氣密密封用蓋、電子部件收納用封裝以及氣密密封用蓋的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的氣密密封用蓋具備基材、基材上的第一鍍層和第一鍍層上的第二鍍層?；牡谋砻姹粍澐譃榈谝粎^(qū)域、位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不與第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域、位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域、和位于第一區(qū)域的外側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第四區(qū)域。第一鍍層在第三區(qū)域和第四區(qū)域露出且被氧化。
【專利說(shuō)明】氣密密封用蓋、電子部件收納用封裝以及氣密密封用蓋的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及氣密密封用蓋、電子部件收納用封裝和氣密密封用蓋的制造方法，特別是涉及經(jīng)由焊料接合電子部件收納部件的氣密密封用蓋、使用該氣密密封用蓋的電子部件收納用封裝及該氣密密封用蓋的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]以往，已知有經(jīng)由焊料接合電子部件收納部件的氣密密封用蓋。這樣的氣密密封用蓋例如在日本特開(kāi)平4 — 96256號(hào)公報(bào)中有公開(kāi)。
[0003]在上述日本特開(kāi)平4 一 96256號(hào)公報(bào)的圖5中公開(kāi)了由42合金(42Ni — Fe合金)與鎳覆層得到的材料構(gòu)成的、與封裝接合的金屬制密封(Hermetic seal)蓋。在該金屬制密封蓋中，蓋主體的密封面中，在外端部及在其周邊形成的環(huán)狀的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)的全部區(qū)域中，鎳被激光氧化。由此，以在環(huán)狀的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)的全部區(qū)域中焊料的潤(rùn)濕性降低的方式形成。
[0004]然而，上述日本特開(kāi)平4 - 96256號(hào)公報(bào)所記載的金屬制密封蓋中，環(huán)狀的密封區(qū)域的內(nèi)側(cè)的全部區(qū)域的鎳被氧化，另一方面，由于密封區(qū)域的鎳未被氧化，焊料的潤(rùn)濕性仍然很高。因此，在將金屬制密封蓋接合于封裝時(shí)，有時(shí)熔融的焊料的一部分從外端部溢出到外側(cè)，附著到金屬制密封蓋的外側(cè)面。此時(shí)，密封區(qū)域的焊料的量減少，其結(jié)果，存在不能充分確保封裝性的問(wèn)題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明是為了解決如上所述的課題而作出的，本發(fā)明的一個(gè)目的在于，提供通過(guò)抑制熔融焊料的一部分?jǐn)U展到氣密密封用蓋的外側(cè)面(潤(rùn)濕擴(kuò)展)而能夠抑制接合電子部件收納部件的區(qū)域中的焊料的量減少的氣密密封用蓋、使用該氣密密封用蓋的電子部件收納用封裝以及該氣密密封用蓋的制造方法。
[0006]本發(fā)明的第一方面的氣密密封用蓋是在包含用于收納電子部件的電子部件收納部件的電子部件收納用封裝中使用的氣密密封用蓋，具備:基材、形成于基材的表面上的第一鍍層、和形成于第一鍍層的表面上的第二鍍層，在俯視時(shí)，基材的表面被劃分為:經(jīng)由焊料接合電子部件收納部件的第一區(qū)域、位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不與第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域、位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域、和位于第一區(qū)域的外側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第四區(qū)域，第一鍍層在第三區(qū)域和第四區(qū)域露出并被氧化。其中，“外側(cè)”是指在俯視時(shí)氣密密封用蓋的外端部側(cè)，“內(nèi)側(cè)”是指在俯視時(shí)氣密密封用蓋的中心側(cè)。
[0007]上述第一方面的氣密密封用蓋中，優(yōu)選第一區(qū)域和第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀，環(huán)狀的第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
[0008]上述第一方面的氣密密封用蓋中，優(yōu)選第三區(qū)域和第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀，環(huán)狀的第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
[0009]上述第一方面的氣密密封用蓋中，優(yōu)選第一區(qū)域和第三區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀，環(huán)狀的第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距大于環(huán)狀的第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
[0010]上述第一方面的氣密密封用蓋中，優(yōu)選第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，第二區(qū)域所占的平面面積大于第三區(qū)域所占的平面面積。
[0011]上述第一方面的氣密密封用蓋中，優(yōu)選在俯視時(shí)，基材具有四邊形形狀，第三區(qū)域形成為環(huán)狀，第三區(qū)域的與基材的角部對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，形成有向著氣密密封用蓋的角部側(cè)突出的突出區(qū)域。
[0012]上述第一方面的氣密密封用蓋中，優(yōu)選第一鍍層為Ni鍍層，第二鍍層為Au鍍層。此時(shí)，優(yōu)選在第一區(qū)域的第二鍍層的表面上配置有由Au - Sn合金構(gòu)成的焊料。
[0013]本發(fā)明的第二方面的電子部件收納用封裝具備氣密密封用蓋和電子部件收納部件，其中，該氣密密封用蓋包含基材、形成于基材的表面上的第一鍍層和形成于第一鍍層的表面上的第二鍍層，在俯視時(shí)，基材的表面被劃分為:經(jīng)由焊料接合電子部件收納部件的第一區(qū)域、位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不與第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域、位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域、和位于第一區(qū)域的外側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第四區(qū)域，第一鍍層在第三區(qū)域和第四區(qū)域露出并被氧化；該電子部件收納部件被氣密密封用蓋密封并收納電子部件。
