半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】一種使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置，其具有穩(wěn)定的電特性和高可靠性。在具有氧化物半導(dǎo)體膜的底柵的晶體管的制造工序中，進行通過熱處理的脫水化或脫氫化以及進行氧摻雜處理。具有受到通過熱處理的脫水化或脫氫化以及氧摻雜處理的氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管是具有高可靠性的晶體管，其中在偏壓－熱應(yīng)力試驗（BT試驗）中晶體管的閾值電壓的變化量可以減小。
【專利說明】半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0002] 在本說明書中半導(dǎo)體裝置通常指能夠通過利用半導(dǎo)體特性而工作的所有裝置，因 此電光裝置、半導(dǎo)體電路W及電子設(shè)備都是半導(dǎo)體裝置。

【背景技術(shù)】
[0003] 使用形成在具有絕緣表面的襯底上的半導(dǎo)體薄膜構(gòu)成晶體管的技術(shù)備受關(guān)注。該 晶體管被廣泛地應(yīng)用于如集成電路（1C)及圖像顯示裝置(顯示裝置）那樣的電子設(shè)備。作 為可W應(yīng)用于晶體管的半導(dǎo)體薄膜材料，娃類半導(dǎo)體材料廣為人知。但是，作為其他材料， 氧化物半導(dǎo)體受到關(guān)注。
[0004] 例如，已經(jīng)公開一種晶體管，其活性層使用其電子載流子濃度低于IQis/cm3的包含 鋼（In)、嫁（Ga)、鋒（Zn)的非晶氧化物(參照專利文獻1)。
[0005] [專利文獻1]日本專利申請公開2006-165528號公報。
[0006] 然而，在形成裝置的工序中發(fā)生形成電子給體的氨、水分的混入等時，氧化物半導(dǎo) 體的導(dǎo)電率可能變化。該種現(xiàn)象成為使用氧化物半導(dǎo)體的晶體管的電特性變動的主要原 因。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 鑒于該種問題，本發(fā)明的目的之一是對使用氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體裝置賦予穩(wěn)定 的電特性，W實現(xiàn)高可靠性。
[0008] 在具有氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的制造工序中，通過熱處理進行脫水化或脫氨化 并進行氧慘雜處理。
[0009] 本發(fā)明的一個實施方式是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：形成柵電 極層；在柵電極層上形成柵極絕緣膜；在柵極絕緣膜上且與柵電極層重疊的區(qū)域中形成氧 化物半導(dǎo)體膜；對氧化物半導(dǎo)體膜進行熱處理，W去除氧化物半導(dǎo)體膜中的氨原子；對去 除氨原子的氧化物半導(dǎo)體膜進行氧慘雜處理，W對氧化物半導(dǎo)體膜供應(yīng)氧原子；形成與氧 化物半導(dǎo)體膜電連接的源電極層及漏電極層；W及在氧化物半導(dǎo)體膜、源電極層及漏電極 層上形成與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜。
[0010] 本發(fā)明的一個實施方式是一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟：形成柵電 極層；在柵電極層上形成包含氧原子作為其成分的柵極絕緣膜；對柵極絕緣膜進行氧慘雜 處理，W對柵極絕緣膜供應(yīng)氧原子；在柵極絕緣膜上且與柵電極層重疊的區(qū)域中形成氧化 物半導(dǎo)體膜；對氧化物半導(dǎo)體膜進行熱處理，W去除氧化物半導(dǎo)體膜中的氨原子；對去除 氨原子的氧化物半導(dǎo)體膜進行氧慘雜處理，W對氧化物半導(dǎo)體膜中供應(yīng)氧原子；形成與氧 化物半導(dǎo)體膜電連接的源電極層及漏電極層；在氧化物半導(dǎo)體膜、源電極層及漏電極層上 形成與氧化物半導(dǎo)體膜接觸且包含氧原子作為其成分的絕緣膜；W及對絕緣膜進行氧慘雜 處理，W對絕緣膜供應(yīng)氧原子。
