元件基板及其配向方法
【專利摘要】一種元件基板，包括具有有源區(qū)及周邊區(qū)的基板、位于有源區(qū)內(nèi)的像素陣列、位于基板上且與像素陣列電性連接的多個(gè)信號(hào)接墊以及位于周邊區(qū)內(nèi)并與像素陣列電性連接的至少一測(cè)試接墊。測(cè)試接墊包括位于周邊區(qū)的導(dǎo)電層、覆蓋導(dǎo)電層的絕緣層及位于絕緣層上的接觸圖案層。絕緣層具有至少一接觸開口及至少一溝槽。接觸開口暴露出導(dǎo)電層。接觸圖案層透過接觸開口而與導(dǎo)電層電性連接。部份接觸圖案層位于溝槽內(nèi)。此外，上述元件基板的配向方法也被提出。本發(fā)明元件基板上的各區(qū)域上的配向膜能夠具有相近的錨定力，從而可以改善現(xiàn)有技術(shù)中配向不良的現(xiàn)象。
【專利說明】元件基板及其配向方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種基板及其配向方法，且特別是有關(guān)于一種元件基板及其配向方法。

【背景技術(shù)】
[0002]顯示面板包括元件基板、相對(duì)于元件基板的對(duì)向基板以及配置于元件基板與對(duì)向基板之間的顯示介質(zhì)。以液晶顯示面板為例，顯示介質(zhì)為多個(gè)液晶分子。顯示面板使能時(shí)，為使液晶分子的光軸能夠正確且快速地轉(zhuǎn)至指定方向，以提供對(duì)應(yīng)像素指定的穿透率，元件基板上通常設(shè)有一層配向膜。透過配向膜提供的錨定力(Anchoring force),多個(gè)液晶分子的光軸便可在顯示面板未使能時(shí)向指定方向傾斜，即液晶分子具有指定的預(yù)傾角(pre-tilt angle)。藉此,當(dāng)顯示面板使能時(shí),多個(gè)液晶分子的光軸便能夠正確且快速地轉(zhuǎn)至指定方向，進(jìn)而提供使用者良好的影像品質(zhì)。
[0003]然而，元件基板的周邊區(qū)上需設(shè)置供測(cè)試人員測(cè)試元件基板的像素陣列的測(cè)試接墊。一般而言，測(cè)試接墊相較于其周圍的膜層具有較高的高度，使得測(cè)試接墊與其周圍膜層之間存在一高度差。當(dāng)利用一配向工具在配向膜上進(jìn)行一接觸式配向程序時(shí)，配向工具對(duì)配向膜的下壓力量便會(huì)受到測(cè)試接墊與其周圍膜層之間的高度差影響，從而造成元件基板的有源區(qū)與周邊區(qū)交界附近與有源區(qū)中心附近的配向膜具有的錨定力大小不一致，即產(chǎn)生配向不良(rubbing mura)的問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種元件基板，其能夠改善配向不良的現(xiàn)象。
[0005]本發(fā)明提供一種元件基板，包括具有有源區(qū)及周邊區(qū)的基板、位于有源區(qū)內(nèi)的像素陣列、位于基板上且與像素陣列電性連接的多個(gè)信號(hào)接墊以及位于周邊區(qū)內(nèi)并與像素陣列電性連接的至少一測(cè)試接墊。測(cè)試接墊包括位于周邊區(qū)的導(dǎo)電層、覆蓋導(dǎo)電層的絕緣層及位于絕緣層上的接觸圖案層。絕緣層具有至少一接觸開口及至少一溝槽。接觸開口暴露出導(dǎo)電層。接觸圖案層透過接觸開口而與導(dǎo)電層電性連接。部份接觸圖案層位于溝槽內(nèi)。
[0006]本發(fā)明提供一種元件基板的配向方法，包括下列步驟:提供上述元件基板；在元件基板上形成配向膜，以覆蓋像素陣列以及測(cè)試接墊；利用一配向工具在配向膜上進(jìn)行一接觸式配向程序，配向工具系先與測(cè)試接墊重疊再與有源區(qū)重疊。
[0007]基于上述，在本發(fā)明一實(shí)施例的元件基板中，測(cè)試接墊的接觸圖案層向絕緣層的溝槽延伸而使接觸圖案層的一部份位于絕緣層的溝槽內(nèi)，此時(shí)部分的接觸圖案層鋪設(shè)于溝槽的側(cè)壁上而形成一緩坡。當(dāng)利用一配向工具在鋪設(shè)于測(cè)試接墊及像素陣列上的配向膜上進(jìn)行一接觸式配向程序時(shí)，配向工具便能夠順著上述緩坡以穩(wěn)定的下壓力量對(duì)有源區(qū)與周邊區(qū)交界附近的部份配向膜以及靠近有源區(qū)中心的部份配向膜進(jìn)行配向。如此一來(lái)，元件基板上的各區(qū)域上的配向膜便能夠具有相近的錨定力，從而改善現(xiàn)有技術(shù)中配向不良的現(xiàn)象。
