射頻識別天線的制作方法

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導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>電氣元件制品的制造及其應(yīng)用技術(shù)

射頻識別天線的制作方法
【專利摘要】一種射頻識別天線包括：底層金屬層，包括第一部分和第二部分；位于第一部分上的若干依次交替堆疊的第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層均包括第一端和相對的第二端，第一層第一金屬層的第二端與底層金屬層的第一部分電連接，第N層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；絕緣層，絕緣層將底層金屬層、第一金屬層和第二金屬層隔離；位于第二部分上的絕緣層中的金屬連接層，并與底層金屬層的第二部分電連接。射頻識別天線占據(jù)的體積小。
【專利說明】射頻識別天線

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種通信天線，尤其涉及一種射頻識別天線。

【背景技術(shù)】
[0002] RFID(射頻識別：Radio Frequency Identification)是一種非接觸式的自動識別技術(shù)，它通過射頻信號自動識別目標(biāo)對象并獲取相關(guān)數(shù)據(jù)，識別工作無須人工干預(yù)，作為條形碼的無線版本，RFID技術(shù)具有條形碼所不具備的防水、耐高溫、使用壽命長、讀取距離大、標(biāo)簽上數(shù)據(jù)可以加密、存儲數(shù)據(jù)容量更大、存儲信息更改自如等優(yōu)點(diǎn)，其應(yīng)用將給零售、物流等產(chǎn)業(yè)帶來革命性變化。
[0003] 基本的RFID系統(tǒng)由閱讀器（Reader)與電子標(biāo)簽（或應(yīng)答器，Transponder)兩部份組成，其中電子標(biāo)簽（Tag):由射頻識別天線及射頻集成芯片組成，每個電子標(biāo)簽具有唯一的電子編碼或者保存有約定格式的電子數(shù)據(jù)，附著在物體上標(biāo)識目標(biāo)對象；閱讀器 (Reader):讀?。ㄓ袝r還可以寫入）標(biāo)簽信息的設(shè)備，可設(shè)計為手持式或固定式。
[0004] RFID系統(tǒng)其工作原理為：由閱讀器發(fā)射一特定頻率信號給電子標(biāo)簽，用以驅(qū)動電子標(biāo)簽中的內(nèi)部電路將內(nèi)部的數(shù)據(jù)送出（Passive Tag，無源標(biāo)簽或被動標(biāo)簽），或者電子標(biāo) 簽主動發(fā)送出內(nèi)部的數(shù)據(jù)（Active Tag，有源標(biāo)簽或主動標(biāo)簽），此時閱讀器便依序接收電子標(biāo)簽發(fā)送的數(shù)據(jù)，從而達(dá)到自動識別目標(biāo)對象的目的。
[0005] 現(xiàn)有技術(shù)中射頻識別天線一般是通過印刷、蝕刻、繞線或直接將導(dǎo)線埋入承載片等方式來制作，然后將制作好的射頻識別天線與射頻集成芯片封裝在一起形成電子標(biāo)簽。其中，通過蝕刻或印刷的方式制作射頻識別天線，往往需要花費(fèi)較高的成本來投入相關(guān)設(shè) 備的采購，并且形成的射頻識別天線為平面的結(jié)構(gòu)，占據(jù)較大的空間；而以繞線的方式將金屬線或?qū)Ь€繞制形成射頻識別天線，射頻識別天線同樣會占據(jù)較大的空間，并且由于射頻識別天線尺寸較大而需要連接的射頻集成芯片尺寸太小的緣故，而容易產(chǎn)生對位不精確及生產(chǎn)良品率不佳等問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明解決的問題是怎樣減小射頻識別天線占據(jù)的體積。
[0007] 為解決上述問題，本發(fā)明提供一種射頻識別天線，包括：底層金屬層，所述底層金屬層包括第一部分和與第一部分相連接的第二部分；位于底層金屬層的第一部分上的若干依次交替堆疊的第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層的第二端與底層金屬層的第一部分電連接，第 N(N彡1)層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；絕緣層，所述絕緣層將底層金屬層、第一金屬層和第二金屬層隔離；位于底層金屬層的第二部分上的絕緣層中的金屬連接層，所述金屬連接層的底部與底層金屬層的第二部分電連接，所述金屬連接層的頂部作為射頻識別天線的外接第二端口，頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口。
[0008] 可選的，所述絕緣層的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
[0009] 可選的，所述底層金屬層、第一金屬層、第二金屬層、金屬連接層的材料為Al、Cu、 Ag、Au、Pt、W中的一種或幾種。
[0010] 可選的，每一層第一金屬層和第二金屬層的厚度為100埃?5毫米，相鄰第一金屬層和第二金屬層的距離為200埃?5毫米。
[0011] 可選的，還包括：射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口，射頻識別天線的外接第一端口通過第一金屬線與射頻集成芯片的第一接口電連接，射頻識別天線的外接第二端口通過第二金屬線與射頻集成芯片第二接口電連接。
[0012] 本發(fā)明還提供了一種射頻識別天線，包括：底層金屬層，所述底層金屬層包括相連接的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第二部分關(guān)于第三部分平面對稱；位于底層金屬層的第一部分上的若干依次交替堆疊的第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層的第二端與底層金屬層的第一部分電連接，第N(N> 1)層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；位于底層金屬層的第二部分上的若干依次交替堆疊的第三金屬層和第四金屬層，第三金屬層和第四金屬均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第三金屬層的第二端與底層金屬層的第二部分電連接，第N(N彡1)層的第四金屬層的第一端與第N層的第三金屬層的第一端電連接，第N+1 層的第三金屬層的第二端與第N層的第四金屬層第二端電連接，第N+1層的第四金屬層的第一端與第N+1層的第三金屬層的第一端電連接，且同一層的第一金屬層和同一層的第三金屬層關(guān)于第三部分平面對稱，同一層的第二金屬層和同一層的第四金屬層關(guān)于第三部分平面對稱；頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口，頂層的第三金屬層或第四金屬層作為射頻識別天線的外接第二端口；絕緣層，所述絕緣層將底層金屬層、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層電學(xué)隔離。
[0013] 可選的，所述絕緣層的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
[0014] 可選的，所述底層金屬層、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt、W中的一種或幾種。
[0015] 可選的，所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的厚度為100 埃?5毫米，相鄰第一金屬層和第二金屬層的距離為200埃?5毫米，相鄰的第三金屬層和第四金屬層的距離為200埃?5毫米。
[0016] 可選的，還包括：射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口，射頻識別天線的外接第一端口通過第一金屬線與射頻集成芯片的第一接口電連接，射頻識別天線的外接第二端口通過第二金屬線與射頻集成芯片第二接口電連接。
