一種lcos微顯示驅(qū)動面板制備方法
【專利摘要】本發(fā)明適用于微顯示驅(qū)動面板制備工藝領(lǐng)域，提供了一種微顯示驅(qū)動面板制備方法，所述方法包括：硅襯底及集成電路器件制備；通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD方法生長介質(zhì)；對所述介質(zhì)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光CMP；鋁布線步驟；刻通孔；濺射Ti/TiN和鎢，反刻鎢，形成鎢塞；制備鏡面反射電極；制備薄盒，灌裝液晶。本發(fā)明提供的LCOS微顯示驅(qū)動面板制備工藝具有如下有益效果：本發(fā)明用銀代替鋁制備鏡面反射電極，提高了鏡面反射電極反射率和抗氧化性，另外，亦可降低由于鋁刻蝕工藝所形成的臺階高度。
【專利說明】-種LCOS微顯示驅(qū)動面板制備方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于微顯示驅(qū)動面板制備工藝領(lǐng)域，尤其涉及一種LC0S微顯示驅(qū)動面板 制備方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 娃基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LC0S)是一種液晶顯示器（LCD)的新興 技術(shù)，是由Aurora Systems融合半導(dǎo)體CMOS集成電路與液晶兩項技術(shù)的優(yōu)勢，于2000年 開發(fā)出的一種高分辨率，低價格，反射式新型顯示技術(shù)。它是一種將LCD直接制于單晶硅片 上的新型液晶顯示器件。單晶硅片上可將LCD的有源矩陣薄膜晶體管（AMTFT)，外部驅(qū)動電 路及控制電路等全部制于上面，以此作為LCD的一塊基板，與另一塊作為公共電極的涂上 透明導(dǎo)電層的玻璃基板共同封接成一個薄盒，注入液晶即可制成硅基液晶顯示器件。
[0003] LC0S具有智能化、引線少、體積小、像素開口率高、分辨率高、光利用率高、顯示方 式多樣化、易于實現(xiàn)彩色化、投資少、利于大批量生產(chǎn)等優(yōu)點。同時又需要特殊的材料、工 藝、設(shè)計、檢測及配套等關(guān)鍵技術(shù)，提高了 LC0S微顯示技術(shù)的難度。
[0004] LC0S為反射型顯示器件，外部強(qiáng)光源透過液晶層，照射到鏡面反射電極上，經(jīng)鏡面 電極反射入人眼，利用液晶層兩端電壓控制液晶層的透明度來控制反射出液晶層的光線的 強(qiáng)度，實現(xiàn)灰度調(diào)制功能。由此可見，鏡面反射電極對于LC0S非常關(guān)鍵。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的目的包括提供一種LC0S微顯示驅(qū)動面板制備方法。LC0S像素區(qū)域鏡面 反射電極一般采用鋁來制備，但是鋁暴露在空氣中極易氧化，反射率大大降低，并且光刻時 為了降低鋁膜反光對光刻精度的影響，往往須在鋁膜表面再做一層TiN，進(jìn)一步降低了表面 反射率；另一方面，LC0S微顯示的特點要求硅片表面平整度要高，標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中鋁膜厚 度一般在5000人，則刻蝕鋁所形成的臺階至少也是5000人，如果降低鋁的厚度，則其工藝 與標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝不兼容。本發(fā)明旨在解決上述技術(shù)問題。
[0006] 本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的，一種LC0S微顯示驅(qū)動面板制備工 藝，包括以下步驟：
[0007] ?硅襯底及集成電路器件制備；
[0008] · PECVD (等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）方法生長介質(zhì)；
[0009] · CMP (化學(xué)機(jī)械拋光）；
[0010] ?鋁布線步驟；
[0011] ?刻通孔；
[0012] ?濺射Ti/TiN和鶴，反刻鶴，形成鎢塞；
[0013] ?制備鏡面反射電極；
[0014] ?制備薄盒，灌裝液晶。
[0015] 在另一個實施方案中，進(jìn)一步包括鍵合引出電路管腳以及成品測試的步驟。
[0016] 在又一個實施方案中，所述鏡面反射電極通過像素表面蒸發(fā)形成。
