一種多元紅外探測器臺面器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種多元紅外探測器臺面器件及其制作方法，其中，該方法區(qū)別于傳統(tǒng)臺面器件制作工藝，采用開槽隔離工藝將臺面器件的有效光敏像元之間進行隔離，以避免光生載流子的不規(guī)則運動和收集；同時為了避免無效光敏區(qū)域產(chǎn)生的光生載流子被有效光敏像元吸收，采用將無效光敏區(qū)域處P-N結(jié)進行短接、復(fù)合掉無效光生載流子的工藝，兩種工藝合為一體，形成完整的技術(shù)方案。本發(fā)明解決了傳統(tǒng)臺面器件工藝制作的多元紅外探測器存在的電串音問題，從而避免了應(yīng)用過程中的波形次峰和虛假信號問題。
【專利說明】一種多元紅外探測器臺面器件及其制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及紅外探測領(lǐng)域，特別是涉及一種多元紅外探測器臺面器件及其制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]紅外探測器能夠?qū)⑷肷涞募t外輻射信號轉(zhuǎn)變成電信號輸出，從而達到對目標探測、識別、跟蹤等目的，目前已經(jīng)成為現(xiàn)代武器裝備，如紅外制導(dǎo)、紅外成像、紅外跟蹤等系統(tǒng)中的核心部件，其性能指標直接關(guān)系到整個系統(tǒng)的質(zhì)量。光伏型紅外探測器是利用P-N結(jié)的光生伏特效應(yīng)，將入射的紅外光轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電信號，作為一種全天候被動探測器，具有環(huán)境適應(yīng)性好、隱蔽性好、抗干擾能力請等特點，在軍事、民用等諸多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。
[0003]隨著紅外技術(shù)的發(fā)展，為了提高系統(tǒng)的作用距離、響應(yīng)速度及擴大視場和簡化光機掃描結(jié)構(gòu)，光伏型紅外探測器從單元發(fā)展為多元。目前多元光伏紅外探測器已經(jīng)廣泛應(yīng)用于紅外制導(dǎo)等系統(tǒng)中，但是在應(yīng)用過程中多元探測器不同探測元之間的串音是影響其性能的一個重要因素，也是多元探測器工程化過程中較難解決的問題之一。
[0004]串音通常由電子學串音和光學串音兩部分組成，電串音產(chǎn)生的原因是入射到多元光伏探測器某一個光敏元的輻射信號激發(fā)的電子-空穴被其他光敏元接收，造成了其他光敏元的響應(yīng)；或者，是入射到無效光敏區(qū)域的輻射信號激發(fā)的電子-空穴被有效光敏元接收而產(chǎn)生的響應(yīng)，都是電串音。
[0005]電串音問題會導(dǎo)致多元光伏紅外探測器的信號波形產(chǎn)生次峰響應(yīng)干擾，影響探測器探測信號的精準度，并且會直接影響探測器的光電性能，在測試過程中產(chǎn)生虛假信號。避免或解決電串音問題需要對多元光伏型探測器的器件工藝和結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化設(shè)計，成熟有效的臺面器件工藝和適當?shù)脑g距離能夠解決電串音的問題。
[0006]臺面器件工藝是制備高性能多元光伏型紅外探測器的核心技術(shù)，多元光伏探測器件實際是一種光電二極管，利用P-N結(jié)的光生伏特效應(yīng),將入射的紅外光轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電信號。傳統(tǒng)的多元臺面器件工藝是在擴散或注入形成P-N結(jié)的襯底上，通過光刻掩膜刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)，然后將襯底的表面進行鈍化，再光刻掩膜刻蝕出接觸孔，最后在接觸孔處生長金屬歐姆接觸，實現(xiàn)P-N結(jié)正負電極弓I出。