[0008]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的元件基板的上視示意圖。
[0010]圖2A為圖1的兀件基板局部K的放大不意圖。
[0011]圖2B為根據(jù)圖2A的剖線A-A’所繪的元件基板局部的剖面示意圖。
[0012]圖2C為圖2A的測(cè)試接墊的導(dǎo)電層的上視示意圖。
[0013]圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的元件基板的像素結(jié)構(gòu)、資料線及掃描線的上視示意圖。
[0014]圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的元件基板局部的剖面示意圖。
[0015]圖5為本發(fā)明又一實(shí)施例的元件基板局部的上視示意圖。
[0016]圖6A為本發(fā)明又一實(shí)施例的兀件基板局部的上視不意圖。
[0017]圖6B為根據(jù)圖6A的剖線D-D’所繪的元件基板局部的剖面示意圖。
[0018]圖7為本發(fā)明再一實(shí)施例的元件基板局部的的剖面示意圖。
[0019]圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的兀件基板的上視不意圖。
[0020][主要元件附圖標(biāo)記說明]
[0021]10:滾輪
[0022]20:布毛
[0023]100、100A、100C ?100F:元件基板
[0024]110:基板
[0025]IlOa:有源區(qū)
[0026]IlOb:周邊區(qū)
[0027]IlOc:承載面
[0028]120:像素陣列
[0029]122、122A:像素結(jié)構(gòu)
[0030]122a:有源元件
[0031]122b:像素電極
[0032]122bl:像素電極的分支
[0033]122c:共用電極
[0034]122cl:共用電極的分支
[0035]130:信號(hào)接墊
[0036]140、140C、140F:測(cè)試接墊
[0037]142、142D:導(dǎo)電層
[0038]142a:本體部
[0039]142b:橋接電極
[0040]142c:開口
[0041]144:絕緣層
[0042]144a、144aA、144aE:第一絕緣層
[0043]144b:第二絕緣層
[0044]146:接觸圖案層
[0045]146a:邊緣
[0046]150:驅(qū)動(dòng)電路
[0047]160:軟性電路板
[0048]A-A，、D_D，:剖線
[0049]DL:資料線
[0050]He:接觸開口
[0051]Hp > HpA> HpD> HpE:溝槽
[0052]dl:法線方向
[0053]d2:方向
[0054]d3:預(yù)定配向方向
[0055]SL:掃描線
[0056]S1:第一側(cè)壁
[0057]S2:第二側(cè)壁
[0058]S3:底部
[0059]R:配向工具
[0060]P1:配向膜
[0061]K:元件基板局部
[0062]W1、W2、W3:寬度

【具體實(shí)施方式】
[0063]圖1為本發(fā)明一實(shí)施例的兀件基板的上視不意圖。兀件基板100包括基板110、像素陣列120、多個(gè)信號(hào)接墊130以及至少一個(gè)測(cè)試接墊140?；?10具有有源區(qū)IlOa以及周邊區(qū)110b，周邊區(qū)IlOb與有源區(qū)IlOa連接且環(huán)繞有源區(qū)110a。像素陣列120位于基板110的有源區(qū)IlOa內(nèi)。多個(gè)信號(hào)接墊130位于基板110的周邊區(qū)IlOb內(nèi)且與像素陣列120電性連接。至少一個(gè)測(cè)試接墊140位于基板110的周邊區(qū)IlOb內(nèi)且與像素陣列120電性連接。在本實(shí)施例中，基板110的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如:導(dǎo)電材料、金屬、晶圓、陶瓷等)、或是其它可適用的材料。若使用導(dǎo)電材料或金屬制作基板110時(shí)，則基板110需具有一層絕緣層(未繪示)，以避免搭載于基板110上的構(gòu)件發(fā)生短路問題。
