Tft背板結(jié)構(gòu)及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法。該TFT背板結(jié)構(gòu)具有開關(guān)TFT(T1)與驅(qū)動TFT(T2)，所述開關(guān)TFT(T1)由第一源\漏極(61)、第一柵極(21)及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層(51)、第一氧化物半導體層(41)與第一柵極絕緣層(31)構(gòu)成，所述驅(qū)動TFT(T2)由第二源\漏極(62)、第二柵極(22)及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層(52)、第二氧化物半導體層(42)與第二柵極絕緣層(32)構(gòu)成驅(qū)動TFT(T2)，所述第一柵極絕緣層(21)與第二柵極絕緣層(22)的材料不同或厚度不同，從而所述開關(guān)TFT(T1)與所述驅(qū)動TFT(T2)的電特性不同。
【專利說明】TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法

【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領域】，尤其涉及一種TFT背板結(jié)構(gòu)及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]平面顯示器件具有機身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點，得到了廣泛的應用?，F(xiàn)有的平面顯示器件主要包括液晶顯示器件(Liquid Crystal Display, IXD)及有機電致發(fā)光顯不器件(Organic Light Emitting Display, OLED)。
[0003]OLED由于同時具備自發(fā)光，不需背光源、對比度高、厚度薄、視角廣、反應速度快、可用于柔性顯示、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性，被認為是下一代平面顯示技術(shù)的主流。
[0004]薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)是平面顯示裝置的重要組成部分。由于TFT可形成在玻璃基板或塑料基板上，所以它們通常作為開關(guān)裝置和驅(qū)動裝置用在諸如LCD、0LED、電泳顯示裝置(EPD)上。
[0005]氧化物半導體TFT技術(shù)是當前的熱門技術(shù)。由于氧化物半導體具有較高的電子遷移率，而且相比低溫多晶硅(LTPS)，氧化物半導體制程簡單，與非晶硅制程相容性較高，在OLED大尺寸面板的生產(chǎn)中得到了廣泛的應用，具有良好的應用發(fā)展前景。
[0006]現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板結(jié)構(gòu)中，應用較多且發(fā)展較為成熟的有包括蝕刻阻擋層的結(jié)構(gòu)、背溝道蝕刻結(jié)構(gòu)、共平面型結(jié)構(gòu)等，這些結(jié)構(gòu)各有優(yōu)缺點，如包括蝕刻阻擋層的結(jié)構(gòu)由于具有蝕刻阻擋層來保護氧化物半導體層，穩(wěn)定性較好，但是制作蝕刻阻擋層需要多一道光罩，且耦合電容較大，不利于良率的提升與成本的下降；背溝道蝕刻結(jié)構(gòu)與共平面型結(jié)構(gòu)在制作過程中可以少一道光罩，節(jié)約成本，且相應的耦合電容也較小，更具有競爭力和發(fā)展前景，但是目前該兩種結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性還有待提升。
[0007]進一步的，現(xiàn)有的氧化物半導體TFT背板一般都包括一開關(guān)TFT、及一驅(qū)動TFT。在傳統(tǒng)制程中，通常開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT采用同樣的制程同時形成，沒有因為功能的不同而做出差異化的處理，因此開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有同樣的結(jié)構(gòu)和同樣的電特性，如同樣的導通電流(1n)、閾值電壓(Vth)、亞閾值擺幅(S.S)等，但在實際使用過程中對開關(guān)TFT和驅(qū)動TFT的電特性要求是不一樣的，一般來說，希望開關(guān)TFT能有較小的S.S來達到快速充放電的目的，而希望驅(qū)動TFT的S.S稍大，可以更精確的控制電流及灰階。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明的目的在于提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)，能夠差異化開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT，使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有不同的電特性，以提高TFT背板的性能。
[0009]本發(fā)明的目的還在于提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，通過該方法能夠制作出具有不同電特性的開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT，提高TFT背板的性能。