[0007]然而，通過傳統(tǒng)的多元臺面器件工藝得到的多元紅外探測器存在嚴重的電串音問題，該導(dǎo)致其在后續(xù)應(yīng)用過程中，出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾，并且在測試過程中會產(chǎn)生虛假信號，因此，急需一種新的臺面器件工藝來解決上述問題。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明提供一種多元紅外探測器臺面器件及其制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)通過傳統(tǒng)的多元臺面器件工藝得到的多元紅外探測器存在嚴重的電串音，導(dǎo)致其在后續(xù)應(yīng)用過程中，出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾，并且在測試過程中會產(chǎn)生虛假信號的問題。
[0009]為解決上述技術(shù)問題，一方面，本發(fā)明提供一種多元紅外探測器臺面器件的制作方法，包括:
[0010]在襯底材料上通過光刻工藝形成臺面刻蝕的圖形；根據(jù)所述襯底材料的特性確定第一預(yù)定工藝，并通過所述第一預(yù)定工藝按照所述臺面刻蝕的圖形刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)，以將光敏像元之間、有效光敏元與無效光敏元之間通過開槽隔離開；根據(jù)所述襯底材料的特性確定鈍化層體系，并根據(jù)所述鈍化層體系對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化；在鈍化后襯底的鈍化層上，通過光刻工藝形成電極孔刻蝕的圖形；根據(jù)所述鈍化層材料的特性確定第二預(yù)定工藝，并通過所述第二預(yù)定工藝按照所述電極孔刻蝕的圖形刻蝕出正負電極接觸孔和無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接孔，以露出襯底材料；在露出的襯底材料表面上，通過第三預(yù)定工藝生長一層金屬電極層，以使所述接觸孔和所述短接孔處形成金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸；在生長電極層后襯底的金屬電極層上，通過光刻工藝形成電極刻蝕的圖形；根據(jù)電極層對應(yīng)的金屬電極材料特性確定第四預(yù)定工藝，并通過所述第四預(yù)定工藝將電極以外無用的金屬層刻蝕掉，以形成多元紅外探測器臺面器件。
[0011]進一步，通過所述第一預(yù)定工藝按照所述臺面刻蝕的圖形刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)時，所述臺面結(jié)構(gòu)的刻蝕深度根據(jù)P-N結(jié)厚度和所述第一預(yù)定工藝對應(yīng)的工藝需求共同確定。
[0012]進一步，所述鈍化層體系包括以下一種或多種:二氧化硅、氮氧化硅、碲化鎘、硫化鋅。
[0013]進一步，根據(jù)所述鈍化層體系對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化包括:根據(jù)所述鈍化層體系，通過磁控濺射工藝或化學氣相沉積工藝對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化。
[0014]進一步，上述金屬電極層的材料為鉻-金體系。
[0015]進一步，所述第一預(yù)定工藝、所述第二預(yù)定工藝和所述第四預(yù)定工藝均包括:濕化學腐蝕工藝或者干法刻蝕工藝。
[0016]進一步，所述第三預(yù)定工藝包括:熱蒸發(fā)工藝或者濺射工藝。
[0017]另一方面，本發(fā)明還提供一種多元紅外探測器臺面器件，通過上述的制作方法進行制備，包括:兩個光敏像元之間開槽隔離處，光敏像元與無效光敏區(qū)域開槽隔離處，無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處，負極地孔處；其中，所述無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處和所述負極地孔處都填充入金屬電極。
[0018]本發(fā)明提供了一種新的臺面器件的制作方法，該方法采用開槽隔離將臺面器件的有效光敏像元之間進行隔離，又通過將無效光敏區(qū)域處P-N結(jié)進行短接、復(fù)合掉無效光生載流子的方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)通過傳統(tǒng)的多元臺面器件工藝得到的多元紅外探測器存在嚴重的電串音，導(dǎo)致其在后續(xù)應(yīng)用過程中，出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾，并且在測試過程中會產(chǎn)生虛假信號的問題。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1是本發(fā)明實施例中多元紅外探測器臺面器件的制作方法的流程圖；
