一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，包括如下步驟：A、將一整片金屬加工制成多個相連的金屬部，金屬部包括兩端部和位于兩端部之間的兩個具有一定間隙的連接體，將一導(dǎo)電體連接于兩個連接體之間；金屬部和導(dǎo)電體形成待切割部；B、分別整板注塑形成上蓋板和下蓋板，上蓋板和/或下蓋板具有大凹槽，上蓋板的大凹槽和/或下蓋板的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，相鄰的大凹槽在至少一個方向上設(shè)有具有通透分割區(qū)；C、將待切割部放置于上蓋板和下蓋板組成的殼體中，并整板粘合上蓋板和下蓋板，連接體橫跨小凹槽且導(dǎo)電體懸掛在大凹槽組成的空腔中；D、沿通透分割區(qū)切割上蓋板和下蓋板，并將位于殼體外的待切割部彎折形成外電極。
【專利說明】
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于電路保護(hù)元件領(lǐng)域，尤其涉及一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的工業(yè)制造方法。 一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法

【背景技術(shù)】
[0002] 表面貼裝熔斷器主要兩大類型：中空結(jié)構(gòu)熔斷器及固體器件型熔斷器。中空結(jié)構(gòu) 熔斷器，熔絲（導(dǎo)線）懸掛在中空的外殼中。熔絲的兩端與端頭電極以不同的方式固定，具 有電阻小、耗能低等特點。
[0003] 美國專利US2010245025(A1)揭示的一種類型熔斷器包括一個外殼，兩個端頭金 屬帽，及一根延伸至外殼及端帽外的熔絲，熔絲在端頭金屬帽外表面彎曲形成電連接，熔斷 器在焊接到PCB板上時，焊接使用的錫膏將熔絲、端頭金屬帽以及PCB板連接成一體。此種 熔斷器采用外殼與金屬帽之間逐個組裝而成，生產(chǎn)效率較低。
[0004] 另一種，多層壓和結(jié)構(gòu)保險絲，將熔絲懸置基體內(nèi)，基體封裝采用粘結(jié)劑壓合固化 方式，空腔部分采用機(jī)加工方式或多層疊壓（CN1848351)形成，繁瑣，成本較高。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，以解決現(xiàn)有 技術(shù)工序復(fù)雜，生產(chǎn)效率低的問題。
[0006] 為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明第一方面提供了一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，所述 方法包括如下步驟：
[0007] A、將一整片金屬加工制成多個相連的待切割部；
[0008] B、分別整板注塑形成具有多個相連的上外殼的上蓋板和具有多個相連的下外殼 的下蓋板，所述上外殼和/或所述下外殼具有大凹槽，所述上外殼的大凹槽和/或所述下外 殼的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，所述上外殼相連的地方和所述下外殼相連的地方均 具有通透分割區(qū)；
[0009] C、將所述待切割部放置于所述上外殼和所述下外殼組成的殼體中，并整板粘合所 述上蓋板和所述下蓋板，所述待切割部的中間部分橫跨所述小凹槽且其中段懸掛在所述上 外殼的大凹槽和/或所述下外殼的大凹槽組成的空腔中；
[0010] D、沿所述通透分割區(qū)分割所述上蓋板和所述下蓋板，并將位于所述殼體外的待切 割部彎折形成外電極。
[0011] 在第一方面的一種優(yōu)選方式中，所述A步驟還包括對所述待切割部的中間部分進(jìn) 行局部電鍍。
[0012] 本發(fā)明第二方面還提供了另一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，所述方法包括如下 步驟：
[0013] A、將一整片金屬加工制成多個相連的金屬部，所述金屬部包括兩端部和位于兩端 部之間的兩個具有一定間隙的連接體，將一導(dǎo)電體連接于兩個所述連接體之間；所述金屬 部和所述導(dǎo)電體形成待切割部；
[0014] B、分別整板注塑形成具有多個相連的上外殼的上蓋板和具有多個相連的下外殼 的下蓋板，所述上外殼和/或所述下外殼具有大凹槽，所述上外殼的大凹槽和/或所述下外 殼的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，所述上外殼相連的地方和所述下外殼相連的地方均 具有通透分割區(qū)；