[0010]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)，包括一基板、位于該基板上的相互間隔的第一柵極與第二柵極、位于所述基板與第一柵極上的第一柵極絕緣層、位于所述基板與第二柵極上的第二柵極絕緣層、于所述第一柵極正上方位于所述第一柵極絕緣層上的第一氧化物半導體層、于所述第二柵極正上方位于所述第二柵極絕緣層上的第二氧化物半導體層、位于所述第一氧化物半導體層上的第一蝕刻阻擋層、位于所述第二氧化物半導體層上的第二蝕刻阻擋層、位于所述第一柵極絕緣層與第一蝕刻阻擋層上的第一源\漏極、位于所述第二柵極絕緣層與第二蝕刻阻擋層上的第二源\漏極、位于所述第一、第二源\漏極上的保護層、及位于所述保護層上的像素電極；所述第一源\漏極搭接第一氧化物半導體層與第二柵極，所述第二源\漏極搭接第二氧化物半導體層，所述像素電極搭接所述第二源\漏極；所述第一源\漏極、第一柵極及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層、第一氧化物半導體層與第一柵極絕緣層構(gòu)成開關(guān)TFT，所述第二源\漏極、第二柵極及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層、第二氧化物半導體層與第二柵極絕緣層構(gòu)成驅(qū)動TFT，所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層構(gòu)造不同，從而所述開關(guān)TFT與所述驅(qū)動TFT的電特性不同。
[0011]所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層的材料不同。
[0012]當所述第一柵極絕緣層的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層的材料為Al2O3 ；
[0013]當所述第一柵極絕緣層的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層的材料為SiNx ；
[0014]當所述第一柵極絕緣層的材料為Al2O3，所述第二柵極絕緣層的材料為SiNx與S1x的混合物。
[0015]所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層的厚度不同。
[0016]所述第一柵極絕緣層的厚度為2000A，而所述第二柵極絕緣層的厚度為4000A。
[0017]本發(fā)明還提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0018]步驟1、提供一基板，并在該基板上沉積第一金屬膜，圖案化該第一金屬膜，形成相互間隔的第一柵極與第二柵極；
[0019]步驟2、在所述基板與第一柵極上形成第一柵極絕緣層，在所述基板與第二柵極上形成第二柵極絕緣層；
[0020]所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層構(gòu)造不同；
[0021]步驟3、在所述第一、第二柵極絕緣層上沉積氧化物半導體膜，圖案化該氧化物半導體膜，形成第一氧化物半導體層、第二氧化物半導體層；
[0022]步驟4、在所述第一、第二氧化物半導體層與第一、第二柵極絕緣層上沉積蝕刻阻擋膜，圖案化該蝕刻阻擋膜，形成第一蝕刻阻擋層、第二蝕刻阻擋層；
[0023]步驟5、在所述第一、第二蝕刻阻擋層與第一、第二柵極絕緣層上沉積第二金屬膜，圖案化該第二金屬膜，形成第一源\漏極第二源\漏極；
[0024]所述第一源\漏極搭接第一氧化物半導體層與第二柵極，所述第二源\漏極搭接第二氧化物半導體層；
[0025]步驟6、在所述第一、第二源\漏極上形成保護層；
[0026]步驟7、在所述保護層上形成像素電極；
[0027]所述像素電極搭接所述第二源\漏極。
[0028]所述步驟2采用兩道光罩分別形成第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層的材料不同。
[0029]當所述第一柵極絕緣層的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層的材料為Al2O3 ；
[0030]當所述第一柵極絕緣層的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層的材料為SiNx ；
[0031]當所述第一柵極絕緣層的材料為Al2O3，所述第二柵極絕緣層的材料為SiNx與S1x的混合物。
[0032]所述步驟2采用一道半色調(diào)光罩形成第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層，所述第一柵極絕緣層與第二柵極絕緣層的厚度不同。
[0033]所述第一柵極絕緣層的厚度為2000A，而所述第二柵極絕緣層的厚度為4000A。
[0034]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)，通過設置不同材料或不同厚度的第一、第二柵極絕緣層來差異化開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT，使開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅以快速充放電，驅(qū)動TFT具有相對較大的亞閾值擺幅以更精確的控制電流和灰階，從而使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有不同的電特性，提高TFT背板的性能。本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，將第一、第二柵極絕緣層制作為具有不同的材料或不同的厚度，能夠使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的電特性不同，提高TFT背板的性能。
[0035]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0037]附圖中，
[0038]圖1為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)第一實施例的剖面示意圖；
[0039]圖2為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)第二實施例的剖面示意圖；
[0040]圖3為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)第二實施例中開關(guān)TFT的電特性圖；
[0041 ]圖4為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)第二實施例中驅(qū)動TFT的電特性圖；