[0020]圖2是本發(fā)明實施例中多元紅外探測器臺面器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3是本發(fā)明優(yōu)選實施例中用開槽隔離工藝后的臺面器件的示意圖；
[0022]圖4是本發(fā)明優(yōu)選實施例中采用無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接工藝制備的臺面器件的示意圖。

【具體實施方式】
[0023]為了解決現(xiàn)有技術(shù)通過傳統(tǒng)的多元臺面器件工藝得到的多元紅外探測器存在嚴重的電串音，導(dǎo)致其在后續(xù)應(yīng)用過程中，出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾，并且在測試過程中會產(chǎn)生虛假信號的問題，本發(fā)明提供了一種多元紅外探測器臺面器件及其制作方法，以下結(jié)合附圖以及實施例，對本發(fā)明進行進一步詳細說明。應(yīng)當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不限定本發(fā)明。
[0024]本發(fā)明實施例提供了一種多元紅外探測器臺面器件的制作方法，其流程如圖1所示，包括步驟SlOl至步驟S108:
[0025]S101,在襯底材料上通過光刻工藝形成臺面刻蝕的圖形；
[0026]S102,根據(jù)襯底材料的特性確定第一預(yù)定工藝，并通過第一預(yù)定工藝按照臺面刻蝕的圖形刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)，以將光敏像元之間、有效光敏元與無效光敏元之間通過開槽隔離開；
[0027]S103,根據(jù)襯底材料的特性確定鈍化層體系，并根據(jù)鈍化層體系對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化；
[0028]S104，在鈍化后襯底的鈍化層上，通過光刻工藝形成電極孔刻蝕的圖形；
[0029]S105,根據(jù)鈍化層材料的特性確定第二預(yù)定工藝，并通過第二預(yù)定工藝按照電極孔刻蝕的圖形刻蝕出正負電極接觸孔和無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接孔，以露出襯底材料；
[0030]S106，在露出的襯底材料表面上，通過第三預(yù)定工藝生長一層金屬電極層，以使接觸孔和短接孔處形成金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸；
[0031]S107，在生長電極層后襯底的金屬電極層上，通過光刻工藝形成電極刻蝕的圖形；
[0032]S108，根據(jù)電極層對應(yīng)的金屬電極材料特性確定第四預(yù)定工藝，并通過第四預(yù)定工藝將電極以外無用的金屬層刻蝕掉，以形成多元紅外探測器臺面器件。
[0033]本發(fā)明實施例提供了一種新的臺面器件的制作方法，該方法采用開槽隔離將臺面器件的有效光敏像元之間進行隔離，又通過將無效光敏區(qū)域處P-N結(jié)進行短接、復(fù)合掉無效光生載流子的方法，解決了現(xiàn)有技術(shù)通過傳統(tǒng)的多元臺面器件工藝得到的多元紅外探測器存在嚴重的電串音，導(dǎo)致其在后續(xù)應(yīng)用過程中，出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾，并且在測試過程中會產(chǎn)生虛假信號的問題。
[0034]在上述過程中，第一預(yù)定工藝、第二預(yù)定工藝和第四預(yù)定工藝均可以是濕化學腐蝕工藝或者干法刻蝕工藝，具體采用何種工藝根據(jù)實際情況確定。第三預(yù)定工藝包括熱蒸發(fā)工藝或者濺射工藝，同樣的，也根據(jù)具體情況確定采用何種工藝。
[0035]通過第一預(yù)定工藝按照臺面刻蝕的圖形刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)時，臺面結(jié)構(gòu)的刻蝕深度根據(jù)P-N結(jié)厚度和第一預(yù)定工藝對應(yīng)的工藝需求共同確定。
