一種散熱層、具其的電子器件及電子器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種散熱層、具其的電子器件及電子器件的制作方法，涉及電子器件領(lǐng)域，解決了現(xiàn)有的電子器件散熱層導(dǎo)熱效果不好的問(wèn)題。一種散熱層，形成所述散熱層的材料包括拓?fù)浣^緣體，所述散熱層在圖案化的基底表面形成的。
【專利說(shuō)明】一種散熱層、具其的電子器件及電子器件的制作方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件領(lǐng)域，尤其涉及一種散熱層、具其的電子器件及電子器件的制作方法。

【背景技術(shù)】
[0002]大多數(shù)電子器件的使用都伴隨著散熱的問(wèn)題。且散熱不均等問(wèn)題的還會(huì)降低電子器件的使用壽命。以LED(Light Emitting D1de，發(fā)光二極管)為例，LED核心發(fā)光部分對(duì)溫度條件要求較高，而通電后溫度過(guò)高會(huì)導(dǎo)致發(fā)光強(qiáng)度減小，而且極大地縮短使用壽命。因此一般在電子器件中設(shè)置有散熱層，以減小電子器件核心的溫度，延長(zhǎng)電子器件的使用壽命。但現(xiàn)有的散熱層一般為金屬薄膜、銅箔或合金箔，其導(dǎo)熱效果一般。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種散熱層、具其的電子器件及電子器件的制作方法，所述散熱層的散熱效果好。
[0004]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0005]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種散熱層，形成所述散熱層的材料包括拓?fù)浣^緣體，所述散熱層在圖案化的基底表面形成的。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子器件，包括:發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層，其中，所述散熱層為本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的散熱層。
[0007]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子器件的制作方法，包括:
[0008]利用拓?fù)浣^緣體形成散熱層圖案；
[0009]形成發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層，所述散熱層由所述散熱層圖案形成。
[0010]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種散熱層、具其的電子器件及電子器件的制作方法，形成散熱層的材料包括拓?fù)浣^緣體，由于拓?fù)浣^緣體的拓?fù)湫再|(zhì)，相比與現(xiàn)有的金屬薄膜、銅箔或合金箔，拓?fù)浣^緣體形成的散熱層的散熱性好，且由拓?fù)浣^緣體形成的散熱層還具有好的阻隔水汽和氧氣以及防靜電的效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0011]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LED示意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種晶體管不意圖；
[0014]圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種晶體管不意圖；
[0015]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種背光源示意圖；
[0016]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子器件的制作方法示意圖；
[0017]圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種利用拓?fù)浣^緣體形成散熱層圖案的示意圖；
[0018]圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種LED的制作方法示意圖；
[0019]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種晶體管的制作方法示意圖；
[0020]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種晶體管的制作方法示意圖；
[0021]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種背光源的制作方法示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記:
