芯片、芯片裝置以及用于制造芯片的方法
【專利摘要】在不同實(shí)施例中提供一種芯片(10)。該芯片具有載體(12)、在所述載體(12)上方構(gòu)成的集成電路(14)以及蓄能元件(16)。所述蓄能元件具有第一電極(28)和第二電極(30)并且用于給集成電路(14)供以電能。載體(12)、集成電路(14)以及蓄能元件(16)一體地構(gòu)成并且第一電極(28)由載體(12)形成。
【專利說(shuō)明】芯片、芯片裝置以及用于制造芯片的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種芯片、芯片裝置以及用于制造芯片的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]在常規(guī)芯片中，具有邏輯電路的電子電路一體地構(gòu)成在載體例如基底上。電子電路能夠例如具有用于通信例如用于與外部裝置例如外部讀取裝置交換數(shù)據(jù)的通信模塊。為了支持通信能夠?qū)⑻炀€例如整體地集成到芯片中。這樣的天線能夠具有例如線圈(模塊上的線圈，Coil on Module)。例如能夠借助于關(guān)于芯片外部構(gòu)成的增益天線正面地影響發(fā)送和/或接收功率和/或連接質(zhì)量。增益天線能夠與一體地集成在芯片上的天線耦合，例如感應(yīng)地。
[0003]該芯片能夠例如借助于外部能源例如電池運(yùn)行，該電池與芯片電氣耦合，例如借助于金屬線和/或焊接連接，例如借助于壓焊連接。對(duì)此備選地能夠感應(yīng)地傳輸能量，例如借助于天線，例如假如芯片具有RFID裝置或是RFID裝置。為了感應(yīng)地傳輸用于運(yùn)行芯片的能量，芯片必須相對(duì)接近傳輸能量的外部裝置例如外部讀取裝置地設(shè)置，因?yàn)橛糜谶\(yùn)行芯片的相對(duì)多的能量是需要的并且必須被傳輸。尤其地，原則上運(yùn)行芯片需要的能量大于借助于用于讀取芯片的數(shù)據(jù)的交變電磁場(chǎng)隱含地傳輸?shù)哪芰俊?br>

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在不同實(shí)施形式中提供一種芯片和/或芯片裝置，該芯片或芯片裝置實(shí)現(xiàn)芯片的電子電路的簡(jiǎn)單的制造和/或運(yùn)行，和/或該芯片或芯片裝置具有在無(wú)接觸通信下的大的有效范圍。
[0005]在不同實(shí)施形式中提供一種芯片。該芯片包括:載體；在所述載體上方構(gòu)成的集成電路；以及蓄能元件。所述蓄能元件具有第一電極和第二電極并且用于給集成電路供以電能。載體、集成電路以及蓄能元件一體地構(gòu)成，其中第一電極由載體形成。
[0006]蓄能元件用作用于芯片的集成電路的能量源。該芯片由此獨(dú)立于外部能量源。這能夠有助于，能夠省去例如借助于能夠?qū)щ娊饘倬€與外部能源量例如外部設(shè)置的電池的電氣耦合。這能夠有助于，簡(jiǎn)單和/或成本有利地制造芯片和/或芯片裝置。此外在與芯片的無(wú)接觸的通信中的有效范圍能夠特別大，因?yàn)橥ㄟ^(guò)相應(yīng)的電磁場(chǎng)不必須傳輸用于運(yùn)行芯片的能量——例如在用于供能的感應(yīng)耦合中必要的那樣——而是僅僅必須傳輸數(shù)據(jù)。此外一體集成的蓄能元件能夠有助于，能夠特別簡(jiǎn)單地運(yùn)行芯片；和/或?qū)崿F(xiàn)了，能夠?qū)⑿酒糜诙喾N應(yīng)用，其中有利的是，不需要與外部裝置的實(shí)體連接。
[0007]在不同實(shí)施形式中，芯片包括在載體上方構(gòu)成的并且與集成電路耦合的天線。該天線有助于，集成電路能夠無(wú)接觸地例如沒(méi)有有線連接地與外部讀取裝置通信。該天線能夠例如有助于，實(shí)現(xiàn)在無(wú)接觸的通信中特別大的有效范圍。此外天線能夠用于與增益天線的感應(yīng)耦合，由此能夠進(jìn)一步增大用于數(shù)據(jù)傳輸?shù)挠行Х秶?。天線例如如此設(shè)置和構(gòu)成，以使得集成電路設(shè)置在天線與載體之間。天線能夠與集成電路例如借助于芯片的導(dǎo)體電路和/或通道電氣耦合。天線能夠具有例如線圈。備選地芯片能夠與外部讀取裝置例如容性地耦合并且數(shù)據(jù)能夠借助于容性耦合傳輸。對(duì)于容性耦合，半導(dǎo)體芯片能夠具有電極，該電極形成電容器并且與集成電路電氣耦合。
