具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)及電路的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)及電路。該具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的第一柵極(21)、第一源/漏極(61)與夾在二者之間的蝕刻阻擋層(5)、第一半導(dǎo)體層(41)與柵極絕緣層(3)構(gòu)成第一薄膜晶體管(TFT1)；第二柵極(22)、第二源/漏極(62)與夾在二者之間的蝕刻阻擋層(5)、第二半導(dǎo)體層(42)與柵極絕緣層(3)構(gòu)成第二薄膜晶體管(TFT2)；透明電極(8)、像素電極(10)與夾在二者之間的平坦絕緣層(9)構(gòu)成一透明電容(C)，且所述透明電容(C)構(gòu)成該像素結(jié)構(gòu)的有效顯示部分，能夠顯著增加像素的有效顯示面積，提高開口率，提高顯示亮度，降低功耗。
【專利說明】具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)及電路

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)及電路。

【背景技術(shù)】
[0002] 平面顯示器件具有機(jī)身薄、省電、無輻射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)有的 平面顯示器件主要包括液晶顯示器件（Liquid Crystal Display, LCD)及有機(jī)發(fā)光二極管 顯不器件（Organic Light Emitting Display，0LED)。
[0003] 有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件由于同時(shí)具備自發(fā)光，不需背光源、對(duì)比度高、厚度薄、 視角廣、反應(yīng)速度快、可用于撓曲性面板、使用溫度范圍廣、構(gòu)造及制程較簡單等優(yōu)異特性， 被認(rèn)為是下一代平面顯示器的新興應(yīng)用技術(shù)。
[0004] 0LED顯示器件按照驅(qū)動(dòng)類型可分為無源OLED (PM-0LED)和有源OLED (AM-0LED)。 AM-0LED的顯示面板屬于主動(dòng)顯示類型，需要在陣列基板上制作呈陣列式分布的像素結(jié) 構(gòu)。如圖1所示，現(xiàn)有的AM-0LED的每一像素結(jié)構(gòu)一般為兩個(gè)薄膜晶體管（Thin Film Transistor，TFT)之間夾著一個(gè)存儲(chǔ)電容。具體的，第一薄膜晶體管TFT1'由第一柵極210、 第一源/漏極610及夾在兩者之間的蝕刻阻擋層500、第一半導(dǎo)體層410與柵極絕緣層300 構(gòu)成；第二薄膜晶體管TFT2'由第二柵極220、第二源/漏極620及夾在兩者之間的蝕刻阻 擋層500、第二半導(dǎo)體層420與柵極絕緣層300構(gòu)成；存儲(chǔ)電容C'由與第一、第二柵極210、 220同時(shí)形成的第一金屬電極230、與第一、第二源/漏極610、620同時(shí)形成的第二金屬電 極630及夾在兩者之間的蝕刻阻擋層500與柵極絕緣層300構(gòu)成。由于金屬材質(zhì)會(huì)遮蔽光， 阻礙光透過，因此第一、第二薄膜晶體管TFT1'、TFT2'與存儲(chǔ)電容C'必然占用一定的像素 面積，造成像素有效顯示面積下降，即開口率下降，大大限制了光利用率，特別是對(duì)于高分 辨率、底部發(fā)光的AM-0LED，開口率的下降更為嚴(yán)重，容易造成顯示亮度不足，功率消耗過大 等問題。
[0005] 圖2為圖1的等效電路圖，第一薄膜晶體管TFT1'作為信號(hào)切換晶體管，第二薄膜 晶體管TFT2'作為驅(qū)動(dòng)晶體管。具體的，第一薄膜晶體管TFT1'的柵極連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電壓 信號(hào)V gate，源極連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vdata，漏極與第二薄膜晶體管TFT2'的柵極連接；第 二薄膜晶體管TFT2'的源極連接驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)V dd，漏極連接有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D的陽極；有 機(jī)發(fā)光二級(jí)管D的陰連極接地信號(hào)Vss ;存儲(chǔ)電容C'的一電極連接第二薄膜晶體管TFT2' 的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管TFT2'的源極。
