技術(shù)編號(hào)：7062999
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管外延片的生長(zhǎng)方法，屬于半導(dǎo)體，包括提供一襯底；依次在襯底上生長(zhǎng)低溫緩沖層、高溫緩沖層、N型層、有源層以及電子阻擋層；生長(zhǎng)由不摻雜的本征GaN層、摻雜的GaN粗化層和凹形摻雜GaN層組成的P型層，凹形摻雜GaN層的生長(zhǎng)溫度高于本征GaN層，本征GaN層的生長(zhǎng)溫度高于GaN粗化層，GaN粗化層使用第一濃度Mg進(jìn)行摻雜，凹形摻雜GaN層先采用第二濃度Mg進(jìn)行摻雜，再采用第三濃度Mg進(jìn)行摻雜，最后采用第一濃度Mg進(jìn)行摻雜，第一濃度>...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。