一種高轉換效率的太陽能電池板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種高轉換效率的太陽能電池板，包括：位于外層的非晶硅薄膜和位于內層的無機半導體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機半導體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質量進行配比，所述金屬鉀的含量占10-20%，所述四鹵化硅的含量占80-90%，所述無機半導體包括鎵和砷，按照質量進行配比，所述鎵的含量為35-45%，所述砷的含量為55-65%，通過上述方式，本發(fā)明能夠提高太陽能電池板的轉換效率，有利于太陽能電池板的推廣。
【專利說明】 一種高轉換效率的太陽能電池板

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽能【技術領域】，特別涉及一種高轉換效率的太陽能電池板。

【背景技術】
[0002]隨著科學技術的不斷提高，太陽能技術的利用也越來越普及，而在太陽能技術中，太陽能板為太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，其作用是將太陽能轉化為電能，或送往蓄電池中存儲起來，或推動負載工作，在目前使用的過程中，常常會遇見天氣不好時，如下雨天，此時太陽光較微弱，太陽能電池板產生的電能極為微笑甚至無電能產出。


【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明主要解決的技術問題是提供一種高轉換效率的太陽能電池板。
[0004]為解決上述技術問題，本發(fā)明采用的一個技術方案是:提供一種高轉換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內層的無機半導體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機半導體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質量進行配比，所述金屬鉀的含量占10-20%，所述四鹵化硅的含量占80-90%，所述無機半導體包括鎵和砷，按照質量進行配比，所述鎵的含量為35-45%,所述砷的含量為55-65%。
[0005]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述非晶硅薄膜的厚度為0.5-1_。
[0006]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述無機半導體的厚度為2_3mm。
[0007]在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述高溫置換的溫度為150°C。
[0008]本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明高轉換效率的太陽能電池板通過采用非晶硅薄膜和無機半導體材料兩種光伏材料相互包裹的方式，能夠提高太陽能電池板的轉換效率，有利于太陽能電池板的推廣。

【具體實施方式】
[0009]下面對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。
[0010]實施例1:
一種高轉換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內層的無機半導體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機半導體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質量進行配比，所述金屬鉀的含量占10%，所述四鹵化硅的含量占90%，所述無機半導體包括鎵和砷，按照質量進行配比，所述鎵的含量為35%，所述砷的含量為65%。
[0011]實施例2:
一種高轉換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內層的無機半導體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機半導體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質量進行配比，所述金屬鉀的含量占20%，所述四鹵化硅的含量占80%，所述無機半導體包括鎵和砷，按照質量進行配比，所述鎵的含量為45%，所述砷的含量為55%。
[0012]實施例3:
一種高轉換效率的太陽能電池板，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內層的無機半導體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機半導體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質量進行配比，所述金屬鉀的含量占15%，所述四鹵化硅的含量占85%，所述無機半導體包括鎵和砷，按照質量進行配比，所述鎵的含量為40%，所述砷的含量為60%。
[0013]進一步說明，所述非晶硅薄膜的厚度為0.5-lmm;所述無機半導體的厚度為2-3mm ;所述高溫置換的溫度為150°C。
[0014]在進一步說明，本發(fā)明一種高轉換效率的太陽能電池板通過采用非晶硅薄膜和無機半導體材料兩種光伏材料相互包裹的方式，能夠提高太陽能電池板的轉換效率，有利于太陽能電池板的推廣。
[0015]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書內容所作的等效結構或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關的【技術領域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內。
【權利要求】
1.一種高轉換效率的太陽能電池板，其特征在于，包括:位于外層的非晶硅薄膜和位于內層的無機半導體，所述非晶硅薄膜包裹在所述無機半導體的外表面，且所述非晶硅薄膜由金屬鉀和四鹵化硅高溫置換制得，按照質量進行配比，所述金屬鉀的含量占10-20%，所述四鹵化硅的含量占80-90%，所述無機半導體包括鎵和砷，按照質量進行配比，所述鎵的含量為35-45%，所述砷的含量為55-65%。
2.根據權利要求1所述的高轉換效率的太陽能電池板，其特征在于，所述非晶硅薄膜的厚度為0.5-lmm。
3.根據權利要求1所述的高轉換效率的太陽能電池板，其特征在于，所述無機半導體的厚度為2-3mm。
4.根據權利要求1所述的高轉換效率的太陽能電池板，其特征在于，所述高溫置換的溫度為150°C。
【文檔編號】H01L31/0264GK104393068SQ201410780076
【公開日】2015年3月4日 申請日期:2014年12月17日 優(yōu)先權日:2014年12月17日
【發(fā)明者】施旸 申請人:蘇州費米光電有限公司