一種發(fā)光二極管外延片的生長方法及發(fā)光二極管外延片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，包括：提供一襯底；依次在襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、有源層以及電子阻擋層；生長由不摻雜的本征GaN層、摻雜的GaN粗化層和凹形摻雜GaN層組成的P型層，凹形摻雜GaN層的生長溫度高于本征GaN層，本征GaN層的生長溫度高于GaN粗化層，GaN粗化層使用第一濃度Mg進行摻雜，凹形摻雜GaN層先采用第二濃度Mg進行摻雜，再采用第三濃度Mg進行摻雜，最后采用第一濃度Mg進行摻雜，第一濃度>第二濃度>第三濃度；活化P型層。凹形摻雜GaN層高溫生長使得空穴濃度增加，既能保證Mg摻雜的效率，又不會增加對InGaN有源層的破壞。
【專利說明】一種發(fā)光二極管外延片的生長方法及發(fā)光二極管外延片

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種發(fā)光二極管外延片的生長方法及發(fā)光二極管外延片。

【背景技術(shù)】
[0002]120￡11111:1:1118 010(16，發(fā)光二極管)是一種能發(fā)光的半導(dǎo)體電子元件，作為一種高效、環(huán)保、綠色新型的固態(tài)照明光源，120具有低電壓、低功耗、體積小、重量輕、壽命長、高可靠性等優(yōu)點，正在被迅速廣泛地應(yīng)用，如交通信號燈、汽車內(nèi)外燈、城市景觀照明、手機背光源、戶外全彩顯示屏等，特別是在照明領(lǐng)域，目前仍在不斷地追求提高芯片發(fā)光效率。
[0003]現(xiàn)有[￡0的生長方法包括:依次在襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層4型層、有源層、？型層。其中，？型層由單一溫度、單一生長壓力和單一摻雜啦的&^層形成，目前大多是通過調(diào)整？型層的有效的空穴濃度來提高芯片發(fā)光效率，常用做法包括提高？型層生長溫度、增加？型層中啦的摻雜濃度。
[0004]在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問題:
[0005]由于？型層中啦的電離率非常低，即使啦的摻雜濃度提高了，？型層所能提供的有效空穴的數(shù)量也沒有明顯增長，甚至會出現(xiàn)自補償效應(yīng)，導(dǎo)致發(fā)光效率下降等反效果。另夕卜，通過提升生長溫度雖然可以提高啦的活化率，增加？型層的有效的空穴濃度，但同時會增加對1116抓有源層的損害。因此現(xiàn)有的[￡0生長方法中，？型層的生長方法對于芯片的發(fā)光效率的提升空間不大，不能有效地提聞芯片的發(fā)光效率，反而有使得芯片的反向擊穿電壓降低、抗靜電能力下降的缺點。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管外延片的生長方法及發(fā)光二極管外延片，技術(shù)方案如下:
[0007]—方面，本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，所述方法包括:
[0008]提供一襯底；
[0009]依次在所述襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、~型層、有源層以及電子阻擋層；
[0010]在所述電子阻擋層上依次生長由不摻雜的本征&^層、摻雜的粗化層和凹形摻雜&^層組成的？型層，
[0011]其中，所述凹形摻雜層的生長溫度高于所述本征&^層，所述本征層的生長溫度高于所述粗化層，
[0012]所述粗化層使用第一濃度的％進行摻雜，所述凹形摻雜層先采用第二濃度的進行摻雜，再采用第三濃度的進行摻雜，最后采用第一濃度的進行摻雜，所述第一濃度 ? 所述第二濃度 ? 所述第三濃度；
[0013]活化部分所述？型層以形成活化？型接觸層。
[0014]進一步地，所述本征&^層的生長溫度為900-9401，所述凹形摻雜&^層的生長溫度為940-9701，所述本征層和所述凹形摻雜層的生長壓力均為200如！^。
[0015]進一步地，所述粗化層的生長溫度為890-9201，生長壓力為300-500丨01^。