[0006] 該電路的工作原理是，當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)￥_6到來時(shí)，第一薄膜晶體管TFT1'導(dǎo) 通，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)V data輸入第二薄膜晶體管TFT2'的柵極，第二薄膜晶體管TFT2'導(dǎo) 通，驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vdd經(jīng)該第二薄膜晶體管TFT2'放大后驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管D進(jìn)行顯示。 而當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)V gate結(jié)束后，存儲(chǔ)電容C'是維持像素電極電位的主要手段。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007] 本發(fā)明的目的在于提供一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，能夠顯著增加像素的有效 顯不面積，提1?開口率，提1?顯不殼度，降低功耗。
[0008] 本發(fā)明的目的還在于提供一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，有利于提高開口 率，提升顯示效果。
[0009] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明首先提供一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，具有一基板；于 該基板一側(cè)設(shè)于其上的第一柵極與第二柵極；設(shè)于第一、第二柵極及基板上的柵極絕緣層， 該柵極絕緣層完全覆蓋第一柵極與基板，而暴露出第二柵極的兩端；于第一柵極正上方設(shè) 于柵極絕緣層上的第一半導(dǎo)體層；于第二柵極正上方設(shè)于柵極絕緣層上的第二半導(dǎo)體層； 設(shè)于第一、第二半導(dǎo)體層與柵極絕緣層上的蝕刻阻擋層；設(shè)于第一半導(dǎo)體層與蝕刻阻擋層 上的第一源/漏極，設(shè)于第二半導(dǎo)體層與蝕刻阻擋層上的第二源/漏極，第一源/漏極搭 接第一半導(dǎo)體層及第二柵極的一端，第二源/漏極搭接第二半導(dǎo)體層；設(shè)于第一、第二源/ 漏極及蝕刻阻擋層上的保護(hù)層；于基板另一側(cè)設(shè)于保護(hù)層上的透明電極，該透明電極搭接 第二柵極的另一端；設(shè)于保護(hù)層與透明電極上的平坦絕緣層；設(shè)于平坦絕緣層上的像素電 極，該像素電極搭接第二源/漏極并與透明電極重疊；設(shè)于平坦絕緣層與像素電極上的像 素定義層，該像素定義層對(duì)應(yīng)于像素電極與透明電極的重疊區(qū)域開口；所述第一柵極、第 一源/漏極與夾在二者之間的蝕刻阻擋層、第一半導(dǎo)體層與柵極絕緣層構(gòu)成第一薄膜晶體 管；所述第二柵極、第二源/漏極與夾在二者之間的蝕刻阻擋層、第二半導(dǎo)體層與柵極絕緣 層構(gòu)成第二薄膜晶體管；所述透明電極、像素電極與夾在二者之間的平坦絕緣層構(gòu)成一透 明電容。
[0010] 所述透明電容構(gòu)成該像素結(jié)構(gòu)的有效顯示部分。
[0011] 所述透明電極為ΙΤ0透明電極或ΙΖ0透明電極，所述像素電極為ΙΤ0像素電極或 ΙΖ0像素電極。
[0012] 該具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)還具有設(shè)于像素定義層上的光阻間隔物。
[0013] 該具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)還具有于第一柵極正上方設(shè)于保護(hù)層與平坦絕緣層 之間的第一頂柵極，及于第二柵極正上方設(shè)于保護(hù)層與平坦絕緣層之間的第二頂柵極。
[0014] 所述第一、第二頂柵極與透明電極在同時(shí)形成。
[0015] 所述第一半導(dǎo)體層為IGZ0半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層為IGZ0半導(dǎo)體層。