[0008]與外部讀取裝置的通信能夠無(wú)源、有源、半有源、雙向和/或單向?qū)崿F(xiàn)。此外能夠?qū)崿F(xiàn)在一個(gè)或多個(gè)載頻下的通信，例如借助于超寬帶技術(shù)(UWB)。
[0009]在不同實(shí)施形式中，天線、載體、集成電路以及蓄能元件一體地集成到芯片中。這有助于，例如借助于金屬線連接的半導(dǎo)體芯片至外部裝置例如外部天線的實(shí)體耦合對(duì)于通信不是必要的。這能夠有助于，能夠特別簡(jiǎn)單地運(yùn)行芯片，和/或?qū)崿F(xiàn)了，能夠?qū)⑿酒糜诙喾N應(yīng)用，其中有利的是，不需要與外部裝置的實(shí)體連接。
[0010]在不同的實(shí)施形式中，第二電極設(shè)置在載體的與集成電路背向的側(cè)上。例如載體設(shè)置在第二電極與集成電路之間。這實(shí)現(xiàn)了，集成電路構(gòu)成在芯片的第一區(qū)域中，而蓄能元件構(gòu)成在芯片的第二區(qū)域中，其中第一和第二區(qū)域相互分開(kāi)，例如借助于載體的核心區(qū)域。
[0011]在不同實(shí)施形式中，第二電極借助于能夠?qū)щ姷木€路與集成電路電氣耦合，并且載體具有凹槽，線路延伸穿過(guò)所述凹槽。這通過(guò)簡(jiǎn)單的方式實(shí)現(xiàn)了，集成電路與蓄能元件電氣耦合。該線路能夠例如由內(nèi)層連接和/或連續(xù)的通道(垂直互連通路)形成。
[0012]在不同實(shí)施形式中，在第一電極與第二電極之間設(shè)置電解質(zhì)。這實(shí)現(xiàn)了，將蓄能元件作為電池或蓄電池驅(qū)動(dòng)。
[0013]在不同實(shí)施形式中，第一電極是蓄能元件的陽(yáng)極，而第二電極是蓄能元件的陰極。
[0014]在不同實(shí)施形式中，天線具有線圈。
[0015]在不同實(shí)施形式中，所述芯片具有封裝材料，載體、集成電路、蓄能元件并且必要時(shí)天線封裝到該封裝材料中。載體、集成電路、蓄能元件并且必要時(shí)天線被封裝能夠例如意味著，載體、集成電路、蓄能元件并且必要時(shí)天線借助于封裝材料相對(duì)于外部流體和/或氣體密封。封裝材料能夠例如有助于保護(hù)芯片免于外部影響。外部影響能夠是例如化學(xué)和/或物理影響。化學(xué)影響能夠是例如與流體例如水或血液或者與氣體例如氧氣或氮?dú)獾南嗷プ饔?。物理影響能夠是例如機(jī)械影響例如碰撞或撞擊或者熱影響例如冷或熱。例如封裝材料能夠?qū)崿F(xiàn)，在生物的身體中使用芯片，例如用于在人體中的血糖監(jiān)控或用于在寵物身體中的識(shí)別。備選地封裝材料能夠?qū)崿F(xiàn)，將芯片使用在冰箱或冷庫(kù)或干燥室中。封裝材料能夠例如具有玻璃或塑料，例如樹(shù)脂。
[0016]在不同的實(shí)施形式中，所述芯片具有傳感器，該傳感器一體地集成在芯片中。該傳感器能夠例如實(shí)現(xiàn)將芯片用作傳感元件。該傳感器能夠是例如溫度傳感器、壓力傳感器、光傳感器、濕度傳感器或用于檢測(cè)物質(zhì)例如流體的化學(xué)組成的傳感器。
[0017]在不同實(shí)施形式中，蓄能元件是電池。這能夠有助于，能夠在長(zhǎng)的時(shí)間間隔中不進(jìn)行充電地可靠地運(yùn)行蓄能元件。
[0018]在不同實(shí)施形式中，蓄能元件是蓄電池。這實(shí)現(xiàn)了給蓄能元件充電，并且能夠有助于，能夠在長(zhǎng)的時(shí)間間隔中運(yùn)行芯片。