[0042]圖5為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的流程圖；
[0043]圖6為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟I的示意圖；
[0044]圖7為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2 —種實施方式的示意圖；
[0045]圖8為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟2另一種實施方式的示意圖；
[0046]圖9為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟3的示意圖；
[0047]圖10為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟4的示意圖；
[0048]圖11為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟5的示意圖；
[0049]圖12為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟6的示意圖；
[0050]圖13為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法的步驟7的示意圖。

【具體實施方式】
[0051]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0052]請參閱圖1，為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的第一實施例，該TFT背板結(jié)構(gòu)包括一基板1、位于該基板I上的相互間隔的第一柵極21與第二柵極22、位于所述基板I與第一柵極21上的第一柵極絕緣層31、位于所述基板I與第二柵極22上的第二柵極絕緣層32、于所述第一柵極21正上方位于所述第一柵極絕緣層31上的第一氧化物半導體層41、于所述第二柵極22正上方位于所述第二柵極絕緣層32上的第二氧化物半導體層42、位于所述第一氧化物半導體層41上的第一蝕刻阻擋層51、位于所述第二氧化物半導體層42上的第二蝕刻阻擋層52、位于所述第一柵極絕緣層31與第一蝕刻阻擋層51上的第一源\漏極61、位于所述第二柵極絕緣層332與第二蝕刻阻擋層52上的第二源\漏極62、位于所述第一、第二源\漏極61、62上的保護層7、及位于所述保護層7上的像素電極8。
[0053]所述第一柵極21與第二柵極22均由同一第一金屬膜經(jīng)圖案化形成。所述第一氧化物半導體層41與第二氧化物半導體層42均由同一氧化物半導體膜經(jīng)圖案化形成。所述第一蝕刻阻擋層51與第二蝕刻阻擋層52均由同一蝕刻阻擋膜經(jīng)圖案化形成。所述第一源\漏極61與第二源\漏極62均由同一第二金屬膜經(jīng)圖案化形成。所述第一柵極絕緣層21與第二柵極絕緣層22構(gòu)造不同。
[0054]所述第一源\漏極61搭接第一氧化物半導體層41與第二柵極22 ;所述第二源\漏極62搭接第二氧化物半導體層42 ;所述像素電極8搭接所述第二源\漏極62。
[0055]所述第一源\漏極61、第一柵極21及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層51、第一氧化物半導體層41與第一柵極絕緣層31構(gòu)成開關(guān)TFT Tl ;所述第二源\漏極62、第二柵極22及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層52、第二氧化物半導體層42與第二柵極絕緣層32構(gòu)成驅(qū)動TFT T2。
[0056]在該第一實施例中，所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32的厚度相同而材料不同，形成所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32各需一道光罩。具體的，所述第一柵極絕緣層31的材料為S1x，而所述第二柵極絕緣層32的材料為Al2O3 ;或者所述第一柵極絕緣層31的材料為S1x，而所述第二柵極絕緣層32的材料為SiNx ;再或者所述第一柵極絕緣層31的材料為Al2O3，而所述第二柵極絕緣層32的材料為SiNx與S1x的混合物。
[0057]進一步的，所述第一、第二氧化物半導體層41、42均為銦鎵鋅氧化物(IGZO)半導體層；所述像素電極8為氧化銦錫(ITO)像素電極。
[0058]由于構(gòu)成所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32的材料不同，導致開關(guān)TFTTl與驅(qū)動TFT T2存在差異化，使得開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2的電特性不同:開關(guān)TFT Tl具有較小的亞閾值擺幅S.S，能夠快速充放電；驅(qū)動TFT T2則具有相對較大的亞閾值擺幅
S.S，能夠更精確的控制電流和灰階，因此該TFT背板結(jié)構(gòu)更貼合實際使用的需要，提高了TFT背板的性能。
[0059]請參閱圖2，為本發(fā)明TFT背板結(jié)構(gòu)的第二實施例，其與第一實施例的區(qū)別在于，所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32的材料相同而厚度不同，形成所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32僅需一道半色調(diào)光罩。具體的，所述第一柵極絕緣層31的厚度為2000A，而所述第二柵極絕緣層32的厚度為4000A。其它與第一實施例相同，此處不再贅述。