[0017] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0018] 本發(fā)明的射頻識別天線包括，覆蓋底層金屬層的絕緣層，第一區(qū)域上的絕緣層中形成有若干依次堆疊的第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層之間通過絕緣層隔離，每個第一金屬層和第二金屬層包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層的第二端與底層金屬層的第一部分電連接，第N(N> 1)層第二金屬層的第一端與第 N層第一金屬層的第一端電連接，第N+1層第一金屬層的第二端與第N層第二金屬層第二端電連接，第N+1層第二金屬層的第一端與第N+1層第一金屬層的第一端電連接；所述第二區(qū) 域上的絕緣層中形成有金屬連接層，所述金屬連接層的底部與底層金屬層的第二部分電連接。射頻識別天線的第一金屬層和第二金屬層依次堆疊分布，減小了射頻識別天線的平面占據(jù)的空間，第一金屬層和第二金屬層的厚度可以較薄，相鄰層的第一金屬層和第二金屬層之間的距離可以較小，從而使射頻識別天線的體積較小。
[0019] 本發(fā)明的射頻識別天線具有左右對稱的結(jié)構(gòu)（同一層的第一金屬層和同一層的第三金屬層關(guān)于第三部分平面對稱，同一層的第二金屬層和同一層的第四金屬層關(guān)于第三部分平面對稱），有利于減小外部的噪聲干擾，在接收和發(fā)送射頻型號時，提高了傳輸?shù)纳?頻信號的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0020] 圖1?圖16為本發(fā)明一實施例射頻識別天線的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖17?圖32為本發(fā)明另一實施例射頻識別天線的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0022] 如【背景技術(shù)】所言，現(xiàn)有技術(shù)制作的射頻識別天線的占據(jù)較大的空間，不利于射頻識別天線和射頻集成芯片一體封裝。
[0023] 為此，本發(fā)明實施例通過集成制作工藝形成射頻識別天線，射頻識別天線的第一金屬層和第二金屬層是依次堆疊分布，減小了射頻識別天線的平面占據(jù)的空間，并且本發(fā) 明實施例的射頻識別天線是通過集成工藝制作，第一金屬層和第二金屬層的厚度可以做得較薄，相鄰層的第一金屬層和第二金屬層之間的距離可以較小，從而使形成的射頻識別天線的體積較小。
[0024] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施例做詳細(xì)的說明。在詳述本發(fā)明實施例時，為便于說明，示意圖會不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是示例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。此外，在實際制作中應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺寸。
[0025] 圖1?圖16為本發(fā)明一實施例設(shè)別識別天線的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0026] 請參考圖1，提供載板100,所述載板100包括第一區(qū)域11、和第一區(qū)域11相鄰的第二區(qū)域12。
[0027] 所述載板100作為后續(xù)工藝的平臺，所述載板100可以為半導(dǎo)體基底（比如硅襯底、錯襯底等），所述載板100還可以為玻璃基底或1?分子樹脂基底。
[0028] 所述載板100的第一區(qū)域11上后續(xù)形成射頻識別天線的若干依次堆疊的第一金屬層和第二金屬層，載板100的第二區(qū)域12上后續(xù)形成射頻識別天線的金屬連接層。
[0029] 載板100上的第一區(qū)域11和第二區(qū)域12的數(shù)量可以為多個（大于等于2)，每個第一區(qū)域11與相應(yīng)的第二區(qū)域12相鄰，為了偏于后續(xù)的切割，若干第一區(qū)域11和第二區(qū) 域12在載板100上呈行列排布。為了方便后續(xù)的描述，本實施例中僅以載板100上的一個第一區(qū)域11和一個第二區(qū)域12作為示例。
[0030] 繼續(xù)參考圖1，在所述載板100上形成底層金屬層101，所述底層金屬層101包括第一部分和第一部分相連接的第二部分，第一部分位于載板100的第一區(qū)域11上，第二部分位于載板100的第二區(qū)域12上。
[0031] 所述底層金屬層101后續(xù)用于將第一區(qū)域11上的底層（或第一層）的第一金屬層與第二區(qū)域12上的底層的第一金屬連接層電連接。
[0032] 所述底層金屬層101的材料為銅、鋁或鎢等金屬材料。
[0033] 底層金屬層101的形成過程為：通過濺射工藝在載板100的表面上形成導(dǎo)電層 (圖中未示出）；在導(dǎo)電層上形成掩膜層，所述掩膜層中具有暴露出導(dǎo)電層表面的開口，所述開口的位置與后續(xù)載板100上形成的底層金屬層的位置對應(yīng)；采用電鍍工藝在開口中填充金屬，形成底層金屬層101 ;去除所述掩膜層；刻蝕去除底層金屬層101兩側(cè)的載板100 上的導(dǎo)電層，底層金屬層101底部剩余的部分導(dǎo)電層作為底層金屬層的一部分。
[0034] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述底層金屬層可以通過濺射和刻蝕工藝形成，具體過程為：首先通過濺射工藝在載板上形成一層金屬層；在金屬層上形成圖形化的掩膜層；以所述圖形化的掩膜層為掩膜刻蝕所述金屬層，在載板上形成底層金屬層。
[0035] 請參考圖2,形成覆蓋所述底層金屬層101和載板100的第一層第一絕緣層102a，所述第一層第一絕緣層102a中具有暴露出第一區(qū)域11上的底層金屬層101的第一部分表面的第一開口 104,以及暴露出第二區(qū)域12上的底層金屬層101的第二部分表面的第二開 □ 103。
[0036] 本實施例中，在制作射頻識別天線時，會形成若干層交替堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一層第一絕緣層l〇2a是指位于最底層或第一層的第一絕緣層，所述第一層第一絕緣層l〇2a的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠等。所述第一層第一絕緣層l〇2a采用光敏的高分子材料，所述第一層第一絕緣層102a 不僅可以作為隔離材料，并且可以通過曝光和顯影工藝很方便的在第一層第一絕緣層l〇2a 中形成第一開口 104和第二開口 103,減小了工藝的復(fù)雜度。
[0037] 在一實施例中，采用干膜或濕膜工藝形成第一層第一絕緣層102a，通過曝光和顯影工藝在第一層第一絕緣層l〇2a中形成第一開口 104和第二開口 103。
[0038] 在另一實施例中，采用網(wǎng)板印刷工藝形成所述第一層第一絕緣層102a，同時在第一層第一絕緣層102a中形成第一開口 104和第二開口 103。
[0039] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一層第一絕緣層的材料還可以為氧化硅、氮化硅等隔離材料，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述第一層第一絕緣層，通過光刻和刻蝕工藝在第一層第一絕緣層中形成第一開口和第二開口。
[0040] 本發(fā)明實施例中，采用集成工藝制作射頻識別天線，所述第一層第一絕緣層102a 可以做得較薄，減小后續(xù)形成的射頻識別天線占據(jù)的體積。所述第一層第一絕緣層l〇2a的厚度可以為200埃?5毫米，具體的，在一實施例中，第一層第一絕緣層102a的厚度可以為 20納米?3毫米，在另一實施例中，第一層第一絕緣層102a的厚度可以為0. 2微米?0. 5 毫米。
[0041] 請參考圖3,在第一層第一絕緣層102a中形成第一開口 104和第二開口 103之后，在第一開口 104和第二開口 103側(cè)壁和底部表面以及第一層第一絕緣層102a表面形成第一層第一導(dǎo)電層105。
[0042] 所述第一層第一導(dǎo)電層105作為后續(xù)采用電鍍工藝形成第一層第一金屬層和第一層第一金屬連接層時的導(dǎo)電層。
[0043] 所述第一層第一導(dǎo)電層105的材料為Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC中的一種或幾種。采用濺射工藝形成所述第一層第一導(dǎo)電層105。
[0044] 所述第一層第一導(dǎo)電層105還可以作為擴(kuò)散阻擋層，防止后續(xù)形成的第一層第一金屬層和第一層第一金屬連接層中的金屬原子向第一層第一絕緣層l〇2a中擴(kuò)散。