[0016] 本發(fā)明還提供一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，包括一第一薄膜晶體管、一 第二薄膜晶體管、一透明電容、及一發(fā)光二級(jí)管，構(gòu)成所述透明電容的兩電極均為透明電 極；第一薄膜晶體管的柵極連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)，源極連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)，漏極與第 二薄膜晶體管的柵極連接；第二薄膜晶體管的源極連接驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)，漏極連接有機(jī)發(fā)光 二級(jí)管的陽極；有機(jī)發(fā)光二級(jí)管的陰連極接地信號(hào)；透明電容的一電極連接第二薄膜晶體 管的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管的源極或漏極。
[0017] 該具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，還包括一不透明電容，該不透明電容的一電 極連接第二薄膜晶體管的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管的源極或漏極。
[0018] 所述第一薄膜晶體管的源極、漏極可互換，所述第二薄膜晶體管的源極、漏極也可 互換。
[0019] 本發(fā)明的有益效果：本發(fā)明提供的一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置由透 明電極與像素電極構(gòu)成的透明電容，并將該透明電容作為有效顯示部分，能夠顯著增加像 素的有效顯不面積，提1?開口率，提1?顯不殼度，降低功耗。本發(fā)明提供的一種具有1?開口 率的像素結(jié)構(gòu)的電路，通過設(shè)置透明電容，能夠提高開口率，提升顯示效果。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 下面結(jié)合附圖，通過對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案 及其它有益效果顯而易見。
[0021] 附圖中，
[0022] 圖1為現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；
[0023] 圖2為圖1中現(xiàn)有的像素結(jié)構(gòu)的等效電路圖；
[0024] 圖3為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的第一實(shí)施例的剖面示意圖；
[0025] 圖4為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例的剖面示意圖；
[0026] 圖5為本發(fā)明具有1?開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路的第一實(shí)施例的不意圖；
[0027] 圖6為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路的第二實(shí)施例的示意圖；
[0028] 圖7為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路的第三實(shí)施例的示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0029] 為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施 例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0030] 本發(fā)明首先提供一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，圖3所示為其第一實(shí)施例。該具 有1?開口率的像素結(jié)構(gòu)具有一基板1，該基板1可為玻璃基板或塑料基板；
[0031] 于該基板1 一側(cè)設(shè)于其上的第一柵極21與第二柵極22,所述第一柵極21與第二 柵極22由同一第一金屬膜層經(jīng)圖案化后形成；
[0032] 設(shè)于第一、第二柵極21、22及基板1上的柵極絕緣層3,該柵極絕緣層3完全覆蓋 第一柵極21與基板1，而暴露出第二柵極22的兩端；
[0033] 于第一柵極21正上方設(shè)于柵極絕緣層3上的第一半導(dǎo)體層41 ;于第二柵極22正 上方設(shè)于柵極絕緣層3上的第二半導(dǎo)體層42 ;所述第一半導(dǎo)體層41與第二半導(dǎo)體層42由 同一半導(dǎo)體膜層經(jīng)圖案化后形成；
[0034] 設(shè)于第一、第二半導(dǎo)體層41、42與柵極絕緣層3上的蝕刻阻擋層5 ;
[0035] 設(shè)于第一半導(dǎo)體層41與蝕刻阻擋層5上的第一源/漏極61 ;設(shè)于第二半導(dǎo)體層 42與蝕刻阻擋層5上的第二源/漏極62 ;所述第一源/漏極61與第二源/漏極62由同一 第二金屬膜層經(jīng)圖案化后形成；第一源/漏極61搭接第一半導(dǎo)體層41及第二柵極22的一 端，第二源/漏極62搭接第二半導(dǎo)體層42 ;
