用于建立材料鎖合連接和功率半導(dǎo)體模塊的方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種用于建立在第一接合對象(1)與第二接合對象(2)之間的材料鎖合連接的方法。提供第一接合對象(1)和第二接合對象(2)，以及超聲波發(fā)生器(6)。在第二接合對象(2)的表面(2t)上確定焊接位置。通過以超聲波頻率來回擺動的或來回旋轉(zhuǎn)的超聲波發(fā)生器(6)將第一接合對象(1)在焊接位置相對于第二接合對象(2)擠壓來在第一接合對象(1)與第二接合對象(2)之間建立材料鎖合的超聲波焊接連接，其中法向量(n)與重力(g)的方向偏差小于90°的角(φ)，該法向量在焊接位置垂直于表面(2t)朝超聲波發(fā)生器(6)的方向延伸。
【專利說明】用于建立材料鎖合連接和功率半導(dǎo)體模塊的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于建立材料鎖合連接(stoffschliissige Verbindung)的方法，該方法此外也能夠用于建立功率半導(dǎo)體模塊。

【背景技術(shù)】
[0002]在功率半導(dǎo)體模塊中在兩個接合對象例如電路載體和耗能件之間的連接經(jīng)常借助于超聲波焊接方法來實施。這樣的方法相對于常規(guī)方法不僅從制造技術(shù)方面而且關(guān)于電氣和機械特性具有優(yōu)點。后者特別是在可靠性方面在更高的運行溫度下適用。
[0003]在借助于超聲波發(fā)生器實施焊接連接的情況下一個接合對象處于擺動，而另一接合對象保持靜止。兩個接合對象的相對移動結(jié)合壓緊力形成了機械固定的連接的構(gòu)成，其中通過壓緊力將兩個接合對象相互壓緊。
[0004]通過工藝根據(jù)方法地產(chǎn)生在兩個接合對象之間以及在接合對象之一與超聲波發(fā)生器之間的摩擦。取決于此將產(chǎn)生機械微粒，這些機械微粒能夠源于一個或兩個接合對象以及超聲波發(fā)生器。這些微粒能夠例如由銅、銅合金、鎳、鋁、鋼、金、銀等等組成。這樣的微粒能夠具有例如灰塵(直徑〈0.01毫米)至切屑形(直至5毫米長度)的大小。
[0005]然而，例如在功率半導(dǎo)體模塊或其他電子裝置中自由的機械微粒能夠引起嚴(yán)重的損害。機械微粒能夠直接或在隨后的時刻在運行期間導(dǎo)致故障(例如導(dǎo)致在不同的電位之間的短路、導(dǎo)致絕緣故障或者導(dǎo)致部分放電)。因此避免這樣的問題是高度重要的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的任務(wù)在于，提供一種用于建立在第一接合對象與第二接合對象之間的材料鎖合連接的方法，其中避免所述問題的出現(xiàn)或者至少顯著地減少所述問題出現(xiàn)的頻率。
[0007]該任務(wù)通過依據(jù)本發(fā)明的方法解決。本發(fā)明的設(shè)計方案和改進(jìn)是優(yōu)選的實施例的對象。
[0008]為了建立在第一接合對象與第二接合對象之間的材料鎖合連接，提供第一接合對象和第二接合對象以及提供超聲波發(fā)生器。在第二接合對象的表面上確定焊接位置。通過以超聲波頻率來回擺動的或來回旋轉(zhuǎn)的超聲波發(fā)生器將第一接合對象在焊接位置相對于第二接合對象擠壓來在第一接合對象與第二接合對象之間建立在第一接合對象與第二接合對象之間的材料鎖合的超聲波焊接連接，，其中法向量的方向與重力的方向偏差小于90°的角，該法向量在焊接位置垂直于表面朝超聲波發(fā)生器的方向延伸。
[0009]可選擇地，也能夠如此選擇法向量，以使得該法向量的方向與重力的方向偏差小于45°的角，或者該法向量能夠完全朝向重力的方向。
[0010]法向量一其在焊接位置上垂直于第二接合對象的表面朝超聲波發(fā)生器的方向延伸-也具有一個朝向重力的方向的分量，可選擇地也具有垂直于重力的方向的分量，