[0064]在本實(shí)施例中，像素陣列120包括陣列排列的多個(gè)像素結(jié)構(gòu)122。每一像素結(jié)構(gòu)122包括至少一有源元件122a(例如:薄膜電晶體)以及與有源元件122a電性連接的至少一像素電極122b。圖1繪示的像素結(jié)構(gòu)122是以包括一個(gè)有源元件122a以及一個(gè)像素電極122b為示例。然而，本發(fā)明不限于此，每一像素結(jié)構(gòu)包括的有源元件數(shù)量可選擇性地為多個(gè)；每一像素結(jié)構(gòu)包括的像素電極數(shù)量可選擇性地為多個(gè)；同一像素結(jié)構(gòu)包括的有源元件數(shù)量及像素電極數(shù)量可相同或不同。簡(jiǎn)言之，每一像素結(jié)構(gòu)的像素電極與有源元件的數(shù)量，以及每一像素結(jié)構(gòu)的像素電極與有源元件之間的電性連接方式均可視實(shí)際需求做適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)。
[0065]在本實(shí)施例中，像素陣列120可進(jìn)一步包括多條資料線DL、多條掃描線SL、驅(qū)動(dòng)電路150(例如驅(qū)動(dòng)晶片)以及軟性電路板(flexible printed circuit, FPC) 160。多條資料線DL與對(duì)應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)122電性連接。詳言之，每一資料線DL與對(duì)應(yīng)的多個(gè)有源元件122a的源極電性連接。多條掃描線SL與對(duì)應(yīng)的像素結(jié)構(gòu)122電性連接，且與資料線DL相交。詳言之，每一掃描線SL與對(duì)應(yīng)的多個(gè)有源元件122a的閘極電性連接，且掃描線SL的延伸方向可與資料線DL的延伸方向垂直。驅(qū)動(dòng)電路150位于周邊區(qū)IlOb且位于像素陣列120與多個(gè)信號(hào)接墊130之間。多個(gè)信號(hào)接墊130可透過驅(qū)動(dòng)電路150與像素陣列120電性連接。驅(qū)動(dòng)電路150與多條資料線DL以及多條掃描線SL的至少一者電性連接，以驅(qū)動(dòng)像素陣列120。在本實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路150可同時(shí)與多條資料線DL以及多條掃描線SL電性連接。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，驅(qū)動(dòng)電路150也可與多條資料線DL或多條掃描線SL電性連接。軟性電路板160是用以與多個(gè)信號(hào)接墊130接合(bounding)。信號(hào)接墊130與軟性電路板160接合后，軟性電路板160覆蓋在多個(gè)信號(hào)接墊130上，并與信號(hào)接墊130電性連接。
[0066]測(cè)試接墊140位于信號(hào)接墊130旁。在本實(shí)施例中，測(cè)試接墊140與多個(gè)信號(hào)接墊130亦可分別配置在彼此隔開的不同二列上。測(cè)試接墊140可選擇性地設(shè)置在基板110的左下角。然而，本發(fā)明不限于此，測(cè)試接墊140設(shè)置的位置可視實(shí)際的元件基板100布局(layout)及制程需求而定。在其他實(shí)施例中，測(cè)試接墊140也可選擇性地設(shè)置在基板110的左上角、右上角、右下角或基板110的側(cè)邊。此外，測(cè)試接墊140與多個(gè)信號(hào)接墊130間的位置關(guān)系也可做圖1以外的其他適當(dāng)設(shè)計(jì)，將于后續(xù)實(shí)施例中，舉例說明。