[0045] 所述第一層第一導(dǎo)電層105可以為單層或多層（大于1層）堆疊結(jié)構(gòu)。所述第一層第一導(dǎo)電層105為多層堆疊結(jié)構(gòu)時，在一具體的實施例中，所述第一層第一導(dǎo)電層105可以為Ti和TiN雙層堆疊結(jié)構(gòu)，或者Ta和TaN的雙層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0046] 在本發(fā)明的一個實施例中，在形成第一層第一導(dǎo)電層105后，還可以通過濺射工藝在所述第一層第一導(dǎo)電層105表面上形成一層籽晶層。
[0047] 請參考圖4,在第一層第一導(dǎo)電層105上形成第一層第一光刻膠層106,所述第一層第一光刻膠層106中具有第五開口 107和第六開口 108,所述第五開口 107暴露出第一開口 104和第一區(qū)域11的部分第一層第一絕緣層102a上方的第一層第一導(dǎo)電層105,所述第六開口 108暴露出第二開口 103內(nèi)的第一層第一導(dǎo)電層105。
[0048] 通過曝光和顯影工藝，在所述第一層第一光刻膠層106中形成第五開口 107和第六開口 108。
[0049] 請參考圖5,采用電鍍工藝，在第五開口 107和第一開口 104(參考圖4)中形成第一層第一金屬層l〇9a，所述第一層第一金屬層109a的與底層金屬層101的第一部分電連接的一端為第二端，第一層第一金屬層l〇9a的未與底層金屬層101電連接的一端為第一端，在第六開口 108和第二開口 103 (參考圖4)中形成第一層第一金屬連接層110a，第一層第一金屬連接層ll〇a與底層金屬層101的第二部分電連接。
[0050] 本實施例中，在制作射頻識別天線時，載板100的第一區(qū)域11上會形成若干層依次堆疊的第一金屬層和第二金屬層，所述第一層第一金屬層109a是指若干層（大于1層）第一金屬層中位于最底層或第一層的第一金屬層，載板1〇〇的第二區(qū)域上會形成若干層第一金屬連接層和第二金屬連接層，所述第一層第一金屬連接層ll〇a是指若干層（大于1 層）第一金屬連接層中位于最底層或第一層的第一金屬連接層。
[0051] 所述第一層第一金屬層109a和第一層第一金屬連接層110a的材料為Al、Cu、Ag、 Au、Pt、W中的一種或幾種。本實施例中，所述第一層第一金屬層109a和第一層第一金屬連接層ll〇a的材料為Cu。
[0052] 本實施例中通過電鍍工藝形成所述第一層第一金屬層109a和第一層第一金屬連接層ll〇a，在本發(fā)明的其他實施例中，在形成覆蓋所述底層金屬層和載板的第一層第一絕緣層，所述第一層第一絕緣層中具有暴露出第一區(qū)域上的底層金屬層的第一部分表面的第一開口，以及暴露出第二區(qū)域上的底層金屬層的第二部分表面的第二開口后，在第一層絕緣層表面上以及第一開口和第二開口中形成金屬層，金屬層可以通過濺射和金屬膜壓合工藝形成；然后在金屬層上形成圖形化的掩膜；以所述圖形化的掩膜為掩膜，刻蝕去除部分所述金屬層，在第一開口和部分第一層絕緣層上形成第一層第一金屬層，在第二開口內(nèi)形成第一層第一金屬連接層。
[0053] 第一層第一金屬層109a的厚度為100埃?5毫米，具體的，在一實施例中，第一層第一金屬層l〇9a的厚度可以為10納米?3毫米，在另一實施例中，第一層第一金屬層109a 的厚度可以為〇. 2微米?0. 5毫米。
[0054] 請參考圖6,去除所述第一層第一光刻膠層106 (參考圖5);刻蝕去除第一層第一金屬層l〇9a和第一層第一金屬連接層110a兩側(cè)的第一層第一導(dǎo)電層105。
[0055] 采用灰化工藝去除所述第一層第一光刻膠層106。在進(jìn)行灰化工藝時，所述第一層第一導(dǎo)電層105對底部的第一層第一絕緣層102a進(jìn)行保護(hù)。
[0056] 在去除第一層第一光刻膠層106后，以所述第一層第一金屬層109a和第一層第一金屬連接層ll〇a為掩膜，刻蝕去除第一層第一金屬層109a和第一層第一金屬連接層110a 兩側(cè)的第一層第一導(dǎo)電層105。
[0057] 所述第一層第一金屬層109a底部剩余的部分第一層第一導(dǎo)電層105可以作為第一層第一金屬層l〇9a的一部分，第一層第一金屬連接層110a底部和部分側(cè)壁上剩余的第一層第一導(dǎo)電層105作為第一層第一金屬連接層110a的一部分。
[0058] 請參考圖7,形成覆蓋所述第一層第一金屬層109a、第一層第一金屬連接層110a 和第一層第一絕緣層l〇2a的第一層第二絕緣層103a，所述第一層第二絕緣層103a中具有暴露出第一層第一金屬層l〇9a的第一端表面的第三開口 111，以及暴露出第一層第一金屬連接層110a的第四開口 112。
[0059] 本實施例中，在制作射頻識別天線時，會形成若干層交替堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一層第二絕緣層l〇3a是指若干層（大于1層）第二絕緣層中位于第一層的第二絕緣層或者位于第一層第一絕緣層l〇2a表面上的一層的第二絕緣層。所述第一層第二絕緣層l〇3a的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠等。所述第一層第二絕緣層l〇3a采用光敏的高分子材料，所述第一層第二絕緣層103a 不僅可以作為隔離材料，并且可以通過曝光和顯影工藝很方便的在第一層第二絕緣層l〇3a 中形成第三開口 111和第四開口 112,減小了工藝的復(fù)雜度。
[0060] 在一實施例中，采用干膜或濕膜工藝形成所述第一層第二絕緣層103a，通過曝光和顯影工藝在第一層第二絕緣層103a中形成第三開口 111和第四開口 112。
[0061] 在另一實施例中，采用網(wǎng)板印刷工藝形成所述第一層第二絕緣層103a，同時在第一層第二絕緣層l〇3a中形成第三開口 111和第四開口 112。
[0062] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一層第二絕緣層的材料還可以為氧化硅、氮化硅等隔離材料，采用化學(xué)氣相沉積工藝形成所述第一層第二絕緣層，通過光刻和刻蝕工藝在第一層第二絕緣層中形成第一開口和第二開口。
[0063] 所述第一層第二絕緣層103a的材料與第一層第一絕緣層102a的材料相同厚度也相同，以使第一層第一絕緣層l〇2a和第一層第二絕緣層103a絕緣特性保持一致，并使得第一層第一絕緣層l〇2a和第一層第二絕緣層103a之間具有較好的粘附性和界面特性，防止在受熱時或擠壓時，第一層第二絕緣層l〇3a從第一層第一絕緣層102a表面脫落或剝離。本實施例中，所述第一層第二絕緣層l〇3a的材料為光敏的聚酰亞胺膠。
[0064] 請參考圖8,在第一層第二絕緣層103a中形成第三開口 111和第四開口 112后，在所述第三開口 111和第四開口 112的側(cè)壁和底部以及第一層第二絕緣層103a的表面上形成第一層第二導(dǎo)電層113。
[0065] 所述第一層第二導(dǎo)電層113作為后續(xù)采用電鍍工藝形成第一層第二金屬層和第一層第二金屬連接層時的導(dǎo)電層。
[0066] 所述第一層第二導(dǎo)電層113的材料為Ni、Ti、TiN、TaN、Ta、TaC中的一種或幾種。所述第一層第二導(dǎo)電層113與第一層第一導(dǎo)電層的材料相同，采用濺射工藝形成所述第一層第二導(dǎo)電層113。
[0067] 所述第一層第二導(dǎo)電層113還可以作為擴(kuò)散阻擋層，防止后續(xù)形成的第二金屬層和第二金屬連接層中的金屬原子向在第一層第二絕緣層l〇3a中擴(kuò)散。
[0068] 所述第一層第二導(dǎo)電層113可以為單層或多層（大于1層）堆疊結(jié)構(gòu)。所述第一層第二導(dǎo)電層113為多層堆疊結(jié)構(gòu)時，在一具體的實施例中，所述第一層第二導(dǎo)電層113可以為Ti和TiN雙層堆疊結(jié)構(gòu)，或者Ta和TaN的雙層堆疊結(jié)構(gòu)。
[0069] 在本發(fā)明的一個實施例中，在形成第一層第二導(dǎo)電層113后，還可以通過濺射工藝在所述第一層第二導(dǎo)電層113表面上形成一層籽晶層。
[0070] 參考圖9,在第一層第二導(dǎo)電層113上形成第一層第二光刻膠層114,所述第一層第二光刻膠層114中具有第七開口 116和第八開口 115,所述第七開口 116暴露出第三開口 111和第一層第一金屬層109a上的第一層第二導(dǎo)電層113,所述第八開口 115暴露出第四開口 112中的第一層第二導(dǎo)電層113。
[0071] 通過濕膜或干膜工藝形成所述第一層第二光刻膠層114,對第一層第二光刻膠層 114進(jìn)行曝光和顯影，在第一層第二光刻膠層114中形成第七開口 116和第八開口 115。