[0019]在不同實(shí)施形式中，該芯片具有用于給蓄電池充電的能量獲得模塊。該能量獲得模塊一體集成到芯片中。能量獲得模塊實(shí)現(xiàn)了，在沒(méi)有與外部充電裝置的實(shí)體耦合、例如金屬線連接的情況下給蓄電池充電。能量獲得模塊具有例如光電二極管、太陽(yáng)能電池和/或感應(yīng)線圈。
[0020]在不同實(shí)施形式中提供一種芯片裝置，其包括芯片、例如上述芯片和增益天線。該增益天線與芯片的集成電路耦合。例如增益天線感應(yīng)地與芯片的天線耦合，該芯片的天線與芯片的集成電路電氣耦合。增益天線能夠由此經(jīng)由芯片的天線間接地與集成電路耦合。
[0021]在不同實(shí)施形式中提供用于制造芯片例如上述芯片的方法。在此集成電路構(gòu)成在載體的上方。具有第一電極和第二電極的、用于給集成電路供以電能的蓄能元件與載體、集成電路一體地構(gòu)成，其中第一電極由載體形成。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]本發(fā)明的實(shí)施例在附圖中示出并且在下文中進(jìn)一步闡明。其中:
[0023]圖1示出了芯片的一個(gè)實(shí)施例；
[0024]圖2示出了芯片的一個(gè)實(shí)施例；
[0025]圖3示出了芯片裝置的一個(gè)實(shí)施例。

【具體實(shí)施方式】
[0026]在下文詳細(xì)的描述中參照所附附圖，附圖形成這些描述的一部分并且其中為了闡明示出了特定的實(shí)施形式，在這些實(shí)施形式中能夠施加本發(fā)明。在這個(gè)方面方向術(shù)語(yǔ)例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面”、“后面”等等參照所述附圖的方向使用。因?yàn)閷?shí)施形式的元件能夠以多個(gè)不同的方向定位，所以方向術(shù)語(yǔ)用于闡明并且絕不限于方式。清楚的是，能夠使用其他實(shí)施形式并且進(jìn)行結(jié)構(gòu)或邏輯變化，而不會(huì)脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。清楚的是，其中所述的不同的示例性的實(shí)施形式的特征能夠相互組合，只要沒(méi)有另外特定地說(shuō)明。以下詳細(xì)的描述因此不能夠以限制的意義理解，并且本發(fā)明的保護(hù)范圍通過(guò)所附權(quán)利要求限定。
[0027]在該描述的范圍中術(shù)語(yǔ)“連接”、“接通”以及“耦合”用于描述不僅直接而且間接連接、直接或間接接通以及直接或間接耦合。在附圖中相同或相似元件設(shè)有相同的附圖標(biāo)記，只要這是有利的。
[0028]圖1示出了芯片10，其例如能夠是半導(dǎo)體芯片。芯片10具有載體12、集成電路14以及蓄能元件16。蓄能元件16 —體集成到芯片10中并且用于給集成電路14供以電能。芯片10能夠具有例如天線18。載體12連同集成電路14并且必要時(shí)天線18能夠稱為基
。
[0029]芯片10能夠形成例如RFID收發(fā)器、例如RFID標(biāo)簽和/或設(shè)置為用于與外部讀取裝置的通信。芯片10能夠例如通過(guò)RFID場(chǎng)被設(shè)置用于例如監(jiān)控溫度例如食品儲(chǔ)藏溫度、輪胎壓力和/或身體例如人的身體或動(dòng)物的身體的參數(shù)，例如在不輸入外部能量的情況下。由此能夠在與外部讀取裝置的通信和/或數(shù)據(jù)傳輸中實(shí)現(xiàn)芯片10的大的有效范圍，因?yàn)閮H僅必須傳輸數(shù)據(jù)而不必須接收用于運(yùn)行芯片10的能量。數(shù)據(jù)能夠例如感性、容性、無(wú)源、有源、半有源、雙向、單向和/或在多個(gè)不同頻率下傳輸。