[0011] 本發(fā)明的一個實施方式是一種半導(dǎo)體裝置，包括：柵電極層；柵電極層上的柵極 絕緣膜；柵極絕緣膜上的氧化物半導(dǎo)體膜；氧化物半導(dǎo)體膜上的源電極層及漏電極層；設(shè) 置在源電極層及漏電極層上的與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜；W及絕緣膜上的與源電極 層或漏電極層電連接的布線層。根據(jù)本實施方式，布線層設(shè)置在通過去除絕緣膜的一部分、 源電極層的一部分來形成的開口中，W及在通過去除絕緣膜的一部分、漏電極層的一部分 來形成的開口中；在開口中去除源電極層的一部分及漏電極層的一部分，W便在源電極層 及漏電極層中形成凹部；并且布線層在開口中與源電極層及漏電極層的凹部的內(nèi)壁面及厚 度薄的底面接觸地設(shè)置，并且，在源電極層及漏電極層中，凹部的底面的氧濃度低于源電極 層及漏電極層頂面的氧濃度。
[0012] 本發(fā)明的一個實施方式是一種半導(dǎo)體裝置，其中在上述結(jié)構(gòu)中的氧化物半導(dǎo)體膜 包含區(qū)域，該區(qū)域的氧含量大于根據(jù)氧化物半導(dǎo)體膜的氧化物半導(dǎo)體的晶態(tài)下的化學(xué)計量 組成比的氧含量。
[0013] 本發(fā)明的一個實施方式是一種半導(dǎo)體裝置，其中在上述結(jié)構(gòu)中的氧化物半導(dǎo)體膜 包含區(qū)域，該區(qū)域的氧含量至少在與絕緣膜的界面或其附近，大于根據(jù)氧化物半導(dǎo)體膜的 氧化物半導(dǎo)體的晶態(tài)下的化學(xué)計量組成比的氧含量。
[0014] 該里，上述"氧慘雜"是指將氧(至少包含氧自由基、氧原子、氧離子中的任一種）添 加到塊（bulk)中的處理。該術(shù)語"塊"是為了明確顯示不僅將氧添加到薄膜頂面還將氧添 加到薄膜內(nèi)部的目的而使用。另外，"氧慘雜"包括將等離子體化的氧添加到塊中的"氧等 貿(mào)子體慘雜"。
[0015] 在具有氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管的制造工序中，通過進行氧慘雜處理，可W在柵 極絕緣膜(塊)、氧化物半導(dǎo)體膜(塊)、絕緣膜(塊)、柵極絕緣膜與氧化物半導(dǎo)體膜的界面、氧 化物半導(dǎo)體膜與絕緣膜的界面中的至少一處，設(shè)置存在有大于該膜的化學(xué)計量比的氧含量 的氧過量區(qū)域。氧的含量優(yōu)選為大于化學(xué)計量比且小于化學(xué)計量比的4倍，更優(yōu)選為大于 化學(xué)計量比且小于化學(xué)計量比的2倍。大于化學(xué)計量比的氧含量過量的氧化物，是指例如 滿足 2g〉3a+3b+2c+4d+3e+2f (g 大于 1. 5a+l. 5b+c+2d+l. 5e+f)的氧化物，其中該氧化物 W InaGabSieSidAleMgfOg (a, b，C，d，e，f，g > 0 ;a，b，C，d，e，f，g 為 0 W上）表示。另夕F，通過 由氧慘雜處理添加的氧有可能存在于氧化物半導(dǎo)體的晶格之間。
[0016] 另外，也可W在柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體膜W及絕緣膜中的兩處W上設(shè)置上述 氧過量區(qū)域。例如，在制造工序中，可W通過進行氧慘雜處理，在柵極絕緣膜與氧化物半導(dǎo) 體膜的界面、氧化物半導(dǎo)體膜(塊)、W及氧化物半導(dǎo)體膜與絕緣膜的界面的每一處設(shè)置氧 過量區(qū)域。
[0017] 另外，在沒有缺陷(氧缺少）的氧化物半導(dǎo)體中，只要包含相同于化學(xué)計量比的氧 量即可，但是為了確保如抑制晶體管的闊值電壓變動的可靠性，優(yōu)選使氧化物半導(dǎo)體包含 大于化學(xué)計量比的氧量。與此同樣，在沒有缺陷(氧缺少)的氧化物半導(dǎo)體中，不需要將氧過 量的絕緣膜用作基底膜，但是為了確保如抑制晶體管的闊值電壓變動的可靠性，考慮到在 氧化物半導(dǎo)體層中可能產(chǎn)生氧缺少的狀態(tài)，而優(yōu)選將氧過量的絕緣膜用作基底膜。