[0015] C、將所述待切割部放置于所述上外殼和所述下外殼組成的殼體中，并整板粘合所 述上蓋板和所述下蓋板，所述連接體橫跨所述小凹槽且所述導(dǎo)電體懸掛在所述上外殼的大 凹槽和/或所述下外殼的大凹槽組成的空腔中；
[0016] D、沿所述通透分割區(qū)切割所述上蓋板和所述下蓋板，并將位于所述殼體外的待切 割部彎折形成外電極。
[0017] 在第二方面的一種優(yōu)選方式中，所述A步驟中采用高溫焊錫、電容脈沖放電點焊 或超聲波焊將所述導(dǎo)電體連接于兩個所述連接體之間。
[0018] 在第二方面的一種優(yōu)選方式中，所述導(dǎo)電體為直絲型或螺旋形。
[0019] 在第一或第二方面的一種優(yōu)選方式中，所述A步驟還包括對所述待切割部的端部 進(jìn)行金屬表面電鍍。
[0020] 在第一或第二方面的一種優(yōu)選方式中，所述對整片金屬加工是通過沖壓、光刻或 蝕刻的方式進(jìn)行的。
[0021] 在第一或第二方面的一種優(yōu)選方式中，所述D步驟包括：
[0022] D1、沿同一方向的所述通透分割區(qū)切割所述上蓋板和所述下蓋板；
[0023] D2、將位于所述殼體外的待切割部整板彎折形成外電極；
[0024] D3、沿與D1中的方向相垂直的方向分割所述上蓋板和所述下蓋板，形成單個熔斷 器。
[0025] 優(yōu)選的，所述D3步驟為沿與D1中的方向相垂直的方向鑼邊或切割所述上蓋板和 所述下蓋板及對應(yīng)位置處的待切割部，形成單個熔斷器。
[0026] 在第一或第二方面的一種優(yōu)選方式中，所述A步驟中將一整片金屬加工制成多個 相連的金屬線框。
[0027] 由此可見，本發(fā)明實施例提供的中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，上下外殼注塑成型， 提高了效率，且外電極由金屬線框端子直接彎折形成，解決了套帽連接及金屬化的繁瑣。而 且采用整板注塑的方式能夠一次制造多個熔斷器，相比現(xiàn)有技術(shù)提高了生產(chǎn)效率。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0028] 為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn) 有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明 的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù) 這些附圖獲得其他的附圖。
[0029] 圖1為本發(fā)明實施例一單個待切割部的結(jié)構(gòu)圖；
[0030] 圖2本發(fā)明實施例一的多個相連的待切割部的結(jié)構(gòu)圖；
[0031] 圖3為本發(fā)明實施例一注塑形成的上下蓋板的結(jié)構(gòu)圖；
[0032] 圖4為本發(fā)明實施例一中待切割部與上/下蓋板組合后的平面圖；
[0033] 圖5為本發(fā)明實施例一上下蓋板粘合后的部分結(jié)構(gòu)圖；
[0034] 圖6為本發(fā)明實施例一形成的單個熔斷器的結(jié)構(gòu)圖；
[0035] 圖7本發(fā)明實施例一的流程圖；
[0036] 圖8本發(fā)明實施例二的流程圖；
[0037] 圖9為本發(fā)明實施例二多個相連的金屬部的結(jié)構(gòu)圖；
[0038] 圖10本發(fā)明實施例二的待切割部與上/下蓋板組合后的平面圖；
[0039] 圖11為本發(fā)明實施例二上下蓋板粘合后的部分結(jié)構(gòu)圖；
[0040] 圖12為本發(fā)明實施例二的單個熔斷器的結(jié)構(gòu)圖。

【具體實施方式】
[0041] 為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例 中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員 在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0042] 本發(fā)明實施例一提供了一種制造中空結(jié)構(gòu)熔斷器的方法，參見圖7,該方法具體包 括如下步驟：
[0043] S11、將一整片金屬加工制成多個相連的待切割部。
[0044] 本發(fā)明實施例中，該待切割部可以為兩端粗中間細(xì)的金屬線框。