[0072] 所述第七開口 116的寬度可以大于、等于、或小于第一層第一金屬層109a的寬度，使得后續(xù)形成的第一層第二金屬層大于、等于、或小于第一層第一金屬層l〇9a的寬度。需要說明的是，第七開口 116的寬度為第七開口 116的靠近第二區(qū)域12的側(cè)壁表面到遠(yuǎn)離第二區(qū)域12的側(cè)壁表面的垂直距離，第一層第一金屬層109a的寬度為第一層第一金屬層 109a的第一端與第二端之間的垂直距離。
[0073] 所述第八開口 115的寬度等于第一層第一金屬連接層110a的寬度。
[0074] 請參考圖10,采用電鍍工藝，在所述第七開口 116 (參考圖9)和第三開口 111(參考圖9)中形成第一層第二金屬層117a，第一層第二金屬層117a的與第一層第一金屬層 109a電連接的一端為第一端，第一層第二金屬層117a的未與第一層第一金屬層109a電連接的一端為第二端，在第八開口 115(參考圖9)和第四開口 112(參考圖9)中形成第一層第二金屬連接層118a。
[0075] 本實施例中，在制作射頻識別天線時，載板100的第一區(qū)域11上會形成若干層依次堆疊的第一金屬層和第二金屬層，所述第一層第二金屬層117a是指若干層（大于1層）第二金屬層中位于第一層的第二金屬層或者指位于第一層第二絕緣層l〇3a表面上的一層第二金屬層。
[0076] 載板100的第二區(qū)域12上會形成若干層第一金屬連接層和第二金屬連接層，所述第一層第二金屬連接層118a是指若干層（大于1層）第二金屬連接層中位于第一層的第二金屬連接層，或者指位于第一層第二金屬連接層11a表面上的一層第二金屬連接層。
[0077] 所述第一層第二金屬層117a和第一層第二金屬連接層118a的材料為Al、Cu、Ag、 Au、Pt、W中的一種或幾種。為了保持射頻識別天線電學(xué)性能的穩(wěn)定性，所述第一層第二金屬層117a和第一層第二金屬連接層118a與所述第一層第一金屬層109a和第一層第一金屬連接層ll〇a的材料相同厚度也相同，本實施例中，所述第一層第二金屬層117a和第一層第二金屬連接層118a的材料為Cu。
[0078] 本實施例中，第一層第二金屬層117a的第一端與第一層第一金屬層109a的第一端電連接。
[0079] 請參考圖11，去除所述第一層第二光刻膠層114(參考圖10);刻蝕去除第一層第二金屬層117a和第一層第二金屬連接層118a兩側(cè)的第一層第二導(dǎo)電層113。
[0080] 采用灰化工藝去除所述第一層第二光刻膠層114。在進(jìn)行灰化工藝時，所述第一層第二導(dǎo)電層103對底部的第一層第二絕緣層103a進(jìn)行保護(hù)。
[0081] 在去除第一層第二光刻膠層114后，以所述第一層第二金屬層117a和第一層第二金屬連接層118a為掩膜，刻蝕去除第一層第二金屬層117a和第一層第二金屬連接層118a 兩側(cè)的第一層第一導(dǎo)電層105。
[0082] 所述第一層第二金屬層117a底部剩余的部分第一層第二導(dǎo)電層113可以作為第一層第二金屬層117a的一部分，第一層第二金屬連接層118a底部和部分側(cè)壁上剩余的第一層第二導(dǎo)電層113作為第一層第二金屬連接層118a的一部分。
[0083] 請參考圖12,形成覆蓋所述第一層第二金屬層117a和第一層第二絕緣層103a表面的第二層第一絕緣層l〇2b，所述第二層第一絕緣層102b中具有暴露出第一層第二金屬層117a的第二端表面的第一開口，以及暴露出第一層第二金屬連接層表面118a的第二開口；在所述第一開口和部分第二層第一絕緣層102b表面上形成第二層第一金屬層109b，所述第二層第一金屬層109b位于第一層第二金屬層117a上方，所述第二層第一金屬層109b 的與第一層第二金屬層117a電連接的一端為第二端，第二層第一金屬層109b的未與第一層第二金屬層117a電連接的一端為第一端，在所述第二開口中形成第二層第一金屬連接層 110b。
[0084] 接著，形成覆蓋所述第二層第一金屬層109b、第二層第一金屬連接層110b和第二層第一絕緣層102b的第二層第二絕緣層103b，所述第二層第二絕緣層103b中具有暴露出第二層第一金屬層l〇9b的第一端表面的第三開口，以及暴露出第二層第一金屬連接層 ll〇b的第四開口；在所述第三開口和部分第二層第二絕緣層103b表面上形成第二層第二金屬層117b，所述第二層第二金屬層117b位于第二層第一金屬層109b上方，第二層第二金屬層117b的與第二層第一金屬層109b電連接的一端為第一端，第二層第二金屬層117b的未與第二層第一金屬層l〇9b電連接的一端為第二端，在第四開口中形成第二層第二金屬連接層118b。
[0085] 本實施例中，在載板100的第一區(qū)域11上形成兩層第一金屬層和兩層第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層依次堆疊，在載板的第二區(qū)域12上形成兩層第一金屬連接層和兩層第二金屬連接層，第一金屬連接層和第二金屬連接層依次堆疊。
[0086] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述堆疊的第一金屬層和第二金屬層的層數(shù)可以大于兩層，每一層的第一金屬層的形成工藝相同，相應(yīng)的每一層的第二金屬層的形成工藝也相同。
[0087] 具體的，所述第N(N彡2)層第一金屬層和第N(N彡2)層第一金屬連接層的形成過程為：形成覆蓋所述第N-1層第二金屬層和第N-1層第二絕緣層表面的第N層第一絕緣層，所述第N層第一絕緣層中具有暴露出第N-1層第二金屬層的第二端表面的第一開口，以及暴露出第N-1層第二金屬連接層表面的第二開口；在第一開口和第二開口側(cè)壁和底部表面以及第N-1層第二絕緣層表面形成第N層第一導(dǎo)電層；在第N層第一導(dǎo)電層上形成第 N層第一光刻膠層，所述第N層第一光刻膠層中具有第五開口和第六開口，所述第五開口暴露出第一開口和第N-1層第二金屬層上方的第N層第一導(dǎo)電層，所述第六開口暴露出第二開口內(nèi)的第N層第一導(dǎo)電層；采用電鍍工藝，在第五開口和第一開口中形成第N層第一金屬層，所述第N層第一金屬層的與第N-1層第二金屬層電連接的一端為第二端，第N層第一金屬層的未與第N層第二金屬層電連接的一端為第一端，在第六開口和第二開口中形成第 N層第一金屬連接層；去除所述第N層第一光刻膠層；刻蝕去除第N層第一金屬層和第N層第一金屬連接層兩側(cè)的第N層第一導(dǎo)電層。
[0088] 在形成第N(N > 2)層第一金屬層和第N(N > 2)層第一金屬連接層之后，形成第 N(N > 2)層第二金屬層和第N(N > 2)層第二金屬連接層，所述第N(N > 2)層第二金屬層和第N(N > 2)層第二金屬連接層的形成過程為：形成覆蓋所述第N層第一金屬層、第N層第一金屬連接層和第N層第一絕緣層的第N層第二絕緣層，所述第N層第二絕緣層中具有暴露出第N層第一金屬層的第一端表面的第三開口，以及暴露出第N層第一金屬連接層的第四開口；在所述第三開口和第四開口的側(cè)壁和底部以及第N層第二絕緣層的表面上形成第N層第二導(dǎo)電層；在第N層第二導(dǎo)電層上形成第N層第二光刻膠層，所述第N層第二光刻膠層中具有第七開口和第八開口，所述第七開口暴露出第三開口和第N層第一金屬層上的第N層第二導(dǎo)電層，所述第八開口暴露出第四開口中的第N層第二導(dǎo)電層；采用電鍍工藝，在所述第七開口和第三開口中形成第N層第二金屬層，第N層第二金屬層的與第N層第一金屬層電連接的一端為第一端，第N層第二金屬層的未與第N層第一金屬層電連接的一端為第二端，在第八開口和第四開口中形成第N層第二金屬連接層；去除所述第N層第二光刻膠層；刻蝕去除第N層第二金屬層和第N層第二金屬連接層兩側(cè)的第N層第二導(dǎo)電層。 [0089] 若干層依次堆疊的第一金屬連接層和第二金屬連接層構(gòu)成金屬連接層，若干層依次堆疊的第一絕緣層和第二絕緣層構(gòu)成絕緣層。
[0090] 在形成若干（大于等于兩層）依次堆疊的第一金屬層和第二金屬層時，位于頂層的金屬層可以為第一金屬層或第二金屬層，相應(yīng)的位于頂層的連接層可以第一金屬連接層或第二金屬連接層。
[0091] 還包括：在頂層的第一金屬層或第二金屬層表面上形成第一焊盤，第一焊盤作為射頻識別天線的外接第一端口；在頂層的第一金屬連接層或第二金屬連接層表面上形成第二焊盤，第二焊盤作為射頻識別天線的第二外接端口；形成覆蓋所述第一焊盤、第二焊盤、頂層的第一金屬層或第二金屬層、頂層的第一金屬連接層或第二金屬連接層、頂層的第一絕緣層或第二絕緣層的頂層絕緣層，所述頂層絕緣層暴露出第一焊盤和第二焊盤的頂部表面，所述頂層絕緣層作為絕緣層的一部分。