[0016]進一步地，所述本征層的厚度為10-1611111，所述粗化層的厚度為20-3011111，所述凹形摻雜層的厚度為40-8011111。
[0017]進一步地，所述？型層的厚度為70-14011111。
[0018]另一方面，本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管外延片，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、高溫緩沖層、~型層、有源層、電子阻擋層、？型層和活化？型接觸層，
[0019]所述？型層由不摻雜的本征&^層、摻雜的粗化層、凹形摻雜層依次層疊而成，所述凹形摻雜層的生長溫度高于所述本征&^層，所述本征&^層的生長溫度高于所述&^粗化層，
[0020]所述粗化層使用第一濃度的％進行摻雜，所述凹形摻雜層先采用第二濃度的進行摻雜，再采用第三濃度的進行摻雜，最后采用第一濃度的進行摻雜，所述第一濃度 ? 所述第二濃度 ? 所述第三濃度。
[0021]進一步地，所述本征&^層的生長溫度為900-9401，所述凹形摻雜&^層的生長溫度為940-9701，所述本征層和所述凹形摻雜層的生長壓力均為200如！^。
[0022]進一步地，所述粗化層的生長溫度為890-9201，生長壓力為300-500丨01^。
[0023]進一步地，所述本征層的厚度為10-1611111，所述粗化層的厚度為20-3011111，所述凹形摻雜層的厚度為40-8011111。
[0024]進一步地，所述？型層的厚度為70-14011111。
[0025]本發(fā)明實施例提供的技術(shù)方案的有益效果是:
[0026]制造外延片的？型層時，通過先生長低溫不摻雜的本征&^層，低溫條件生長可以減小對有源層的破壞，另外還可以有效阻擋從圓1(11111:11)1616118，多量子阱層)向上延伸的“V”型缺陷，提高了芯片的抗靜電能力和反向擊穿能力；其次，低溫生長摻啦的&^粗化層，由于此時的低溫生長是三維生長模式，所以會在本征&^層上形成粗化層，可以提高出光效率；最后，在粗化層上生長高溫且呈凹形摻雜的&^層，由于生長溫度提高，材料內(nèi)部缺陷少，摻入啦的活化率提高，使得空穴濃度增加，凹形摻雜層中的取在摻雜時呈先高再低再高的形式，極大地提高了電流的擴展能力和空穴的有效移動能力，從而明顯提高了啦的摻雜效率，也就大大提高了發(fā)光效率。凹形摻雜&^層的生長溫度雖高，但由于之前已經(jīng)生長了低溫本征&^層和低溫粗化層，所以凹形摻雜&^層的高溫生長既能保證啦摻雜的效率，又不會增加對1成抓有源層的破壞，也就避免了 ？型層低溫生長時啦摻雜的效率低而導(dǎo)致工作電壓升高，高溫生長時啦摻雜的效率高但反向擊穿能力和抗靜電能力下降的溫度矛盾問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0028]圖1是本發(fā)明實施例1提供的一種發(fā)光二極管外延片的生長方法流程圖；
[0029]圖2是本發(fā)明實施例2提供的一種發(fā)光二極管外延片的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實施方式】
[0030]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。
[0031]實施例1
[0032]參見圖1，本發(fā)明實施例提供了一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，該方法包括以下步驟:
[0033]51:提供一襯底；
[0034]具體地，本實施例中，該襯底可以是藍寶石，在生長外延片之前，需要對襯底進行預(yù)處理，預(yù)處理操作包括:將襯底置于反應(yīng)室中，在氫氣氣氛下，高溫處理襯底5-6-1其中，反應(yīng)室溫度為1000-11001，反應(yīng)室壓力控制在200-500丨01^。
[0035]52:依次在襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、~型層、有源層以及電子阻擋層；