[0067]測(cè)試接墊140是供測(cè)試人員輸入一測(cè)試信號(hào)至像素陣列120，以測(cè)試像素陣列120的功能是否正常。一般而言，測(cè)試人員是利用肉眼及手將具有測(cè)試信號(hào)的探針與測(cè)試接墊140電性接觸，以將測(cè)試信號(hào)輸入至像素陣列120。為使測(cè)試人員能夠容易地執(zhí)行上述測(cè)試動(dòng)作，測(cè)試接墊140具有相當(dāng)?shù)某叽纭Ｅe例而言，測(cè)試接墊140的尺寸大于每一信號(hào)接墊130的尺寸。更進(jìn)一步地說，每一測(cè)試接墊140的面積可為每一信號(hào)接墊130的面積的I倍至10倍，但本發(fā)明不以此為限。
[0068]當(dāng)元件基板100做為顯示面板的一構(gòu)件時(shí)，為配向顯示面板中的顯示介質(zhì)(例如液晶)，元件基板100可進(jìn)一步包括配向膜PI，以覆蓋像素陣列120、信號(hào)接墊130以及測(cè)試接墊140。值得一提的是，由于測(cè)試接墊140具有特殊的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，因此當(dāng)利用配向工具(例如:滾輪及鋪設(shè)于滾輪上的布毛)在配向膜PI上進(jìn)行接觸式配向程序時(shí)，即使測(cè)試接墊140具有相當(dāng)?shù)某叽?，位于像素陣?20邊緣或中心的配向膜PI皆能夠被均勻地配向，而使包括元件基板100的顯示面板不易發(fā)生現(xiàn)有技術(shù)中配向不良的問題。以下將配合圖示具體說明測(cè)試接墊140的特殊結(jié)構(gòu)及其能夠改善配向不良問題的機(jī)制。
[0069]圖2A為圖1的元件基板局部K的放大示意圖。圖2B為根據(jù)圖2A的剖線A_A’所繪的元件基板局部的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A及圖2B，測(cè)試接墊140包括位于周邊區(qū)IlOb (標(biāo)示于圖2B)的導(dǎo)電層142、覆蓋導(dǎo)電層142的絕緣層144以及位于絕緣層144上的接觸圖案層146。導(dǎo)電層142、絕緣層144以及接觸圖案層146沿著基板110的承載面IlOc的法線方向dl依序堆迭。
[0070]測(cè)試接墊140是利用導(dǎo)電層142將接觸圖案層146接收的測(cè)試信號(hào)傳遞至像素陣列120(繪于圖1)。換言之，導(dǎo)電層142是電性連接于接觸圖案層146與像素陣列120之間。接觸圖案層146接收測(cè)試信號(hào)后，測(cè)試信號(hào)可依序經(jīng)由接觸圖案層146及導(dǎo)電層142進(jìn)而傳遞至像素陣列120。在本實(shí)施例中，為將測(cè)試接墊140的制程與像素陣列120的制程整合在一起，導(dǎo)電層142與像素陣列120的有源元件122a(繪于圖1)的閘極可選擇地為同一膜層所形成，但本發(fā)明不以此為限。導(dǎo)電層142—般是使用金屬材料，然而，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實(shí)施例，導(dǎo)電層142也可以使用其他導(dǎo)電材料，例如:合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)電材料的堆疊層。
[0071]圖2C為圖2A的測(cè)試接墊的導(dǎo)電層142的上視示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2A、圖2B及圖2C，在本實(shí)施例中，導(dǎo)電層142包括本體部142a(標(biāo)示于圖2C)及電性連接于本體部142a與像素陣列120(繪于圖1)之間的至少一個(gè)橋接電極142b(標(biāo)示于圖2C)。至少一橋接電極142b之?dāng)?shù)量可為一個(gè)或多個(gè)。每一橋接電極142b在垂直于承載面IlOc的法線方向dl的方向d2上的寬度Wl小于本體部142a在垂直于法線方向dl的方向d2上的寬度W2。