[0014]上述第二方面的電子部件收納用封裝中，優(yōu)選第一區(qū)域和第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀，環(huán)狀的第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
[0015]上述第二方面的電子部件收納用封裝中，優(yōu)選第三區(qū)域和第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀，環(huán)狀的第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
[0016]上述第二方面的電子部件收納用封裝中，優(yōu)選第一區(qū)域和第三區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀，環(huán)狀的第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距大于環(huán)狀的第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
[0017]上述第二方面的電子部件收納用封裝中，優(yōu)選第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，第二區(qū)域所占的平面面積大于第三區(qū)域所占的平面面積。
[0018]上述第二方面的電子部件收納用封裝中，優(yōu)選在俯視時(shí)，基材具有四邊形形狀，第三區(qū)域形成為環(huán)狀，在第三區(qū)域的與基材的角部對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有向著電子部件收納用封裝的角部側(cè)突出的突出區(qū)域。
[0019]上述第二方面的電子部件收納用封裝中，優(yōu)選第一鍍層為Ni鍍層，第二鍍層為Au鍍層。此時(shí)，優(yōu)選在第一區(qū)域的第二鍍層的表面上配置有由Au - Sn合金構(gòu)成的焊料。
[0020]本發(fā)明的第三方面的氣密密封用蓋的制造方法是在包含用于收納電子部件的電子部件收納部件的電子部件收納用封裝中使用的氣密密封用蓋的制造方法，具備:準(zhǔn)備基材的工序；在基材的表面上形成第一鍍層的工序；在第一鍍層的表面上形成第二鍍層的工序；和經(jīng)由焊料接合上述電子部件收納部件的第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，保留不與第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域的第二鍍層，并且使用激光除去與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域的第二鍍層，使用激光除去第一區(qū)域的外側(cè)的第四區(qū)域的第二鍍層，由此，使第三區(qū)域和第四區(qū)域的第一鍍層的表面露出，并且使露出的第一鍍層的表面氧化的工序。
[0021]上述第三方面的氣密密封用蓋的制造方法中，優(yōu)選使第一鍍層的表面露出并且使露出的第一鍍層的表面氧化的工序包括:利用由激光照射產(chǎn)生的熱，使露出的第一鍍層的表面氧化的工序。
[0022]上述第三方面的氣密密封用蓋的制造方法中，優(yōu)選形成第二鍍層的工序包括以使第二鍍層的厚度小于第一鍍層的厚度的方式形成第二鍍層的工序。
[0023]上述第三方面的氣密密封用蓋的制造方法中，優(yōu)選使第一鍍層的表面露出并且使露出的第一鍍層的表面氧化的工序包括:使用激光除去與第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)鄰接的第三區(qū)域的第二鍍層和第一區(qū)域的外側(cè)的第四區(qū)域的第二鍍層，由此，以第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距的方式，將第一區(qū)域和第四區(qū)域形成為在俯視時(shí)為環(huán)狀的工序。
[0024]根據(jù)本發(fā)明，如上所述，通過(guò)在位于第一區(qū)域的外側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第四區(qū)域，使第一鍍層露出并將其氧化，在第一區(qū)域的外側(cè)的第四區(qū)域中，能夠降低對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性，因此能夠抑制焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展。由此，能夠抑制熔融的焊料的一部分到達(dá)氣密密封用蓋的外側(cè)面。其結(jié)果，將氣密密封用蓋接合于電子部件收納部件時(shí)，能夠抑制熔融的焊料的一部分?jǐn)U展至氣密密封用蓋的外側(cè)面(潤(rùn)濕擴(kuò)展)，因此，能夠抑制接合電子部件收納部件的區(qū)域的焊料的量減少，其結(jié)果，能夠充分確保電子部件收納用封裝的密封性。
[0025]另外，劃分為位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不與第一區(qū)域的第二區(qū)域、和位于第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域，并且使第一鍍層在第三區(qū)域露出并進(jìn)行氧化。由此，在第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的第三區(qū)域，也能夠降低對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性，因此能夠抑制焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展。由此也能夠抑制接合電子部件收納部件的區(qū)域的焊料的量減少。另外，通過(guò)保留不與第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域的第二鍍層，即使在第二區(qū)域的第一鍍層存在針孔等缺陷的情況下，在不與第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域中，也能夠通過(guò)利用第二鍍層覆蓋第一鍍層而抑制在氣密密封用蓋的表面出現(xiàn)缺陷。由此，能夠在經(jīng)由焊料接合電子部件收納部件的第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中的與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域中，抑制焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展，并且使不與第一區(qū)域鄰接的(第三區(qū)域的內(nèi)側(cè)的)第二區(qū)域中的耐蝕性提高。
[0026]此外，在上述第三方面的氣密密封用蓋的制造方法中，通過(guò)利用激光除去與第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域的第二鍍層和第一區(qū)域的外側(cè)的第四區(qū)域的第二鍍層，即使在沒(méi)有除去第二鍍層的部分不形成掩模等，也能夠容易地除去第三區(qū)域的第二鍍層和第四區(qū)域的第二鍍層，并且能夠抑制由于在除去掩模時(shí)使用試劑而引起的第一鍍層和第二鍍層腐蝕。另夕卜，利用激光，使第三區(qū)域和第四區(qū)域的第一鍍層的表面露出，并且使露出的第一鍍層的表面氧化，由此不需要另外用于使露出的第一鍍層的表面氧化的工序，因此能夠簡(jiǎn)化制造工序。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0027]圖1是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件收納用封裝的整體結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0028]圖2是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋的俯視圖。