[0060]如圖3、圖4所示，針對上述第二實施例，構(gòu)成所述開關(guān)TFT Tl的第一柵極絕緣層31的厚度為2000A，該開關(guān)TFT Tl的亞閾值擺幅S.S為0.1 ;而構(gòu)成所述驅(qū)動TFT T2的第二柵極絕緣層32的厚度為4000A，該驅(qū)動TFT T2的亞閾值擺幅S.S大于0.4。由此可見，所述開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2存在明顯的差異化，開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2的電特性明顯不同:開關(guān)TFT Tl具有較小的亞閾值擺幅S.S，能夠快速充放電；驅(qū)動TFT T2則具有相對較大的亞閾值擺幅S.S，能夠更精確的控制電流和灰階，因此該TFT背板結(jié)構(gòu)更貼合實際使用的需要，提高了 TFT背板的性能。
[0061]請參閱圖5，本發(fā)明還提供一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，包括如下步驟:
[0062]步驟1、如圖6所示，提供一基板1，并在該基板I上沉積第一金屬膜，圖案化該第一金屬膜，形成相互間隔的第一柵極21與第二柵極22。
[0063]步驟2、在所述基板I與第一柵極21上形成第一柵極絕緣層31，在所述基板I與第二柵極22上形成第二柵極絕緣層32 ;所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32構(gòu)造不同。
[0064]具體的，該步驟2的實施方式可如圖7所示，采用兩道光罩分別形成第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32，所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32的材料不同。進一步的，所述第一柵極絕緣層31的材料為S1x，而所述第二柵極絕緣層32的材料為Al2O3 ；或者所述第一柵極絕緣層31的材料為S1x，而所述第二柵極絕緣層32的材料為SiNx ;再或者所述第一柵極絕緣層31的材料為Al2O3，而所述第二柵極絕緣層32的材料為SiNx與S1x的混合物。
[0065]該步驟2的實施方式也可如圖8所示，采用一道半色調(diào)光罩形成第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32，所述第一柵極絕緣層31與第二柵極絕緣層32的厚度不同。進一步的，所述第一柵極絕緣層31的厚度為2000A，而所述第二柵極絕緣層32的厚度為4000A。
[0066]步驟3、如圖9所示，在所述第一、第二柵極絕緣層31、32上沉積氧化物半導體膜，圖案化該氧化物半導體膜，形成第一氧化物半導體層41、第二氧化物半導體層42。
[0067]具體的，所述第一、第二氧化物半導體層41、42均為IGZO半導體層。
[0068]步驟4、如圖10所示，在所述第一、第二氧化物半導體層41、42與第一、第二柵極絕緣層31、32上沉積蝕刻阻擋膜，圖案化該蝕刻阻擋膜，形成第一蝕刻阻擋層51、第二蝕刻阻擋層52。
[0069]步驟5、如圖11所示，在所述第一、第二蝕刻阻擋層51、52與第一、第二柵極絕緣層31、32上沉積第二金屬膜，圖案化該第二金屬膜，形成第一源\漏極61、第二源\漏極62。
[0070]所述第一源\漏極61搭接第一氧化物半導體層41與第二柵極22，所述第二源\漏極62搭接第二氧化物半導體層42。
[0071]該步驟5完成后，所述第一源\漏極61、第一柵極21及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層51、第一氧化物半導體層41與第一柵極絕緣層31構(gòu)成開關(guān)TFT Tl，所述第二源\漏極62、第二柵極22及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層52、第二氧化物半導體層42與第二柵極絕緣層32構(gòu)成驅(qū)動TFT T2。
[0072]步驟6、如圖12所示，在所述第一、第二源\漏極61、62上形成保護層7。
[0073]步驟7、如圖13所示，在所述保護層7上形成像素電極8。
[0074]所述像素電極8搭接所述第二源\漏極62。
[0075]具體的，所述像素電極8為ITO像素電極。
[0076]由于該方法將所述第一、第二柵極絕緣層31、32制作為具有不同的材料或不同的厚度，使得所述開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2存在差異化，開關(guān)TFT Tl與驅(qū)動TFT T2的電特性不同:開關(guān)TFT Tl具有較小的亞閾值擺幅S.S，能夠快速充放電；驅(qū)動TFT T2則具有相對較大的亞閾值擺幅S.S，能夠更精確的控制電流和灰階，從而提高TFT背板的性能。
[0077]綜上所述，本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)，通過設置不同材料或不同厚度的第一、第二柵極絕緣層來差異化開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT，使開關(guān)TFT具有較小的亞閾值擺幅以快速充放電，驅(qū)動TFT具有相對較大的亞閾值擺幅以更精確的控制電流和灰階，從而使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT具有不同的電特性，提高TFT背板的性能。本發(fā)明的一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，將第一、第二柵極絕緣層制作為具有不同的材料或不同的厚度，能夠使開關(guān)TFT與驅(qū)動TFT的電特性不同，提高TFT背板的性能。