[0030]載體12能夠由晶片基底形成。雖然在其他實(shí)施例中同樣能夠使用其他適合的材料，但是載體12能夠由一種或多種半導(dǎo)體材料制造，例如硅、鍺、主組III至V的一種或多種半導(dǎo)體材料或諸如此類組成，或者由一種或多種聚合物組成。在不同實(shí)施例中載體12能夠由硅(摻雜或未摻雜)制造，在備選的實(shí)施例中載體12能夠是絕緣硅(SOI)基底。在另外的實(shí)施例中能夠提供每種其他的適合的半導(dǎo)體材料用于載體12，例如半導(dǎo)體復(fù)合材料例如砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、但是也能夠是每種適合的三元或四元半導(dǎo)體材料，例如銦嫁砷(InGaAs)。
[0031]集成電路14能夠具有例如一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)中間連接24和/或一個(gè)、兩個(gè)或多個(gè)晶體管26。晶體管26能夠被構(gòu)成為例如金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(M0S，英語(yǔ):metal oxidesemiconductor)，例如PMOS晶體管和/或MMOS晶體管。集成電路14能夠完全或部分地集成在載體12中，其中例如晶體管26能夠完全或部分地集成到載體12中。載體12和集成電路14 一體地構(gòu)成。集成電路14能夠具有接線結(jié)構(gòu)404，其包括一個(gè)金屬化層或多個(gè)金屬化層，其中在金屬化層之間能夠提供中間電介質(zhì)(例如氧化物如氧化硅、氮化物如氮化硅、或者低k電介質(zhì)或高k電介質(zhì))。多個(gè)金屬化層能夠借助于一個(gè)或多個(gè)接觸孔(未示出)相互導(dǎo)電連接。
[0032]集成電路14此外能夠具有未示出的存儲(chǔ)元件和/或未示出的整流電路、例如寬譜整流器和/或例如以全橋電路或半橋電路的形式實(shí)現(xiàn)。整流電路能夠例如構(gòu)成為用于寬帶信號(hào)——換言之在大的頻域上的信號(hào)——的整流(一般用于處理)。整流電路能夠設(shè)置為，用于處理在以下頻率范圍中的信號(hào)，該頻率范圍為相對(duì)于預(yù)定的載頻的至少25%，例如至少50 %、例如至少75 %、例如至少95 %或更多。載頻能夠例如位于在以下范圍中，該范圍為大約13.56MHz (高頻標(biāo)準(zhǔn))或大約433MHz或大約868MHz或大約2.4GHz (超高頻)。
[0033]在不同實(shí)施例中，整流電路能夠被設(shè)置用于處理例如從載頻開(kāi)始沿一個(gè)頻率方向(例如比載頻更大或更小的頻率范圍)或沿兩個(gè)頻率方向(例如比載頻更大和更小的頻率范圍)在圍繞載頻大于 10MHz (例如大于 200MHz、300MHz、400MHz、500MHz、600MHz、700MHz、800MHz,900MHzUGHzU.5GHz、2GHz或更大)的頻率范圍中的信號(hào)(當(dāng)然分別根據(jù)載頻)。
[0034]整流電路能夠如此設(shè)置，以使得該整流電路不具有交流耦合和/或已經(jīng)自從OHz開(kāi)始工作，并且該整流電路能夠設(shè)置為，處理具有直至整流電路的晶體管26的最大開(kāi)關(guān)頻率的頻率的信號(hào)。
[0035]假如設(shè)置天線18，那么該天線能夠一體地與載體12和集成電路14構(gòu)成，例如作為模塊上線圈。天線18具有線圈22，該線圈能夠具有例如多個(gè)繞組，所述繞組在圖1中在截面圖中示出。天線18能夠與集成電路14例如經(jīng)由未示出的能夠?qū)щ姷膬?nèi)層連接而連接。
[0036]蓄能兀件16具有第一電極28和第二電極30。第一電極28由載體12例如載體12的部分部段形成。形成第一電極的載體12的部分部段與集成電路14背向。在第一電極28與第二電極30之間能夠設(shè)置例如電解質(zhì)32。第二電極30能夠借助于能夠?qū)щ姷木€路34與集成電路14電氣耦合。線路34能夠例如穿過(guò)在載體12和/或集成電路14中的凹槽延伸。線路34能夠例如稱為內(nèi)層連接或娃通孔(Through-Silicon-Via)。蓄能元件16用于給集成電路14供能。芯片10由此獨(dú)立于外部供電。蓄能元件16能夠是電池或蓄電池。在集成電路14與第一電極28之間載體12的區(qū)域能夠稱為載體12的核心區(qū)域。載體12的核心區(qū)域?qū)⒓呻娐?4與蓄能元件16分開(kāi)。