然而沒有相反于重力的方向的分量。由此機械或其他微粒一通過該微粒污染第一接合對象和/或第二接合對象和/或超聲波發(fā)生器或者在制造期間污染超聲波焊接連接一通過重力作用從第一接合對象、第二接合對象或超聲波發(fā)生器落下。相對于常規(guī)超聲波焊接方法，在本發(fā)明中實現(xiàn)宛如“過頭”(uber Kopf)的超聲波焊接連接。協(xié)同的作用在于，微粒通過超聲波的作用從接合對象除去并且由此更容易地落下。
[0011]可選擇地能夠設(shè)置抽吸裝置，以抽吸裝置抽吸在建立超聲波焊接連接期間由第一接合對象和/或第二接合對象和/或超聲波發(fā)生器落下的微粒。由此能夠避免環(huán)境污染，如果在潔凈室中實現(xiàn)加工那么這是特別重要的。
[0012]同樣可選擇地能夠提供風(fēng)扇，以風(fēng)扇吹走位于第一接合對象和/或第二接合對象和/或超聲波發(fā)生器上的微粒。
[0013]另一種選擇在于，提供電場并且給位于第一接合對象和/或第二接合對象和/或超聲波發(fā)生器上的微粒靜電充電，從而微粒在電場作用下從第一接合對象、第二接合對象和超聲波發(fā)生器除去。
[0014]這樣的方法此外也能夠用于建立功率半導(dǎo)體模塊，其中第一接合對象構(gòu)成為功率半導(dǎo)體模塊的導(dǎo)電連接件，而第二接合對象構(gòu)成為電路載體，該電路載體具有絕緣載體，金屬化層施加到絕緣載體上，金屬化層形成表面，焊接位置位于表面上。在建立超聲波焊接連接之前或之后，電路載體能夠配備半導(dǎo)體芯片。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]隨后根據(jù)實施例參照附圖進(jìn)一步闡明本發(fā)明。在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示具有相同功能的元件。其中:
[0016]圖1示出了用于以線性擺動的超聲波發(fā)生器建立在功率半導(dǎo)體模塊的金屬耗能件與電路載體之間的超聲波焊接連接的例子；
[0017]圖2示出了用于以旋轉(zhuǎn)擺動的超聲波發(fā)生器建立在功率半導(dǎo)體模塊的金屬耗能件與電路載體之間的超聲波焊接連接的例子；
[0018]圖3示出了按照圖1的裝置，其中附加地提供用于抽吸落下的微粒的抽吸裝置；
[0019]圖4示出了按照圖2的裝置，其中附加地提供用于抽吸落下的微粒的抽吸裝置以及用于微粒的充電的電壓源，該微粒位于第一接合對象和/或第二接合對象和/或超聲波發(fā)生器上；
[0020]圖5示出了按照圖2的裝置，其中附加地提供用于抽吸落下的微粒的抽吸裝置以及用于吹走微粒的風(fēng)扇或用于微粒的充電的電壓源，該微粒位于第一接合對象和/或第二接合對象和/或超聲波發(fā)生器上；
[0021]圖6示出了按照圖2的裝置，其中給產(chǎn)生的顆粒充電并且借助于電場將其從焊接位置除去。

【具體實施方式】
[0022]圖1示出了部分完成的功率半導(dǎo)體模塊在工藝化期間的橫截面。功率半導(dǎo)體模塊具有電路載體2，導(dǎo)電的連接件I應(yīng)該材料鎖合地與該電路載體連接。
[0023]連接件I——其表示第一接合對象——能夠例如用于給完成的功率半導(dǎo)體模塊從外部提供供電電壓、控制信號或測量信號，或者將在功率半導(dǎo)體模塊中產(chǎn)生的供電電壓或在功率半導(dǎo)體模塊中產(chǎn)生的控制或測量信號提供在功率半導(dǎo)體模塊的外側(cè)。導(dǎo)電的連接件I能夠是例如沖壓或可選擇地彎曲的板材，或者是由金屬組成的銷。在示出的例子中連接件I具有底部區(qū)域11以及自由端部12，該自由端部在完成的功率半導(dǎo)體模塊的情形下能夠被電氣接觸。為此自由端部12能夠從功率半導(dǎo)體模塊例如由功率半導(dǎo)體模塊的殼體30突出并且由此可自由進(jìn)入。