[0018] 另外，對氧化物半導(dǎo)體膜進行采用熱處理的脫水化或脫氨化，去除氧化物半導(dǎo)體 膜中的氨原子或水等包含氨原子的雜質(zhì)，來使氧化物半導(dǎo)體膜高純度化。該里，將由氧慘雜 處理而添加的氧量設(shè)定為比由脫水化或脫氨化而被高純度化了的氧化物半導(dǎo)體膜中的氨 量多。在上述層疊的柵極絕緣膜、氧化物半導(dǎo)體膜w及絕緣膜的至少一個中的過量氧擴散 并與引起不穩(wěn)定性的氨起反應(yīng)，來固定氨(使氨成為不動離子)。也就是說，可W降低(或充 分減小）可靠性上的不穩(wěn)定性。另外，通過形成氧過量狀態(tài)，可W減小由氧缺少而引起的闊 值電壓Vth的變動，并可W降低闊值電壓的偏移量AVth。
[0019] 在此，描述通過上述"氧等離子體慘雜"處理將氧添加到塊中的狀態(tài)。注意，在對 包含氧作為其一成分的氧化物半導(dǎo)體膜進行氧慘雜處理時，一般來說，確認氧濃度的增減 是很困難的。由此，該里使用娃片來確認氧慘雜處理的效果。
[0020] 氧慘雜處理通過利用電感禪合等離子體（ICP ;Inductively Coupled Plasma)方 式來進行。其條件如下；ICP功率為800W、RF偏置功率為300W或OW、壓力為1. 5Pa、氣體流 量為 75sccm、襯底溫度為 70°C。圖 15 示出根據(jù) SIMS(Secondary Ion Mass SpectrometiT: 二次離子質(zhì)譜)分析的娃片的深度方向的氧濃度分布。在圖15中，縱軸表示氧濃度，橫軸表 示離娃片頂面的深度。
[0021] 根據(jù)圖15,可W確認在RF偏置功率為0W的情況或RF偏置功率為300W的情況都 添加有氧。另外，可W確認在RF偏置功率為300W時，與RF偏置功率為0W的情況相比，氧 的添加深度更深。
[0022] 接著，在圖 16A 和圖 16B 中示出通過 STEM (Scanning Transmission Electron Microscopy ;掃描透射電子顯微術(shù)）對進行氧慘雜處理之前和之后的娃片的截面進行觀察 的結(jié)果。圖16A是進行氧慘雜處理之前的STEM圖像，圖1她是在上述RF偏置功率為300W 的條件下進行氧慘雜處理之后的STEM圖像。由圖1她可知，通過進行氧慘雜處理，在娃片 中形成了氧高慘雜區(qū)域。
[0023] 如上所示，通過對娃片進行氧慘雜，可W在娃片中添加氧。根據(jù)該結(jié)果，可W理解 通過對氧化物半導(dǎo)體膜進行氧慘雜，可W在氧化物半導(dǎo)體膜中添加氧。
[0024] 作為所公開的發(fā)明的一個實施方式的上述結(jié)構(gòu)的效果，按照下述考慮就很容易理 解。但是，W下說明只不過是示范性的考慮而已。
[00巧]在對柵電極施加正電壓時，從氧化物半導(dǎo)體膜的柵電極一側(cè)到背溝道一側(cè)（與柵 極絕緣膜相反一側(cè)）產(chǎn)生電場，由此存在于氧化物半導(dǎo)體膜中的具有正電荷的氨離子移動 到背溝道一側(cè)并蓄積在氧化物半導(dǎo)體膜與絕緣膜的界面中的氧化物半導(dǎo)體膜一側(cè)。由于正 電荷從所蓄積的氨離子移動到絕緣膜中的電荷俘獲中也(氨原子、水、或污染物質(zhì)等)，在氧 化物半導(dǎo)體膜的背溝道一側(cè)蓄積有負電荷。也就是說，在晶體管的背溝道一側(cè)發(fā)生寄生溝 道，闊值電壓向負值一側(cè)偏移，從而晶體管顯示常通（normally-on)的趨勢。
[0026] 如上所述，由于在絕緣膜中的氨或水等電荷俘獲中也俘獲正電荷，正電荷移動到 絕緣膜中，該使晶體管的電特性變動。所W為了抑制晶體管的電特性的變動，很重要的是在 絕緣膜中不存在上述電荷俘獲中也，或者電荷俘獲中也的數(shù)量少。由此，作為絕緣膜的形成 方法，優(yōu)選使用沉積時的氨含量少的姍射法。通過姍射法而形成的絕緣膜中，不存在電荷俘 獲中也或電荷俘獲中也數(shù)量很少，其與通過CVD法等形成的膜相比不容易發(fā)生正電荷的移 動。因此，可W抑制晶體管的闊值電壓的偏移，并可W使晶體管成為常關(guān)閉（normally-off) 型。