[0017] 優(yōu)選地，所述鏡面反射電極采用銀來制作。
[0018] 在一個實施方案中，所述制備鏡面反射電極的步驟具體為依次進(jìn)行光刻、蒸銀、剝 離銀。
[0019] 在一個優(yōu)選的實施方案中，其包括以下工藝步驟：
[0020] (1)硅襯底及集成電路器件制備；
[0021] (2) PECVD (等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）方法生長介質(zhì)一；
[0022] (3) CMP (化學(xué)機(jī)械拋光），保證硅片表面平整度；
[0023] (4)光刻并刻蝕接觸孔；
[0024] (5)濺射鋁并光刻、刻蝕，形成一鋁布線；
[0025] (6) PECVD 介質(zhì)二
[0026] (7) CMP ；
[0027] (8)刻一次通孔；
[0028] (9)二鋁布線；
[0029] (lO)PEECVD 介質(zhì)三
[0030] (ll)CMP ；
[0031] (12)刻二次通孔；
[0032] (13)濺射Ti/TiN和鶴，反刻鶴，形成鎢塞；
[0033] (14)蒸銀；
[0034] (15)剝離銀，形成銀反射電極；
[0035] (16)制備薄盒，灌裝液晶；
[0036] (17)鍵合引出電路管腳；
[0037] (18)成品測試。
[0038] 本發(fā)明提供的LC0S微顯示驅(qū)動面板制備工藝具有如下有益效果：本發(fā)明用銀代 替鋁制備鏡面反射電極，提高了鏡面反射電極反射率和抗氧化性，另外，亦可降低由于鋁刻 蝕工藝所形成的臺階高度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0039] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述 中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些 實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些 附圖獲得其他的附圖。
[0040] 圖1是本發(fā)明實施例提供的LC0S未顯示驅(qū)動面板制備方法的流程圖；
[0041] 圖2是本發(fā)明實施例提供的AFM測試所得像素區(qū)域表面形貌示意圖。

【具體實施方式】
[0042] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實施例，對 本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并 不用于限定本發(fā)明。
[0043] 為了說明本發(fā)明所述的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來進(jìn)行說明。
[0044] 鋁電極是集成電路制造的標(biāo)準(zhǔn)工藝，但是鋁電極反射率低，暴露在空氣中極易氧 化，并且光刻時為了降低鋁膜反光對光刻精度的影響，往往須在鋁膜表面再做一層TiN，降 低表面反射率；LC0S微顯示的特點要求硅片表面平整度要高，標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝中鋁膜厚度一 般在50GG人，則刻蝕鋁所形成的臺階至少也是5000人，如果降低鋁的厚度，則其工藝與標(biāo) 準(zhǔn)CMOS工藝不兼容。因此我們采用銀來制作反射電極。銀工藝不是集成電路制造的標(biāo)準(zhǔn) 工藝，會污染超凈間，因此銀電極的形成不能采取在超凈間刻蝕的方法，而應(yīng)單獨(dú)加工，我 們采取圖1第（8)步中光刻、蒸銀、剝離銀的方法制成反射鏡面電極。
[0045] 實施例一
[0046] (1)工藝設(shè)計
[0047] 為了保證像素表面的平整度，在標(biāo)準(zhǔn)鋁布線CMOS工藝的基礎(chǔ)上，增加了 CMP工藝， 保證了介質(zhì)表面的平整度，工藝步驟如下：
[0048] 硅襯底及集成電路器件制備；
[0049] PECVD (等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）方法生長介質(zhì)一；
[0050] CMP (化學(xué)機(jī)械拋光），保證硅片表面平整度；
[0051] 光刻并刻蝕接觸孔；
[0052] 濺射鋁并光刻、刻蝕，形成一鋁布線；
[0053] PECVD 介質(zhì)二
[0054] CMP ；
[0055] 刻一次通孔；