[0036] 設(shè)于第一、第二源/漏極61、62及蝕刻阻擋層5上的保護(hù)層7 ;
[0037] 于基板1另一側(cè)設(shè)于保護(hù)層7上的透明電極8,該透明電極8搭接第二柵極22的 另一端；
[0038] 設(shè)于保護(hù)層7與透明電極8上的平坦絕緣層9 ;
[0039] 設(shè)于平坦絕緣層9上的像素電極10,該像素電極10搭接第二源/漏極62并與透 明電極8重疊；
[0040] 設(shè)于平坦絕緣層9與像素電極10上的像素定義層11，該像素定義層11對(duì)應(yīng)于像 素電極10與透明電極8的重疊區(qū)域開口；
[0041] 還具有設(shè)于像素定義層11上的光阻間隔物12。
[0042] 所述第一柵極21、第一源/漏極61與夾在二者之間的蝕刻阻擋層5、第一半導(dǎo)體 層41與柵極絕緣層3構(gòu)成第一薄膜晶體管TFT1 ;所述第二柵極22、第二源/漏極62與夾 在二者之間的蝕刻阻擋層5、第二半導(dǎo)體層42與柵極絕緣層3構(gòu)成第二薄膜晶體管TFT2 ; 所述透明電極8、像素電極10與夾在二者之間的平坦絕緣層9構(gòu)成一透明電容C。
[0043] 具體的，所述第一半導(dǎo)體層41為銦鎵鋅氧化物（Indium Gallium Zinc Oxide, IGZ0)半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層42為IGZO半導(dǎo)體層。
[0044] 所述透明電極8為氧化銦錫（Indium Tin Oxide, ΙΤ0)透明電極或氧化銦鋅 (Indium Zinc Oxide, ΙΖ0)透明電極，該透明電極8可制作成不同的形狀；所述像素電極10 為ΙΤ0像素電極或ΙΖ0像素電極。
[0045] 由于所述透明電極8、像素電極10均透明，能夠供光線穿過，所述透明電容C構(gòu)成 該像素結(jié)構(gòu)的有效顯示部分，能夠顯著增加像素的有效顯示面積，提高開口率，提高顯示亮 度，降低功耗。
[0046] 值得一提的是，所述透明電容C可完全取代現(xiàn)有技術(shù)中由兩金屬電極構(gòu)成的不透 明電容，也可部分取代不透明電容，均能達(dá)到增加像素的有效顯示面積，提高開口率的效 果。
[0047] 請(qǐng)參閱圖4,為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的第二實(shí)施例。該第二實(shí)施例與 第一實(shí)施例的區(qū)別在于，該具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)還具有于第一柵極21正上方設(shè)于保 護(hù)層7與平坦絕緣層9之間的第一頂柵極81，及于第二柵極22正上方設(shè)于保護(hù)層7與平 坦絕緣層9之間的第二頂柵極82。相應(yīng)的，所述第一薄膜晶體管TFT1與第二薄膜晶體管 TFT2均為雙柵極結(jié)構(gòu)。為充分利用制程，提高生產(chǎn)效率，所述第一、第二頂柵極81、82與透 明電極8在一道制程中同時(shí)形成，所述第一、第二頂柵極81、82的材質(zhì)與透明電極8的材質(zhì) 相同，均為ΙΤ0或ΙΖ0。其它與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0048] 本發(fā)明還提供一種具有1?開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，圖5為該電路的第一實(shí)施 例，包括一第一薄膜晶體管TFT1、一第二薄膜晶體管TFT2、一透明電容C、及一發(fā)光二級(jí)管 D，構(gòu)成所述透明電容C的兩電極均為透明電極。
[0049] 第一薄膜晶體管TFT1的柵極連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vgate，源極連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓 信號(hào)v data，漏極與第二薄膜晶體管TFT2的柵極連接；第二薄膜晶體管TFT2的源極連接驅(qū)動(dòng) 電壓信號(hào)Vdd，漏極連接有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D的陽極；有機(jī)發(fā)光二級(jí)管D的陰連極接地信號(hào)V ss ; 透明電容C的一電極連接第二薄膜晶體管TFT2的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管TFT2 的源極。