[0027] 另外，在對柵電極施加負電壓時，從背溝道一側(cè)到柵電極一側(cè)產(chǎn)生電場，由此存在 于氧化物半導(dǎo)體膜中的氨離子移動到柵極絕緣膜一側(cè)并蓄積在氧化物半導(dǎo)體膜與柵極絕 緣膜的界面中的氧化物半導(dǎo)體膜一側(cè)。由此，晶體管的闊值電壓向負值一側(cè)偏移。
[002引另外，在施加電壓0的狀態(tài)下，從電荷俘獲中也釋放正電荷，從而晶體管的闊值電 壓向正值一側(cè)偏移且返回到初始狀態(tài)，或者有時與初始狀態(tài)相比進一步向正值一側(cè)偏移。 該現(xiàn)象顯示在氧化物半導(dǎo)體膜中存在有容易移動的離子的事實，并可W認為作為最小原子 的氨是最容易移動的離子。
[0029] 另外，在底柵型晶體管中，通過在柵極絕緣膜上形成氧化物半導(dǎo)體膜之后進行熱 處理，可W去除包含在氧化物半導(dǎo)體膜中的水或氨，同時也可去除包含在柵極絕緣膜中的 水或氨。因此，在柵極絕緣膜中，用來俘獲在氧化半導(dǎo)體膜中移動通過的正電荷的電荷俘獲 中也數(shù)量很少。像該樣，由于用來脫水化或脫氨化的熱處理不僅對氧化物半導(dǎo)體膜進行，還 對存在于氧化物半導(dǎo)體膜之下的柵極絕緣膜進行，所W在底柵型晶體管中，柵極絕緣膜可 W通過利用等離子體CVD法等的CVD法而形成。
[0030] 另外，氧化物半導(dǎo)體膜吸收光，由此在氧化物半導(dǎo)體膜中的金屬元素（M)與氨原子 (H)間的鍵合化稱為M-H鍵）因光能而斷裂。該里，波長為400皿左右的光能和金屬元素 與氨原子間的鍵合能相同或大致相同。當對其中氧化物半導(dǎo)體膜中的金屬元素與氨元素間 的鍵合斷裂的晶體管施加負值柵極偏壓時，從金屬元素脫離了的氨離子被引到柵極一側(cè)， 因此電荷分布發(fā)生變化，晶體管的闊值電壓向負值一側(cè)偏移而顯示常通的趨勢。
[0031] 另外，通過停止電壓施加，氨離子返回到初始狀態(tài)，該氨離子由于對晶體管的光照 射和負值柵極偏壓的施加而移動到與絕緣膜的界面。該可理解為氧化物半導(dǎo)體膜中的離子 移動的典型例子。
[0032] 為了防止該種因電壓施加導(dǎo)致的電特性的變動（BT退化）或因光照射導(dǎo)致的電 特性的變動(光退化)，重要的是，從氧化物半導(dǎo)體膜徹底去除氨原子或水等包含氨原子的 雜質(zhì)，來使氧化物半導(dǎo)體膜高純度化。在電荷密度小至l〇i5cnT3,或每單位面積的電荷小至 l〇WcnT2的情況下，該電荷密度不影響到晶體管的特性，或者即使有影響也是很小的。因此， 電荷密度優(yōu)選為l〇i5cnT3 W下。當假設(shè)氧化物半導(dǎo)體膜所包含的氨中10%的氨在氧化物半 導(dǎo)體膜中移動時，氨濃度優(yōu)選為l〇i6cnT 3 W下。并且，為了防止在完成裝置后氨從外部侵入， 優(yōu)選使用通過姍射法形成的氮化娃膜作為純化膜，W覆蓋晶體管。
[0033] 并且，通過對包含在氧化物半導(dǎo)體膜中的氨慘雜過量的氧（(氨原子數(shù)量)<<(氧自 由基數(shù)量)或(氧離子數(shù)量)），可W從氧化物半導(dǎo)體膜中去除氨或水。具體來說，利用射頻波 (RF)使氧等離子體化，并增高襯底偏壓，將氧自由基和/或氧離子慘雜或添加到襯底上的 氧化物半導(dǎo)體膜，W在氧化物半導(dǎo)體膜中使氧量多于氨量。氧的電負性是3. 0,其高于電負 性為2. 0左右的氧化物半導(dǎo)體膜中的金屬（Zn、Ga、In),因此，通過使氧化物半導(dǎo)體膜包含 相對于氨過量的氧，從M-H鍵奪取氨原子，而形成0H基。另外，該0H基可能與M鍵合而形 成M-0-H基。
[0034] 另外，優(yōu)選W使氧化物半導(dǎo)體膜的氧含量比化學(xué)計量比更大的方式進行氧慘雜。 例如，在作為氧化物半導(dǎo)體膜使用In-Ga-化-0類氧化物半導(dǎo)體膜的情況下，理想單晶的比 率為1 ;1 ;1 ;4 (InGa化〇4)，由此更優(yōu)選通過氧慘雜等將氧量設(shè)定為大于化學(xué)計量比且小于 該化學(xué)計量比的2倍。因此，在氧化物半導(dǎo)體膜中氧含量大于氨含量。
[003引由于光能或BT應(yīng)力，氨離子從M-H鍵脫離而成為退化的原因，但是，在通過上述慘 雜注入氧的情況下，所注入的氧與氨離子鍵合而成為0H基。該0H基的鍵合能較大，因此即 使對晶體管執(zhí)行光照射或施加BT應(yīng)力也不放出氨離子，而且，由于其質(zhì)量比氨離子更大， 所W不容易在氧化物半導(dǎo)體膜中移動。因此，通過氧慘雜而形成的0H基不會引起晶體管退 化，或者可減小退化。