[0036]具體地，本實施例中，米用^66⑶ 1(4651 10(^0(161:31 01-^81110 01161111081 7叩01~061)0811:1011，金屬有機化合物化學氣相沉淀)設(shè)備實現(xiàn)[￡0外延片的生長。其中，采用高純4或高純隊或高純4和高純隊的混合氣體作為載氣，高純冊13作為~源，三甲基鎵(11(?)及三乙基鎵(12(?)作為鎵源，三甲基銦(11111)作為銦源，硅烷(31114)作為~型摻雜劑，三甲基鋁作為鋁源，二茂鎂作為？型摻雜劑，反應(yīng)室壓力控制在100-600丨01^。
[0037]其中，低溫緩沖層等層生長在藍寶石襯底的
[0001]面⑴面)上，因為0面與族沉積薄膜之間的晶格常數(shù)失配率小，符合磊晶制程中耐高溫的要求，在面進行磊晶的技術(shù)成熟且穩(wěn)定。
[0038]低溫緩沖層可以為層，厚度為20-4011111，生長低溫緩沖層時，反應(yīng)室溫度為530-56000，反應(yīng)室壓力控制在200-500丨01^。
[0039]高溫緩沖層可以為不摻雜的層，厚度為2-3.511111，生長高溫緩沖層時，反應(yīng)室溫度為1000-11001，反應(yīng)室壓力控制在200-600丨01^。
[0040]X型層可以為慘31的6抓層，厚度為2-311111，生長X型層時，反應(yīng)室溫度為1000-11001，反應(yīng)室壓力控制在200-300丨01^。
[0041]有源層可以包括交替生長的阱層和壘層，其中，阱層的厚度為2-311111，壘層的厚度為8-1111111，1成抓阱層和壘層分別有11-13層，總厚度為130-16011111 ；生長有源層時，反應(yīng)室壓力控制在200丨01^，生長1成抓阱層時，反應(yīng)室溫度為760-78000，生長壘層時，反應(yīng)室溫度為860-8901。
[0042]電子阻擋層為摻六1、摻啦=0.15-0.25)，電子阻擋層的厚度為30-5011111，生長電子阻擋層時，反應(yīng)室溫度為930-9701，反應(yīng)室壓力控制在100丨01^。
[0043]83:在電子阻擋層上依次生長由不摻雜的本征&^層、摻雜的&^粗化層和凹形摻雜&^層組成的？型層，
[0044]其中，凹形摻雜層的生長溫度高于本征層，本征層的生長溫度高于粗化層，粗化層使用第一濃度的啦進行摻雜，凹形摻雜層先采用第二濃度的進行摻雜，再采用第三濃度的18進行摻雜，最后采用第一濃度的18進行摻雜，第一濃度
?第二濃度 ? 第三濃度；
[0045]具體地，凹形摻雜是指摻雜的中啦的濃度呈高低高三個階段摻雜的形式，即兩邊高中間低，且第一階段的濃度要低于第三階段，這樣分段摻雜能獲取更好的電流擴展能力，增加空穴濃度。不摻雜的本征&^層的生長溫度可以為900-9401，優(yōu)選為910-9301 ；摻雜的粗化層的生長溫度可以為890-9201，優(yōu)選為900-9101 ；凹形摻雜
層的生長溫度可以為940-9701，優(yōu)選為940-9601。實驗表明，若不摻雜的本征層的生長溫度低于9001，會由于溫度低造成此層材料內(nèi)部缺陷增多而導(dǎo)致晶格質(zhì)量變差，若高于9401，又會引起的分解導(dǎo)致有源層的缺陷增多。若摻雜的粗化層的生長溫度低于8901，會導(dǎo)致晶格質(zhì)量嚴重變差，高于9201則起不到粗化進而提升出光的效果。若凹形摻雜&^層的生長溫度低于9401，則會降低摻雜的啦的激活效率，高于9701同樣會破壞1116；^有源層。
[0046]其中，粗化層的生長壓力可以為300-500七01^，優(yōu)選為350-450七01^，既完成粗化達到提高出光的效果，又不會引入新的缺陷，本征&^層和凹形摻雜&^層則保持在200如！^。三維生長的模式在于將該層呈三維立體狀生長，整個層面凹凸不平整，相對于平整度而言，這樣的生長模式就形成了粗化層，由于高壓和低溫均呈三維生長模式，所以對采用高壓和低溫生長就相當于進行表面粗化，形成粗糙且不平整的粗化層，以達到改變光子運動方向而起到提高出光的效果，&^粗化層的生長壓力低于300如1^時沒有三維生長的優(yōu)勢，而高于500如1^時又會引入新的缺陷；本征&^層用于阻擋圓I向上延伸的缺陷，凹形摻雜層是用于提供空穴的，所以這兩層不需要改變壓力，保持經(jīng)典恒壓2001:01-1-生長即可。