更進(jìn)一步地說，每一橋接電極142b在垂直于承載面IlOc的法線方向dl的方向d2上的寬度Wl小于或等于信號(hào)接墊130 (繪于圖1)在方向d2上的寬度W3(繪于圖1)。本體部142a與接觸圖案層146以及接觸開口 He重疊。本體部142a可與接觸圖案層146直接接觸。橋接電極142b電性連接于本體部142a與像素陣列(繪于圖1)之間。接觸圖案層146的邊緣146a(標(biāo)示于圖2A)位于橋接電極142b上。從另一角度而言，如圖2C所示，導(dǎo)電層142可選擇性地具有多個(gè)開口 142c。多個(gè)開口 142c排列為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)。導(dǎo)電層142的本體部142a在多個(gè)開口 142c圍繞的范圍以內(nèi)。每一橋接電極142b位于本體部142a外以及相鄰二開口 142c之間且電性接觸于本體部142a。
[0072]請(qǐng)參照?qǐng)D2A及圖2B，絕緣層144具有至少一接觸開口 He。接觸開口 He暴露出導(dǎo)電層142的本體部142a。接觸圖案層146填入接觸開口 He而與導(dǎo)電層142的本體部142a電性連接。特別是，絕緣層144具有至少一溝槽Hp。接觸圖案層146的一部份系位于溝槽Hp內(nèi)。如圖2B所示，接觸圖案層146可遮蔽導(dǎo)電層142且超出導(dǎo)電層142的本體部142a，也即接觸圖案層146完全遮蔽本體部142a。更進(jìn)一步地說，每一溝槽Hp具有第一側(cè)壁S1、相對(duì)于第一側(cè)壁SI的第二側(cè)壁S2以及連接第一側(cè)壁SI與第二側(cè)壁S2的底部S3。第一側(cè)壁SI較第二側(cè)壁S2靠近接觸開口 He。接觸圖案層146由接觸開口 He向外延伸，以覆蓋絕緣層144的第一側(cè)壁SI且至少局部地覆蓋溝槽Hp的底部S3，但本實(shí)施例不局限于此，接觸圖案層146也可完全覆蓋溝槽Hp的底部S3。換言之，接觸圖案層146不覆蓋每一溝槽Hp的第二側(cè)壁S2而局部地暴露出每一溝槽Hp的底部S3。接觸圖案層146的至少部份的邊緣146a是位于溝槽Hp內(nèi)。
[0073]值得注意的是，如圖2B所示，當(dāng)接觸圖案層146向絕緣層144的溝槽Hp延伸而使接觸圖案層146的一部份位于溝槽Hp之內(nèi)時(shí)，部分的接觸圖案層146鋪設(shè)于溝槽Hp的第一側(cè)壁SI上而形成一緩坡。藉此，當(dāng)利用配向工具R在配向膜PI上進(jìn)行一接觸式配向程序(例如:令配向工具R的布毛20以滾輪10的中心軸為轉(zhuǎn)動(dòng)中心轉(zhuǎn)動(dòng)；接著，令配向膜PI與布毛20接觸且下壓配向工具R ;然后，令搭載配向膜PI的元件基板100沿著一預(yù)定配向方向d3移動(dòng)，以使配向工具R先與位于周邊區(qū)IlOb的測(cè)試接墊140重疊后再與有源區(qū)IlOa重疊)時(shí)，配向工具R便能夠順著上述緩坡以穩(wěn)定的下壓力量對(duì)有源區(qū)IlOa與周邊區(qū)IlOb交界附近的部份配向膜PI以及靠近有源區(qū)IlOa中心的部份配向膜PI進(jìn)行配向。如此一來(lái)，像素陣列120 (繪于圖1)邊緣上的配向膜PI (即有源區(qū)IlOa與周邊區(qū)IlOb交界附近的配向膜PI)以及像素陣列120中心附近的配向膜PI(即靠近有源區(qū)IlOa中心的配向膜PD便能夠具有相近的錨定力，從而配向不良的發(fā)生機(jī)率或配向不良的嚴(yán)重程度能夠降低。
[0074]請(qǐng)參照?qǐng)D2B，在本實(shí)施例中，為整合測(cè)試接墊140與像素陣列120 (繪于圖1)的制程，絕緣層144可選擇性地包括第一絕緣層144a以及第二絕緣層144b。第一絕緣層144a位于導(dǎo)電層142上。第二絕緣層144b位于第一絕緣層144a上的。導(dǎo)電層142、第一絕緣層144a、第二絕緣層144b、接觸圖案層146沿著遠(yuǎn)離基板110的方向dl依序堆迭。第一絕緣層144a的制作可與像素陣列120的有源元件122a的閘絕緣層(未繪示)的制作整合在一起。換言之，第一絕緣層144a可選擇性地與位于有源元件122a的閘極與通道之間的閘絕緣層為同一膜層。