一種晶體固定裝置及晶體固定方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種晶片固定裝置及晶片固定方法，用于提高置晶的效率，提高基板品質(zhì)。本發(fā)明實施例方法包括：在基板上表面粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)，并將粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)后的基板放置在裝置底座上；啟動所述裝置底座中的加熱設(shè)備，以使所述加熱設(shè)備對所述基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱；通過活動支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加熱后的導(dǎo)電粘附材質(zhì)將所述晶片固定在所述基板上。
【專利說明】一種晶體固定裝置及晶體固定方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種晶體固定裝置及晶體固定方法。

【背景技術(shù)】
[0002]目前晶片固定裝置或設(shè)備中，較多使用異方導(dǎo)電膜(AnisotropicConductiveFilm，簡稱ACF)進行晶片固定。然而，在現(xiàn)有的晶片固定裝置或設(shè)備在對晶片固定過程中沒有對ACF加熱，而ACF在沒有加熱時其黏性不高，當(dāng)晶片尺寸越小，在置晶產(chǎn)生壓力時，或者抓取晶片的吸嘴破真空時，都有可能使得晶片偏移目標(biāo)位置，導(dǎo)致成品品質(zhì)太差。而且，若ACF的黏性不高，也會延遲置晶時的停留時間，使得生產(chǎn)效率下降。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]針對上述缺陷，本發(fā)明實施例提供了一種晶體固定裝置及晶體固定方法，用于提高置晶準(zhǔn)確率和速度，提高生產(chǎn)的優(yōu)質(zhì)率。
[0004]本發(fā)明實施例一方面提供了一種晶體固定裝置，包括吸嘴和活動支架，所述吸嘴設(shè)置在所述活動支架上，所述晶片固定裝置還包括:裝置底座；
[0005]其中，所述裝置底座中設(shè)置有加熱設(shè)備，所述裝置底座用于承載基板，并通過所述活動支架將所述吸嘴置于所述裝置底座上方。
[0006]本發(fā)明實施例另一方面還提供了一種晶片固定方法，應(yīng)用于上述的晶片固定裝置，其特征在于，包括:
[0007]在基板上表面粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)，并將粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)后的基板放置在裝置底座上；
[0008]啟動所述裝置底座中的加熱設(shè)備，以使所述加熱設(shè)備對所述基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱；
[0009]通過活動支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加熱后的導(dǎo)電粘附材質(zhì)將所述晶片固定在所述基板上。
[0010]從以上技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明實施例提供的晶片固定裝置及晶片固定方法具有以下優(yōu)點:通過在裝置底座中設(shè)置加熱設(shè)備，通過對加熱設(shè)備加熱，利用裝置底座的導(dǎo)熱性，對基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱，能夠提聞導(dǎo)電粘附材質(zhì)的粘性，使得晶片能夠更加牢固地粘貼在基板上，加工效率聞，能夠提聞基板品質(zhì)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對本發(fā)明實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為本發(fā)明實施例提供的晶片固定裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明實施例提供的玻璃基板的俯視圖；
[0014]圖3為本發(fā)明實施例提供的晶片固定裝置的應(yīng)用示意圖；
[0015]圖4為本發(fā)明實施例提供的晶片固定方法的流程示意圖；
[0016]圖5為本發(fā)明另一實施例提供的晶片固定方法的流程示意圖。

【具體實施方式】
[0017]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0018]本發(fā)明實施例提供了一種晶片固定裝置及晶片固定方法，用于提高固晶效率，提聞基板品質(zhì)。