[0029]圖3是表示沿圖2的300 — 300線的截面圖。
[0030]圖4是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋的氧化區(qū)域周邊的放大截面圖。
[0031]圖5是用于說(shuō)明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋的制造方法的截面圖。
[0032]圖6是用于說(shuō)明對(duì)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋的激光修整的截面圖。
[0033]圖7是用于說(shuō)明在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋形成焊料層的工序的截面圖。
[0034]圖8是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的氣密密封用蓋的俯視圖。
[0035]圖9是表示本發(fā)明的第二實(shí)施方式的氣密密封用蓋的突出區(qū)域的放大俯視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0036]以下，基于【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0037](第一實(shí)施方式)
[0038]首先，參照?qǐng)D1?圖4，對(duì)于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件收納用封裝100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。
[0039]如圖1所示，本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件收納用封裝100具備:氣密密封用蓋1、水晶振子等電子部件10、和用于收納電子部件10的電子部件收納部件20。
[0040]電子部件收納部件20包含由氧化鋁等絕緣性材料構(gòu)成的陶瓷基板21和陶瓷框體22。陶瓷基板21為板狀的部件，陶瓷框體22在陶瓷基板21的上表面沿著外周配置，并且以規(guī)定的高度在上方(Zl側(cè))延伸。另外，在由陶瓷框體22包圍的收納空間內(nèi)的陶瓷基板21上經(jīng)由凸部(> 7° ) 11安裝有電子部件10。另外，在陶瓷框體22的上表面上形成有鎢層23和N1- Co合金層24。而且，陶瓷框體22的上表面上的Ni — Co合金層24經(jīng)由由含有約80質(zhì)量％的Au的Au - Sn合金構(gòu)成的焊料層30與氣密密封用蓋I接合。
[0041]如圖2所示，氣密密封用蓋I由矩形(四邊形形狀)平板構(gòu)成，4個(gè)角部Ia進(jìn)行了R倒角加工。另外，如圖3所示，氣密密封用蓋I包括:由Fe — Ni — Co合金構(gòu)成的基材2、形成于基材2的表面2a上且在氧化區(qū)域SI和S2中表面3a露出的Ni鍍層3、和在焊料區(qū)域S3和鍍區(qū)域S4中形成于Ni鍍層3的表面3a上的Au鍍層4。此外，Au鍍層4構(gòu)成為對(duì)于焊料層30的焊料(Au — Sn合金)的潤(rùn)濕性比Ni鍍層3高。其中，Ni鍍層3和Au鍍層4分別為本發(fā)明的“第一鍍層”和“第二鍍層”的一例。
[0042]另外，如圖2所示，基材2的表面2a被劃分為氧化區(qū)域S1、氧化區(qū)域S2、焊料區(qū)域S3和鍍區(qū)域S4的4個(gè)區(qū)域。具體而言，氧化區(qū)域SI以與形成為環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的外側(cè)鄰接的方式形成為環(huán)狀，并且，氧化區(qū)域S2以與環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)鄰接的方式形成為環(huán)狀。另外，鍍區(qū)域S4形成于焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)，而另一方面，以與氧化區(qū)域S2的內(nèi)側(cè)鄰接的方式形成為矩形，且以與焊料區(qū)域S3不鄰接的方式形成。即，氣密密封用蓋I中，從外端部Ic側(cè)(外側(cè))朝向內(nèi)側(cè)，依次形成氧化區(qū)域S1、焊料區(qū)域S3、氧化區(qū)域S2和鍍區(qū)域S4。此外，“外側(cè)”是指俯視時(shí)氣密密封用蓋I的外端部Ic側(cè)，“內(nèi)側(cè)”是指俯視時(shí)氣密密封用蓋I的中心側(cè)。
[0043]基材2為平板狀，形成為寬度方向(X方向)上約1.9mm的寬度W1、長(zhǎng)度方向(Y方向)上約2.4mm的長(zhǎng)度L1、以及厚度方向(Z方向)上約0.1mm的厚度tl (參照?qǐng)D3)。另夕卜，如圖1所示，基材2形成為比氣密電子部件收納部件20略小。由此，在接合氣密密封用蓋I和電子部件收納部件20時(shí)，能夠抑制氣密密封用蓋I從電子部件收納部件20的長(zhǎng)度方向和寬度方向露出。
[0044]如圖3所示，Ni鍍層3形成為不僅包圍基材2的密封面Ib側(cè)的面，而且包圍與密封面Ib相對(duì)的外側(cè)的面(Zl側(cè)的面)以及4個(gè)外側(cè)面的表面2a的整面。S卩，基材2被Ni
鍍層3完全覆蓋。
[0045]另外，如圖4所示，Ni鍍層3以約2μπι以上且約3μπι以下的厚度t2形成，并且Au鍍層4以約0.02 μ m的厚度t3形成。另外，與基材2的大小相比，Ni鍍層3和Au鍍層4的大小(厚度t2和t3)小到能夠忽略，因此，氣密密封用蓋I的大小與基材2的大小基本沒(méi)有差別。此外，圖1、圖3和圖5?圖7中，為了容易理解，將Ni鍍層3的厚度和Au鍍層4的厚度夸張地進(jìn)行了圖示。
[0046]這里，第一實(shí)施方式中，如圖2所示，在位于焊料區(qū)域S3的外側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域SI中，通過(guò)焊料區(qū)域S3的外側(cè)的Au鍍層4以環(huán)狀被除去，Ni鍍層3的表面3a露出，并且露出的Ni鍍層3的表面3a被氧化而形成氧化膜層3b。同樣地，在位于焊料區(qū)域S3內(nèi)側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域S2，焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的Au鍍層4以環(huán)狀被除去，由此Ni鍍層3的表面3a露出，并且露出的Ni鍍層3的表面3a被氧化而形成氧化膜層3b。此時(shí)，保留位于焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)且不與焊料區(qū)域S3鄰接的鍍區(qū)域S4的Au鍍層4，并且焊料區(qū)域S3的外側(cè)和內(nèi)側(cè)的Au鍍層4以環(huán)狀被除去。另外，由于露出的Ni鍍層3的氧化膜層3b被氧化，因此，與未被氧化的Ni鍍層3的表面3a相比,對(duì)于焊料(Au — Sn合金)的潤(rùn)濕性進(jìn)一步降低。另外，氧化膜層3b相對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性比Au鍍層4低。其中，氧化區(qū)域SI和S2分別為本發(fā)明的“第四區(qū)域”和“第三區(qū)域”的一例。