[0024]電路載體2—其表示第二接合對象一具有電介質(zhì)的絕緣載體20以及在其上施加的上金屬化層21和可選擇的下金屬化層22，該下金屬化層在絕緣載體20的背向上金屬化層21的側(cè)上被施加在該絕緣載體20上。在圖1中部分完成的功率半導(dǎo)體模塊倒置，因此在圖1中上金屬化層21位于在下面，而下金屬化層22位于在上面。
[0025]為了實現(xiàn)期望的電路布線，上金屬化層21能夠在需要時構(gòu)造為導(dǎo)體電路和/或?qū)w面211、212、213?？蛇x擇地，上金屬化層21和下金屬化層22能夠通過絕緣載體20相互電氣絕緣。上金屬化層21和/或下金屬化層22能夠相互獨立地、間接地或直接地施加到絕緣載體20上。
[0026]上金屬化層21和/或下金屬化層22能夠例如完全地或至少90%重量(重量百分比)地由銅組成，或者完全或至少90%重量地由鋁組成?？蛇x擇地，上金屬化層21和/或下金屬化層22能夠至少在其背向絕緣載體20的側(cè)上具有一個或多個薄金屬層，以便例如在那兒改善可焊接性或可燒結(jié)性。對于這樣的金屬層的適合材料是例如鎳、銀、金、鈀。
[0027]絕緣載體20能夠是例如陶瓷薄片，例如由氧化鋁(AI203)、氮化鋁(AIN)或氧化鋯(Zr02)組成。電路載體2能夠例如構(gòu)成為DCB基底(直接銅焊接)、DAB基底(直接鋁焊接)、AMB基底(活性釬料)或IMS基底(絕緣金屬基底)。
[0028]上金屬化層21和/或下金屬化層22能夠分別具有在0.05毫米至2毫米的范圍或0.25毫米至2.5毫米的范圍的厚度。絕緣載體20的厚度能夠例如位于在0.1毫米至2毫米或0.25毫米至I毫米的范圍中。
[0029]此外提供可選擇的底板3，該底板材料鎖合地例如借助于焊接層或燒結(jié)的連接層與電路載體2材料鎖合連接。底板3能夠由例如金屬或者由金屬矩陣復(fù)合材料組成。底板的厚度能夠例如為至少2毫米或至少3毫米。一旦不存在底板3，電路載體2的下金屬化層22能夠是自由的。
[0030]在建立電路載體2與連接件I之間的材料鎖合連接之前或之后電路載體能夠可選擇地配備一個或多個半導(dǎo)體元件4以及可選擇地配備另外的元件。上金屬化層21、可能由此形成的導(dǎo)體電路和/或?qū)w面211、212、213以及在電路載體2上裝配的半導(dǎo)體元件4或其他元件的連接能夠例如借助于焊線5 (Bonddraht)實現(xiàn)。然而，備選或附加于焊線5也能夠?qū)⑷嵝缘碾娐钒?、金屬母線(Verschienungen)、壓力接觸連接或彈簧接觸連接相互任意組合地用于在功率半導(dǎo)體模塊內(nèi)建立導(dǎo)電連接。
[0031]半導(dǎo)體元件4能夠是例如MOSFET、IGBT、結(jié)型場效應(yīng)晶體管、晶閘管、二極管或相互任意組合的任意其他半導(dǎo)體元件。
[0032]為了現(xiàn)在建立在電路載體2或上金屬化層21與連接件I之間的直接材料鎖合連接，將連接件I的底部區(qū)域11通過超聲波發(fā)生器6以壓緊力F相對于焊接位置擠壓，該焊接位置位于在電路載體2的表面部段2t上。壓緊力F的方向相反于法向量η的方向，該法向量在焊接位置上垂直于表面2t從絕緣載體20指離并且由此朝超聲波發(fā)生器6的方向走向。
[0033]在壓緊的狀態(tài)下，連接件I也接觸電路載體2或焊接位置。在示出的例子中，表面部段2t由上金屬化層21的背向絕緣載體20的側(cè)形成。焊接位置由此由表面部段2t的一個部段給出。
[0034]在壓緊狀態(tài)下，部分完成的功率半導(dǎo)體模塊貼靠在鐵砧62上，從而部分完成的功率半導(dǎo)體模塊通過超聲波發(fā)生器6的壓緊力F相對于鐵砧62擠壓。在圖1中示出的例子中底板3貼靠在鐵砧62上。假如部分完成的功率半導(dǎo)體模塊不具有底板3，那么該功率半導(dǎo)體模塊以下金屬化層22貼靠在鐵砧62上。