[0019]請參閱圖1，圖1為本發(fā)明實施例提供的晶片固定裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；具體如圖1所示，一種晶片固定裝置10可包括:包括吸嘴20和活動支架30，其中，所述吸嘴20設(shè)置在所述活動支架30上；
[0020]在本發(fā)明實施例中，所述晶片固定裝置10還包括裝置底座40，如圖1所示，該裝置底座上設(shè)置有加熱設(shè)備50，所述裝置底座40主要用來承載基板，通過活動支架30將吸嘴20置于裝置底座40上方。
[0021]其中，將基板放置在裝置底座40上，該基板上表面粘附有導(dǎo)電粘附材質(zhì)。
[0022]具體地，活動支架30可以向上、向下、向左或向右移動，通過移動活動支架30向上移動吸嘴20，以便有足夠的空間將基板放置在裝置底座40上，之后，啟動裝置底座40的加熱設(shè)備50，通過吸嘴20吸取晶片后，移動活動支架30將吸嘴20移動到基板上，將晶片放置在基板上，利用受熱后的導(dǎo)電粘附材質(zhì)將晶片固定在基板上。
[0023]可以理解的是，本發(fā)明實施例中導(dǎo)電粘附材質(zhì)優(yōu)選異方性導(dǎo)電膜(AnisotropicConductive Film,簡稱 ACF)。
[0024]上述基板可以優(yōu)選玻璃基板，具體如圖2所示，圖2為本發(fā)明實施例提供的玻璃基板的俯視圖；在圖2中，玻璃基板601上有電極602 (PAD電極)，主要將導(dǎo)電粘附材質(zhì)覆蓋在玻璃基板的電極上。
[0025]上述加熱設(shè)備50具體還可以包括有電熱器件和溫控單元，電熱器件可以加熱，溫控單元用來控制電熱器件的開或關(guān)，還有加熱溫度。
[0026]優(yōu)選地，根據(jù)上述ACF的粘附性能，可以控制加熱溫度的范圍在60°C _80°C之間，當(dāng)電熱器件的加熱溫度在該范圍間時，可以導(dǎo)熱激活A(yù)CF的粘性，且此時粘附力最強。
[0027]在一個具體應(yīng)用場景中，如圖3所示，將粘附有ACF的玻璃基板601放置在裝置底座上40，吸嘴吸取了晶片70，然后將晶片70放置在玻璃基板601的電極602上，由于通過加熱設(shè)備50加熱，利用裝置底座40和玻璃基板的導(dǎo)熱性，然后對玻璃基板上的ACF加熱，ACF在受:熱后粘性提聞，能夠準(zhǔn)確并且快速地將晶片固定在電極上，提聞了固晶效率，提聞了玻璃基板的品質(zhì)。
[0028]請參閱圖4，本發(fā)明實施例還提供了一種晶片固定方法，應(yīng)用于附圖1所示的晶片固定裝置中，如圖4所示，該晶片固定方法可包括:
[0029]S41、在基板上表面粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)，并將粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)后的基板放置在裝置底座上；
[0030]在需要固晶的基板上粘附上導(dǎo)電粘附材質(zhì)，然后將基板正確放置在裝置底座上。
[0031]其中，導(dǎo)電粘附材質(zhì)優(yōu)選ACF。
[0032]S42、啟動所述裝置底座中的加熱設(shè)備，以使所述加熱設(shè)備對所述基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱；
[0033]采用加熱設(shè)備對基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱，加熱設(shè)備的加熱溫度范圍可以控制在60°C -80°C之間。
[0034]S43、通過活動支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加熱后的導(dǎo)電粘附材質(zhì)將所述晶片固定在所述基板上。
[0035]在導(dǎo)電粘附材質(zhì)受熱后，粘性提高，通過吸嘴將晶片放置在基板上，通過受熱后的導(dǎo)電粘附材質(zhì)固定。
[0036]在本發(fā)明實施例中，通過在裝置底座中設(shè)置加熱設(shè)備，通過對加熱設(shè)備加熱，利用裝置底座的導(dǎo)熱性，對基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱，能夠提高導(dǎo)電粘附材質(zhì)的粘性，使得晶片能夠更加牢固地粘貼在基板上，加工效率聞，能夠提聞基板品質(zhì)。
[0037]如圖5所示，圖5為本發(fā)明另一實施例提供的晶片固定方法的流程示意圖；如圖5所示，一種晶片固定方法可包括:
[0038]S51、在玻璃基板上表面的電極上粘附ACF ；
[0039]如附圖2所示，玻璃基板上設(shè)置有電極，主要將晶片固定在電極上。因此，通過在玻璃基板的電極覆蓋ACF。