[0050] 所述第一薄膜晶體管TFT1作為信號(hào)切換晶體管，第二薄膜晶體管TFT2作為驅(qū)動(dòng) 晶體管。該電路的工作過程為：當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)V gate到來時(shí)，第一薄膜晶體管TFT1導(dǎo) 通，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vdata輸入第二薄膜晶體管TFT2的柵極，第二薄膜晶體管TFT2導(dǎo)通， 驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)V dd經(jīng)該第二薄膜晶體管TFT2放大后驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管D進(jìn)行顯示。而當(dāng) 柵極驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)Vgate結(jié)束后，透明電容C用來維持像素電極的電位。
[0051] 由于該電路中設(shè)置了透明電極C，能夠提高開口率，提升顯示效果。
[0052] 請(qǐng)參閱圖6,為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路的第二實(shí)施例，其與第一實(shí) 施例的區(qū)別在于，所述透明電容C的一電極連接第二薄膜晶體管TFT2的柵極，另一電極連 接第二薄膜晶體管TFT2的漏極。其它與第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0053] 請(qǐng)參閱圖7,為本發(fā)明具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路的第三實(shí)施例，其與第一實(shí) 施例的區(qū)別在于，所述透明電容C的一電極連接第二薄膜晶體管TFT2的柵極，另一電極連 接第二薄膜晶體管TFT2的漏極，并增設(shè)了一不透明電容C"，該不透明電容C"的一電極連接 第二薄膜晶體管TFT2的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管TFT2的源極。
[0054] 所述第一薄膜晶體管TFT1的源極、漏極可互換，所述第二薄膜晶體管TFT2的源 極、漏極也可互換，因此在該第三實(shí)施例中，還可將所述透明電容C的一電極連接第二薄膜 晶體管TFT2的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管TFT2的源極，將不透明電容C"的一電 極連接第二薄膜晶體管TFT2的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管TFT2的漏極。其它與 第一實(shí)施例相同，此處不再贅述。
[0055] 綜上所述，本發(fā)明的一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，通過設(shè)置由透明電極與像素 電極構(gòu)成的透明電容，并將該透明電容作為有效顯示部分，能夠顯著增加像素的有效顯示 面積，提1?開口率，提1?顯不殼度，降低功耗。本發(fā)明提供的一種具有1?開口率的像素結(jié)構(gòu) 的電路，通過設(shè)置透明電容，能夠提高開口率，提升顯示效果。
[0056] 以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù) 構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利 要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，具有一基板（1);于該基板（1) 一側(cè)設(shè) 于其上的第一柵極（21)與第二柵極（22);設(shè)于第一、第二柵極（21、22)及基板（1)上的 柵極絕緣層（3)，該柵極絕緣層（3)完全覆蓋第一柵極（21)與基板（1)，而暴露出第二柵 極（22)的兩端；于第一柵極（21)正上方設(shè)于柵極絕緣層（3)上的第一半導(dǎo)體層（41);于 第二柵極（22)正上方設(shè)于柵極絕緣層（3)上的第二半導(dǎo)體層（42);設(shè)于第一、第二半導(dǎo)體 層（41、42)與柵極絕緣層（3)上的蝕刻阻擋層（5);設(shè)于第一半導(dǎo)體層（41)與蝕刻阻擋層 (5)上的第一源/漏極￠1)，設(shè)于第二半導(dǎo)體層（42)與蝕刻阻擋層（5)上的第二源/漏極 (62)，第一源/漏極￠1)搭接第一半導(dǎo)體層（41)及第二柵極（22)的一端，第二源/漏極 (62)搭接第二半導(dǎo)體層（42);設(shè)于第一、第二源/漏極（61、62)及蝕刻阻擋層（5)上的保 護(hù)層（7);于基板（1)另一側(cè)設(shè)于保護(hù)層（7)上的透明電極（8)，該透明電極（8)搭接第二 