一種快恢復(fù)二極管模塊的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的快恢復(fù)二極管模塊，包括外殼及與其配合構(gòu)成腔體的底板，腔體內(nèi)設(shè)有至少一快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少三個快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，至少三個快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，第二電極設(shè)于絕緣基板上，至少三個快恢復(fù)二極管芯片相同的第一極與第一電極相連，至少三個快恢復(fù)二極管芯片相同的第二極與第二電極相連，至少三個快恢復(fù)二極管芯片的任一個芯片的中心與其它各快恢復(fù)二極管的芯片中心的距離之和相等。本發(fā)明提供的快恢復(fù)二極管模塊提高了各芯片之間的回路電流的均流性，提高了模塊穩(wěn)定性。
【專利說明】一種快恢復(fù)二極管模塊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種快恢復(fù)二極管模塊。

【背景技術(shù)】
[0002] 隨著電力電子技術(shù)向高頻化、模塊化方向發(fā)展，F(xiàn)RD(Fast Recovery Diode,快恢 復(fù)二極管）作為一種高頻器件也得到了蓬勃發(fā)展，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于各種高頻逆變裝置和斬 波調(diào)速裝置內(nèi)，起到高頻整流、續(xù)流、吸收和隔離作用。為提高模塊的過電流能力、功率密 度，模塊化封裝的FRD采用并聯(lián)的方式，將多顆小電流芯片并聯(lián)，以得到大電流FRD模塊。隨 著電力技術(shù)的發(fā)展，需要并聯(lián)的芯片數(shù)量增多，如果均流性差，F(xiàn)RD模塊容易出現(xiàn)因過流擊 穿損壞、失效的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 為解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題，本發(fā)明提供一種快恢復(fù)二極管模塊。
[0004] -種快恢復(fù)二極管模塊，包括一外殼及與其配合構(gòu)成一腔體的底板，所述腔體內(nèi) 設(shè)有至少一個快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少三個快恢復(fù)二極管 芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少三個快恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板和第 一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少三個快恢復(fù)二極管芯 片相同極性的第一極與第一電極相連，所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極 與第二電極相連，至少三個快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第二極與第二電極的連接距離相 等，并且所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片的任一個芯片的中心與其它各快恢復(fù)二極管的芯 片中心的距離之和相等。
[0005] 進(jìn)一步地，所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片的任一個芯片與其它各快恢復(fù)二極管 芯片的最小間距小于

【權(quán)利要求】
1. 一種快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：包括一外殼及與其配合構(gòu)成一腔體的底板， 所述腔體內(nèi)設(shè)有至少一個快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組，所述快恢復(fù)二極管結(jié)構(gòu)組包括至少三個快 恢復(fù)二極管芯片、絕緣基板、第一電極和第二電極，所述的至少三個快恢復(fù)二極管芯片、絕 緣基板和第一電極均設(shè)于底板上，所述第二電極設(shè)于絕緣基板上，其中，所述至少三個快恢 復(fù)二極管芯片極性相同的第一極與第一電極相連，所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片相同極 性的第二極與第二電極相連，并且所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片的任一個芯片的中心與 其它各快恢復(fù)二極管的芯片中心的距離之和相等，且所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片的任 一個芯片與其它各快恢復(fù)二極管芯片的最小間距小于！
，其中A。,為快恢復(fù)二極管芯 片的面積。
2. 如權(quán)利要求1所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述至少三個快恢復(fù)二極管 芯片的中心之間的連線構(gòu)成以第二電極中心為中心的正多邊形。
3. 如權(quán)利要求2所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述至少三個快恢復(fù)二極管 芯片的具體個數(shù)為四個，且各快恢復(fù)二極管芯片中心之間的連線構(gòu)成以第二電極中心為中 心的長方形。
4. 如權(quán)利要求1所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：至少三個快恢復(fù)二極管芯片 相同極性的第二極與第二電極的連接距離相等。
5. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述至少三個快恢 復(fù)二極管芯片相同極性的第二極均通過導(dǎo)電引線與所述第二電極相連，所述導(dǎo)電引線的材 質(zhì)、線徑以及長度相同。
6. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述底板為金屬底 板，所述第一電極由所述金屬底板構(gòu)成，所述至少三個快恢復(fù)二極管芯片相同極性的第一 極均通過焊接層與第一電極連接。
7. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述第二電極通過 引出電極引出至所述外殼的外部。
8. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述相同極性的第 一極為陰極，相同極性的第二極為陽極。
9. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述相同極性的第 一極為陽極，相同極性的第二極為陰極。
10. 如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的快恢復(fù)二極管模塊，其特征在于：所述腔體填充有硅 凝膠。
【文檔編號】H01L23/52GK104282677SQ201410617717
【公開日】2015年1月14日 申請日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】周文定 申請人:成都晶川電力技術(shù)有限公司