[0092] 在本發(fā)明的其他實施例中，也可以直接將頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口，將頂層的第一金屬連接層或第二金屬連接層作為射頻識別天線的外接第二端口，第一外接端口和第二外接端口后續(xù)與射頻集成芯片電連接。
[0093] 本實施例中，位于頂層的金屬層為第二金屬層（第二層第二金屬層117b)，位于頂層的連接層為第二金屬連接層（第二層金屬連接層118b)，在第二層第二金屬層117b表面形成第一焊盤119,第一焊盤119作為外接第一端口，在第二層金屬連接層118b的表面形成第二焊盤120,第二焊盤120作為外接第二端口；形成覆蓋所述第二層第二金屬層117b、第二層金屬連接層118b、第一焊盤119、第二焊盤120、第二層第二絕緣層103b的頂層絕緣層 121。
[0094] 參考圖13,去除所述載板100 (參考圖12)，圖13為圖12去除載板100后的立體結(jié)構(gòu)示意圖（第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層圖中未示出），底層金屬層101包括相連接的第一部分21和第二部分22,第一部分21位于載板100的第一區(qū)域11 (參考圖12)表面上，第二部分22位于載板100的第二區(qū)域12 (參考圖12)表面上。
[0095] 所述載板100通過剝離工藝去除。載板100去除后，后續(xù)形成的射頻識別天線的厚度變薄。
[0096] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述載板100也可以不去除，后續(xù)在切割時同時切割載板100,形成射頻識別天線。
[0097] 結(jié)合參考圖13和圖14,沿橫跨底層金屬層101的第一部分21和第二部分22的方向（或者沿切割線AB方向），切割所述第二金屬層（第一層第二金屬層117a和第二層第二金屬層117a)、第一金屬層（第一層第一金屬層109a和第二層第一金屬層109b)、底層金屬層101、金屬連接層（第一層第一金屬連接層110a、第一層第二金屬連接層118a、第二層第一金屬連接層ll〇a、第二層第二金屬連接層118b)和絕緣層（第一層第一絕緣層102a、第一層第二絕緣層l〇3a、第二層第一絕緣層102b、第二層第二絕緣層103b、頂層絕緣層121)，形成若干分立的射頻識別天線14,頂層的第一金屬層或第二金屬層的作為射頻識別天線 14的外接第一端口，金屬連接層的頂部作為射頻識別天線14的外接第二端口。
[0098] 所述切割可以為刀片切割或激光切割，通過切割形成若干分立的射頻識別天線 14。
[0099] 在切割時，還可以同時切割頂部的第一焊盤119和第二焊盤120。
[0100] 本實施例中，在形成第一層第一金屬層l〇9a時，第一層第一金屬層109a的第一端與底層金屬層101的第一部分21電連接，第一層第一金屬層109a的第二端位于第一層第一絕緣層102a上且靠近底層金屬層101的第二部分22。在本發(fā)明的其他實施例中，請參考圖15,在形成第一層第一金屬層109a時，第一層第一金屬層109a的第一端與底層金屬層 101的第一部分21電連接，第一層第一金屬層109a的第二端位于第一層第一絕緣層102a 上且遠(yuǎn)離底層金屬層101的第二部分22。
[0101] 參考圖16,提供射頻集成芯片122 ;將射頻集成芯片122與射頻識別天線14的第一外接端口和第二外接端口電連接。
[0102] 所述射頻集成芯片122和射頻識別天線14構(gòu)成射頻識別系統(tǒng)的應(yīng)答器（或電子標(biāo)簽），所述射頻集成芯片122用于存儲與目標(biāo)對象相關(guān)的信息，對射頻識別天線14接收的信號進(jìn)行處理，并可以將存儲的相關(guān)信息通過射頻識別天線14發(fā)送。所述射頻識別天線 14用于接收外部（閱讀器）的射頻信號，以及用于向外發(fā)送射頻信號。
[0103] 所述射頻集成芯片122還具有身份驗證功能，當(dāng)閱讀器的讀取信號時，所述射頻集成芯片122可以發(fā)送驗證信息對閱讀器的身份進(jìn)行驗證。
[0104] 本實施例的應(yīng)答器（或電子標(biāo)簽）可以為無源、有源或半有源形式的應(yīng)答器（或電子標(biāo)簽），所述射頻識別天線14還可以作為耦合器件產(chǎn)生感應(yīng)電流，向射頻集成芯片122 和射頻識別天線14提供驅(qū)動能量。
[0105] 所述射頻集成芯片122包括第一接口 124和第二接口 123,第一接口 124和第二接口 123與射頻集成芯片122的內(nèi)部電路電連接。通過引線鍵合工藝形成第一金屬線223和第二金屬線224,所述第一金屬線223將射頻識別天線14的外接第一端口（或者第一焊盤 119)與射頻集成芯片122的第一接口 124電連接，所述第二金屬線224將射頻識別天線14 的外接第二端口（或者第二焊盤120)與射頻集成芯片122第二接口 123電連接。
[0106] 所述引線鍵合工藝可以為熱壓鍵合、超聲波鍵合或熱壓超聲波鍵合。以形成第一金屬線223作為示例，具體的鍵合過程為：首先穿過鍵合機(jī)的劈刀的金屬線與射頻集成芯片122的第一接口 124接觸形成第一焊點(diǎn)；接著劈刀抬起并向射頻識別天線14的第一端口方向移動，形成金屬弧線；然后劈刀向下，使得金屬線與射頻識別天線14的第一端口接觸形成第二焊點(diǎn)，并同時切斷金屬線，形成第一金屬線223。
[0107] 在本發(fā)明的其他實施例中，還可以形成塑封層將射頻集成芯片122和射頻識別天線14塑封。
[0108] 本發(fā)明實施例還提供了一種射頻識別天線，請參考圖16,包括：
[0109] 底層金屬層101，所述底層金屬層101包括第一部分21和與第一部分21相連接的第二部分22 ;
[0110] 位于底層金屬層1〇1的第一部分21上的若干依次交替堆疊的第一金屬層（包括：第一層第一金屬層l〇9a和第二層第一金屬層109b)和第二金屬層（包括：第一層第二金屬層117a和第二層第二金屬層117b)，第一金屬層和第二金屬層均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層l〇9a的第二端與底層金屬層101的第一部分21電連接，第 N(N彡1)層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；
[0111] 絕緣層125,所述絕緣層125將底層金屬層101、第一金屬層（包括：109a和109b) 和第二金屬層（包括：117a和117b)隔離；
[0112] 位于底層金屬層101的第二部分22上的絕緣層125中的金屬連接層126,所述金屬連接層126的底部與底層金屬層101的第二部分22電連接，所述金屬連接層126的頂部作為射頻識別天線14的外接第二端口 120,頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口 119。
[0113] 本實施例中，以兩層第一金屬層和兩層第二金屬層作為示例，兩層第一金屬層包括第一層第一金屬層l〇9a和第二層第一金屬層109b，兩層第二金屬層包括：第一層第二金屬層117a和第二層第二金屬層117b，第一層第一金屬層109a的包括相對的第一端和第二端，第一層第一金屬層l〇9a、第一層第二金屬層117a、第二層第一金屬層109b和第二層第二金屬層117b在底層金屬層201上依次堆疊分布，第一層第一金屬層109a、第一層第二金屬層117a、第二層第一金屬層109b和第二層第二金屬層117b均包括第一端和第一端相對的第二端，且第一層第一金屬層l〇9a、第一層第二金屬層117a、第二層第一金屬層109b和第二層第二金屬層117b之間通過絕緣層125 (包括第一層第一絕緣層102a、第一層第二絕緣層103a、第二層第一絕緣層102b、第二層第二絕緣層103b)電學(xué)隔離，具體的：第一層第一絕緣層l〇2a覆蓋所述底層金屬層101，所述第一層第一絕緣層102a中具有暴露出底層金屬層101的第一部分21表面的第一開口；位于第一層第一絕緣層102a上和第一開口內(nèi) 第一層第一金屬層109a，第一層第一金屬層109a的第二端與底層金屬層101的第一部分電連接，第一層第一金屬層l〇9a的未與底層金屬層101電連接的一端為第一端；覆蓋所述第一層第一金屬層l〇9a、第一層第一絕緣層102a的第一層第二絕緣層103a，所述第一層第二絕緣層l〇3a中具有暴露出第一層第一金屬層109a的第一端表面的第三開口；位于第三開口內(nèi)和第一層第一金屬層109a上方的第一層第二絕緣層103a表面上的第一層第二金屬層117a，第一層第二金屬層117a的第一端與第一層第一金屬層109a的第一端電連接，第一層第二金屬層117a的未與第一層第一金屬層109a電連接的一端為第二端；覆蓋所述第一層第二金屬層117a和第一層第二絕緣層103a表面的第二層第一絕緣層102b，所述第二層第一絕緣層102b中具有暴露出第一層第二金屬層117a的第二端表面的第一開口；位于第二層第一絕緣層l〇2b的第一開口內(nèi)和第二層第一絕緣層102b部分表面上的，所述第二層第一金屬層l〇9b位于第一層第二金屬層117a上方，所述第二層第一金屬層109b第二端與第一層第二金屬層117a的第二端電連接，第二層第一金屬層109b的未與第一層第二金屬層117a電連接的一端為第一端；形成覆蓋所述第二層第一金屬層109b和第二層第一絕緣層102b的第二層第二絕緣層103b，所述第二層第二絕緣層103b中具有暴露出第二層第一金屬層l〇9b的第一端表面的第三開口；位于第二層第二絕緣層103b的第三開口內(nèi)和部分第二層第二絕緣層103b表面上，所述第二層第二金屬層117b位于第二層第一金屬層109b 上方，第二層第二金屬層117b的第一端與第二層第一金屬層109b的第一端電連接，第二層第二金屬層117b的未與第二層第一金屬層109b電連接的一端為第二端。