[0036] 另外，已經(jīng)確認氧化物半導(dǎo)體膜的膜厚度越厚，晶體管的闊值電壓的變動越增大 的趨勢?？蒞推測，該是因為氧化物半導(dǎo)體膜中的氧缺陷是闊值電壓變動的一個原因，并且 氧化物半導(dǎo)體膜厚度越厚，氧缺陷越增加。在根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的晶體管中，對氧 化物半導(dǎo)體膜慘雜氧的工序不僅對從氧化物半導(dǎo)體膜排出氨或水，而且對膜中的氧缺陷的 填補很有效。由此，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的晶體管可W控制闊值電壓的變動。
[0037] 另外，隔著氧化物半導(dǎo)體膜設(shè)置各由與氧化物半導(dǎo)體膜類似的成分(一種或多種） 構(gòu)成的金屬氧化物膜，也對防止電特性的變動是很有效的。作為由與氧化物半導(dǎo)體膜類似 的成分(一種或多種）構(gòu)成的金屬氧化物膜，具體來說，優(yōu)選使用包含從氧化物半導(dǎo)體膜的 構(gòu)成元素中選擇的至少一種的膜。該種材料與氧化物半導(dǎo)體膜的搭配良好，通過隔著氧化 物半導(dǎo)體膜設(shè)置該金屬氧化物膜，可W保持與氧化物半導(dǎo)體膜的界面的良好狀態(tài)。也就是 說，通過設(shè)置使用上述材料(一種或多種）的金屬氧化物膜作為與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕 緣膜，可W抑制或防止氨離子蓄積在該金屬氧化物膜與氧化物半導(dǎo)體膜的界面及其附近。 從而，與隔著氧化物半導(dǎo)體膜設(shè)置例如氧化娃膜等各由與氧化物半導(dǎo)體膜不同的成分(一 種或多種）構(gòu)成的絕緣膜的情況相比，可W充分降低對晶體管的闊值電壓有影響的氧化物 半導(dǎo)體膜界面的氨濃度。
[0038] 另外，作為該金屬氧化物膜，優(yōu)選使用氧化嫁膜。氧化嫁的帶隙（Eg)較大，因此通 過在氧化嫁膜之間夾入氧化物半導(dǎo)體膜，在氧化物半導(dǎo)體膜與金屬氧化物膜的界面形成能 壘，在該界面處載流子的移動被妨礙。因此，載流子不從氧化物半導(dǎo)體移動到金屬氧化物， 而在氧化物半導(dǎo)體膜中移動。另一方面，氨離子通過氧化物半導(dǎo)體與金屬氧化物的界面，蓄 積在金屬氧化物與絕緣膜的界面附近。即使氨離子蓄積在與絕緣膜的界面附近，由于在例 如氧化嫁膜的金屬氧化物膜中沒有形成能夠流動載流子的寄生溝道，所W對晶體管的闊值 電壓沒有影響，或影響極少。另外，在氧化嫁與In-Ga-化-0類材料接觸時的能壘，在導(dǎo)帶一 側(cè)為0. 8eV左右，在價電子帶一側(cè)為0. 9eV左右。
[0039] 至于根據(jù)所公開的發(fā)明的一個實施方式的晶體管，其技術(shù)思想在于通過氧慘雜處 理增大與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜中、氧化物半導(dǎo)體膜中、或該些膜的界面附近中的 至少一處的氧含量。
[0040] 在使用包含鋼的氧化物半導(dǎo)體材料作為氧化物半導(dǎo)體膜時，由于鋼與氧的鍵合 力較弱，所W在與氧化物半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜中含有娃等與氧的鍵合力更強的材料時， 氧化物半導(dǎo)體膜中的氧因熱處理被抽出，從而引起在氧化物半導(dǎo)體膜的界面附近形成氧缺 少。然而，根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式的晶體管，通過對氧化物半導(dǎo)體膜供應(yīng)過量的氧，可 W抑制氧缺少的形成。
[0041] 該里，在晶體管的制造工序中進行氧慘雜處理之后，氧化物半導(dǎo)體膜或與氧化物 半導(dǎo)體膜接觸的絕緣膜所包含的比化學(xué)計量比更大的氧量可能在各層中彼此不同。在過量 的氧量不同的狀態(tài)下，各層的氧的化學(xué)勢也不同，并且該化學(xué)勢的不同通過在晶體管的制 造工序中的熱處理等接近平衡狀態(tài)，或者變?yōu)槠胶鉅顟B(tài)。下面將研討平衡狀態(tài)下的氧分布。