[0047]另外，環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2形成為約30 μ m以上且約60 μ m以下，環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3形成為約100 μ m。即，環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3大于環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2。此外，本實(shí)施方式中，環(huán)狀的區(qū)域的寬度表示環(huán)狀的區(qū)域中的外周緣(外端部Ic側(cè)的周緣)與內(nèi)周緣(與外端部Ic相反側(cè)的周緣)的間距。
[0048]另外，如圖4所示，在與氧化區(qū)域SI的內(nèi)側(cè)鄰接并且與氧化區(qū)域S2的外側(cè)鄰接的焊料區(qū)域S3中，在Ni鍍層3的表面3a上形成有Au鍍層4，并且在Au鍍層4的表面上配置有由Au - Sn合金的焊料構(gòu)成的焊料層30。由此，如圖1所示，構(gòu)成為在焊料區(qū)域S3中，經(jīng)由焊料層30的Au鍍層4，電子部件收納部件20與氣密密封用蓋I接合。其中，焊料區(qū)域S3是本發(fā)明的“第一區(qū)域”的一例。
[0049]另外，如圖2所示，環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4除了與角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域以外，以約80 μ m的長(zhǎng)度大致一定地形成。另外，環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2小于環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4。另外，環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3大于環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4。此外，與角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的焊料區(qū)域S3的寬度略大于寬度W4。
[0050]另外，如圖4所示，在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)中，在不與焊料區(qū)域S3鄰接而與氧化區(qū)域S2的內(nèi)側(cè)鄰接的鍍區(qū)域S4，在Ni鍍層3的表面3a上形成有Au鍍層4。另外，與焊料區(qū)域S3不同，在鍍區(qū)域S4，在Au鍍層4的表面上沒(méi)有配置焊料層30。另外，如圖2所示，鍍區(qū)域S4在俯視時(shí)(俯視看)形成為大致矩形，并且寬度方向(X方向)的寬度W5和長(zhǎng)度方向(Y方向)的長(zhǎng)度L2均大于氧化區(qū)域SI的寬度W2、氧化區(qū)域S2的寬度W3和焊料區(qū)域S3的寬度W4地形成。此外，鍍區(qū)域S4所占的平面面積形成為大于氧化區(qū)域S2所占的平面面積。其中，鍍區(qū)域S4是本發(fā)明的“第二區(qū)域”的一例。
[0051]另外，在與R倒角加工后的角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，氧化區(qū)域S1、氧化區(qū)域S2、焊料區(qū)域S3和鍍區(qū)域S4彼此的邊界線以與R倒角加工后的角部Ia對(duì)應(yīng)的方式形成為曲線狀。
[0052]第一實(shí)施方式中，如上所述，在焊料區(qū)域S3的外側(cè)的氧化區(qū)域SI中，通過(guò)將Au鍍層4以環(huán)狀除去，由此使Ni鍍層3的表面3a露出，并且將露出的Ni鍍層3的表面3a氧化，形成對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性比Au鍍層4低的氧化膜層3b。由此，在位于焊料區(qū)域S3的外側(cè)的氧化區(qū)域SI中，由于能夠降低對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性，因此能夠抑制焊料層30的焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展，因此能夠抑制熔融的焊料的一部分到達(dá)氣密密封用蓋I的外側(cè)面。其結(jié)果，在將氣密密封用蓋I與電子部件收納部件20接合時(shí)，能夠抑制熔融的焊料的一部分?jǐn)U展(潤(rùn)濕擴(kuò)展)到氣密密封用蓋I的外側(cè)面，因此能夠抑制焊料區(qū)域S3的焊料的量減少，其結(jié)果，能夠充分確保電子部件收納用封裝100的密封性。
[0053]另外，在第一實(shí)施方式中，劃分為位于焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)且不與焊料區(qū)域S3鄰接的鍍區(qū)域S4和位于焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)且與焊料區(qū)域S3鄰接的氧化區(qū)域S2，并且，在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)保留不與焊料區(qū)域S3鄰接的鍍區(qū)域S4的Au鍍層4，且將焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的Au鍍層4以環(huán)狀除去，由此，在氧化區(qū)域S2，使Ni鍍層3的表面3a露出，并且將露出的Ni鍍層3的表面3a氧化，形成對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性比Au鍍層4低的氧化膜層3b。由此，即使在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的氧化區(qū)域S2，也能夠降低對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性，因此，能夠抑制焊料層30的焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展。由此，也能夠抑制焊料區(qū)域S3的焊料的量減少。另外，通過(guò)保留不與焊料區(qū)域S3鄰接的鍍區(qū)域S4的Au鍍層4，即使在鍍區(qū)域S4的Ni鍍層3存在針孔等缺陷的情況下，在不與焊料區(qū)域S3鄰接的鍍區(qū)域S4中，也能夠通過(guò)由Au鍍層4覆蓋Ni鍍層3，而抑制缺陷在密封面Ib出現(xiàn)。由此，在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中的與焊料區(qū)域S3鄰接的氧化區(qū)域S2中，能夠抑制焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展，并且使不與焊料區(qū)域S3鄰接的(氧化區(qū)域S2的內(nèi)側(cè)的)鍍區(qū)域S4的耐蝕性提高。
