技術(shù)特征：
1.一種三維梯度金屬氫氧化物/氧化物電極材料，所述三維梯度金屬氫氧化物/氧化物電極材料包括導(dǎo)電基底和金屬化合物層，所述金屬化合物層設(shè)于或形成于所述導(dǎo)電基底的表面；所述金屬化合物層所采用的材料為金屬的氫氧化物或氧化物，所述金屬的氫氧化物或氧化物為納米枝狀結(jié)構(gòu)架構(gòu)而成的三維的、網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述納米枝狀結(jié)構(gòu)包括納米線、納米條、納米柱、納米塊、納米錐形、中空納米筒形或納米片，所述金屬為過(guò)渡金屬，所述過(guò)渡金屬為Me和M，其中，所述Me和M均獨(dú)立地選自Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn中的一種，且Me和M不同；所述金屬化合物層向?qū)щ娀追较蚋鹘饘俸繛椋哼^(guò)渡金屬M(fèi)e的含量梯度降低，M的含量梯度升高；所述三維梯度金屬氫氧化物/氧化物電極材料通過(guò)電沉積的方式制得，所述電沉積的方式采用恒電流法或恒電位法，以呈濃度-梯度變化的多份水溶性金屬鹽的溶液為電解液，依次在導(dǎo)電基底電沉積一段時(shí)間，得到三維梯度金屬氫氧化物/氧化物電極材料。2.如權(quán)利要求1所述的三維梯度金屬氫氧化物/氧化物電極材料，其特征在于，所述金屬的氫氧化物的分子式為MexMy(OH)2，其中，x的取值范圍為0<x<1，y的取值范圍為0<y<1，x+y＝1；Me和M均選自Mn2+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+和Zn2+中的一種。3.如權(quán)利要求1所述的三維梯度金屬氫氧化物/氧化物電極材料，其特征在于所述金屬的氧化物的分子式為MexMyO4，其中，M是摻雜金屬離子，x的取值范圍為0<x<4，y的取值范圍為0<y<8/3，2x+3y＝8；Me和M均選自Mn2+、Fe3+、Co3+、Fe2+、Co2+、Ni2+、Cu2+和Zn2+中的一種。4.一種三維梯度金屬氫氧化物電極材料的制備方法，包括以下步驟：(1)配置濃度-梯度變化的水溶性金屬鹽溶液配置至少2份不同濃度的水溶性金屬鹽溶液，得到至少2份呈濃度-梯度變化的水溶性金屬鹽溶液；其中，所述金屬為過(guò)渡金屬，所述的各份水溶性金屬鹽溶液中，每種金屬離子的摩爾濃度逐份升高或降低；(2)取參比電極和對(duì)電極，以導(dǎo)電基底為工作電極組裝三電極體系；(3)用恒電流法或恒電位法，取步驟(1)制得的濃度-梯度變化的水溶性金屬鹽溶液，按照某一種金屬的摩爾濃度由高到低或由低到高的順序，將所述三電極體系逐份置于步驟(1)制得的濃度-梯度變化的水溶性金屬鹽溶液中進(jìn)行電沉積，洗滌、干燥后得到三維梯度金屬氫氧化物電極材料，其中，所述三維梯度金屬氫氧化物電極材料包括導(dǎo)電基底和金屬化合物層，所述金屬化合物層設(shè)于或形成于所述導(dǎo)電基底的表面；所述金屬化合物層所采用的材料為金屬氫氧化物，所述金屬氫氧化物為納米枝狀結(jié)構(gòu)架構(gòu)而成的三維的、網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，所述納米枝狀結(jié)構(gòu)包括納米線、納米條、納米柱、納米塊、納米錐形、中空納米筒形或納米片，所述金屬氫氧化物中的金屬元素為過(guò)渡金屬，所述過(guò)渡金屬為Me和M，其中，所述Me和M均獨(dú)立地選自Mn、Fe、Co、Ni、Cu和Zn中的一種，且Me和M不同；所述金屬化合物層向?qū)щ娀追较蚋鹘饘俸繛椋哼^(guò)渡金屬M(fèi)e的含量梯度降低，M的含量梯度升高。5.如權(quán)利要求4所述的三維梯度金屬氫氧化物電極材料的制備方法，其特征在于，所述步驟(1)中，各份水溶性金屬鹽溶液中，所述金屬離子包括Mn2+、F...