[0035]鐵砧62能夠可選擇地具有夾具或其他保持裝置，以便保持部分完成的功率半導(dǎo)體模塊。同樣可選擇地，鐵砧62能夠裝配在可控制的夾臂上或者是可控制的夾臂的組成部分上,從而部分完成的功率半導(dǎo)體模塊能夠由該夾臂容納并且能夠處于部分完成的功率半導(dǎo)體模塊的在隨后的焊接過程期間期望的位置和期望的定向。如果達(dá)到期望的位置和期望的定向，能夠固定機器人臂，從而部分完成的功率半導(dǎo)體模塊被固定在期望的位置和期望的定向。
[0036]在超聲波發(fā)生器6將底部區(qū)域11以壓緊力F相對于焊接位置擠壓期間，該超聲波發(fā)生器以超聲波頻率來回擺動，由此以自身已知的方式通過超聲波焊接或通過超聲波金屬焊接產(chǎn)生在連接件I與電路載體2之間、在本例子中也就是在連接件I與上金屬化層21之間的材料鎖合連接。該接合方法能夠在此如此實施，即第一接合對象(在此也就是連接件I)和第二接合對象(在此也就是電路載體2)都不熔接或熔化。在此，如果接合對象之一，通常為焊線，在超聲波發(fā)生器6的引導(dǎo)通道中被引導(dǎo)，則使用術(shù)語“超聲波焊接”。否則使用術(shù)語“超聲波金屬焊接”。
[0037]在建立材料鎖合連接之后，連接件I直接接觸電路載體2 (在本例子中是上金屬化層 21)。
[0038]為了實現(xiàn)，微粒7—其在超聲波焊接連接的建立期間由第一接合對象I和/或第二接合對象2和/或超聲波發(fā)生器6磨損和/或其還自之前的加工步驟起存在——能夠向下并且由此從部分完成的功率半導(dǎo)體模塊落下，如此選擇期望的定向——在焊接工藝期間沿該定向固定部分完成的功率半導(dǎo)體模塊——，以使得法向量η的方向在焊接工藝期間與重力g的方向偏差小于90°或甚至小于45°的角Φ。在示出的例子中角Φ為零度，從而部分完成的功率半導(dǎo)體模塊旋轉(zhuǎn)180°地倒置。
[0039]在圖1示出的例子中，超聲波發(fā)生器6沿垂直于壓緊力F的方向來回擺動。在其他相同的在圖2中示出的例子中，超聲波發(fā)生器6以超聲波頻率繞平行于壓緊力F的軸線旋轉(zhuǎn)地來回擺動。
[0040]如進(jìn)一步地在圖3中示意地所示，能夠提供抽吸裝置8，以該抽吸裝置抽吸在超聲波焊接連接建立期間由第一接合對象I和/或第二接合對象2和/或超聲波發(fā)生器6磨損的和/或還自之前加工步驟起存在的微粒7。
[0041]備選或附加于抽吸裝置8，能夠如在圖4中所示，角Φ也能夠大于零度。在圖4中此外還示出，抽吸裝置8也能夠在側(cè)面位于在焊接位置之下。
[0042]如圖5所示，同樣存在的可能在于，借助于風(fēng)扇9將在超聲波焊接連接建立期間由第一接合對象I和/或第二接合對象2和/或超聲波發(fā)生器6磨損的和/或還由之前加工步驟引起的微粒7從第一接合對象1、第二接合對象2和超聲波發(fā)生器6吹走。能夠使用這樣的風(fēng)扇9，而不依賴于是否存在抽吸裝置8。
[0043]在圖6中示意地示出了又一支持措施，用于將在接合過程中產(chǎn)生的微粒7從接合位置和接合對象1、2除去。在此給微粒7充電(正或負(fù))，從而微?；陔妶龌蛴捎陔妶龅闹С謴慕雍衔恢秒x開。能夠如此實現(xiàn)微粒7的充電，即直流電壓源80的第一連接端81電氣連接到超聲波發(fā)生器6和/或連接到接合對象I和/或2中之一，而直流電壓源80的第二連接端82電氣連接到電極85，例如金屬板。電極85——其可選擇地設(shè)計為用于收集微粒7的收集盆——能夠直接位于在接合位置之下，但是也能夠位于接合位置之下并且在側(cè)面與該接合位置錯開，或者甚至在接合位置之下并且在側(cè)面與接合對象1、2相鄰。在第一連接端81處，能夠提供第一電位，其大于或小于第二電位，該第二電位在第二連接端82處提供。由此在焊接過程期間在接合位置與電極85之間存在電場。
[0044]為了給在焊接過程期間產(chǎn)生的微粒7充電，該微粒在超聲波焊接連接建立期間由第一接合對象I和/或第二接合對象2和/或超聲波發(fā)生器6磨損和/或還自之前加工步驟起存在，超聲波發(fā)生器6能夠經(jīng)由連接線83電氣連接到第一連接端81。備選或附加地，一個和/或兩個接合對象1、2也能夠電氣連接到第一連接端81。在本例子中，例如連接件I或上金屬化層21的導(dǎo)體面211可以第一連接端81導(dǎo)電連接。