[0045] 如圖1所示，即為單個待切割部的結(jié)構(gòu)圖。其中兩端部用于后續(xù)形成端子11，中間 部分用于后續(xù)形成熔絲12。
[0046] 將一整片金屬采用沖壓、光刻或蝕刻的方式進(jìn)行加工，可形成如圖2所示的多個 相連的待切割部1。其中的13用于后續(xù)進(jìn)行切割。當(dāng)然，圖1、2只是示出了本發(fā)明其中的 一種具體結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以想到將整片金屬加工形成其他形狀的待切割部。
[0047] 在步驟S11中，根據(jù)不同電流及應(yīng)用要求，金屬片可選擇不同金屬材料如Cu，Zn/ Sn合金，Ag等。待切割部的中間部分即后續(xù)用于形成熔絲的部分，可根據(jù)性能要求進(jìn)行局 部電鍍，待切割部的兩端即后續(xù)用于形成端子的部分可采用金屬表面電鍍（Au，Ni，Sn等）， 便于后續(xù)與線路板焊接。
[0048] S12、分別整板注塑形成蓋板和下蓋板。其中，上蓋板和/或下蓋板具有大凹槽，上 蓋板的大凹槽和/或下蓋板的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，相鄰的大凹槽在至少一個 方向上具有通透分割區(qū)。
[0049] 圖3示出了一上蓋板（或下蓋板）21。其中上蓋板21上開設(shè)有多個大凹槽212， 并在相鄰大凹槽212之間開設(shè)通透分割區(qū)211，在大凹槽212的兩相對壁上開設(shè)有小凹槽 213。下蓋板具有與上蓋板相同的結(jié)構(gòu)。上下蓋板的大凹槽212用于在上蓋板和下蓋板相 合時形成空腔。在該步驟中，通透分割區(qū)211用于后續(xù)切割以形成單個的熔斷器。需要說 明的是，圖3所示的實施例中，相鄰大凹槽212只在橫向方向上設(shè)有通透分割區(qū)。為最后形 成單個熔斷器，可在組裝完成后，切割圖中的214部分。
[0050] 需要說明的是，本發(fā)明中，大凹槽和小凹槽可只開設(shè)在上蓋板或下蓋板上。
[0051] 在步驟S12中，上下蓋板的材料選擇多樣，具體可選擇聚合物及聚合物添加玻纖 填料增強(qiáng)等，注塑模具根據(jù)產(chǎn)品尺寸要求進(jìn)行選擇，凹槽結(jié)構(gòu)可通過設(shè)計相應(yīng)的模具實現(xiàn)。
[0052] S13、將待切割部放置于上蓋板和下蓋板組成的殼體中，并整板粘合上蓋板和下蓋 板。待切割部的中間部分橫跨小凹槽且其中段懸掛在上蓋板的大凹槽和/或下蓋板的大凹 槽組成的空腔中。待切割部與大凹槽一一對應(yīng)。
[0053] 將待切割部一一對應(yīng)放置于殼體中，具體的，將待切割部的中間部分即后續(xù)用于 形成熔絲的部分橫跨在小凹槽上，且其中段懸掛在大凹槽形成的空腔中。此時，待切割部的 端部外露于大凹槽之外，或者說與通透分割區(qū)的位置相對應(yīng)。粘合上下蓋板。粘合是可選 用膠水進(jìn)行粘合固化，膠水可采用環(huán)氧膠等。
[0054] 圖4示出了將待切割部與上蓋板21(或下蓋板）組合的平面圖。其中待切割部的 中間部分橫跨小凹槽且中段231懸掛在大凹槽212中，待切割部的兩個端部232外露于大 凹槽212,對應(yīng)于上蓋板21的通透分割區(qū)211處。兩個待切割部相連的用于后續(xù)分割的部 分233對應(yīng)于通透分割區(qū)211處。
[0055] 圖5示出了將上下蓋板21粘合后其中一部分的結(jié)構(gòu)圖。其中待切割部23的中間 部分橫跨小凹槽且中段懸掛在空腔24中，待切割部23的兩個端部外露于殼體。
[0056] S14、沿通透分割區(qū)分割上蓋板和下蓋板，并將位于殼體外的待切割部彎折形成外 電極。
[0057] 沿通透分割區(qū)以及圖3中的214的位置處分割上下蓋板后會形成多個獨(dú)立的殼 體。此時，多個相連的待切割部也同時被分割開來。待切割部的端部即外露于殼體之外。外 露于殼體外的部分為端子，將端子彎折即形成外電極。最終形成的產(chǎn)品如圖6所示，包括殼 體31、熔絲32以及由端子直接彎折形成的外電極33。
[0058] 在上述步驟S14中，可以先沿通透分割區(qū)切割上蓋板和下蓋板，然后將位于殼體 外的待切割部整板彎折形成外電極，最后沿與通透分割區(qū)垂直的方向如圖3中的214,鑼邊 或切割上蓋板和下蓋板，以形成單個熔斷器。這一方式可以整板彎折端子形成外電極，進(jìn)一 步提1? 了效率。