[0023]11-基板；12_反射杯；13_封裝透鏡；14_發(fā)光芯片；15_LED散熱層；21_襯底；22-柵極；23_絕緣層；34_有源層；25_源極；26_漏極；27_第一散熱層；28_鈍化層；29_第二散熱層；31_反射層；32_發(fā)光源；33_光學(xué)膜片；34_背光散熱層；40_粘著層。

【具體實(shí)施方式】
[0024]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0025]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種散熱層，其中，形成散熱層的材料包括拓?fù)浣^緣體，散熱層在圖案化的基底表面形成的。
[0026]形成散熱層的材料包括拓?fù)浣^緣體，即散熱層可以僅由拓?fù)浣^緣體形成，還可以是由拓?fù)浣^緣體以及聚合物等形成的混合材料形成。本發(fā)明實(shí)施例以散熱層由拓?fù)浣^緣體形成為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0027]拓?fù)浣^緣體(topological insulator)是近年來(lái)新認(rèn)識(shí)到的一種物質(zhì)形態(tài)。拓?fù)浣^緣體的體能帶結(jié)構(gòu)和普通絕緣體一樣，都在費(fèi)米能級(jí)處有一有限大小的能隙，但是在它的邊界或表面卻是無(wú)能隙的、狄拉克(Dirac)型、自旋非簡(jiǎn)并的導(dǎo)電的邊緣態(tài)，這是它有別于普通絕緣體的最獨(dú)特的性質(zhì)。這樣的導(dǎo)電邊緣態(tài)是穩(wěn)定存在的，所以信息的傳遞可以通過(guò)電子的自旋，而不像傳統(tǒng)材料通過(guò)電荷，不涉及耗散過(guò)程即不發(fā)熱。此外，由于拓?fù)浣^緣體具有的拓?fù)湫再|(zhì)，其形成的阻隔薄膜不僅對(duì)水汽和氧氣的阻隔效果好，還具有散熱以及防止靜電的作用。
[0028]所述散熱層在圖案化的基底表面形成，即本發(fā)明實(shí)施例中，所述散熱層在形成過(guò)程中，首先對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕，形成具有散熱層圖案的基底表面，再在所述基底表面形成拓?fù)浣^緣體的散熱層。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種由拓?fù)浣^緣體形成的散熱層，由于拓?fù)浣^緣體的拓?fù)湫再|(zhì)，相比與現(xiàn)有的金屬薄膜、銅箔或合金箔，拓?fù)浣^緣體形成的散熱層的散熱性好，且由拓?fù)浣^緣體形成的散熱層還具有好的阻隔水汽和氧氣以及防靜電的效果。
[0030]優(yōu)選的，散熱層為二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體。二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體，即由拓?fù)浣^緣體形成的納米尺寸厚度的膜，可以是由拓?fù)浣^緣體形成的二維納米薄膜、二維納米薄片、二維納米帶等。二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體具有超高比表面積和能帶結(jié)構(gòu)的可調(diào)控性，能顯著降低體態(tài)載流子的比例和凸顯拓?fù)浔砻鎽B(tài)，進(jìn)而導(dǎo)電性能更好。
[0031]可選的，二維納米結(jié)構(gòu)還可以為二維條帶狀納米結(jié)構(gòu)或?yàn)槎S菱形納米結(jié)構(gòu)。當(dāng)然，二維納米結(jié)構(gòu)還可以是二維網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)，二維網(wǎng)狀納米結(jié)構(gòu)具有多個(gè)陣列排布的網(wǎng)孔。且具體的，網(wǎng)孔為菱形、正四邊形或正六邊形等。
[0032]需要說(shuō)明的是，二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體因其與石墨烯結(jié)構(gòu)類似具有較高的柔韌性，以及基本肉眼不可見(jiàn)的高透過(guò)率，使其更適用于顯示器件。
[0033]可選的，拓?fù)浣^緣體包括HgTe、BixSVx、Sb2Te3' Bi2Te3' Bi2Se3、T1BiTe2' T1BiSe2'Ge1Bi4Te7'Ge2Bi2Te5、Ge1Bi2Te4'AmN、PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種。
[0034]其中，Ge1Bi4Te7Ae2Bi2Te5以及Ge1Bi2Te4屬于硫?qū)倩?。AmN以及PuTe屬于具有強(qiáng)相互作用的拓?fù)浣^緣體。當(dāng)然，拓?fù)浣^緣體還可以是三元赫斯勒化合物等其他材料。