[0054]另外，在第一實(shí)施方式中，通過(guò)使焊料區(qū)域S3的外側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2 (約30 μ m以上且約60 μ m以下)小于環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4 (約80 μ m)，能夠?qū)⒑噶蠀^(qū)域S3設(shè)置在靠外側(cè)(外端部Ic側(cè))近的位置，因此，能夠確保內(nèi)側(cè)的區(qū)域(氧化區(qū)域S2和鍍區(qū)域S4)大于焊料區(qū)域S3，并且抑制氣密密封用蓋I大型化。另外，由于能夠充分確保焊料區(qū)域S3，因此能夠以寬的范圍將氣密密封用蓋I與電子部件收納部件20接合，其結(jié)果，能夠可靠地確保電子部件收納用封裝100的密封性。
[0055]另外，在第一實(shí)施方式中，通過(guò)使焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3 (約100 μ m)大于焊料區(qū)域S3的外側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2 (約30 μ m以上且約60 μ m以下)，能夠減小焊料區(qū)域S3的外側(cè)的氧化區(qū)域SI，因此，能夠相應(yīng)地抑制氣密密封用蓋I大型化。另外，由于能夠充分確保與焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)鄰接的氧化區(qū)域S2的寬度W3，因此能夠抑制焊料層30的焊料超過(guò)氧化區(qū)域S2而潤(rùn)濕擴(kuò)展到鍍區(qū)域S4。由此，能夠進(jìn)一步抑制焊料區(qū)域S3的焊料的量減少，并且能夠抑制在氣密密封用蓋I的內(nèi)側(cè)潤(rùn)濕擴(kuò)展的焊料附著于電子部件10等。
[0056]另外，在第一實(shí)施方式中，通過(guò)使焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3(約100 μ m)大于環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4 (約80 μ m)，能夠充分確保氧化區(qū)域S2的寬度W3，因此能夠有效抑制焊料層30的焊料超過(guò)氧化區(qū)域S2而潤(rùn)濕擴(kuò)展到鍍區(qū)域S4。
[0057]另外，在第一實(shí)施方式中，通過(guò)在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)，使氧化區(qū)域S2的內(nèi)側(cè)的鍍區(qū)域S4所占的平面面積大于氧化區(qū)域S2所占的平面面積，能夠增大焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)中鍍區(qū)域S4所占的范圍，因此，能夠增大Ni鍍層3被Au鍍層4覆蓋的范圍。由此，能夠在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的寬的范圍中使耐蝕性提高。
[0058]另外，在第一實(shí)施方式中，氣密密封用蓋I構(gòu)成為包括:形成于基材2的表面2a上且在氧化區(qū)域SI和S2中表面3a露出的Ni鍍層3、和在焊料區(qū)域S3和鍍區(qū)域S4中形成于Ni鍍層3的表面3a上的Au鍍層4。由此，能夠容易地將Ni鍍層3的表面3a氧化，降低氧化區(qū)域SI和S2中對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性。
[0059]另外，在第一實(shí)施方式中，在焊料區(qū)域S3中，在Ni鍍層3的表面3a上形成Au鍍層4，并且在Au鍍層4的表面上配置由Au - Sn合金的焊料構(gòu)成的焊料層30。由此，在焊料區(qū)域S3的Au鍍層4的表面上配置由包含與Au鍍層4同種的Au的Au — Sn合金的焊料構(gòu)成的焊料層30，因此，能夠進(jìn)一步使對(duì)于Au鍍層4中的焊料的潤(rùn)濕性和密合性提高。
[0060]接著，參照?qǐng)D1、圖2和圖4?圖7，對(duì)于本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋I和電子部件收納用封裝100的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0061]首先，如圖5所示，將由Fe — Ni — Co合金構(gòu)成的板狀線圈通過(guò)壓制加工進(jìn)行沖裁，制作寬度方向(X方向)上具有約1.9mm的寬度Wl (參照?qǐng)D2)、長(zhǎng)度方向(Y方向)上具有約2.4mm的長(zhǎng)度LI (參照?qǐng)D2)以及厚度方向(Z方向)上具有約0.1mm的厚度tl (參照?qǐng)D3)的由Fe — Ni — Co合金構(gòu)成的基材2。在該基材2的表面2a的整面，以約2 μ m以上且約3 μ m以下的厚度t2 (參照?qǐng)D4)形成Ni鍍層3，并且在Ni鍍層3的表面3a的整面以約0.02 μ m的厚度t3 (參照?qǐng)D4)形成Au鍍層4。
[0062]這里，在第一實(shí)施方式的制造方法中，如圖6所示，通過(guò)激光修整，在密封面Ib側(cè)的氧化區(qū)域SI和S2中，使Ni鍍層3的表面3a露出。具體而言，使用以YVO4 (四氧化釔釩，Yttrium Vanadium tera Oxide)為介質(zhì)的激光,將位于外端部Ic及其周邊、與焊料區(qū)域S3的外側(cè)鄰接的氧化區(qū)域SI的Au鍍層4以環(huán)狀除去。此時(shí)，以氧化區(qū)域SI的寬度W2 (參照?qǐng)D4)為約30 μ m以上且約60 μ m以下的方式，將Au鍍層4以環(huán)狀除去。同時(shí)，將與焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)鄰接的氧化區(qū)域S2的Au鍍層4以環(huán)狀除去。此時(shí)，以氧化區(qū)域S2的寬度W3 (參照?qǐng)D4)成為約100 μ m的方式，將Au鍍層4以環(huán)狀除去。此外，由Au鍍層4的除去而露出的Ni鍍層3的表面3a利用由激光照射產(chǎn)生的熱在短時(shí)間被氧化。由此，在氧化區(qū)域SI和S2中，Ni鍍層3的表面3a被氧化，形成氧化膜層3b。這樣操作，形成本發(fā)明的第一實(shí)施方式的氣密密封用蓋I。
[0063]這樣，使用激光，將位于外端部Ic及其周邊、與焊料區(qū)域S3的外側(cè)鄰接的氧化區(qū)域SI的Au鍍層4以環(huán)狀除去，將與焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)鄰接的氧化區(qū)域S2的Au鍍層4以環(huán)狀除去。此時(shí)，在通過(guò)Au鍍層4的除去而被露出的Ni鍍層3的表面3a以形成被氧化的氧化膜層3b的方式構(gòu)成。由此，即使在不除去Au鍍層4的部分不形成掩模等，也能夠容易地將氧化區(qū)域SI的Au鍍層4和氧化區(qū)域S2的Au鍍層4除去，并且能夠抑制由于在除去掩模時(shí)所使用的試劑而腐蝕Ni鍍層3和第Au鍍層4。此外，由于不需要另外用于使露出的Ni鍍層3的表面3a氧化的工序，因此能夠簡(jiǎn)化制造工序。
[0064]另外，通過(guò)構(gòu)成為利用由激光照射產(chǎn)生的熱在Ni鍍層3的表面3a形成被氧化的氧化膜層3b，能夠利用由激光照射產(chǎn)生的熱，容易地形成氧化膜層3b。
[0065]此外，通過(guò)使Au鍍層4的厚度t3 (約0.02 μ m)形成為小于Ni鍍層3的厚度t2 (約2 μ m以上且約3 μ m以下)，能夠利用激光將Au鍍層4容易地除去使Ni鍍層3露出，并且能夠?qū)⒂杉す庹丈洚a(chǎn)生的熱有效地用于Ni鍍層3的表面3a的氧化反應(yīng)。