[0042] 在某一溫度T、壓力P下的平衡狀態(tài)是指全系統(tǒng)的吉布斯（Gibbs)自由能G最小的 狀態(tài)，并可w由如下算式1表示。
[0043] [算式 1]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟： 在等離子體裝置的工作臺上設(shè)置襯底，在所述襯底設(shè)置有氧化物半導(dǎo)體和絕緣膜， 其中，所述工作臺連接至高頻電源； 并且其中，所述氧化物半導(dǎo)體設(shè)置在所述襯底上，并且所述絕緣膜設(shè)置在所述氧化物 半導(dǎo)體上；W及 通過將來自所述高頻電源的高頻電力施加到所述工作臺來對所述絕緣膜進行氧慘雜 處理，W便將氧供給至所述絕緣膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述絕緣膜是從由氧化娃膜、氧氮化娃膜、氧化鉛 膜、氧氮化鉛膜W及氧化嫁膜組成的組中選擇的絕緣膜。
3. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法，包括如下步驟： 在襯底上形成氧化物半導(dǎo)體； 在所述氧化物半導(dǎo)體上形成第一絕緣膜； 在等離子體裝置的工作臺上設(shè)置所述襯底，在所述襯底設(shè)置有所述氧化物半導(dǎo)體和所 述第一絕緣膜，其中，所述工作臺連接至高頻電源； 通過將來自所述高頻電源的高頻電力施加到所述工作臺來對所述第一絕緣膜進行氧 慘雜處理，W便將氧供給至所述第一絕緣膜； 在進行所述氧慘雜處理后進行熱處理；W及 在所述第一絕緣膜上形成第二絕緣膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中所述氧化物半導(dǎo)體包括鋼、鋒W及除鋼和鋒W 外的金屬元素。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中所述等離子體裝置是灰化裝置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中所述工作臺配備有加熱系統(tǒng)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法， 其中所述高頻電源是第一高頻電源， 并且其中，所述等離子體裝置包括感應(yīng)禪合等離子體線圈，并且第二高頻電源連接至 所述感應(yīng)禪合等離子體線圈。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中所述高頻電力的頻率是3. 2MHz。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中用于慘雜的所述氧包括氧自由基、氧原子和氧 離子中的任一個。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的方法，其中通過所述氧慘雜處理將所述氧供給至所述氧 化物半導(dǎo)體。
11. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述第一絕緣膜是從由氧化娃膜、氧氮化娃膜、 氧化鉛膜、氧氮化鉛膜W及氧化嫁膜組成的組中選擇的絕緣膜。
12. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中在形成所述氧化物半導(dǎo)體期間襯底溫度設(shè)置成 locrc W上且60(TC W下的溫度。
13. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中所述熱處理的溫度為25CTC W上且75CTC W下。
【文檔編號】H01L21/34GK104465408SQ201410663619
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2011年4月1日 優(yōu)先權(quán)日:2010年4月23日
【發(fā)明者】山崎舜平 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所