低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法，步驟包括：1)硅襯底上生長(zhǎng)多晶硅膜；2)P型低濃度摻雜；3)高阻多晶硅的光刻曝光顯影，在高阻多晶硅以外區(qū)域進(jìn)行N型摻雜；4)去除光刻膠，沉積氮化硅膜；5)一次刻蝕形成N型多晶硅和高阻多晶硅；6)淺摻雜漏注入，生長(zhǎng)氮化硅，刻蝕掉字線(xiàn)上和高阻多晶硅上的氮化硅；7)對(duì)源漏和部分高阻多晶硅進(jìn)行P型重?fù)诫s，形成P型源漏和P型多晶硅。該方法通過(guò)互摻雜，在光刻版最少的情況下，在低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造工藝中實(shí)現(xiàn)了高阻多晶硅、低阻P型多晶硅和N型多晶硅的同時(shí)形成。
【專(zhuān)利說(shuō)明】低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前市場(chǎng)上有很多要求電流精確控制的應(yīng)用需求，即隨溫度變化電流波動(dòng)極小， 因此低溫度系數(shù)電阻的應(yīng)用非常廣泛。如果在同一工藝中可以實(shí)現(xiàn)高阻多晶硅、低阻P型 多晶娃和N型多晶娃，客戶(hù)的應(yīng)用和選擇也會(huì)更加靈活。
[0003] 在SONOS工藝中，為了極大程度上減少器件的面積，使用了自對(duì)準(zhǔn)孔的技術(shù)，需要 在多晶硅表面覆蓋一層氮化硅薄膜作為接觸孔刻蝕的阻擋層，用于保證接觸孔刻蝕過(guò)程中 多晶硅側(cè)墻不被刻蝕，以防止多晶硅與接觸孔的擊穿。但同時(shí)帶來(lái)的問(wèn)題就是由于多晶硅 表面氮化硅薄膜的存在，導(dǎo)致后續(xù)的源漏注入無(wú)法注進(jìn)多晶硅中，不能同時(shí)形成N型和P型 的多晶硅。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法，它可以 同時(shí)形成商阻多晶娃、低阻P型多晶娃和N型多晶娃。
[0005] 為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法，步驟包括：
[0006] 1)在已經(jīng)形成阱的硅襯底上生長(zhǎng)多晶硅膜；
[0007] 2)在多晶硅膜表面進(jìn)行P型低濃度摻雜；
[0008] 3)進(jìn)行高阻多晶硅的光刻曝光顯影，并在高阻多晶硅以外區(qū)域進(jìn)行N型摻雜；
[0009] 4)去除光刻膠，沉積氮化硅膜；
[0010] 5)在氮化娃膜表面用光刻膠定義出N型多晶娃和高阻多晶娃的光刻圖形，一次刻 蝕氣化娃I吳和多晶娃I吳，形成N型多晶娃和商阻多晶娃；
[0011] 6)淺摻雜漏注入，生長(zhǎng)氮化硅作為多晶硅側(cè)墻；刻蝕掉字線(xiàn)上和高阻多晶硅上的 氮化硅；
[0012] 7)對(duì)源漏和部分高阻多晶硅進(jìn)行P型重?fù)诫s，形成P型源漏和P型多晶硅。
[0013] 本發(fā)明通過(guò)互摻雜的方法，在光刻版最少的情況下，在低溫度系數(shù)多晶硅電阻的 制造工藝中實(shí)現(xiàn)了高阻多晶硅、低阻P型多晶硅和N型多晶硅的同時(shí)形成。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014] 圖1?圖8是本發(fā)明的低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法的工藝流程示意圖。
[0015] 圖中附圖標(biāo)記說(shuō)明如下：
[0016] 1 :硅襯底
[0017] 2:多晶硅薄膜
[0018] 3、7:光刻膠
[0019] 4:高阻多晶硅
[0020] 5:N型多晶硅
[0021] 6:氮化硅薄膜
[0022] 8:P型多晶硅

【具體實(shí)施方式】
[0023] 為對(duì)本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效有更具體的了解，現(xiàn)結(jié)合附圖，詳述如下：
[0024] 本實(shí)施例的低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法，具體包括以下工藝步驟：
[0025] 步驟1，在已經(jīng)形成阱的硅襯底1上，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法生長(zhǎng) 1000A?2000A的多晶硅薄膜2,作為后續(xù)N型多晶硅、P型多晶硅和高阻多晶硅的膜質(zhì)。