[0066]接著，如圖7所示，在與氧化區(qū)域SI的內(nèi)側(cè)鄰接的環(huán)狀的焊料區(qū)域S3中，在Au鍍層4的上表面配置由含有約80質(zhì)量％的Au的Au - Sn合金構(gòu)成的焊料環(huán)30a。該焊料環(huán)30a具有比焊料區(qū)域S3的寬度W4(約80μπι)大的約100 μ m的寬度W7，并且配置為俯視時(shí)覆蓋焊料區(qū)域S3。
[0067]而且，在N2氣和H2氣氣氛中，以約280°C以上且約320°C以下的溫度使焊料環(huán)30a熔融，由此，如圖3和圖4所示，在焊料區(qū)域S3上形成具有規(guī)定厚度的焊料層30。此外，雖然沒(méi)有圖示，由于焊料區(qū)域S3上的Au鍍層4擴(kuò)散到由Au - Sn合金構(gòu)成的焊料層30中，因此實(shí)際的焊料層30成為形成在Ni鍍層3的表面3a上的結(jié)構(gòu)。
[0068]然后，如圖1所示，在配置于陶瓷基板21上的陶瓷框體22的上表面上，準(zhǔn)備依次形成有鎢層23、Ni — Co合金層24和Au層(未圖示)的電子部件收納部件20。然后，在陶瓷基板21的上表面上安裝具有凸部11的電子部件10。接著，將以上述方法形成的氣密密封用蓋I的焊料層30配置為與陶瓷框體22的上表面接觸。然后，在真空中，以約280°C以上且約310°C以下的溫度使焊料層30再次熔融，由此將氣密密封用蓋I與陶瓷框體22的上表面接合。此時(shí)，未圖示的Au層擴(kuò)散到由Au — Sn合金構(gòu)成的焊料層30中。這樣操作，形成本發(fā)明的第一實(shí)施方式的電子部件收納用封裝100。
[0069](第二實(shí)施方式)
[0070]接著，參照?qǐng)D8和圖9，說(shuō)明第二實(shí)施方式。在該第二實(shí)施方式中，對(duì)于在上述第一實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，在氣密密封用蓋201的氧化區(qū)域S2a中，在與角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域設(shè)置有突出區(qū)域S2b的例子進(jìn)行說(shuō)明。
[0071]如圖8所示，本發(fā)明的第二實(shí)施方式的氣密密封用蓋201被劃分為氧化區(qū)域S1、氧化區(qū)域S2a、焊料區(qū)域S3a和鍍區(qū)域S4的4個(gè)區(qū)域，并且在氧化區(qū)域S2a中，Au鍍層4被除去而露出Ni鍍層3的表面3a,且該露出的Ni鍍層3的表面3a被氧化而形成氧化膜層3b。其中，氧化區(qū)域S2a和焊料區(qū)域S3a分別為本發(fā)明的“第三區(qū)域”和“第一區(qū)域”的一例。
[0072]這里，在第二實(shí)施方式中，分別在與基材2的4個(gè)角部Ia對(duì)應(yīng)的、環(huán)狀的氧化區(qū)域S2a的4個(gè)區(qū)域，形成有突出區(qū)域S2b。如圖9所示，該突出區(qū)域S2b形成為比上述第一實(shí)施方式的氧化區(qū)域S2(虛線部分)更朝向角部Ia向外側(cè)(外端部Ic側(cè))突出。由此，在與4個(gè)角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域中，與氧化區(qū)域S2a的外側(cè)鄰接的焊料區(qū)域S3a形成為在與4個(gè)角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域中寬度小了相應(yīng)于氧化區(qū)域S2a擴(kuò)展到外側(cè)的部分。此時(shí)，對(duì)應(yīng)于角部Ia的區(qū)域中的焊料區(qū)域S3a的寬度W8形成為與對(duì)應(yīng)于角部Ia的區(qū)域以外的焊料區(qū)域S3a的寬度W4的長(zhǎng)度(約80 μ m)大致相同。
[0073]此外，第二實(shí)施方式的氣密密封用蓋201的其他構(gòu)成和制造方法與上述第一實(shí)施方式同樣，因此省略其說(shuō)明。
[0074]在第二實(shí)施方式中，如上所述，在焊料區(qū)域S3a的外側(cè)的氧化區(qū)域SI中，通過(guò)除去Au鍍層4，使Ni鍍層3的表面3a露出，并且將露出的Ni鍍層3的表面3a氧化，形成對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性比Au鍍層4低的氧化膜層3b。由此，能夠抑制熔融的焊料的一部分?jǐn)U展(潤(rùn)濕擴(kuò)展)到氣密密封用蓋201的外側(cè)面，因此，能夠抑制焊料區(qū)域S3a的焊料的量減少。另夕卜，劃分為位于焊料區(qū)域S3a的內(nèi)側(cè)且不與焊料區(qū)域S3a鄰接的鍍區(qū)域S4、和位于焊料區(qū)域S3a的內(nèi)側(cè)且與焊料區(qū)域S3a鄰接的氧化區(qū)域S2a，并且在焊料區(qū)域S3a的內(nèi)側(cè)中，保留不與焊料區(qū)域S3a鄰接的鍍區(qū)域S4的Au鍍層4，并且除去焊料區(qū)域S3a的內(nèi)側(cè)的Au鍍層4，由此，在氧化區(qū)域S2a使Ni鍍層3的表面3a露出，并且將露出的Ni鍍層3的表面3a氧化，形成對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性比Au鍍層4低的氧化膜層3b。由此，也能夠抑制焊料區(qū)域S3a的焊料的量減少。另外，通過(guò)保留不與焊料區(qū)域S3a鄰接的鍍區(qū)域S4的Au鍍層4，能夠在焊料區(qū)域S3a的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中的與焊料區(qū)域S3a鄰接的氧化區(qū)域S2a中，抑制焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展，并且能夠使不與焊料區(qū)域S3a鄰接的(氧化區(qū)域S2a的內(nèi)側(cè)的)鍍區(qū)域S4的耐蝕性提聞。
[0075]另外，在第二實(shí)施方式中，分別在與基材2的4個(gè)角部Ia對(duì)應(yīng)的、環(huán)狀的氧化區(qū)域S2a的4個(gè)區(qū)域，形成有朝向角部Ia向外側(cè)(外端部Ic側(cè))突出的突出區(qū)域S2b。由此，能夠增大與氣密密封用蓋201的角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的氧化區(qū)域S2a，相應(yīng)地能夠減小與氧化區(qū)域S2a的外側(cè)鄰接的焊料區(qū)域S3a。由此,能夠抑制在與焊料區(qū)域S3a的角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域大量配置焊料層30的焊料，因此，能夠抑制與角部Ia對(duì)應(yīng)的區(qū)域中的焊料的厚度大于角部Ia以外的區(qū)域中的焊料的厚度。
[0076]此外，第二實(shí)施方式的其他效果與上述第一實(shí)施方式相同。
[0077]此外，本次公開(kāi)的實(shí)施方式在所有的方面均應(yīng)當(dāng)被認(rèn)為僅用于例示，并不是限制性的內(nèi)容。本發(fā)明的范圍并不是上述實(shí)施方式的說(shuō)明而是由權(quán)利要求的范圍表示，此外，包括與權(quán)利要求的范圍均等等的意思和在范圍內(nèi)的所有變更。