第二絕緣層144b的制作可與位于像素電極122b與有源元件122a的汲極之間的平坦層(未繪示)的制作整合在一起。換言之，第二絕緣層144b可選擇性地與平坦層(Passivat1n)屬于同一膜層。需說明的是，上述絕緣層144的多層結(jié)構(gòu)以及此多層結(jié)構(gòu)與閘絕緣層及平坦層之間的關(guān)系是用以舉例說明本發(fā)明而非用以限制本發(fā)明。在其他實(shí)施例中，絕緣層144不一定要為多層結(jié)構(gòu)，且絕緣層144與位于有源區(qū)IlOa上的構(gòu)件的關(guān)系也可視實(shí)際的需求作適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)。在本實(shí)施例中，第一絕緣層144a及第二絕緣層144b系分別圖案化(舉例系為不同的蝕刻程序)，以構(gòu)成溝槽Hp，然本實(shí)施例不以此為限，第一絕緣層144a及第二絕緣層144b也可同時(shí)圖案化以形成Hp。
[0075]在本實(shí)施例中，絕緣層144的材料可為無(wú)機(jī)材料(例如:氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆迭層)、有機(jī)材料或上述的組合。接觸圖案層146的材料包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層，但本發(fā)明不以此為限。在本實(shí)施例中，接觸圖案層146與圖1的像素電極122b的制程可選擇性地整合在一起。換言之，接觸圖案層146可與像素電極122b可為同一膜層所形成。然而，本發(fā)明不限于此，圖3為本發(fā)明另一實(shí)施例的元件基板的像素結(jié)構(gòu)、資料線及掃描線的上視示意圖。在圖3的實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)122A除了有源元件122a、像素電極122b之外更包括共用電極122c。共用電極122c的分支122cl與像素電極122b的分支122bl可交替排列。接觸圖案層146也可選擇性地與共用電極122c、或同時(shí)與共用電極122c及像素電極122b為同一膜層所形成。在圖3的實(shí)施例中，共用電極122c與像素電極122b實(shí)質(zhì)上可共平面。簡(jiǎn)言之，像素結(jié)構(gòu)122A可為共面切換(In-Plane Switching, IPS)模式的像素結(jié)構(gòu)。然而，本發(fā)明不限于此，在其他實(shí)施例中，共用電極122c與像素電極122b也可不共平面。簡(jiǎn)言之，像素結(jié)構(gòu)也可為邊緣場(chǎng)切換(Fringe-Field Switching, FFS)模式的像素結(jié)構(gòu),而接觸圖案層146可選擇性地與共用電極122c和像素電極122b中與基板110之間的最大距離較大的一者為同一膜層所形成。
[0076]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2B，在本實(shí)施例中，溝槽Hp可選擇性地貫穿第一、二絕緣層144a、144b而暴露出基板110。換言之,第一、二絕緣層144a、144b分別具有相重合的二開口，而溝槽Hp是由第一、二絕緣層144a、144b的相重合的二開口構(gòu)成的。然而，本發(fā)明不限于此，圖4為本發(fā)明另一實(shí)施例的元件基板局部的剖面示意圖。圖4的元件基板100A與圖2B的元件基板100相似,因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。在圖4的實(shí)施例中，第一絕緣層144aA在有源區(qū)IlOa與周邊區(qū)IlOb的交界附近可不具開口。溝槽HpA可由第二絕緣層144b的單一開口構(gòu)成，而溝槽HpA暴露出第一絕緣層144aA。元件基板100A具有與元件基板100相似的優(yōu)點(diǎn)及功效，于此便不再重述。