[0037]芯片10能夠具有封裝材料36，載體12、集成電路14、蓄能元件16并且必要時(shí)天線18能夠封裝到封裝材料中。例如封裝材料36將剩余的芯片10相對(duì)于芯片10的環(huán)境密封地封裝。封裝材料能夠具有例如玻璃、塑料例如樹(shù)脂。
[0038]圖2示出了芯片10的一個(gè)實(shí)施例，該實(shí)施例能夠例如進(jìn)一步地相應(yīng)于前述芯片10的設(shè)計(jì)方案。芯片10具有傳感器38。備選或附加地芯片10具有例如能量獲得模塊40。
[0039]傳感器38能夠是例如溫度傳感器、濕度傳感器、壓力傳感器和/或用于檢測(cè)流體和/或氣體的特征的傳感器。
[0040]能量獲得模塊40能夠是例如光電二極管、太陽(yáng)能電池和/或感應(yīng)線圈。感應(yīng)線圈能夠例如借助于外部交變磁場(chǎng)運(yùn)行。假如蓄能元件16被構(gòu)成為蓄電池，那么借助于能量獲得模塊40能夠給例如蓄能元件16充電。
[0041]在用于制造上述芯片10的方法中，相應(yīng)的芯片10能夠與多個(gè)另外的芯片10—起在一個(gè)晶片組合中、例如在一個(gè)共同的和/或一件式的晶片基底上制造。集成電路14能夠構(gòu)成在載體12的上方。此外集成電路14能夠構(gòu)成在蓄能元件16之下，其中蓄能元件16具有第一電極28和第二電極30。蓄能兀件16與載體12和集成電路14 一體地構(gòu)成。第一電極28由載體12形成。在將芯片10從晶片組合分離之后，例如切割或鋸下芯片10之后，能夠例如完全地制造該芯片，從而不再需要另外的制造步驟，例如與外部能源的接線。芯片10能夠例如在制造之后完全能夠被應(yīng)用。不需要另外的元件，例如電氣/電連接。僅僅在提供封裝材料36時(shí)還必須將封裝材料構(gòu)成在芯片10上。
[0042]圖3示出了芯片裝置50的一個(gè)實(shí)施例。芯片裝置50能夠是例如芯片卡的一部分。芯片裝置50能夠具有例如芯片10和增益天線52。芯片10能夠相應(yīng)于例如上述芯片10的一個(gè)設(shè)計(jì)方案。芯片10與增益天線52耦合。例如芯片10的天線18與增益天線52感應(yīng)耦合。增益天線52能夠具有例如多個(gè)在圖3中未示出的線圈繞組。
[0043]很明顯，增益天線52是一個(gè)簡(jiǎn)單的共振電路。其中使用大的導(dǎo)體回路用于能量的感應(yīng)耦合。為了實(shí)現(xiàn)增益效應(yīng)，如此形成導(dǎo)體回路的一小部分也稱為耦合區(qū)域，以使得該區(qū)域基本上包圍天線18。借助于耦合區(qū)域形成在該情況下與天線18的另一感應(yīng)耦合，從而借助于該感應(yīng)耦合經(jīng)由天線18與集成電路14的通信是可能的。通過(guò)天線18和導(dǎo)體回路的一部分，亦即耦合區(qū)域，的幾何接近實(shí)現(xiàn)非常好的耦合。一般適用的是:導(dǎo)體回路相互越相似和越接近，其感應(yīng)耦合越好。
[0044]本發(fā)明不限于提出的實(shí)施例。例如集成電路14能夠具有或多或少的電氣元件，例如電阻、線圈、晶體管和/或存儲(chǔ)元件。此外天線18能夠具有另外的線圈22和/或另外的繞組。此外也能夠在圖1中示出的芯片10的實(shí)施例中設(shè)置傳感器38和/或能量獲得模塊40。此外在圖2中示出的芯片10的實(shí)施例也能夠具有封裝材料36。不僅按照?qǐng)D1的芯片10而且按照?qǐng)D2的芯片10也能夠與增益天線52耦合。
【權(quán)利要求】