[0078]以上所述，對于本領域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應的改變和變形，而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT背板結(jié)構(gòu),其特征在于,包括一基板(I)、位于該基板(I)上的相互間隔的第一柵極(21)與第二柵極(22)、位于所述基板(I)與第一柵極(21)上的第一柵極絕緣層(31)、位于所述基板(I)與第二柵極(22)上的第二柵極絕緣層(32)、于所述第一柵極(21)正上方位于所述第一柵極絕緣層(31)上的第一氧化物半導體層(41)、于所述第二柵極(22)正上方位于所述第二柵極絕緣層(32)上的第二氧化物半導體層(42)、位于所述第一氧化物半導體層(41)上的第一蝕刻阻擋層(51)、位于所述第二氧化物半導體層(42)上的第二蝕刻阻擋層(52)、位于所述第一柵極絕緣層(31)與第一蝕刻阻擋層(51)上的第一源\漏極(61)、位于所述第二柵極絕緣層(32)與第二蝕刻阻擋層(52)上的第二源\漏極(62)、位于所述第一、第二源\漏極(61、62)上的保護層(7)、及位于所述保護層(7)上的像素電極(8);所述第一源\漏極￠1)搭接第一氧化物半導體層(41)與第二柵極(22)，所述第二源\漏極￠2)搭接第二氧化物半導體層(42)，所述像素電極(8)搭接所述第二源\漏極￠2);所述第一源\漏極(61)、第一柵極(21)及夾在二者之間的第一蝕刻阻擋層(51)、第一氧化物半導體層(41)與第一柵極絕緣層(31)構(gòu)成開關(guān)TFT (Tl)，所述第二源\漏極(62)、第二柵極(22)及夾在二者之間的第二蝕刻阻擋層(52)、第二氧化物半導體層(42)與第二柵極絕緣層(32)構(gòu)成驅(qū)動TFT (T2)，所述第一柵極絕緣層(21)與第二柵極絕緣層(22)構(gòu)造不同，從而所述開關(guān)TFT(Tl)與所述驅(qū)動TFT(T2)的電特性不同。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)的材料不同。
3.如權(quán)利要求2所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，當所述第一柵極絕緣層(31)的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層(32)的材料為Al2O3; 當所述第一柵極絕緣層(31)的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層(32)的材料為SiNx ； 當所述第一柵極絕緣層(31)的材料為Al2O3，所述第二柵極絕緣層(32)的材料為SiNx與S1x的混合物。
4.如權(quán)利要求1所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)的厚度不同。
5.如權(quán)利要求4所述的TFT背板結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一柵極絕緣層(31)的厚度為2000A，而所述第二柵極絕緣層(32)的厚度為4000A。
6.一種TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一基板(1)，并在該基板(I)上沉積第一金屬膜，圖案化該第一金屬膜，形成相互間隔的第一柵極(21)與第二柵極(22)； 步驟2、在所述基板(I)與第一柵極(21)上形成第一柵極絕緣層(31)，在所述基板(I)與第二柵極(22)上形成第二柵極絕緣層(32)； 所述第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)構(gòu)造不同； 步驟3、在所述第一、第二柵極絕緣層(31、32)上沉積氧化物半導體膜，圖案化該氧化物半導體膜，形成第一氧化物半導體層(41)、第二氧化物半導體層(42)； 步驟4、在所述第一、第二氧化物半導體層(41、42)與第一、第二柵極絕緣層(31、32)上沉積蝕刻阻擋膜，圖案化該蝕刻阻擋膜，形成第一蝕刻阻擋層(51)、第二蝕刻阻擋層(52)； 步驟5、在所述第一、第二蝕刻阻擋層(51、52)與第一、第二柵極絕緣層(31、32)上沉積第二金屬膜，圖案化該第二金屬膜，形成第一源\漏極￠1)第二源\漏極(62)； 所述第一源\漏極￠1)搭接第一氧化物半導體層(41)與第二柵極(22)，所述第二源\漏極出2)搭接第二氧化物半導體層(42)； 步驟6、在所述第一、第二源\漏極(61、62)上形成保護層(7)； 步驟7、在所述保護層(7)上形成像素電極(8)； 所述像素電極(8)搭接所述第二源\漏極(62)。
7.如權(quán)利要求6所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟2采用兩道光罩分別形成第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)，所述第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)的材料不同。
8.如權(quán)利要求7所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，當所述第一柵極絕緣層(31)的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層(32)的材料為Al2O3; 當所述第一柵極絕緣層(31)的材料為S1x，所述第二柵極絕緣層(32)的材料為SiNx ； 當所述第一柵極絕緣層(31)的材料為Al2O3，所述第二柵極絕緣層(32)的材料為SiNx與S1x的混合物。
9.如權(quán)利要求6所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述步驟2采用一道半色調(diào)光罩形成第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)，所述第一柵極絕緣層(31)與第二柵極絕緣層(32)的厚度不同。
10.如權(quán)利要求9所述的TFT背板結(jié)構(gòu)的制作方法，其特征在于，所述第一柵極絕緣層(31)的厚度為2000A，而所述第二柵極絕緣層(32)的厚度為4000A。
【文檔編號】H01L27/12GK104241298SQ201410444171
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】呂曉文, 曾志遠, 蘇智昱, 張合靜 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司