[0035]具體的，拓?fù)浣^緣體包括HgTe、BixSVx、Sb2Te3' Bi2Te3' Bi2Se3、T1BiTe2' T1BiSe2'Ge1Bi4Te7, Ge2Bi2Te5, Ge1Bi2Te4, AmN, PuTe、單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種，即拓?fù)浣^緣體可以為HgTe或BixSVx或Sb2Te3或Bi2Te3或Bi2Se3或T1BiTe2或T1BiSe2或Ge1Bi4Te7或Ge2Bi2Te5或Ge1Bi2Te4或AmN或PuTe或單層錫或單層錫變體材料。還可以是上述材料中的多種形成的混合材料，例如可以是上述材料中的兩種形成的混合材料。當(dāng)然，也可以是上述材料中的三種形成的混合材料等。且當(dāng)拓?fù)浣^緣體為至少兩種材料形成的混合材料，則還可以通過(guò)選擇具有互補(bǔ)特性的材料混合，以提高混合后材料的特性。
[0036]優(yōu)選的，拓?fù)浣^緣體為單層錫或單層錫的變體材料。且單層錫為只有一個(gè)錫原子厚度的二維材料，原子層厚度的級(jí)別使其具有較好的光透過(guò)率；與石墨烯類似，具有較好的韌性。
[0037]單層錫原子在常溫下導(dǎo)電率可以達(dá)到100%，可能成為一種超級(jí)導(dǎo)體材料。具體的，單層錫的變體材料是通過(guò)對(duì)單層錫進(jìn)行表面修飾或磁性摻雜形成。其中，對(duì)單層錫進(jìn)行表面修飾可以是對(duì)單層錫添加-F，-Cl，-Br, -1和-OH等功能基實(shí)現(xiàn)其改性。
[0038]進(jìn)一步優(yōu)選的，單層錫的變體材料為對(duì)單層錫進(jìn)行氟原子的表面修飾，形成的錫氟化合物。當(dāng)添加F原子到單層錫原子結(jié)構(gòu)中時(shí)，單層錫在溫度高達(dá)100°C時(shí)導(dǎo)電率也能達(dá)到 100%。
[0039]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子器件，包括:發(fā)熱源以及位于發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層，其中，散熱層為本發(fā)明實(shí)施例提供的任一所述的散熱層。所述電子器件通過(guò)由拓?fù)浣^緣體形成的散熱層進(jìn)行器件的散熱，散熱層的散熱效果更有好，有利于提高長(zhǎng)時(shí)間工作情況下的器件性能。
[0040]可選的，如圖1所示，電子器件為L(zhǎng)ED，LED包括:基座11，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；基座11的第一側(cè)形成有發(fā)熱的LED發(fā)光芯片14，基座11的第二側(cè)形成有LED散熱層15，其中，LED散熱層15通過(guò)黏著層40粘附在基座11的第二側(cè)，通過(guò)LED散熱層15，以利于LED的散熱。
[0041]具體的，如圖1所示，LED—般還包括反射杯12以及封裝透鏡13。發(fā)光芯片14主要用于在導(dǎo)電的情況下發(fā)光，則隨著發(fā)光芯片14的工作時(shí)間，發(fā)光芯片14的溫度上升，成為發(fā)熱源。其中，基座11 一般為塑料等絕緣材料。
[0042]當(dāng)然，LED的散熱層還可以是位于發(fā)光芯片和基座之間，LED的散熱層可以通過(guò)其他絕緣薄膜與發(fā)光芯片無(wú)電連接。且當(dāng)所述LED散熱層為二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體，其透過(guò)率高，還可以是在發(fā)光芯片的上面形成LED的散熱層，例如可以在封裝透鏡上形成LED的散熱層，本發(fā)明實(shí)施例僅以圖1所示的為例。
[0043]可選的，如圖2所示，電子器件為晶體管，包括:襯底21，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；襯底21的第一側(cè)形成有發(fā)熱的功能層，包括柵極22、源極25、漏極26以及絕緣層23、有源層24，襯底21的第二側(cè)形成有第一散熱層27，其中，第一散熱層27通過(guò)黏著層40粘附在襯底21的第二側(cè)。隨著工作時(shí)間的推移，晶體管一直處于工作狀態(tài)，各電極由于電阻會(huì)發(fā)熱，進(jìn)而成為發(fā)熱源。如圖2所示，襯底21—般是由玻璃等絕緣材料形成，在襯底21的第二側(cè)形成有第一散熱層27，可以通過(guò)襯底21與晶體管的各功能層無(wú)電連接，且第一散熱層27有利于晶體管各功能層的散熱。
[0044]優(yōu)選的，如圖3所示，晶體管還包括覆蓋各功能層的鈍化層28，且鈍化層28的上面形成有第二散熱層29。其中，第二散熱層通過(guò)鈍化層與晶體管各功能層絕緣，鈍化層不僅可以使得晶體管的表面平坦化，還可以阻隔水汽和氧氣。即在晶體管的發(fā)熱源的兩側(cè)分別形成一層散熱層，以進(jìn)一步有利于晶體管各功能層的散熱。