[0114] 所述金屬連接層126包括依次堆疊的第一層第一金屬連接層110a、第一層第二金屬連接層118a、第二層第一金屬連接層110b、第二層第二金屬連接層118b。
[0115] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一金屬層、第二金屬層、第一金屬連接層和第二金屬連接層的層數(shù)N大于兩層。相應(yīng)的第一絕緣層和第二絕緣層的層數(shù)N也大于兩層。
[0116] 所述絕緣層125的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
[0117] 所述底層金屬層101、第一金屬層、第二金屬層、金屬連接層的材料為Al、Cu、Ag、 Au、Pt、W中的一種或幾種。
[0118] 每一層第一金屬層和第二金屬層的厚度為100埃?5毫米，相鄰第一金屬層和第二金屬層的距離為200埃?5毫米.
[0119] 還包括：位于第二層第二金屬層117b表面形成的第一焊盤119,第一焊盤119作為外接第一端口，位于第二層金屬連接層118b的表面的第二焊盤120,第二焊盤120作為外接第二端口；覆蓋所述第二層第二金屬層117b、第二層金屬連接層118b、第一焊盤119、第二焊盤120、第二層第二絕緣層103b的頂層絕緣層121，頂層絕緣層121作為絕緣層125的一部分。
[0120] 還包括：射頻集成芯片122,所述射頻集成芯片122包括第一接口 124和第二接口 123,射頻識別天線14的外接第一端口（第一焊盤119)通過第一金屬線223與射頻集成芯片122的第一接口 124電連接，射頻識別天線14的外接第二端口（第二焊盤120)通過第二金屬線224與射頻集成芯片122的第二接口 123電連接。
[0121] 需要說明的是，關(guān)于射頻識別天線的其他描述和限定請參考前述射頻識別天線的形成過程的相關(guān)描述和限定，在此不再贅述。
[0122] 圖17?圖32為本發(fā)明另一實施例射頻識別天線的形成過程的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0123] 參考圖17,提供載板200,所述載板200包括第一區(qū)域11、第二區(qū)域12以及位于第一區(qū)域11和第二區(qū)域12之間的第三區(qū)域12,第一區(qū)域11和第二區(qū)域12關(guān)于第三區(qū)域13 平面對稱。
[0124] 需要說明的是，平面對稱具體是指：做一垂直于載板200表面的參考平面，且所述參考平面將第三區(qū)域13平分為左右對稱的兩部分，載板200的第一區(qū)域11和第二區(qū)域12 關(guān)于所述參考平面對稱。
[0125] 參考圖18,在所述載板200上形成底層金屬層201，所述底層金屬層201包括連接的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分位于載板200的第一區(qū)域11上、第二部分位于載板200的第二區(qū)域12上、第三部分位于載板200的第三區(qū)域13上，第一部分和第二部分關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱；形成覆蓋所述底層金屬層201和載板200的第一層第一絕緣層 202a，所述第一層第一絕緣層202a中具有暴露出第一區(qū)域11上的底層金屬層201的第一部分表面的第一開口 204,以及暴露出第二區(qū)域12上的底層金屬層201的第二部分12表面的第二開口 203,第一開口 204和第二開口 203關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱。
[0126] 第一層第一絕緣層202a厚度可以為200埃?5毫米，具體的，在一實施例中，第一層第一絕緣層102a的厚度可以為20納米?3毫米，在另一實施例中，第一層第一絕緣層 l〇2a的厚度可以為0. 2微米?0. 5毫米。
[0127] 參考圖19,在第一開口 204和第二開口 203側(cè)壁和底部表面以及第一層第一絕緣層202a表面形成第一層第一導(dǎo)電層205。
[0128] 參考圖20,在第一層第一導(dǎo)電層205上形成第一層第一光刻膠層206,所述第一層第一光刻膠層206中具有第五開口 208和第六開口 207,第五開口 208和第六開口 206關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱，所述第五開口 208暴露出第一開口 204和第一區(qū)域11的部分第一層第一絕緣層202a上的第一層第一導(dǎo)電層205,所述第六開口 207暴露出第二開口 203和第二區(qū)域12的部分第一層第一絕緣層202a上的第一層第一導(dǎo)電層205。
[0129] 參考圖21，采用電鍍工藝，在第五開口 208和第一開口 204(參考圖20)中形成第一層第一金屬層210a，所述第一層第一金屬層210a的與底層金屬層201的第一部分電連接的一端為第二端，第一層第一金屬層210a的未與底層金屬層201電連接的一端為第一端，在第六開口 207和第二開口 203 (參考圖20)中形成第一層第三金屬層209a，所述第一層第三金屬層209a的與底層金屬層201的第二部分電連接的一端為第二端，第一層第三金屬層209a的未與底層金屬層電連接的一端為第一端，第一層第三金屬層209a和第一層第一金屬層210a關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱。
[0130] 第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209的厚度相等，第一層第一金屬層 210a和第一層第三金屬層209a的厚度為100埃?5毫米，具體的，在一實施例中，第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209a的厚度可以為10納米?3毫米，在另一實施例中，第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209a的厚度可以為0. 2微米?0. 5毫米。
[0131] 參考圖22,去除所述第一層第一光刻膠層206 (參考圖21);刻蝕去除第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209a兩側(cè)的第一層第一導(dǎo)電層205。
[0132] 參考圖23,形成覆蓋所述第一層第一金屬層210a、第一層第三金屬層209a和第一層第一絕緣層202a的第一層第二絕緣層211a，所述第一層第二絕緣層211a中具有暴露出第一層第一金屬層210a的第一端表面的第三開口 213,以及暴露出第一層第三金屬層209a 的第一端表面的第四開口 212,所述第三開口 213和第四開口 212關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱。
[0133] 第一層第二絕緣層211a的材料與第一層第一絕緣層202a的材料相同，且兩者的厚度相等。
[0134] 參考圖24,在所述第三開口 213和第四開口 212的側(cè)壁和底部以及第一層第二絕緣層211a的表面上形成第一層第二導(dǎo)電層214。
[0135] 參考圖25,在第一層第二導(dǎo)電層214上形成第一層第二光刻膠層215,所述第一層第二光刻膠層215中具有第七開口 217和第八開口 216,所述第七開口 217和第八開口 216 關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱，所述第七開口 217暴露出第三開口 213和第一層第一金屬層 210a上的第一層第二導(dǎo)電層214,所述第八開口 216暴露出第四開口 212和第一層第三金屬層209a上的第一層第二導(dǎo)電層214。