[0059] 本發(fā)明上述實施例的上下外殼均采用注塑方式成型，無需機(jī)加工，提高了效率；熔 絲采用金屬線框一體成型，外電極直接采用一體成型的金屬線框端子彎折后形成外電極， 解決了套帽連接及金屬化的繁瑣。而且采用整板注塑的方式能夠一次制造多個熔斷器，相 比現(xiàn)有技術(shù)提商了生廣效率。
[0060] 本發(fā)明實施例2提供了另一種制造中空結(jié)構(gòu)熔斷器的方法，參見圖8,該方法包括 如下步驟：
[0061] S21、將一整片金屬加工制成多個相連的金屬部。金屬部包括兩端部和位于兩端部 之間的兩個具有一定間隙的連接體，將一導(dǎo)電體連接于兩個連接體之間；金屬部和導(dǎo)電體 形成待切割部。
[0062] 本發(fā)明實施例中，該金屬部可以為金屬線框。
[0063] 將一整片金屬采用沖壓、光刻或蝕刻的方式進(jìn)行加工，形成多個相連的金屬部。如 圖9所示的多個相連的金屬部4,每個金屬部4包括兩個端部42和位于兩端部之間的具有 間隙的連接體41，導(dǎo)電體43連接于連接體41之間。當(dāng)然，圖9只是示出了本發(fā)明其中的一 種具體結(jié)構(gòu)，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以想到將整片金屬加工形成其他形狀的金屬部后形成待 切割部的結(jié)構(gòu)圖。導(dǎo)電體43即后續(xù)用于形成熔絲的部分.
[0064] 在步驟S21中，根據(jù)不同電流及應(yīng)用要求，金屬片可選擇不同金屬材料如Cu，Zn/ Sn合金，Ag等。待切割部的兩端即連接體41的兩端部用于后續(xù)形成端子，其可采用金屬表 面電鍍（Au，Ni，Sn等），便于后續(xù)與線路板焊接
[0065] 在步驟S21中，根據(jù)不同電流及應(yīng)用要求，導(dǎo)電體可選擇不同材料如單金屬或復(fù) 合多層金屬，形狀可采用直絲性或螺旋性（玻璃/陶瓷纖維外繞線的線束等）以滿足快斷 或慢斷的不同應(yīng)用要求；導(dǎo)電體與連接體可采用焊接方式連接，焊接可用高溫焊錫，電容脈 沖放電點焊，超聲波焊等方式實現(xiàn)。
[0066] S22、分別整板注塑形成上蓋板和下蓋板。上蓋板和/或下蓋板具有大凹槽，上蓋 板的大凹槽和/或下蓋板的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，大凹槽相連的地方至少在一 個方向上均具有通透分割區(qū)。
[0067] 該步驟形成的上下蓋板的結(jié)構(gòu)與實施例一中形成的結(jié)構(gòu)相同，具體可參見圖3。
[0068] 在步驟S22中，蓋板材料選擇多樣，具體可選擇聚合物及聚合物添加玻纖填料增 強(qiáng)等，注塑模具根據(jù)產(chǎn)品尺寸要求進(jìn)行選擇，凹槽結(jié)構(gòu)可通過涉及相應(yīng)的模具實現(xiàn)。
[0069] S23、將待切割部放置于上下蓋板組成的殼體中，并整板粘合上蓋板和下蓋板。待 切割部的中間部分橫跨小凹槽且其中段懸掛在上外殼的大凹槽和/或下外殼的大凹槽組 成的空腔中。
[0070] 圖10示出了將待切割部與上蓋板（或下蓋板）組合的平面圖。其中待切割部的 連接體41橫跨小凹槽且導(dǎo)電體43懸掛在大凹槽451中，金屬部的兩個端部外露于大凹槽 451，對應(yīng)于上蓋板的通透分割區(qū)452處。
[0071] 圖11示出了將上下蓋板粘合后其中一部分的結(jié)構(gòu)圖。其中導(dǎo)電體43懸掛在空腔 44中，待切割部的兩個端部外露于殼體45。
[0072] 將待切割部對應(yīng)放置于大凹槽中，粘合上下蓋板。粘合可選用膠水進(jìn)行粘合固化， 膠水可采用環(huán)氧膠等。
[0073] S24、沿通透分割區(qū)分割上蓋板和下蓋板，并將位于殼體外的待切割部彎折形成外 電極。
[0074] 沿通透分割區(qū)分割上下蓋板后會將多個相連的上下外殼分割開，形成多個獨(dú)立的 殼體。此時，多個相連的待切割部也同時被分割開來。待切割部的端部即金屬部的端部外 露于殼體之外。外露于殼體外的部分為端子，將端子彎折即形成外電極。最終形成的產(chǎn)品 如圖12所示，其與圖11的不同在于端子彎折形成了外電極42、
[0075] 在上述步驟S24中，可以先沿同一方向的通透分割區(qū)切割上蓋板和下蓋板，然后 將位于殼體外的待切割部整板彎折形成外電極，最后沿垂直方向的通透分割區(qū)鑼邊或切割 上蓋板和下蓋板，以形成單個熔斷器。這一方式可以整板彎折端子形成外電極，進(jìn)一步提高 了效率。