[0045]可選的，如圖4所示，電子器件為背光源，背光源包括:反射層31，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；反射層31的第一側(cè)形成有發(fā)熱的發(fā)光源32，反射層31的第二側(cè)形成有背光散熱層34，且背光散熱層34通過(guò)黏著層40粘附在反射層31的第二側(cè)。其中，發(fā)光源即為發(fā)熱源，在所述反射層的第二側(cè)形成一層散熱層，以利于發(fā)光源的散熱。
[0046]具體的，如圖4所示，一般背光源還包括光學(xué)膜片33，發(fā)光源32發(fā)出的光經(jīng)反射層31的反射，再經(jīng)光學(xué)膜片33形成平面光發(fā)出。
[0047]另外，背光源一般與顯示面板貼合，以形成顯示裝置。當(dāng)所述背光散熱層為拓?fù)浣^緣體二維納米結(jié)構(gòu)，其透過(guò)率高，還可以在背光源的出光側(cè)，即反射層的第一側(cè)，可以是發(fā)光源的上面形成一層散熱層，以進(jìn)一步散熱，減小發(fā)光源發(fā)光發(fā)熱對(duì)顯示面板的影響。
[0048]需要說(shuō)明的是，具有散熱層的電子器件還可以是有機(jī)發(fā)光器件等，本發(fā)明實(shí)施例僅以所述電子器件為L(zhǎng)ED、晶體管以及背光源為例。
[0049]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種電子器件的制作方法，如圖5所示，包括:
[0050]步驟101、利用拓?fù)浣^緣體形成散熱層圖案。
[0051]具體的,如圖6所示,上述步驟101包括:
[0052]步驟1011、對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕，形成對(duì)應(yīng)散熱層的圖案。
[0053]具體的，基底可以是云母，還可以是SrT13(Ill),以及通過(guò)分子束外延法可在其表面生長(zhǎng)拓?fù)浣^緣體薄膜的其他基底。本發(fā)明實(shí)施例中以所述基底為云母為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0054]具體對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕形成對(duì)應(yīng)散熱層的圖案，可以是采用與散熱層圖案相同的掩膜板，在掩膜板的掩膜下對(duì)云母基底進(jìn)行等離子體刻蝕，得到與散熱層圖案相同的圖案化的云母基底。
[0055]步驟1012、在圖案化的基底表面形成拓?fù)浣^緣體的薄膜。
[0056]具體的，在圖案化的云母基底表面，通過(guò)分子束外延生長(zhǎng)Bi2Se3薄膜。當(dāng)然，還可以生長(zhǎng)其他拓?fù)浣^緣體薄膜，本發(fā)明實(shí)施例以拓?fù)浣^緣體為Bi2Se3為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。且優(yōu)選的，在圖案化的基底表面形成二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體的薄膜。
[0057]步驟1013、將基底去除，得到散熱層圖案。
[0058]將云母基底溶解掉，得到二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體的散熱層圖案。
[0059]步驟102、形成發(fā)熱源以及位于發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層，散熱層由散熱層圖案形成。
[0060]根據(jù)具體的發(fā)熱源形成發(fā)熱源以及散熱層的具體步驟也不盡相同，下面以幾種發(fā)熱源為例具體說(shuō)明。
[0061]電子器件為L(zhǎng)ED，如圖1所示，LED包括:基座11，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；基座11的第一側(cè)形成有發(fā)熱的LED發(fā)光芯片14，基座11的第二側(cè)形成有LED散熱層15，如圖7所示，上述步驟102具體包括:
[0062]步驟1021、在基座的第一側(cè)形成發(fā)熱的LED發(fā)光芯片、反射板以及封裝透鏡。
[0063]步驟1022、將散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在基座的第二側(cè)。
[0064]具體的，可以是在散熱層的表面形成一層黏著層，再將散熱層貼附在基座的第二側(cè)。
[0065]通過(guò)上述步驟1021和步驟1022形成如圖1所示的LED。
[0066]電子器件為晶體管，如圖2所示，晶體管，包括:襯底21，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；襯底21的第一側(cè)形成有發(fā)熱的功能層，包括柵極22、源極25、漏極26以及絕緣層23和有源層24，襯底21的第二側(cè)形成有第一散熱層27，如圖8所示，上述步驟102具體包括:
[0067]步驟1023、在襯底的第一側(cè)形成發(fā)熱的功能層。
[0068]具體的，在襯底的第一側(cè)形成柵極、絕緣層、有源層以及源漏極。
[0069]步驟1024、將第一散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在襯底的第二側(cè)。
[0070]具體的，可以是在第一散熱層的表面形成一層黏著層，再將第一散熱層貼附在襯底的第二側(cè)。
[0071]通過(guò)上述步驟1021和步驟1022形成如圖2所示的晶體管。
[0072]優(yōu)選的，如圖3所示，晶體管還包括覆蓋所述各功能層的鈍化層28，且所述鈍化層28的上面形成有第二散熱層29，如圖9所示，上述步驟102具體包括:
[0073]步驟1023、在襯底的第一側(cè)形成發(fā)熱的功能層。
[0074]具體的，在襯底的第一側(cè)形成柵極、絕緣層、有源層以及源漏極。
[0075]步驟1025、在功能層的上面形成鈍化層。
[0076]具體鈍化層可以通過(guò)沉積形成，鈍化層不僅可以使得晶體管的表面平坦化，還可以阻隔水汽和氧氣。
[0077]步驟1026、將第二散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在鈍化層上。
[0078]具體的，可以是在第二散熱層的表面形成一層黏著層，再將第二散熱層貼附在鈍化層上。
[0079]步驟1024、將第一散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在襯底的第二側(cè)。
[0080]具體的，可以是在第一散熱層的表面形成一層黏著層，再將第一散熱層貼附在襯底的第二側(cè)。
[0081]通過(guò)上述步驟1023-步驟1024形成如圖3所示的晶體管。
[0082]電子器件為背光源，如圖4所示，背光源包括:反射層31，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；反射層31的第一側(cè)形成有發(fā)熱的發(fā)光源32，反射層31的第二側(cè)形成有背光散熱層34。具體的，如圖4所示，背光源還包括光學(xué)膜片33，發(fā)光源32發(fā)出的光經(jīng)反射層31的反射，再經(jīng)光學(xué)膜片33形成平面光發(fā)出，如圖10所示，上述步驟102具體包括:
[0083]步驟1027、形成背光源的反射層。
[0084]具體的，反射層可以是反射薄膜。
[0085]步驟1028、在反射層的第一側(cè)形成發(fā)熱的發(fā)光源以及光學(xué)膜片。
[0086]在反射層的第一側(cè)形成LED等發(fā)光源以及光學(xué)膜片。
[0087]步驟1029、將散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在反射層的第二側(cè)。
[0088]具體的，可以是在散熱層的表面形成一層黏著層，再將散熱層貼附在反射層的第二側(cè)。
[0089]通過(guò)上述步驟1027-步驟1029形成如圖4所示的背光源。
[0090]需要說(shuō)明的是，具有散熱層的電子器件還可以是有機(jī)發(fā)光器件等，本發(fā)明實(shí)施例僅以電子器件為L(zhǎng)ED、晶體管以及背光源為例，詳細(xì)說(shuō)明其制作方法。且形成上述電子器件的方法也不局限于上述具體步驟，本發(fā)明實(shí)施例僅以上述具體步驟為例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0091]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種散熱層，其特征在于，形成所述散熱層的材料包括拓?fù)浣^緣體，所述散熱層在圖案化的基底表面形成的。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的散熱層，其特征在于，所述散熱層為二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的散熱層，其特征在于，所述拓?fù)浣^緣體包括HgTe、BixSbh、Sb2Te3' Bi2Te3' Bi2Se3' T1BiTe2' T1BiSe2' Ge1Bi4Te7' Ge2Bi2Te5' Ge1Bi2Te4' AmN、PuTeΛ單層錫以及單層錫變體材料中的至少一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的散熱層，其特征在于，單層錫的變體材料通過(guò)對(duì)單層錫進(jìn)行表面修飾或磁性摻雜形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的散熱層，其特征在于，單層錫的變體材料為對(duì)單層錫進(jìn)行氟原子的表面修飾，形成的錫氟化合物。