[0136] 參考圖26,采用電鍍工藝，在所述第七開口 217和第三開口 213 (參考圖25)中形成第一層第二金屬層219a，第一層第二金屬層219a的與第一層第一金屬層210a電連接的一端為第一端，第一層第二金屬層219a的未與第一層第一金屬層210a電連接的一端為第二端，在第八開口 216和第四開口 212(參考圖25)中形成第一層第四金屬層218a，第一層第四金屬層218a的與第一層第三金屬層209a的電連接的一端為第一端，第一層第四金屬層218a的未與第一層的第三金屬層209a電連接的一端為第二端，第一層第二金屬層219a 和第一層第四金屬層218a關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱。
[0137] 第一層第二金屬層219a和第一層第四金屬層218a與第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209的材料相同且厚度相等。
[0138] 參考圖27,去除所述第一層第二光刻膠層215 (參考圖25);刻蝕去除第一層第二金屬層219a和第一層第四金屬層218a兩側(cè)的第一層第二導(dǎo)電層214。
[0139] 參考圖28,形成覆蓋所述第一層第二金屬層219a、第一層第四金屬層218a和第一層第二絕緣層211a表面的第二層第一絕緣層202b，所述第二層第一絕緣層202b中具有暴露出第一層第二金屬層219a的第二端表面的第一開口，以及暴露出第一層第四金屬層 218a第二端表面的第二開口；在第一開口中和第一層第二金屬層219a上方的第二層第一絕緣層202b表面上形成第二層第一金屬層210b，所述第二層第一金屬層210b的與第一層第二金屬層219a電連接的一端為第二端，第二層第一金屬層210b的未與第二層第一金屬層電連接219a的一端為第一端，在第二開口中和第一層第四金屬層218a上方的第二層第一絕緣層202b表面上形成第二層第三金屬層209b，所述第二層第三金屬層209b的與第一層第四金屬層218a電連接的一端為第二端，第二層第三金屬層209b的未與第一層第四金屬層218a電連接的一端為第一端，第二層第三金屬層209b和第二層第一金屬層210b關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱；
[0140] 形成覆蓋所述第二層第一金屬層210b、第二層第三金屬層209b和第二層第一絕緣層202b的第二層第二絕緣層211b，所述第二層第二絕緣層211b中具有暴露出第二層第一金屬層210b的第一端表面的第三開口，以及暴露出第二層第三金屬層209b的第一端表面的第四開口；在所述第三開口中和第二層第一金屬層210b上方的第二層第二絕緣層 211b表面上形成第二層第二金屬層219b，第二層第二金屬層219b的與第二層第一金屬層電連接的一端為第一端，第二層第二金屬層的未與第二層第一金屬層電連接的一端為第二端，在第四開口中和第二層第三金屬層209b上方的第二層第二絕緣層211b表面上形成第二層第四金屬層218b，所述第二層第四金屬層218b的與第二層第三金屬層209b電連接的一端為第一端，所述第二層第四金屬層218b的未與第二層第三金屬層209b電連接的一端為第二端，第二層第四金屬層218b和第二層第二金屬層219b關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱。
[0141] 本實施例中，僅以形成兩層第一金屬層（包括第一層第一金屬層210a和第二層第一金屬層210b)、兩層第二金屬層（包括第一層第二金屬層219a和第二層第二金屬層 219b)、兩層第三金屬層（包括第一層第三金屬層209a和第二層第二金屬層209b)、兩層第四金屬層（包括第一層第四金屬層218a和第二層第四金屬層218b)作為示例。
[0142] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的層數(shù)N大于2層。
[0143] 具體的，所述第N(N彡2)層第一金屬層和第N(N彡2)層第三金屬層的形成過程為：形成覆蓋所述第N-1層第二金屬層、第N-1層第四金屬層和第N-1層第二絕緣層表面的第N層第一絕緣層，所述第N層第一絕緣層中具有暴露出第N-1層第二金屬層的第二端表面的第一開口，以及暴露出第N-1層第四金屬層第二端表面的第二開口；在第一開口和第二開口側(cè)壁和底部表面以及第N-1層第二絕緣層表面形成第N層第一導(dǎo)電層；在第N層第一導(dǎo)電層上形成第N層第一光刻膠層，所述第N層第一光刻膠層中具有第五開口和第六開口，所述第五開口暴露出第一開口和第N-1層第二金屬層上方的第N層第一導(dǎo)電層，所述第六開口暴露出第二開口和第N-1層第四金屬層上方的第N層第一導(dǎo)電層；米用電鍍工藝，在第五開口和第一開口中形成第N層第一金屬層，所述第N層第一金屬層的與第N-1層第二金屬層電連接的一端為第二端，第N層第一金屬層的未與第N層第一金屬層電連接的一端為第一端，在第六開口和第二開口中形成第N層第三金屬層，所述第N層第三金屬層的與第 N-1層第四金屬層電連接的一端為第二端，第N層第三金屬層的未與第N-1層第四金屬層電連接的一端為第一端；去除所述第N層第一光刻膠層；刻蝕去除第N層第一金屬層和第N 層第三金屬層兩側(cè)的第N層第一導(dǎo)電層。
[0144] 所述第N(N > 2)層第二金屬層和第N(N > 2)層第四金屬層的形成過程為：形成覆蓋所述第N層第一金屬層、第N層第三金屬層和第N層第一絕緣層的第N層第二絕緣層，所述第N層第二絕緣層中具有暴露出第N層第一金屬層的第一端表面的第三開口，以及暴露出第N層第三金屬層的第一端表面的第四開口；在所述第三開口和第四開口的側(cè)壁和底部以及第N層第二絕緣層的表面上形成第N層第二導(dǎo)電層；在第N層第二導(dǎo)電層上形成第 N層第二光刻膠層，所述第N層第二光刻膠層中具有第七開口和第八開口，所述第七開口暴露出第三開口和第N層第一金屬層上的第N層第二導(dǎo)電層，所述第八開口暴露出第四開口和第N層第三金屬層上的第N層第二導(dǎo)電層；采用電鍍工藝，在所述第七開口和第三開口中形成第N層第二金屬層，第N層第二金屬層的與第N層第一金屬層電連接的一端為第一端，第N層第二金屬層的未與第N層第一金屬層電連接的一端為第二端，在第八開口和第四開口中形成第N層第四金屬層，所述第N層第四金屬層的與第N層第三金屬層電連接的一端為第一端，所述第N層第四金屬層的未與第N層第三金屬層電連接的一端為第二端；去除所述第N層第二光刻膠層；刻蝕去除第N層第四金屬層和第N層第二金屬層兩側(cè)的第N層第二導(dǎo)電層。
[0145] 在形成若干層（大于等于兩層）依次堆疊的第一金屬層和第二金屬層，和若干層時（大于等于兩層）依次堆疊的第三金屬層和第四金屬層，位于載板200的第一區(qū)域11上的頂層的金屬層可以為第一金屬層或第二金屬層，位于載板200的第二區(qū)域12上的頂層的金屬層可以為第三金屬層或第四金屬層。
[0146] 還包括：在載板200的第一區(qū)域11上的頂層第一金屬層或第二金屬層表面上形成第一焊盤，第一焊盤作為射頻識別天線的外接第一端口；在載板200的第二區(qū)域12上的頂層的第三金屬層或第四金屬層表面上形成第二焊盤，第二焊盤作為射頻識別天線的第二外接端口；形成覆蓋所述第一焊盤、第二焊盤、頂層的第一金屬層或第二金屬層、頂層的第三金屬層或第四金屬層、頂層的第一絕緣層或第二絕緣層的頂層絕緣層，所述頂層絕緣層暴露出第一焊盤和第二焊盤的頂部表面，所述頂層絕緣層作為絕緣層的一部分。
[0147] 在本發(fā)明的其他實施例中，也可以直接將載板200的第一區(qū)域11上頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口，將載板200的第二區(qū)域12上的頂層的第三金屬層或第四金屬層作為射頻識別天線的外接第二端口，第一外接端口和第二外接端口后續(xù)與射頻集成芯片電連接。
[0148] 本實施例中，位于載板200的第一區(qū)域11頂層的金屬層為第二金屬層（第二層第二金屬層219b)，位于載板200的第二區(qū)域12上頂層的金屬層為第四金屬層（第二層第四金屬層218b)，在第二層第二金屬層219b表面形成第一焊盤222,第一焊盤222作為外接第一端口，在第二層第四金屬層218b的表面形成第二焊盤221，第二焊盤221作為外接第二端口；形成覆蓋所述第二層第二金屬層219b、第二層第四金屬層218b、第一焊盤222、第二焊盤221、第二層第二絕緣層211b的頂層絕緣層121。