[0077]請(qǐng)?jiān)賲⒄請(qǐng)D2A及圖2C，在測(cè)試接墊140中，至少一溝槽Hp之?dāng)?shù)量可為多個(gè)。這些溝槽Hp實(shí)質(zhì)上可構(gòu)成一環(huán)狀結(jié)構(gòu)，以環(huán)繞接觸開口 He。溝槽Hp實(shí)質(zhì)上可不與導(dǎo)電層142重疊。換言之，溝槽Hp是在導(dǎo)電層142的開口 142c的正上方。在本實(shí)施例中，測(cè)試接墊140的多個(gè)溝槽Hp的尺寸可相異。詳言之，位在導(dǎo)電層142的本體部142a上下二側(cè)的多個(gè)溝槽Hp具有相同的第一面積，位在導(dǎo)電層142的本體部142a左右二側(cè)的多個(gè)溝槽Hp具有相同的第二面積，其中第二面積大于第一面積。然而，本發(fā)明的溝槽的型態(tài)并不限于圖2A所示。溝槽的型態(tài)可視實(shí)際的需求而定。舉例而言，圖5為本發(fā)明又一實(shí)施例的元件基板局部的上視示意圖。圖5的元件基板100C與圖2A的元件基板100相似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。在圖5的實(shí)施例中，測(cè)試接墊140C的多個(gè)溝槽Hp可具有相同尺寸，且均勻地環(huán)繞在接觸開口 He四周。
[0078]圖6A為本發(fā)明又一實(shí)施例的元件基板局部的上視示意圖。圖6B為根據(jù)圖6A的剖線D-D’所繪的元件基板局部的剖面示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6A及圖6B，元件基板100D與圖2A及圖2B的元件基板100相似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。在圖6A及圖6B的實(shí)施例中，導(dǎo)電層142D可不像圖2C的導(dǎo)電層142般具有開口 142c，導(dǎo)電層142D可為一完整導(dǎo)電圖案。溝槽HpD可為連續(xù)的環(huán)狀溝槽，以環(huán)繞接觸開口 He。溝槽HpD暴露出導(dǎo)電層142D。與圖2A及圖2B的實(shí)施例類似地，第一、二絕緣層144a、144b也分別具有相重合的二開口，而呈連續(xù)環(huán)狀的溝槽HpD也可由第一、二絕緣層144a、144b的相重合的二開口構(gòu)成。但本發(fā)明不限于此，圖7為本發(fā)明再一實(shí)施例的元件基板局部的剖面示意圖。圖7的元件基板100E與圖6A及圖6B的元件基板100D相似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。在圖7的實(shí)施例中，溝槽HpE也為一連續(xù)的環(huán)狀溝槽，以環(huán)繞接觸開口 He。與圖6A及圖6B的溝槽HpD不同的是，在圖7的實(shí)施例中，第一絕緣層144aE在有源區(qū)IlOa與周邊區(qū)IlOb的交界附近可不具開口。呈連續(xù)環(huán)狀的溝槽HpE可由第二絕緣層144b的單一開口構(gòu)成，而呈連續(xù)環(huán)狀的溝槽HpE可暴露出第一絕緣層144aE。元件基板100DU00E具有與元件基板100相似的優(yōu)點(diǎn)，于此便不再重述。
[0079]圖8為本發(fā)明一實(shí)施例的元件基板的上視示意圖。圖8的元件基板100F與圖1的元件基板100相似，因此相同或相對(duì)應(yīng)的元件以相同或相對(duì)應(yīng)的標(biāo)號(hào)表示。元件基板100F與圖1的元件基板100不同之處在于:元件基板100F的測(cè)試接墊140F的位置與元件基板100的測(cè)試接墊140的位置不同。詳言之，當(dāng)軟性電路板160與多個(gè)信號(hào)接墊130接合后，測(cè)試接墊140F可被軟性電路板160延伸至信號(hào)接墊130外的部分覆蓋。如此一來(lái)，使用者便不易察覺到測(cè)試接墊140F的設(shè)置，而有助于包括元件基板100F的顯示面板的外觀美感提升。