[0056] 二鋁布線；
[0057] PEECVD 介質(zhì)三
[0058] CMP ；
[0059] 刻二次通孔；
[0060] 濺射Ti/TiN和鎢，反刻鎢，形成鎢塞；
[0061] 蒸銀；
[0062] 剝離銀，形成銀反射電極；
[0063] 制備薄盒，灌裝液晶；
[0064] 鍵合引出電路管腳；
[0065] 成品測試。
[0066] 圖1給出了 LC0S微顯示驅(qū)動面板制備方法的具體流程圖，圖中（2)、⑷、（6)步驟 確?？潭瓮字肮杵砻娴钠秸龋冢?)步保留了大面積的TiN，一方面保護(hù)二次通 孔不會在反刻鎢塞的時候受到破壞；另一方面由于TiN與Ag的粘附性能大于Si02與Ag， 保留大面積的TiN可以防止剝離Ag的時候Ag出現(xiàn)脫落。
[0067] (2)實驗結(jié)果
[0068] 按照上述工藝步驟制備出LC0S驅(qū)動芯片，利用AFM(原子力顯微鏡）測試像素區(qū) 域表面平整度。圖2為像素區(qū)域表面形貌示意，其中深度方向的尺度進(jìn)行了放大，方便我們 直觀理解表面起伏狀況，實際表面形貌則要比示意圖緩和得多。
[0069] 本發(fā)明公開的所有范圍是包含性和可組合的。盡管參照一個或多個優(yōu)選的實施方 案描述了本發(fā)明，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解進(jìn)行多種變化/變式是可行的，而且要素可以 被其等價物替換而不背離本發(fā)明的范圍。此外，可以將具體的情況或材料適用于本發(fā)明的 教導(dǎo)來作出許多變化，而不背離其基本范圍。因此，不應(yīng)將本發(fā)明限制為作為實施本發(fā)明之 優(yōu)選實施方式公開的具體實施方案，本發(fā)明將包括所有落入所附權(quán)利要求范圍中的全部實 施方案。
【權(quán)利要求】
1. 一種LCOS微顯示驅(qū)動面板制備方法，其特征在于，所述制備方法包括： 硅襯底及集成電路器件制備； 通過等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積PECVD方法生長介質(zhì)； 對所述介質(zhì)進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光CMP ; 鋁布線步驟； 刻通孔； 濺射Ti/TiN和鎢，反刻鎢，形成鎢塞； 制備鏡面反射電極； 制備薄盒，灌裝液晶。
2. 如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述方法還包括：鍵合引出電路管腳以 及成品測試的步驟。
3. 如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鏡面反射電極通過像素表面蒸發(fā) 形成。
4. 如權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鏡面反射電極的制備材料為銀。
5. 如權(quán)利要求4所述的制備方法，其特征在于，所述制備鏡面反射電極的步驟具體為 依次進(jìn)行光刻、蒸銀、剝離銀。
6. 如權(quán)利要求1-5任一項所述的制備方法，其特征在于，所述方法包括以下工藝步驟： (1) 硅襯底及集成電路器件制備； (2) PECVD (等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積）方法生長介質(zhì)一； (3) CMP (化學(xué)機(jī)械拋光），保證硅片表面平整度； (4) 光刻并刻蝕接觸孔； (5) 濺射鋁并光刻、刻蝕，形成一鋁布線； (6) PECVD 介質(zhì)二； (7) CMP ； (8) 刻一次通孔； (9) 二鋁布線； (10) PEECVD 介質(zhì)三； (11) CMP ； (12) 刻二次通孔。 (13) 濺射Ti/TiN和鎢，反刻鎢，形成鎢塞； (14) 蒸銀； (15) 剝離銀，形成銀反射電極； (16) 制備薄盒，灌裝液晶； (17) 鍵合引出電路管腳； (18) 成品測試。
【文檔編號】H01L21/02GK104269346SQ201410459151
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2014年9月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月10日
【發(fā)明者】杜寰 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所