[0076] 本發(fā)明上述實施例二的上下外殼均采用注塑方式成型，無需機(jī)加工，提高了效率； 采用金屬線框部分作為內(nèi)電極熔絲的支撐體，兩端部分作為端子部分，外電極直接采用一 體成型的金屬線框端子彎折后形成外電極，解決了套帽連接及金屬化的繁瑣。而且采用整 板注塑的方式能夠一次制造多個熔斷器，相比現(xiàn)有技術(shù)提高了生產(chǎn)效率。
[0077] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人 員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟： A、 將一整片金屬加工制成多個相連的金屬部，所述金屬部包括兩端部和位于兩端部之 間的兩個具有一定間隙的連接體，將一導(dǎo)電體連接于兩個所述連接體之間；所述金屬部和 所述導(dǎo)電體形成待切割部； B、 分別整板注塑形成上蓋板和下蓋板，所述上蓋板和/或所述下蓋板具有大凹槽，所 述上蓋板的大凹槽和/或所述下蓋板的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，所述相鄰的大凹 槽在至少一個方向上設(shè)有具有通透分割區(qū)； C、 將所述待切割部放置于所述上蓋板和所述下蓋板組成的殼體中，并整板粘合所述上 蓋板和所述下蓋板，所述連接體橫跨所述小凹槽且所述導(dǎo)電體懸掛在所述大凹槽組成的空 腔中； D、 沿所述通透分割區(qū)切割所述上蓋板和所述下蓋板，并將位于所述殼體外的待切割部 彎折形成外電極。
2. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述A步驟中采用高溫焊錫、電容脈沖 放電點焊或超聲波焊將所述導(dǎo)電體連接于兩個所述連接體之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述導(dǎo)電體為直絲型或螺旋形。
4. 一種中空結(jié)構(gòu)熔斷器的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟： A、 將一整片金屬加工制成多個相連的待切割部； B、 分別整板注塑形成上蓋板和下蓋板，所述上蓋板和/或下蓋板具有大凹槽，所述上 蓋板的大凹槽和/或所述下蓋板的大凹槽的相對側(cè)壁上具有小凹槽，所述相鄰的大凹槽在 至少一個方向上設(shè)有具有通透分割區(qū)； C、 將所述待切割部放置于所述上蓋板和下蓋板組成的殼體中，并整板粘合所述上蓋板 和所述下蓋板，所述待切割部的中間部分橫跨所述小凹槽且其中段懸掛在所述大凹槽組成 的空腔中； D、 沿所述通透分割區(qū)分割所述上蓋板和所述下蓋板，并將位于所述殼體外的待切割部 彎折形成外電極。
5. 如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述A步驟還包括對所述待切割部的中 間部分進(jìn)行局部電鍍。
6. 如權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，所述A步驟還包括對所述待切割部 的端部進(jìn)行金屬表面電鍍。
7. 如權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，所述對整片金屬加工是通過沖壓、 光刻或蝕刻的方式進(jìn)行的。
8. 如權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，所述D步驟包括： D1、沿所述通透分割區(qū)切割所述上蓋板和所述下蓋板； D2、將位于所述殼體外的待切割部整板彎折形成外電極； D3、沿與D1中的方向相垂直的方向分割所述上蓋板和所述下蓋板，形成單個熔斷器。
9. 如權(quán)利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述D3步驟為沿與D1中的方向相垂直 的方向鑼邊或切割所述上蓋板和所述下蓋板及對應(yīng)位置處的待切割部，形成單個熔斷器。
10. 如權(quán)利要求1或4所述的制造方法，其特征在于，所述A步驟中將一整片金屬加工 制成多個相連的金屬線框。
【文檔編號】H01H69/02GK104157518SQ201410417794
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2014年8月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月22日
【發(fā)明者】翟玉玲, 張海明, 李向明 申請人:Aem科技(蘇州)股份有限公司