技術(shù)編號：7061620
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明公開了一種，步驟包括1)硅襯底上生長多晶硅膜；2)P型低濃度摻雜；3)高阻多晶硅的光刻曝光顯影，在高阻多晶硅以外區(qū)域進行N型摻雜；4)去除光刻膠，沉積氮化硅膜；5)一次刻蝕形成N型多晶硅和高阻多晶硅；6)淺摻雜漏注入，生長氮化硅，刻蝕掉字線上和高阻多晶硅上的氮化硅；7)對源漏和部分高阻多晶硅進行P型重?fù)诫s，形成P型源漏和P型多晶硅。該方法通過互摻雜，在光刻版最少的情況下，在低溫度系數(shù)多晶硅電阻的制造工藝中實現(xiàn)了高阻多晶硅、低阻P型多晶硅和N型多晶硅的...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。