅脂層使其與散熱器接觸面緊密接觸。
[0008]所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導(dǎo)熱硅脂層厚度為80_120um。
[0009]所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導(dǎo)熱硅脂層厚度為lOO-llOum。
[0010]上述一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，敷銅陶瓷板與散熱器之間設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層，可將多場(chǎng)效晶體管模塊在應(yīng)用過程中形成的熱量更快更直接地傳導(dǎo)出去，減少了熱傳導(dǎo)過程中的介質(zhì)，大大提高了產(chǎn)品的散熱效果，從而進(jìn)一步保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和安全性；同時(shí)，節(jié)省了現(xiàn)有多場(chǎng)效晶體管模塊中所廣泛采用的焊料和銅底板，不但降低了材料成本，而且減少了產(chǎn)品的厚度，從而減少了產(chǎn)品所占空間。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0012]圖中:1_金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管、2-敷銅陶瓷板、3-散熱器、4-導(dǎo)熱硅脂層?！揪唧w實(shí)施方式】
[0013]以下結(jié)合說明書附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0014]如圖所示，該多場(chǎng)效晶體管集成模塊，包括一組金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管1、敷銅陶瓷板2、散熱器3，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管I安裝在敷銅陶瓷板2上，敷銅陶瓷板2、散熱器3之間配合設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層4。所述的導(dǎo)熱硅脂層4厚度為50-150um，優(yōu)選80-120um，更優(yōu)選lOO-llOum。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管1、敷銅陶瓷板2及散熱器3外部配合設(shè)置外殼，外殼對(duì)敷銅陶瓷板2施加縱向壓力，從而將敷銅陶瓷板2緊緊地壓在散熱器3上。所述的導(dǎo)熱硅脂層4均勻涂敷在敷銅陶瓷板2底面上，敷銅陶瓷板2緊壓導(dǎo)熱硅脂層4使其與散熱器3接觸面緊密接觸。導(dǎo)熱硅脂能起到良好的傳熱媒介作用，因此，可將多MOSFET集成模塊在應(yīng)用過程中形成的熱量更快更直接地傳導(dǎo)出去，減少了熱傳導(dǎo)過程中的介質(zhì)，大大提高了產(chǎn)品的散熱效果，從而進(jìn)一步保證了產(chǎn)品的可靠性、穩(wěn)定性和安全性；而且通過采用導(dǎo)熱硅脂涂覆于敷銅陶瓷板2上與散熱器3接觸，導(dǎo)熱硅脂可以填充由于散熱器3凹凸不平而產(chǎn)生的空隙，使敷銅陶瓷板2與散熱器3的接觸更加緊密，從而使熱量的傳導(dǎo)更加順暢、迅速；同時(shí)，節(jié)省了現(xiàn)有模塊中所廣泛采用的焊料和銅底板，不但降低了材料成本，而且減少了模塊產(chǎn)品的厚度，從而減少了產(chǎn)品所占空間，尤其當(dāng)多MOSFET集成模塊的空間布局確定的條件下，效果尤為顯著。
【權(quán)利要求】
1.一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，包括一組金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(I)、敷銅陶瓷板(2)、散熱器(3)，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(I)安裝在敷銅陶瓷板(2)上，其特征在于敷銅陶瓷板(2)、散熱器(3)之間配合設(shè)置導(dǎo)熱硅脂層(4)，所述的導(dǎo)熱硅脂層(4)厚度為50_150um。
2.如權(quán)利要求1所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(I)、敷銅陶瓷板(2)及散熱器(3)外部配合設(shè)置外殼，外殼將敷銅陶瓷板(2)、散熱器(3)緊壓配合。
3.如權(quán)利要求1所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導(dǎo)熱硅脂層(4)均勻涂敷在敷銅陶瓷板(2)底面上，敷銅陶瓷板(2)緊壓導(dǎo)熱硅脂層(4)使其與散熱器(3)接觸面緊密接觸。
4.如權(quán)利要求1所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導(dǎo)熱硅脂層(4)厚度為80-120um。
5.如權(quán)利要求1所述的一種多場(chǎng)效晶體管集成模塊，其特征在于所述的導(dǎo)熱硅脂層(4)厚度為 IOO-1lOum0
【文檔編號(hào)】H01L23/373GK203774320SQ201420113490
【公開日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2014年3月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月13日
【發(fā)明者】周華豐, 張文華, 馬關(guān)金 申請(qǐng)人:杭州明果教育咨詢有限公司