[0047]其中，本征層的厚度為10-16咖，優(yōu)選為12-14鹽；6^粗化層的厚度為20-3011111，優(yōu)選為20-2511111 ；凹形摻雜&^層的厚度為40-8011111，優(yōu)選為40-7011111。實驗表明，若本征層的厚度小于1011111，不能起到有效阻擋圓I向上延伸的缺陷，大于1611111時，由于此層是不摻雜的，太厚的不摻雜層會引起光衰，導(dǎo)致器件壽命降低^粗化層的厚度小于20=0時，會導(dǎo)致粗化效果不明顯，大于30=0時又會因為生長溫度低而影響整體的晶格質(zhì)于80=0則會由于長得太厚容易吸光，導(dǎo)致芯片的發(fā)光效率降低。
[0048]可選地，整個？型層的厚度可以為70-14011111，優(yōu)選為80-12011111，既能保證本征層粗化層和凹形摻雜層發(fā)揮各自的作用，又不會因為？型層太厚容易吸光而造成發(fā)光效率降低的現(xiàn)象；若？型層小于70=%就體現(xiàn)不出本征&^層粗化層和凹形摻雜層的作用，而高于14011111又會由于？型層太厚而吸光，降低發(fā)光效率。
[0049]84:活化部分？型層以形成活化？型接觸層。
[0050]具體地，本實施例中，活化處理操作可以包括:在氮氣氣氛下，反應(yīng)室溫度控制在650-75000，持續(xù)處理？型層20-30111111。活化？型接觸層主要是活化？型層中摻雜的％，使
活化后產(chǎn)生更多的空穴，避免由于不活化而導(dǎo)致歐姆接觸差引起芯片亮度低和電壓高的情況。
[0051]本實施例中還提供了以下對比試驗:
[0052]準備第一樣品和第二樣品，其中第一樣品是采用傳統(tǒng)高溫？型層生長方法(單一溫度、單一生長壓力和單一摻雜啦的層形成)得到的，第二樣品是采用本實施例提供的發(fā)光二極管的生長方法得到的；
[0053]分別對第一樣品和第二樣品在相同的工藝條件下鍍11011111的110(111(1111111 XIII0x1(168，氧化銦錫金屬氧化物)層，15011111的電極和5011111的3102保護層，并分別將處理后的第一樣品和第二樣品研磨切割成609 4 111*1219 0 111(2411144811111)的芯粒和229 11 111*559 11 111(91111^2211111)的芯粒；
[0054]接著在處理后的第一樣品和第二樣品的相同位置各自挑選300顆晶粒，在相同的工藝條件下，封裝成白光1^0，采用積分球分別在驅(qū)動電流350-和60-條件下測試來自于第一樣品的晶粒和來自于第二樣品的晶粒的光電性能；
[0055]結(jié)果顯示，第二樣品的晶粒與第一樣品的晶粒相比，光強在350—和60—的驅(qū)動電流下有明顯提升，抗靜電能力明顯升高，壓降V？沒有升高，反向擊穿電壓VI？也有提升，反向擊穿電壓較高表示器件壽命更長，因此，本實施例提供的生長方法制備的發(fā)光二極管外延片的性能更為優(yōu)異。
[0056]本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，在制造外延片的？型層時，通過先生長低溫不摻雜的本征&^層，低溫條件生長可以減小對1成抓有源層的破壞，另外還可以有效阻擋從圓I向上延伸的“V”型缺陷，提高了芯片的抗靜電能力和反向擊穿能力；其次，低溫生長摻啦的&^粗化層，由于此時的低溫生長是三維生長模式，所以會在本征&^層上形成粗化層，可以提高出光效率；最后，在粗化層上生長高溫且呈凹形摻雜的
層，由于生長溫度提高，材料內(nèi)部缺陷少，摻入啦的活化率提高，使得空穴濃度增加，凹形摻雜&^層中的啦在摻雜時呈先高再低再高的形式，極大地提高了電流的擴展能力和空穴的有效移動能力，從而明顯提聞了啦的慘雜效率，也就大大提聞了發(fā)光效率。凹形慘雜&^層的生長溫度雖高，但由于之前已經(jīng)生長了低溫本征&^層和低溫粗化層，所以凹形摻雜&^層的高溫生長既能保證啦摻雜的效率，又不會增加對1成抓有源層的破壞，也就避免了？型層低溫生長時啦摻雜的效率低而導(dǎo)致工作電壓升高，高溫生長時啦摻雜的效率高但反向擊穿能力和抗靜電能力下降的溫度矛盾問題。
[0057]實施例2
[0058]參見圖2，本發(fā)明實施例提供一種發(fā)光二極管外延片，適用于采用如實施例1的方法進行制備，外延片包括襯底1以及依次層疊在襯底1上的低溫緩沖層2、高溫緩沖層3、^型層4、有源層5、電子阻擋層6、？型層7和活化？型接觸層8，？型層7由不摻雜的本征層73、摻雜的粗化層7)3、凹形摻雜層7。依次層疊而成，凹形摻雜6抓層7。的生長溫度高于本征層73，本征層73的生長溫度高于粗化層76，