[0036]上述過程中，鈍化層體系包括以下一種或多種:二氧化硅、氮氧化硅、碲化鎘、硫化鋅，實現(xiàn)時，根據(jù)鈍化層體系，通過磁控濺射工藝或化學氣相沉積工藝對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化，例如，如果鈍化層體系選擇為二氧化硅，則可以選擇二氧化硅對應(yīng)的工藝對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化。
[0037]在生長電極層后襯底的金屬電極層上，通過光刻工藝形成電極刻蝕的圖形時，金屬電極層的材料通常可以在鉻-金體系進行選擇。
[0038]本發(fā)明實施例還提供一種多元紅外探測器臺面器件，通過上述制作方法進行制備，其結(jié)構(gòu)示意如圖2所示,包括:
[0039]兩個光敏像元之間開槽隔離處1，光敏像元與無效光敏區(qū)域開槽隔離處2，無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處3，負極地孔處4 ;其中，在無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處3和負極地孔處4都填充入金屬電極。
[0040]優(yōu)選實施例
[0041]多元紅外探測器臺面器件的電串音問題會造成探測器的響應(yīng)波形產(chǎn)生次峰，并且會影響探測器的光電性能，是多元探測器工程化過程中較難解決的問題之一。之前采用傳統(tǒng)臺面器件工藝制備的多元紅外探測器器件存在電串音問題，導(dǎo)致其在后續(xù)應(yīng)用過程中出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾的問題，并且在測試過程中會產(chǎn)生虛假信號。
[0042]本實施例就是針對多元紅外探測器臺面器件的電串音問題而發(fā)明的一種方法，用于多元紅外探測器的臺面器件工藝中，能夠避免臺面器件像元之間和無效光敏區(qū)域的電串音，從而解決探測器應(yīng)用中的響應(yīng)波形次峰干擾問題。此方法中包含有效光敏像元間開槽隔離工藝和無效光敏區(qū)域處PN結(jié)短接工藝，兩者合為一體，形成完整的技術(shù)方案。區(qū)別于傳統(tǒng)臺面器件工藝，本實施例提供了一種新的方法，更好的避免了臺面器件的電串音，在實際應(yīng)用中得到驗證可以解決多元紅外探測器響應(yīng)波形的次峰干擾問題，此工藝方法可以推廣應(yīng)用于所有多元紅外探測器的臺面器件工藝中。下面對本發(fā)明實施例的方案進行進一步說明。
[0043]本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案是:在對多元紅外探測器臺面器件電串音問題充分分析的基礎(chǔ)上，采用開槽隔離工藝將臺面器件的有效光敏像元之間進行隔離，以避免光生載流子的不規(guī)則運動和收集(產(chǎn)生像元間電串)；同時，為了避免無效光敏區(qū)域產(chǎn)生的光生載流子被有效光敏像元吸收(對有效像元電串)，采用將無效光敏區(qū)域處P-N結(jié)進行短接、復(fù)合掉無效光生載流子的工藝，兩種工藝合為一體，形成完整的技術(shù)方案。
[0044]傳統(tǒng)臺面器件光刻版圖中有效光敏像元在臺面上，其他所有無效光敏區(qū)域都在臺面下，而且光敏像元之間、無效光敏區(qū)域與光敏像元之間都沒有隔離，同時也沒有將無效光敏區(qū)域的P-N結(jié)短。
[0045]本發(fā)明實施例所采用的開槽隔離工藝和無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接兩種工藝，首先是在多元光伏器件的光刻版圖設(shè)計中就區(qū)別于傳統(tǒng)臺面器件工藝，下面對該區(qū)別進行說明:
[0046](I)臺面光刻版圖中用具體光刻、刻蝕等器件工藝允許的最小槽寬將器件上每個光敏像元之間以及與無效光敏區(qū)域隔離分開，并且在無效光敏區(qū)域均勻布置P-N結(jié)短接點，除開槽、負極地孔和P-N結(jié)短接點在臺面下，其他區(qū)域都在臺面上；
[0047](2)接觸孔光刻版圖中除了設(shè)置傳統(tǒng)工藝中的P-N結(jié)正負電極接觸孔，在無效光敏區(qū)域同時設(shè)置P-N結(jié)短接孔；
[0048](3)電極光刻版圖中除了將傳統(tǒng)工藝中的P-N結(jié)正負電極引出以外，還利用金屬歐姆接觸把無效光敏區(qū)域處的P-N結(jié)進行了短接。