[0045]如果如在本例子中接合對象1、2中的至少之一包含相對于靜電充電敏感的元件(在本例子中為半導(dǎo)體元件4)，能夠設(shè)有另一電極，該電極至少在焊接過程期間與超聲波發(fā)生器6導(dǎo)電連接并且在此被如此設(shè)置，以使得接合位置位于超聲波發(fā)生器6與另一電極之間。通過這樣的設(shè)置實現(xiàn)了在超聲波發(fā)生器6與另一電極之間沒有電位差并且由此不構(gòu)成破壞敏感的元件的電場。因為接合對象1、2和超聲波發(fā)生器由此充電，能夠根據(jù)接合對象1、2的類型注意其緩慢的放電，以便防止對敏感元件的破壞，例如在接合件1、2在建立焊接連接之后由鐵砧62取下并且保存在另一位置時。相應(yīng)地也能夠有意義的是，在建立焊接連接之前將接合對象1、2緩慢充電。例如能夠僅當(dāng)接合對象I和2已經(jīng)在焊接位置通過超聲波發(fā)生器6相互擠壓時，才開始緩慢充電。通過這種方式能夠避免，在將超聲波發(fā)生器6放置到第一接合對象I上之前或之時在它們之間產(chǎn)生電弧放電或補償電流。
[0046]為了使得第一連接端61對地解耦，鐵砧62能夠可選擇地在焊接過程期間相對于第一連接端81電氣絕緣,或者鐵站能夠?qū)Φ仉姎饨^緣。
[0047]自然地，能夠通過所述方式不僅將外部電氣連接導(dǎo)體焊接到電路載體2的上金屬化層21上。例如通過相同的方式同樣可能的是，將模塊內(nèi)部的連接導(dǎo)體例如焊線5焊接到待制造的功率半導(dǎo)體模塊的任意另一導(dǎo)電元件上，例如焊接到上金屬化層21 (在示出的例子中焊接到其部段213)和/或焊接到裝配在電路載體2上的半導(dǎo)體芯片4的背向電路載體2的由芯片金屬化形成的側(cè)上。
[0048]在本發(fā)明的全部設(shè)計方案中能夠自由選擇的是，是否借助于線性來回擺動的超聲波發(fā)生器6來實現(xiàn)建立焊接連接——如示例性地在圖1至3中所示——或者借助于旋轉(zhuǎn)來回擺動的超聲波發(fā)生器6來實現(xiàn)，如這示例性地在圖2、4、5和6中所示。獨立于此，超聲波頻率——以該超聲波頻率超聲波發(fā)生器6在焊接過程期間線性或旋轉(zhuǎn)地來回擺動——能夠例如位于在15kHz至10kHz的范圍中。例如超聲波頻率能夠在15kHz至40kHz的范圍中選擇，這例如對于超聲波金屬焊接是有利的，或者在40kHz至10kHz的范圍中選擇，這例如在薄的焊線5 (直徑小于例如100 μ m，例如在15μπι至100 μ m之間的范圍中)的焊接中或者厚的焊線5(直徑大于100 μ m或者大于300 μ m，例如在100 μ m至600 μ m之間的范圍中)的焊接中是有利的，或者在將焊線焊接到電路載體2的金屬化21上或焊接到一個電氣連接件上——該電氣連接件固定在半導(dǎo)體模塊的殼體30上——時是有利的。
[0049]此外，用于將微粒7從接合位置和接合對象1、2除去的全部支持的措施(抽吸裝置8、風(fēng)扇9、在電場中導(dǎo)出帶電微粒7)能夠單獨地或相互任意組合地得以應(yīng)用。
【權(quán)利要求】
1.用于建立在第一接合對象(I)與第二接合對象(2)之間的材料鎖合連接的方法，具有以下步驟: 提供第一接合對象(I)和第二接合對象(2); 提供超聲波發(fā)生器(6)； 在所述第二接合對象(2)的表面(2t)上確定焊接位置； 通過以超聲波頻率來回擺動的或來回旋轉(zhuǎn)的超聲波發(fā)生器(6)將所述第一接合對象(I)在所述焊接位置相對于所述第二接合對象(2)擠壓來建立在所述第一接合對象(I)與所述第二接合對象(2)之間的材料鎖合的超聲波焊接連接，其中 法向量⑷的方向與重力(g)的方向偏差小于90°的角(Φ)，該法向量在所述焊接位置垂直于所述表面(2t)朝超聲波發(fā)生器(6)的方向延伸。