1.芯片(10)，包括: ?載體(12)； ?在所述載體(12)上方構(gòu)成的集成電路(14);以及 ?蓄能元件(16)，所述蓄能元件具有第一電極(28)和第二電極(30)，用于給所述集成電路(14)供以電能，其中一體地構(gòu)成所述載體(12)、所述集成電路(14)以及所述蓄能元件(16)，并且其中所述第一電極(28)由所述載體(12)形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片(10)，包括在所述載體(12)上方構(gòu)成的并且與所述集成電路(14)耦合的天線(18)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的芯片(10)，其中，所述天線(18)連同所述載體(12)、所述集成電路(14)以及所述蓄能元件(16) —體地集成到所述芯片(10)中。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，其中，所述第二電極(30)設(shè)置在所述載體(12)的與所述集成電路(14)背向的側(cè)上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片(10)，其中所述第二電極(30)借助于能夠?qū)щ姷木€路(34)與所述集成電路(14)電氣耦合，并且其中所述載體(12)具有凹槽，所述線路(34)延伸穿過(guò)所述凹槽。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，其中，在所述第一電極(28)與所述第二電極(30)之間設(shè)置電解質(zhì)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，其中，所述第一電極(28)是所述蓄能元件(16)的陽(yáng)極，而所述第二電極(30)是所述蓄能元件的陰極。
8.根據(jù)權(quán)利要求2至7之一所述的芯片(10)，其中，所述天線(18)具有線圈(22)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，所述芯片具有封裝材料(36)，所述載體(12)、所述集成電路(14)、所述蓄能元件(16)并且必要時(shí)所述天線(18)被封裝到所述封裝材料中。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，所述芯片具有傳感器(38)，所述傳感器一體地集成在所述芯片(10)中。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，所述蓄能元件(16)是電池。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)，所述蓄能元件(16)是蓄電池。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的芯片(10)，所述芯片具有用于給所述蓄電池充電的能量獲得模塊(40)，所述能量獲得模塊一體地集成到芯片(10)中。
14.芯片裝置(50)，包括根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的芯片(10)和增益天線(52)，所述增益天線與所述芯片(10)的集成電路(14)耦合。
15.用于制造芯片(10)的方法，其中集成電路(14)構(gòu)成在載體(12)的上方，并且其中具有第一電極(28)和第二電極(30)的、用于給所述集成電路(14)供以電能的蓄能元件(16)與所述載體(12)、所述集成電路(14)以及所述蓄能元件(16) —體地構(gòu)成，其中所述第一電極(28)由所述載體(12)形成。
【文檔編號(hào)】H01L27/06GK104425491SQ201410423082
【公開(kāi)日】2015年3月18日 申請(qǐng)日期:2014年8月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月26日
【發(fā)明者】G·霍爾韋格, T·亨德?tīng)? G·霍弗, W·帕赫勒 申請(qǐng)人:英飛凌科技奧地利有限公司