[0049]開槽隔離工藝首先是將設(shè)計好的臺面光刻版圖形通過光刻工藝轉(zhuǎn)移到多元器件襯底上，然后通過刻蝕工藝將分隔槽處刻蝕到P-N結(jié)下層(P on N結(jié)構(gòu)刻蝕到N型層，N onP結(jié)構(gòu)刻蝕到P型層)，無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處和負(地)電極處也刻蝕到下層，與傳統(tǒng)臺面器件工藝不同，其他無效光敏區(qū)域不進行刻蝕，也相當于是臺面。臺面刻蝕后開槽隔離工藝完成，形成了一種特殊的臺面結(jié)構(gòu)。
[0050]在開槽隔離工藝形成的臺面結(jié)構(gòu)上生長一層鈍化層，通過光刻工藝將接觸孔光刻版圖中的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上，然后采用刻蝕工藝將正負電極接觸孔、無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接孔處的鈍化層刻蝕干凈，接觸孔處分別露出P型和N型襯底材料，短接孔處同時露出P型和N型襯底材料。下面就是進行電極生長工藝，通過電極光刻掩膜，在接觸孔和短接孔處采用熱蒸發(fā)或濺射工藝生長金屬層歐姆接觸，從而實現(xiàn)了 P-N結(jié)正負電極的引出以及無效光敏區(qū)域P-N結(jié)的短接工藝。
[0051]該避免電串音的工藝方案所得的多元紅外探測器臺面器件不存在光敏像元之間和無效光敏區(qū)域的電串音問題，從而在后續(xù)測試過程中不會產(chǎn)生虛假信號、影響探測器的光電性能，并且在工程應(yīng)用過程中沒有出現(xiàn)響應(yīng)波形次峰干擾問題，提高了探測系統(tǒng)的精準度。
[0052]通過運用本實施例，可以在多元紅外探測器臺面器件的制備工藝中，有效地避免了多元紅外探測器臺面器件光敏像元的電串音，從而解決了該類型探測器在后續(xù)工程應(yīng)用過程中的響應(yīng)波形次峰干擾和虛假信號問題，攻破了一項多元紅外探測器的工程應(yīng)用難關(guān)，并且提升了紅外系統(tǒng)探測的精準度。
[0053]下面結(jié)合附圖對本實施例中的方法做進一步說明。
[0054]多元紅外探測器臺面器件正常信號響應(yīng)波形通常底部平滑，然而存在電串音問題的臺面器件信號響應(yīng)波形底部有次峰干擾。本實施例圖3為使用開槽隔離工藝后的示意圖，圖中網(wǎng)格部分為有效光敏像元，斜線部分為無效光敏區(qū)域；1為兩個光敏像元之間開槽隔離處，2為光敏像元與無效光敏區(qū)域開槽隔離處，3為無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處，4為負極地孔處。
[0055]圖4是本發(fā)明所采用無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接工藝制備的臺面器件剖面示意圖?；趫D3的工藝完成的基礎(chǔ)上進行圖4的工藝，在圖中，6為光敏元處正電極金屬接觸，7為無效光敏區(qū)域處P-N結(jié)短接電極金屬接觸，5為地孔處負電極金屬接觸。
[0056]下面對制得上述臺面器件的過程進行說明，其工藝過程詳述如下:
[0057](I)臺面光刻:在清洗干凈的襯底材料上利用光刻工藝形成臺面刻蝕的圖形。
[0058](2)臺面刻蝕:根據(jù)具體多元器件襯底材料的特性，采用濕化學腐蝕或者干法刻蝕工藝刻蝕出器件的具體臺面結(jié)構(gòu)，如圖3所示，臺面刻蝕深度根據(jù)器件P-N結(jié)具體厚度及相應(yīng)工藝需求而確定。
[0059](3)鈍化層生長:針對具體的多元器件襯底材料選擇適合的鈍化層體系，常用的有二氧化硅、氮氧化硅、碲化鎘、硫化鋅等單層膜或復(fù)合膜，生長工藝可以采用磁控濺射、化學氣相沉積等方式。
[0060](4)接觸孔光刻:在襯底的鈍化層上利用光刻工藝形成電極孔刻蝕的圖形。
[0061](5)接觸孔刻蝕:針對具體的鈍化層材料，采用濕化學腐蝕或者干法刻蝕工藝刻蝕出正負電極接觸孔和無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接孔，露出襯底材料。
[0062](6)金屬電極生長:在襯底表面米用熱蒸發(fā)或者派射的工藝方式生長一層金屬電極層，在接觸孔和短接孔處形成金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸，如圖4中5、6、7處所示，常用的金屬電極是鉻-金體系，具體厚度根據(jù)相應(yīng)工藝需求而確定。