柵極（22)的另一端；設(shè)于保護(hù)層（7)與透明電極（8)上的平坦絕緣層（9);設(shè)于平坦絕緣 層（9)上的像素電極（10)，該像素電極（10)搭接第二源/漏極（62)并與透明電極⑶重 疊；設(shè)于平坦絕緣層（9)與像素電極（10)上的像素定義層（11)，該像素定義層（11)對(duì)應(yīng) 于像素電極（10)與透明電極（8)的重疊區(qū)域開口； 所述第一柵極（21)、第一源/漏極￠1)與夾在二者之間的蝕刻阻擋層（5)、第一半導(dǎo) 體層（41)與柵極絕緣層（3)構(gòu)成第一薄膜晶體管（TFT1);所述第二柵極（22)、第二源/漏 極（62)與夾在二者之間的蝕刻阻擋層（5)、第二半導(dǎo)體層（42)與柵極絕緣層（3)構(gòu)成第二 薄膜晶體管（TFT2);所述透明電極（8)、像素電極（10)與夾在二者之間的平坦絕緣層（9) 構(gòu)成一透明電容（C)。
2. 如權(quán)利要求1所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明電容（C)構(gòu)成 該像素結(jié)構(gòu)的有效顯示部分。
3. 如權(quán)利要求1所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明電極（8)為 ITO透明電極或IZO透明電極，所述像素電極（10)為ITO像素電極或IZO像素電極。
4. 如權(quán)利要求1所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還具有設(shè)于像素定義 層（11)上的光阻間隔物（12)。
5. 如權(quán)利要求1所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，還具有于第一柵極 (21)正上方設(shè)于保護(hù)層（7)與平坦絕緣層（9)之間的第一頂柵極（81)，及于第二柵極（22) 正上方設(shè)于保護(hù)層（7)與平坦絕緣層（9)之間的第二頂柵極（82)。
6. 如權(quán)利要求5所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一、第二頂柵極 (81、82)與透明電極（8)同時(shí)形成。
7. 如權(quán)利要求1所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體層 (41)為IGZO半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層（42)為IGZO半導(dǎo)體層。
8. -種具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，其特征在于，包括一第一薄膜晶體管 (TFT1)、一第二薄膜晶體管（TFT2)、一透明電容（C)、及一發(fā)光二級(jí)管（D)，構(gòu)成所述透明 電容（C)的兩電極均為透明電極；第一薄膜晶體管（TFT1)的柵極連接?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào) (V gaJ，源極連接數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)（Vdata)，漏極與第二薄膜晶體管（TFT2)的柵極連接；第 二薄膜晶體管（TFT2)的源極連接驅(qū)動(dòng)電壓信號(hào)（V dd)，漏極連接有機(jī)發(fā)光二級(jí)管（D)的陽 極；有機(jī)發(fā)光二級(jí)管（D)的陰連極接地信號(hào)（Vss);透明電容（C)的一電極連接第二薄膜晶 體管（TFT2)的柵極，另一電極連接第二薄膜晶體管（TFT2)的源極或漏極。
9. 如權(quán)利要求8所述具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，其特征在于，還包括一不透明 電容（C"），該不透明電容（C"）的一電極連接第二薄膜晶體管（TFT2)的柵極，另一電極連 接第二薄膜晶體管（TFT2)的源極或漏極。
10. 如權(quán)利要求9所述的具有高開口率的像素結(jié)構(gòu)的電路，其特征在于，所述第一薄膜 晶體管（TFT1)的源極、漏極可互換，所述第二薄膜晶體管（TFT2)的源極、漏極也可互換。
【文檔編號(hào)】H01L27/32GK104157678SQ201410443931
【公開日】2014年11月19日 申請(qǐng)日期:2014年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月2日
【發(fā)明者】李文輝, 羅長誠, 曾志遠(yuǎn), 胡宇彤 申請(qǐng)人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司