[0059]6^粗化層76使用第一濃度的啦進行摻雜，凹形摻雜層7。先采用第二濃度的啦進行摻雜，再采用第三濃度的啦進行摻雜，最后采用第一濃度的啦進行摻雜，其中，第一濃度 ? 第二濃度 ? 第三濃度。
[0060]進一步地，本征層73的生長溫度為900-9401，凹形摻雜層7。的生長溫度為940-9701，本征層73和凹形摻雜層7。的生長壓力均為200如！^。
[0061]進一步地，6^粗化層76的生長溫度為890-9201，生長壓力為300-500如1^。
[0062]具體地，凹形摻雜是指摻雜的中啦的濃度呈高低高三個階段摻雜的形式，即兩邊高中間低，且第一階段的濃度要低于第三階段，這樣分段摻雜能獲取更好的電流擴展能力，增加空穴濃度。不摻雜的本征&^層％的生長溫度可以為900-9401，優(yōu)選為910-9301 ；摻雜的粗化層76的生長溫度可以為890-9201，優(yōu)選為900-9101 ；凹形摻雜層7(3的生長溫度可以為940-9701，優(yōu)選為940-9601。實驗表明，若不摻雜的本征&^層仏的生長溫度低于9001，會由于溫度低造成此層材料內(nèi)部缺陷增多而導(dǎo)致晶格質(zhì)量變差，若高于9401，又會引起的分解導(dǎo)致有源層的缺陷增多。若摻雜的粗化層76的生長溫度低于8901，會導(dǎo)致晶格質(zhì)量嚴重變差，高于9201則起不到粗化進而提升出光的效果。若凹形摻雜層7。的生長溫度低于9401，則會降低摻雜的啦的激活效率，高于9701同樣會破壞1成抓有源層。
[0063]其中，粗化層76的生長壓力可以為300-500七01^，優(yōu)選為350-450七01^，既完成粗化達到提高出光的效果，又不會引入新的缺陷，本征層73和凹形摻雜層7(3則保持在200如！^。由于高壓和低溫均呈三維生長模式，所以對&^采用高壓和低溫生長就相當于進行表面粗化，形成粗糙且不平整的粗化層7比以達到改變光子運動方向而起到提高出光的效果，粗化層76的生長壓力低于300^)1^時沒有三維生長的優(yōu)勢，而高于500^01-1-時又會引入新的缺陷；本征層％用于阻擋圓I向上延伸的缺陷，凹形摻雜層7。是用于提供空穴的，所以這兩層不需要改變壓力，保持經(jīng)典恒壓200^)1^生長即可。
[0064]進一步地，本征層73的厚度為10-1611111，6^粗化層76的厚度為20-3011111，凹形摻雜層7。的厚度為40-8011111。
[0065]具體地，本征層73的厚度為10-1611111，優(yōu)選為12-14鹽；6^粗化層76的厚度為20-3011111，優(yōu)選為20-2511111 ；凹形摻雜&^層7(3的厚度為40-8011111，優(yōu)選為40-7011111。實驗表明，若本征層73的厚度小于1011111，不能起到有效阻擋圓I向上延伸的缺陷，大于1611111時，由于此層是不摻雜的，太厚的不摻雜層會引起光衰，導(dǎo)致器件壽命降低七抓粗化層76的厚度小于20=0時，會導(dǎo)致粗化效果不明顯，大于30=0時又會因為生長溫度低而影響整體的晶格質(zhì)量；凹形摻雜6抓層7。的厚度小于4011111時，會由于太薄而影響抗靜電能力和反向擊穿性能，大于80=0則會由于長得太厚容易吸光，導(dǎo)致芯片的發(fā)光效率降低。
[0066]進一步地，？型層7的厚度為70-14011111。
[0067]可選地，整個？型層的厚度可以為70-14011111，優(yōu)選為80-12011111，既能保證本征層粗化層76和凹形摻雜層7。發(fā)揮各自的作用，又不會因為？型層太厚容易吸光而造成發(fā)光效率降低的現(xiàn)象；若？型層小于70=%就體現(xiàn)不出本征&^層粗化層7?和凹形摻雜層7。的作用，而高于14011111又會由于？型層太厚而吸光，降低發(fā)光效率。