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述法向量(η)與所述重力(g)的方向偏差小于45。的角(Φ)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，所述法向量(η)指向所述重力(g)的方向。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述第一接合對象(I)在通過所述超聲波發(fā)生器(6)相對于所述第二接合對象(2)擠壓期間直接貼靠在所述第二接合對象(2)上。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述超聲波頻率在15kHz至10kHz的范圍中。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述第二接合對象(2)被構(gòu)成為電路載體，該電路載體具有電介質(zhì)的絕緣載體(20)，金屬化層(21)被施加到所述絕緣載體上，其中通過所述金屬化層(21)形成所述表面(2t)。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述第一接合對象(I)被構(gòu)成為導(dǎo)電的連接件。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，具有抽吸裝置(8)，以所述抽吸裝置(8)抽吸在建立所述超聲波焊接連接期間由所述第一接合對象(I)和/或所述第二接合對象(2)和/或所述超聲波發(fā)生器(6)落下的微粒(7)。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，具有風(fēng)扇(9)，以所述風(fēng)扇(9)吹走位于所述第一接合對象(I)和/或所述第二接合對象(2)和/或所述超聲波發(fā)生器(6)上的微粒(7)。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，具有電壓源(80)，借助于所述電壓源(80)給所述超聲波發(fā)生器(6)提供電壓，從而位于所述第一接合對象(I)和/或所述第二接合對象(2)和/或所述超聲波發(fā)生器(6)上的微粒(7)被靜電充電并且在電場作用下從所述第一接合對象(I)、所述第二接合對象(2)和所述超聲波發(fā)生器(6)離開。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，所述超聲波發(fā)生器(6)在所述焊接位置將所述第一接合對象(I)相對于所述第二接合對象(2)擠壓期間相對于鐵砧￠2)擠壓所述第二接合對象(2)，其中所述鐵砧￠2)相對于所述超聲波發(fā)生器(6)電隔離，和/或其中一旦所述超聲波發(fā)生器以所述超聲波頻率擺動或旋轉(zhuǎn)，則在所述鐵砧￠2)與所述超聲波發(fā)生器(6)之間沒有電流流過。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，在建立所述材料鎖合的超聲波焊接連接期間沒有熔接或熔化所述第一接合對象(I)和所述第二接合對象(2)。
13.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中， 所述第一接合對象(I)被構(gòu)成為導(dǎo)電連接件； 所述第二接合對象(2)被構(gòu)成為電路載體，該電路載體具有絕緣載體(20)，金屬化層(21)被施加到所述絕緣載體上，其中通過所述金屬化層(21)形成所述表面(2t);以及第二接合對象(2)配備半導(dǎo)體芯片(4)。
【文檔編號】H01L21/607GK104347440SQ201410370324
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月31日
【發(fā)明者】G·施特羅特曼, T·尼貝爾 申請人:英飛凌科技股份有限公司