技術(shù)特征:1.一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池的退火方法,其特征在于,該退火方法包括:將印制有電極柵線的硅晶襯底置于密閉容器內(nèi);采用第一溫度、第一氣壓,對所述密閉容器內(nèi)的印制有電極柵線的硅晶襯底進(jìn)行退火處理;其中,所述第一溫度的取值范圍為100℃~300℃;所述第一氣壓大于1個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓且小于10個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。2.如權(quán)利要求1所述的退火方法,其特征在于,所述第一氣壓與所述第一溫度成負(fù)相關(guān)。3.如權(quán)利要求1所述的退火方法,其特征在于,在采用所述第一溫度、第一氣壓,對所述密閉容器內(nèi)的印制有電極柵線的硅晶襯底進(jìn)行退火處理時(shí),所述退火處理的加熱時(shí)長與所述第一氣壓成負(fù)相關(guān)。4.如權(quán)利要求3所述的退火方法,其特征在于,所述退火處理的加熱時(shí)長的取值范圍為2分鐘~300分鐘。5.如權(quán)利要求1所述的退火方法,其特征在于,在所述密閉容器中,利用通入的惰性氣體,采用所述第一溫度、第一氣壓,對所述密閉容器內(nèi)的印制有電極柵線的硅晶襯底進(jìn)行退火處理。6.一種硅異質(zhì)結(jié)太陽能電池的制備方法,其特征在于,該制備方法包括:在清洗后的晶硅襯底上采用非晶硅薄膜層進(jìn)行沉積;在沉積有所述非晶硅薄膜層的晶硅襯底上,沉積背電極薄膜層;...