[0068]本發(fā)明實施例提供的一種發(fā)光二極管外延片，外延片的？型層在制造時先生長低溫不摻雜的本征&^層，低溫條件生長可以減小對1成抓有源層的破壞，另外還可以有效阻擋從1哪向上延伸的“V”型缺陷，提高了芯片的抗靜電能力和反向擊穿能力；其次，低溫生長摻啦的粗化層，由于此時的低溫生長是三維生長模式，所以會在本征層上形成粗化層，可以提高出光效率；最后，在粗化層上生長高溫且呈凹形摻雜的&^層，由于生長溫度提高，材料內(nèi)部缺陷少，摻入啦的活化率提高，使得空穴濃度增加，凹形摻雜層中的啦在摻雜時呈先高再低再高的形式，極大地提高了電流的擴展能力和空穴的有效移動能力，從而明顯提高了啦的摻雜效率，也就大大提高了發(fā)光效率。凹形摻雜&^層的生長溫度雖高，但由于之前已經(jīng)生長了低溫本征&^層和低溫粗化層，所以凹形摻雜&^層的高溫生長既能保證啦摻雜的效率，又不會增加對1成抓有源層的破壞，也就避免了 ？型層低溫生長時啦摻雜的效率低而導(dǎo)致工作電壓升高，高溫生長時啦摻雜的效率高但反向擊穿能力和抗靜電能力下降的溫度矛盾問題。
[0069]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管外延片的生長方法，其特征在于，所述方法包括: 提供一襯底； 依次在所述襯底上生長低溫緩沖層、高溫緩沖層、~型層、有源層以及電子阻擋層； 在所述電子阻擋層上依次生長由不摻雜的本征&^層、摻雜的粗化層和凹形摻雜&^層組成的？型層， 其中，所述凹形摻雜層的生長溫度高于所述本征層，所述本征層的生長溫度高于所述&^粗化層， 所述粗化層使用第一濃度的％進行摻雜，所述凹形摻雜層先采用第二濃度的18進行摻雜，再采用第三濃度的進行摻雜，最后采用第一濃度的進行摻雜，所述第一濃度 ? 所述第二濃度 ? 所述第三濃度； 活化部分所述？型層以形成活化？型接觸層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述本征&^層的生長溫度為900-9401，所述凹形摻雜&^層的生長溫度為940-9701，所述本征&^層和所述凹形摻雜 層的生長壓力均為200丨01^。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述&粗化層的生長溫度為890-9201，生長壓力為 300-500丨01^。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述本征層的厚度為10-16鹽，所述6^粗化層的厚度為20-3011111，所述凹形摻雜層的厚度為40-8011111。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述？型層的厚度為70-140=1
6.一種發(fā)光二極管外延片，其特征在于，所述外延片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的低溫緩沖層、高溫緩沖層、~型層、有源層、電子阻擋層、？型層和活化？型接觸層，其特征在于， 所述？型層由不摻雜的本征&^層、摻雜的&^粗化層、凹形摻雜&^層依次層疊而成，所述凹形摻雜層的生長溫度高于所述本征&^層，所述本征層的生長溫度高于所述&^粗化層， 所述粗化層使用第一濃度的％進行摻雜，所述凹形摻雜層先采用第二濃度的18進行摻雜，再采用第三濃度的進行摻雜，最后采用第一濃度的進行摻雜，所述第一濃度 ? 所述第二濃度 ? 所述第三濃度。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述本征&^層的生長溫度為900-9401，所述凹形摻雜&^層的生長溫度為940-9701，所述本征&^層和所述凹形摻雜 層的生長壓力均為200丨01^。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述&粗化層的生長溫度為890-9201，生長壓力為 300-500丨01^。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述本征層的厚度為10-16鹽，所述6^粗化層的厚度為20-3011111，所述凹形摻雜層的厚度為40-8011111。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述？型層的厚度為70-140?。。。?！。
【文檔編號】H01L33/00GK104465898SQ201410660155
【公開日】2015年3月25日 申請日期:2014年11月18日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月18日
【發(fā)明者】從穎, 姚振, 韓杰, 胡加輝, 魏世禎 申請人:華燦光電(蘇州）有限公司