[0040]S52、啟動加熱設(shè)備中的電熱器件，通過所述加熱設(shè)備中的溫控單元調(diào)節(jié)所述電熱器件的加溫溫度；
[0041]加熱設(shè)備中包括電熱器件和溫控單元，其中，電熱器件主要用來加熱，溫控單元主要控制電熱器件的開或關(guān)，以及調(diào)節(jié)電熱器件的加熱溫度。
[0042]S53、通過活動支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述玻璃基板的電極上，以使加熱后的ACF將所述晶片固定在所述玻璃基板電極上。
[0043]通過受熱后的ACF可以將晶片更加牢固地固定在玻璃基板電極上，由于ACF受熱，其粘性提聞，可以減少固晶時的停留時間，且有效提聞了固晶位置和效率，提聞了玻璃基板的品質(zhì)。
[0044]本發(fā)明實施例中，通過在裝置底座中設(shè)置加熱設(shè)備，通過對加熱設(shè)備加熱，利用裝置底座的導(dǎo)熱性，對基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱，能夠提高導(dǎo)電粘附材質(zhì)的粘性，使得晶片能夠更加牢固地粘貼在基板上，加工效率聞，能夠提聞基板品質(zhì)。
[0045]以上對本發(fā)明所提供的一種晶片固定裝置及晶片固定方法進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在【具體實施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【權(quán)利要求】
1.一種晶片固定裝置，其特征在于，所述晶片固定裝置包括吸嘴和活動支架，所述吸嘴設(shè)置在所述活動支架上，所述晶片固定裝置還包括:裝置底座； 其中，所述裝置底座中設(shè)置有加熱設(shè)備，所述裝置底座用于承載基板，并通過所述活動支架將所述吸嘴置于所述裝置底座上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片固定裝置，其特征在于， 所述加熱設(shè)備包括電熱器件和溫控單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片固定裝置，其特征在于， 所述電熱器件的加熱溫度范圍在60°C -80°C之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的晶片固定裝置，其特征在于， 所述基板為玻璃基板，其中，所述基板上粘附有導(dǎo)電粘附材質(zhì)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片固定裝置，其特征在于， 所述導(dǎo)電粘附材質(zhì)為異方性導(dǎo)電膜ACF。
6.一種晶片固定方法，應(yīng)用于權(quán)利要求1?5所述的晶片固定裝置，其特征在于，包括: 在基板上表面粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)，并將粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)后的基板放置在裝置底座上； 啟動所述裝置底座中的加熱設(shè)備，以使所述加熱設(shè)備對所述基板上的導(dǎo)電粘附材質(zhì)進行加熱； 通過活動支架的吸嘴吸取晶片并放置在所述基板上，以使加熱后的導(dǎo)電粘附材質(zhì)將所述晶片固定在所述基板上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述在基板上表面粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)包括: 在基板上表面的電極上粘附導(dǎo)電粘附材質(zhì)，其中，所述導(dǎo)電粘附材質(zhì)為異方性導(dǎo)電膜ACF。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述啟動所述裝置底座中的加熱設(shè)備包括: 啟動加熱設(shè)備中的電熱器件； 所述晶片固定方法還包括: 通過所述加熱設(shè)備中的溫控單元調(diào)節(jié)所述電熱器件的加溫溫度。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述加熱溫度的范圍在60°C -80°C之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶片固定方法，其特征在于， 所述基板為玻璃基板。
【文檔編號】H01L21/683GK104362121SQ201410641156
【公開日】2015年2月18日 申請日期:2014年11月13日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月13日
【發(fā)明者】劉育兆 申請人:廣東威創(chuàng)視訊科技股份有限公司