[0078]例如，在上述第一和第二實(shí)施方式中，例示了為了與電子部件收納部件接合而在氣密密封用蓋形成焊料層的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，為了與電子部件收納部件接合，也可以不在氣密密封用蓋形成焊料層。此時(shí)，在將氣密密封用蓋與電子部件收納部件接合時(shí)，在焊料區(qū)域與電子部件收納部件的上表面之間配置環(huán)狀的焊料，并將焊料熔融即可。
[0079]另外，在上述第一實(shí)施方式中，例示了使焊料區(qū)域S3的外側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2 (約30 μ m以上約60 μ m以下)小于環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4 (約80 μ m)的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以將氧化區(qū)域SI的寬度W2設(shè)為焊料區(qū)域S3的寬度W4以上的大小。此時(shí)，由于能夠確保氧化區(qū)域SI較大，因此能夠更可靠地抑制在氧化區(qū)域SI中焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展，其結(jié)果，能夠進(jìn)一步抑制熔融的焊料的一部分到達(dá)氣密密封用蓋的外側(cè)面。
[0080]另外，在上述第一實(shí)施方式中，例示了使焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3 (約100 μ m)大于焊料區(qū)域S3的外側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域SI的寬度W2 (約30 μ m以上且約60μπι以下)的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以將氧化區(qū)域S2的寬度W3設(shè)為氧化區(qū)域SI的寬度W2以下的大小。此時(shí)，由于能夠確保鍍區(qū)域S4較大，因此能夠在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的寬的范圍中使耐蝕性提高。
[0081]另外，在上述第一實(shí)施方式中，例示了使焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的環(huán)狀的氧化區(qū)域S2的寬度W3(約ΙΟΟμπι)大于環(huán)狀的焊料區(qū)域S3的寬度W4(約80 μ m)的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，可以將氧化區(qū)域S2的寬度W3設(shè)為焊料區(qū)域S3的寬度W4以下的大小。此時(shí)，由于能夠確保鍍區(qū)域S4較大，因此能夠在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)的寬的范圍中使耐蝕性提聞。
[0082]另外，在上述第一實(shí)施方式中，例示了在焊料區(qū)域S3的內(nèi)側(cè)，使氧化區(qū)域S2的內(nèi)側(cè)的鍍區(qū)域S4所占的平面面積大于氧化區(qū)域S2的所占的平面面積的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以將鍍區(qū)域S4所占的平面面積為氧化區(qū)域S2所占的平面面積以下。此時(shí)，由于能夠增大氧化區(qū)域S2所占的平面面積，因此能夠進(jìn)一步抑制氧化區(qū)域S2中焊料潤(rùn)濕擴(kuò)展。
[0083]另外，在上述第一和第二實(shí)施方式中，例示了在Ni鍍層的表面形成比Ni鍍層難以氧化的Au鍍層的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以在Ni鍍層的表面形成由對(duì)于焊料的潤(rùn)濕性高的其他金屬構(gòu)成的鍍層。
[0084]另外，在上述第一和第二實(shí)施方式中，例示了焊料層30使用含有約80質(zhì)量％的Au的Au - Sn合金的焊料的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，作為焊料層的焊料，既可以使用Au的含有率在約80質(zhì)量％以外的Au — Sn合金，也可以使用Au — Sn合金以外的組成的焊料。
[0085]另外，在上述第一和第二實(shí)施方式中，例示了使用由Fe - N1- Co合金構(gòu)成的基材2的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以使用例如由Fe - Ni合金等的、Fe 一N1- Co合金以外的部件構(gòu)成的基材。此時(shí)，從能夠抑制由熱膨脹的差造成的密封性降低的方面出發(fā)，優(yōu)選基材由具有與由氧化鋁等絕緣性材料構(gòu)成的電子部件收納部件的熱膨脹系數(shù)接近的熱膨脹系數(shù)的材料構(gòu)成。
[0086]另外，在上述第一和第二實(shí)施方式中，例示了氣密密封用蓋I由矩形(四邊形)的平板構(gòu)成的例子，但本發(fā)明不限于此。本發(fā)明中，也可以構(gòu)成為由圓狀或橢圓狀、多邊形等的矩形狀以外的平板構(gòu)成氣密密封用蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種氣密密封用蓋，其在包含用于收納電子部件的電子部件收納部件的電子部件收納用封裝中使用，該氣密密封用蓋的特征在于: 具備:基材、形成于所述基材的表面上的第一鍍層和形成于所述第一鍍層的表面上的第二鍍層， 在俯視時(shí)，所述基材的表面被劃分為:經(jīng)由焊料接合所述電子部件收納部件的第一區(qū)域、位于所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不與所述第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域、位于所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且與所述第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域、和位于所述第一區(qū)域的外側(cè)且與所述第一區(qū)域鄰接的第四區(qū)域， 所述第一鍍層在所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域露出并被氧化。
2.如權(quán)利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 所述第一區(qū)域和所述第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀， 環(huán)狀的所述第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的所述第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
3.如權(quán)利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀， 環(huán)狀的所述第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的所述第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