[0080]綜上所述，在本發(fā)明一實(shí)施例的元件基板中，測(cè)試接墊的接觸圖案層向絕緣層的溝槽延伸而使接觸圖案層的一部份位于絕緣層的溝槽內(nèi)，此時(shí)部分的接觸圖案層鋪設(shè)于溝槽的側(cè)壁上而形成一緩坡。當(dāng)利用一配向工具在鋪設(shè)于測(cè)試接墊及像素陣列上的配向膜上進(jìn)行一接觸式配向程序時(shí)，配向工具便能夠順著上述緩坡以穩(wěn)定的下壓力量對(duì)有源區(qū)與周邊區(qū)交界附近的部份配向膜以及靠近有源區(qū)中心的部份配向膜進(jìn)行配向。如此一來(lái)，元件基板上的各區(qū)域上的配向膜便能夠具有相近的錨定力，從而改善現(xiàn)有技術(shù)中配向不良的現(xiàn)象。
[0081]雖然本發(fā)明已揭露以上實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種兀件基板，包括: 一基板，具有一有源區(qū)以及一周邊區(qū)； 一像素陣列，位于該基板的該有源區(qū)內(nèi)； 多個(gè)信號(hào)接墊，位于該基板上且與該像素陣列電性連接；以及 至少一測(cè)試接墊，位于該周邊區(qū)內(nèi)并與該像素陣列電性連接，其中該測(cè)試接墊包括: 一導(dǎo)電層，位于該周邊區(qū)； 一絕緣層，覆蓋該導(dǎo)電層，其中該絕緣層具有至少一接觸開口以及至少一溝槽，該接觸開口暴露出該導(dǎo)電層；以及 一接觸圖案層，位于該絕緣層上，其中該接觸圖案層透過該接觸開口而與該導(dǎo)電層電性連接，且該接觸圖案層的一部份位于該溝槽內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該測(cè)試接墊的尺寸大于每一該信號(hào)接墊的尺寸。
3.如權(quán)利要求1所述的元件基板，更包括: 一軟性電路板，覆蓋在該些信號(hào)接墊上，以與該些信號(hào)接墊電性連接，該軟性電路板更覆蓋該測(cè)試接墊。
4.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該絕緣層包括: 一第一絕緣層位于該導(dǎo)電層上；以及 一第二絕緣層位于該第一絕緣層上，其中該至少一溝槽系為一環(huán)狀結(jié)構(gòu)以環(huán)繞該接觸開口，該溝槽系貫穿該第二絕緣層以暴露出該第一絕緣層。
5.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該導(dǎo)電層包括: 一本體部，與該接觸圖案層以及該接觸開口重疊；以及 至少一橋接電極，電性連接于該本體部以及該像素陣列之間，其中該至少一溝槽的數(shù)量系為多個(gè)，該些溝槽實(shí)質(zhì)上不與該導(dǎo)電層重疊，該些溝槽實(shí)質(zhì)上構(gòu)成一環(huán)狀結(jié)構(gòu)以環(huán)繞該接觸開口。
6.如權(quán)利要求5所述的元件基板，其中該至少一橋接電極的數(shù)量系為多個(gè)，每一該橋接電極的寬度小于該本體部的寬度，其中該絕緣層包括: 一第一絕緣層，位于該導(dǎo)電層上；以及 一第二絕緣層，位于該第一絕緣層上，其中該些溝槽系暴露出該第一絕緣層或該基板。
7.如權(quán)利要求1所述的元件基板，更包括: 一配向膜，覆蓋該像素陣列、該些信號(hào)接墊以及該測(cè)試接墊。
8.如權(quán)利要求1所述的元件基板，其中該像素陣列包括: 一像素電極以及一共通電極，該接觸圖案層與該像素電極或該共通電極為同一膜層所形成，該接觸圖案層的材料系包括透明金屬氧化物。
9.一種元件基板的配向方法，包括: 提供權(quán)利要求1所述的該元件基板； 在該元件基板上形成一配向膜，以覆蓋該像素陣列以及該至少一測(cè)試接墊；以及利用一配向工具在該配向膜上進(jìn)行一接觸式配向程序，該配向工具系先與該至少一測(cè)試接墊重疊再與該有源區(qū)重疊。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104267553SQ201410534206
【公開日】2015年1月7日 申請(qǐng)日期:2014年10月11日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月30日
【發(fā)明者】王友志 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司