6.一種電子器件，其特征在于，包括:發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層，其中，所述散熱層為權(quán)利要求1?5任一項(xiàng)所述的散熱層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件為L(zhǎng)ED，所述LED包括:基座，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；所述基座的第一側(cè)形成有發(fā)熱的LED發(fā)光芯片,所述基座的第二側(cè)形成有散熱層，其中，所述散熱層通過(guò)黏著層粘附在所述基座的第二側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件為晶體管，包括:襯底，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；所述襯底的第一側(cè)形成有發(fā)熱的功能層，所述襯底的第二側(cè)形成有第一散熱層，其中，所述第一散熱層通過(guò)黏著層粘附在所述襯底的第二側(cè)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電子器件，其特征在于，所述晶體管的功能層包括:柵極、源極和漏極，所述晶體管還包括覆蓋所述功能層的鈍化層，且所述鈍化層的上面形成有第二散熱層，其中，所述第二散熱層通過(guò)黏著層粘附在所述鈍化層的上面。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電子器件，其特征在于，所述電子器件為背光源，所述背光源包括:反射層，包括相對(duì)的第一側(cè)和第二側(cè)；所述反射層的第一側(cè)形成有發(fā)熱的發(fā)光源，所述反射層的第二側(cè)形成有散熱層，其中，所述散熱層通過(guò)黏著層粘附在所述反射層的第二側(cè)。
11.一種電子器件的制作方法，其特征在于，包括: 利用拓?fù)浣^緣體形成散熱層圖案； 形成發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層，所述散熱層由所述散熱層圖案形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述形成發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層具體包括: 在基座的第一側(cè)形成發(fā)熱的LED發(fā)光芯片； 將所述散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在所述基座的第二側(cè)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述形成發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層具體包括: 在襯底的第一側(cè)形成發(fā)熱的功能層； 將第一散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在所述襯底的第二側(cè)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制作方法，其特征在于， 所述在襯底的第一側(cè)形成發(fā)熱的功能層具體包括: 在襯底的第一側(cè)形成柵極、源極和漏極； 在所述功能層上面形成鈍化層； 將第二散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在所述鈍化層上。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述形成發(fā)熱源以及位于所述發(fā)熱源至少一側(cè)的散熱層具體包括: 形成背光源的反射層； 在所述反射層的第一側(cè)形成發(fā)熱的發(fā)光源； 將所述散熱層圖案通過(guò)黏著層粘附在所述反射層的第二側(cè)。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制作方法，其特征在于，所述利用拓?fù)浣^緣體形成散熱層圖案具體包括: 對(duì)基底進(jìn)行圖案化刻蝕，形成對(duì)應(yīng)散熱層的圖案； 在圖案化的基底表面形成具有二維納米結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣^緣體的薄膜； 將所述基底去除，得到散熱層圖案。
【文檔編號(hào)】H01L33/64GK104201275SQ201410381418
【公開日】2014年12月10日 申請(qǐng)日期:2014年8月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年8月5日
【發(fā)明者】盧永春, 喬勇, 程鴻飛, 先建波 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司