[0063](7)電極光刻:在襯底的金屬電極層上利用光刻工藝形成電極刻蝕的圖形。
[0064](8)電極刻蝕:針對具體的金屬電極材料，采用濕化學腐蝕或者干法刻蝕工藝將電極以外無用的金屬層刻蝕掉。
[0065]盡管為示例目的，已經(jīng)公開了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識到各種改進、增加和取代也是可能的，因此，本發(fā)明的范圍應(yīng)當不限于上述實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種多元紅外探測器臺面器件的制作方法，其特征在于，包括: 在襯底材料上通過光刻工藝形成臺面刻蝕的圖形； 根據(jù)所述襯底材料的特性確定第一預(yù)定工藝，并通過所述第一預(yù)定工藝按照所述臺面刻蝕的圖形刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)，以將光敏像元之間、有效光敏元與無效光敏元之間通過開槽隔離開； 根據(jù)所述襯底材料的特性確定鈍化層體系，并根據(jù)所述鈍化層體系對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化； 在鈍化后襯底的鈍化層上，通過光刻工藝形成電極孔刻蝕的圖形； 根據(jù)所述鈍化層材料的特性確定第二預(yù)定工藝，并通過所述第二預(yù)定工藝按照所述電極孔刻蝕的圖形刻蝕出正負電極接觸孔和無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接孔，以露出襯底材料； 在露出的襯底材料表面上，通過第三預(yù)定工藝生長一層金屬電極層，以使所述接觸孔和所述短接孔處形成金屬-半導(dǎo)體歐姆接觸； 在生長電極層后襯底的金屬電極層上，通過光刻工藝形成電極刻蝕的圖形； 根據(jù)電極層對應(yīng)的金屬電極材料特性確定第四預(yù)定工藝，并通過所述第四預(yù)定工藝將電極以外無用的金屬層刻蝕掉，以形成多元紅外探測器臺面器件。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過所述第一預(yù)定工藝按照所述臺面刻蝕的圖形刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)時，所述臺面結(jié)構(gòu)的刻蝕深度根據(jù)P-N結(jié)厚度和所述第一預(yù)定工藝對應(yīng)的工藝需求共同確定。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述鈍化層體系包括以下一種或多種:二氧化硅、氮氧化硅、碲化鎘、硫化鋅。
4.如權(quán)利要求3所述的，其特征在于，根據(jù)所述鈍化層體系對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化包括: 根據(jù)所述鈍化層體系，通過磁控濺射工藝或化學氣相沉積工藝對刻蝕出臺面結(jié)構(gòu)的襯底材料進行鈍化。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，上述金屬電極層的材料為鉻-金體系。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述第一預(yù)定工藝、所述第二預(yù)定工藝和所述第四預(yù)定工藝均包括:濕化學腐蝕工藝或者干法刻蝕工藝。
7.如權(quán)利要求1至5中任一項所述的方法，其特征在于，所述第三預(yù)定工藝包括:熱蒸發(fā)工藝或者濺射工藝。
8.—種多元紅外探測器臺面器件，通過權(quán)利要求1至7中任一項所述的制作方法進行制備，其特征在于，包括: 兩個光敏像元之間開槽隔離處(I)，光敏像元與無效光敏區(qū)域開槽隔離處(2)，無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處(3)，負極地孔處(4); 其中，上述所述無效光敏區(qū)域P-N結(jié)短接處(3)和所述負極地孔處(4)都填充入金屬電極。
【文檔編號】H01L31/18GK104201237SQ201410419517
【公開日】2014年12月10日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月22日
【發(fā)明者】郭喜, 肖鈺, 邱國臣, 趙建忠 申請人:中國電子科技集團公司第十一研究所