4.如權(quán)利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀， 環(huán)狀的所述第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距大于環(huán)狀的所述第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
5.如權(quán)利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，所述第二區(qū)域所占的平面面積大于所述第三區(qū)域所占的平面面積。
6.如權(quán)利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 在俯視時(shí)，所述基材具有四邊形形狀，所述第三區(qū)域形成為環(huán)狀， 在所述第三區(qū)域的與所述基材的角部對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有向著所述角部突出的突出區(qū)域。
7.如權(quán)利要求1所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 所述第一鍍層為Ni鍍層， 所述第二鍍層為Au鍍層。
8.如權(quán)利要求7所述的氣密密封用蓋，其特征在于: 在所述第一區(qū)域的所述第二鍍層的表面上配置有由Au - Sn合金構(gòu)成的所述焊料。
9.一種電子部件收納用封裝，其特征在于: 具備氣密密封用蓋和電子部件收納件， 其中，所述氣密密封蓋包含基材、形成于所述基材的表面上的第一鍍層和形成于所述第一鍍層的表面上的第二鍍層， 在俯視時(shí)，所述基材的表面被劃分為:經(jīng)由焊料接合所述電子部件收納部件的第一區(qū)域、位于所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且不與所述第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域、位于所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)且與所述第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域、和位于所述第一區(qū)域的外側(cè)且與所述第一區(qū)域鄰接的第四區(qū)域， 所述第一鍍層在所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域露出并被氧化； 所述電子部件收納部件由所述氣密密封用蓋密封，收納電子部件。
10.如權(quán)利要求9所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 所述第一區(qū)域和所述第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀， 環(huán)狀的所述第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的所述第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
11.如權(quán)利要求9所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀， 環(huán)狀的所述第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于環(huán)狀的所述第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
12.如權(quán)利要求9所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 所述第一區(qū)域和所述第三區(qū)域在俯視時(shí)形成為環(huán)狀， 環(huán)狀的所述第三區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距大于環(huán)狀的所述第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距。
13.如權(quán)利要求9所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，所述第二區(qū)域所占的平面面積大于所述第三區(qū)域所占的平面面積。
14.如權(quán)利要求9所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 在俯視時(shí)，所述基材具有四邊形形狀，所述第三區(qū)域形成為環(huán)狀， 在所述第三區(qū)域的與所述基材的角部對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成有向著所述角部突出的突出區(qū)域。
15.如權(quán)利要求9所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 所述第一鍍層為Ni鍍層， 所述第二鍍層為Au鍍層。
16.如權(quán)利要求15所述的電子部件收納用封裝，其特征在于: 在所述第一區(qū)域的所述第二鍍層的表面上配置有由Au - Sn合金構(gòu)成的所述焊料。
17.—種氣密密封用蓋的制造方法，該氣密密封用蓋在包含用于收納電子部件的電子部件收納部件的電子部件收納用封裝中使用，該氣密密封用蓋的制造方法的特征在于，具備: 準(zhǔn)備基材的工序； 在所述基材的表面上形成第一鍍層的工序； 在所述第一鍍層的表面上形成第二鍍層的工序；和 經(jīng)由焊料接合所述電子部件收納部件的第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)的區(qū)域中，保留不與所述第一區(qū)域鄰接的第二區(qū)域的所述第二鍍層，并且使用激光除去與所述第一區(qū)域鄰接的第三區(qū)域的所述第二鍍層，使用激光除去所述第一區(qū)域的外側(cè)的第四區(qū)域的所述第二鍍層，由此，使所述第三區(qū)域和所述第四區(qū)域的所述第一鍍層的表面露出，并且使露出的所述第一鍍層的表面氧化的工序。
18.如權(quán)利要求17所述的氣密密封用蓋的制造方法，其特征在于: 使所述第一鍍層的表面露出并且使露出的所述第一鍍層的表面氧化的工序包括:利用由激光照射產(chǎn)生的熱，使露出的所述第一鍍層的表面氧化的工序。
19.如權(quán)利要求17所述的氣密密封用蓋的制造方法，其特征在于: 形成所述第二鍍層的工序包括:以使所述第二鍍層的厚度小于所述第一鍍層的厚度的方式形成所述第二鍍層的工序。
20.如權(quán)利要求17所述的氣密密封用蓋的制造方法，其特征在于: 使所述第一鍍層的表面露出并且使露出的所述第一鍍層的表面氧化的工序包括:利用激光除去與所述第一區(qū)域的內(nèi)側(cè)鄰接的所述第三區(qū)域的所述第二鍍層和所述第一區(qū)域的外側(cè)的所述第四區(qū)域的所述第二鍍層，由此，以所述第四區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距小于所述第一區(qū)域中的外周緣與內(nèi)周緣的間距的方式，將所述第一區(qū)域和所述第四區(qū)域形成為在俯視時(shí)為環(huán)狀的工序。
【文檔編號(hào)】H01L23/02GK104517908SQ201410513866
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月29日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月3日
【發(fā)明者】長(zhǎng)友和也, 淺田賢 申請(qǐng)人:日立金屬株式會(huì)社