[0026] 步驟2,在多晶娃薄膜2表面，注入硼（B)，如圖1所示，注入劑量為1?3E14個(gè)/ cm2,注入能量為5?50Kev，使多晶硅表面形成P型低濃度摻雜，用于形成高阻多晶硅。
[0027] 步驟3,在P型摻雜后的多晶硅上進(jìn)行高阻多晶硅的光刻曝光顯影，然后帶著光刻 膠3進(jìn)行磷（P)注入，如圖2所示，注入劑量為5?10E15個(gè)/cm 2,注入能量為20?50Kev， 使除高阻多晶硅以外的部分反向摻雜成N型多晶硅。
[0028] 步驟4,去除高阻多晶硅離子注入的光刻膠3,然后采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法 沉積1000?2000A的氮化硅薄膜6,如圖3所示，作為多晶硅刻蝕的硬質(zhì)掩膜以及后續(xù)自對(duì) 準(zhǔn)孔刻蝕的側(cè)向阻擋層，保護(hù)柵極側(cè)墻不被完全刻蝕，防止自對(duì)準(zhǔn)孔與柵極多晶硅的擊穿。
[0029] 步驟5,在氮化硅薄膜6表面用光刻膠7定義N型多晶硅以及高阻多晶硅的光刻圖 形，如圖4所示，然后一次刻蝕氮化硅薄膜6與多晶硅薄膜2,形成N型多晶硅5和高阻多晶 娃4,如圖5所示。
[0030] 步驟6,進(jìn)行淺摻雜漏注入，生長(zhǎng)多晶硅側(cè)墻氮化硅，刻蝕多晶硅側(cè)墻，并同時(shí)將高 阻多晶硅4上的氮化硅膜刻蝕掉，如圖6所示。多晶硅側(cè)墻形成后，需要將字線(xiàn)上多晶硅上 的氮化硅刻蝕掉，保證字線(xiàn)的連接孔與下面的多晶硅連通。
[0031] 步驟7,涂布光刻膠7并顯影，形成P型源漏和P型多晶硅的光刻圖形，然后進(jìn)行 BF2注入，如圖7所示，形成P型源漏和P型多晶娃8,如圖8所示。BF2注入能量為10? 50Kev個(gè)/cm 2，注入劑量為1?5E15Kev。至此完成低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造。
【權(quán)利要求】
1. 低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造方法，其特征在于，步驟包括： 1) 在已經(jīng)形成阱的硅襯底上生長(zhǎng)多晶硅膜； 2) 在多晶硅膜表面進(jìn)行P型低濃度摻雜； 3) 進(jìn)行高阻多晶硅的光刻曝光顯影，并在高阻多晶硅以外區(qū)域進(jìn)行N型摻雜； 4) 去除光刻膠，沉積氮化硅膜； 5) 在氮化娃膜表面用光刻膠定義出N型多晶娃和高阻多晶娃的光刻圖形，一次刻蝕氮 化娃I吳和多晶娃I吳，形成N型多晶娃和商阻多晶娃； 6) 淺摻雜漏注入，生長(zhǎng)氮化硅作為多晶硅側(cè)墻；刻蝕掉字線(xiàn)上和高阻多晶硅上的氮化 硅； 7) 對(duì)源漏和部分高阻多晶硅進(jìn)行P型重?fù)诫s，形成P型源漏和P型多晶硅。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟1)，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法生 長(zhǎng)IOOOA?2000A的多晶硅膜。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟2)，注入硼，注入劑量為1?3E14個(gè) /cm2,注入能量為5?50Kev。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟3)，注入磷，注入劑量為5?10E15 個(gè)/cm2,注入能量為20?50Kev。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟4)，采用低壓化學(xué)氣相沉積的方法沉 積1000?2000A的氮化硅膜。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，步驟7)，注入BF2，注入能量為10?50Kev 個(gè)/cm2,注入劑量為1?5E15Kev。
【文檔編號(hào)】H01L21/70GK104319255SQ201410604403
【公開(kāi)日】2015年1月28日 申請(qǐng)日期:2014年10月30日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月30日
【發(fā)明者】袁苑, 陳瑜 申請(qǐng)人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司