[0149] 參考圖29,圖29為圖28去除載板200后的立體結(jié)構(gòu)示意圖（第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層圖中未不出），底層金屬層201包括相連接的第一部分21、第二部分22和第三部分 23,第一部分21位于載板200的第一區(qū)域11 (參考圖12)表面上，第二部分22位于載板 200的第二區(qū)域12 (參考圖12)表面上，第三部分23位于載板200的第三區(qū)域13 (參考圖 12)的表面上，第一部分21和第二部分22關(guān)于第三部分23平面對稱。
[0150] 第一部分21和第二部分22關(guān)于第三部分23平面對稱具體是指：做一垂直與底層金屬層201表面的參考平面，且所述參考平面將第三部分23平分為左右對稱的兩部分。
[0151] 結(jié)合參考圖29和圖30,去除所述載板200 (參考圖28)，沿橫跨底層金屬層201的第一部分21、第二部分22和第三部分23的方向，切割所述第二金屬層（包括第一層第二金屬層219a和第二層第二金屬層219b)、第一金屬層（包括第一層第一金屬層210a和第二層第一金屬層210b)、第四金屬層（包括第一層第四金屬層218a和第二層第四金屬層218b)、第三金屬層（包括第一層第三金屬層209a和第二層第二金屬層209b)、底層金屬層201和絕緣層（包括第一層第一絕緣層202a、第一層第二絕緣層211a、第二層第一絕緣層202b、第二層第二絕緣層211b、頂層絕緣層220)，形成若干分立的射頻識別天線14,頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線14的外接第一端口，頂層的第三金屬層或第四金屬層14作為射頻識別天線的外接第二端口。
[0152] 本實施例中，在形成第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209a時，第一層第一金屬層210a的第一端與底層金屬層101的第一部分21電連接，第一層第一金屬層 210a的第二端位于第一層第一絕緣層202a上且靠近底層金屬層201的第三部分23,第一層第三金屬層209的第一端與底層金屬層101的第二部分22電連接，第一層第三金屬層 209的第二端位于第一層第一絕緣層202a上且靠近底層金屬層201的第三部分23。
[0153] 在本發(fā)明的其他實施例中，請參考圖31，在形成第一層第一金屬層210a和第一層第三金屬層209a時，第一層第一金屬層210a的第一端與底層金屬層101的第一部分21電連接，第一層第一金屬層210a的第二端位于第一層第一絕緣層202a上且遠(yuǎn)離底層金屬層 201的第三部分23,第一層第三金屬層209的第一端與底層金屬層101的第二部分22電連接，第一層第三金屬層209的第二端位于第一層第一絕緣層202a上且遠(yuǎn)離底層金屬層201 的第三部分23。
[0154] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述載板200可以保留，在進(jìn)行切割時同時切割所述載板200,切割后剩余的載板200作為射頻識別天線14的一部分。
[0155] 參考圖32,提供射頻集成芯片122 ;將射頻集成芯片122與射頻識別天線14的第一外接端口（第一焊盤222)和第二外接端口（第二焊盤221)電連接。
[0156] 所述射頻集成芯片122包括第一接口 124和第二接口 123,通過引線鍵合工藝形成第一金屬線223和第二金屬線224,所述第一金屬線223將射頻識別天線14的外接第一端口 222與射頻集成芯片122的第一接口 124電連接，所述第二金屬線224將射頻識別天線 14的外接第二端口 221與射頻集成芯片122第二接口 123電連接。
[0157] 需要說明的是，本實施例中關(guān)于射頻識別天線的其他描述和限定請參考前述實施例，在此不再贅述。
[0158] 本發(fā)明實施例還提供了一種射頻識別天線，請參考圖32,包括：
[0159] 底層金屬層201，所述底層金屬層201包括相連接的第一部分21、第二部分22和第三部分23,第一部分21和第二部分22關(guān)于第三部分23平面對稱；
[0160] 位于底層金屬層201的第一部分21上的若干依次交替堆疊的第一金屬層（包括第一層第一金屬層210a和第二層第一金屬層210b)和第二金屬層（包括第一層第二金屬層219a和第二層第二金屬層219b)，第一金屬層和第二金屬均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層210a的第二端與底層金屬層201的第一部分21電連接，第 N(N彡1)層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；
[0161] 位于底層金屬層201的第二部分22上的若干依次交替堆疊的第三金屬層（包括第一層第三金屬層209a和第二層第三金屬層209b)和第四金屬層（包括第一層第四金屬層218a和第二層第四金屬層218b)，第三金屬層和第四金屬均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第三金屬層209a的第二端與底層金屬層201的第二部分22電連接，第 N(N > 1)層的第四金屬層的第一端與第N層的第三金屬層的第一端電連接，第N+1層的第三金屬層的第二端與第N層的第四金屬層第二端電連接，第N+1層的第四金屬層的第一端與第N+1層的第三金屬層的第一端電連接，且同一層的第一金屬層和同一層的第三金屬層關(guān)于第三部分平面對稱，同一層的第二金屬層和同一層的第四金屬層關(guān)于第三部分平面對稱；頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口，頂層的第三金屬層或第四金屬層作為射頻識別天線的外接第二端口；
[0162] 絕緣層226,所述絕緣層226將底層金屬層201、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層電學(xué)隔離。
[0163] 本實施例中，以底層金屬層201的第一部分21上具有兩層第一金屬層和兩層第二金屬層，底層金屬層201的第二部分上具有兩層第二金屬層和兩層第四金屬層作為示例，兩層第一金屬層包括第一層第一金屬層210a和第二層第一金屬層210b，兩層第二金屬層包括第一層第二金屬層219a和第二層第二金屬層219b，第一層第一金屬層210a、第一層第二金屬層219a、第二層第一金屬層210b、第二層第二金屬層219b在底層金屬層201的第一部分21上依次堆疊分布，第一層第一金屬層210a、第一層第二金屬層219a、第二層第一金屬層210b、第二層第二金屬層219b均包括第一端和第一端相對的第二段并通過絕緣層 226 (包括第一層第一絕緣層202a、第一層第二絕緣層203a、第二層第一絕緣層202b、第二層第二絕緣層203b)電學(xué)隔離；兩層第三金屬層包括第一層第三金屬層209a和第二層第二金屬層209b，兩層第四金屬層包括第一層第四金屬層218a和第二層第四金屬層218b，第一層第三金屬層209a、第一層第四金屬層218a、第二層第二金屬層209b和第二層第四金屬層 218b在底層金屬層201的第二部分22上依次堆疊分布，第一層第三金屬層209a、第一層第四金屬層218a、第二層第二金屬層209b和第二層第四金屬層218b均包括第一端和與第一端相對的第二端并通過絕緣層226 (包括第一層第一絕緣層202a、第一層第二絕緣層203a、第二層第一絕緣層202b、第二層第二絕緣層203b)電學(xué)隔離。具體的，第一層第一絕緣層 202a覆蓋所述底層金屬層201，第一層第一絕緣層202a中具有所述第一層第一絕緣層202a 中具有暴露出第一區(qū)域11上的底層金屬層201的第一部分表面的第一開口，以及暴露出第二區(qū)域12上的底層金屬層201的第二部分12表面的第二開口，第一開口和第二開口關(guān)于第三部分23平面對稱；位于第一開口內(nèi)和第一部分21上的部分第一層第一絕緣層202a表面上的第一層第一金屬層210a，所述第一層第一金屬層210a的與底層金屬層201的第一部分電連接的一端為第二端，第一層第一金屬層210a的未與底層金屬層201電連接的一端為第一端，位于第二開口和第二部分22上的部分第一層第一絕緣層202a表面上的第一層第三金屬層209a，所述第一層第三金屬層209a的與底層金屬層201的第二部分電連接的一端為第二端，第一層第三金屬層209a的未與底層金屬層電連接的一端為第一端，第一層第三金屬層209a和第一層第一金屬層210a關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱；覆蓋所述第一層第一金屬層210a、第一層第三金屬層209a和第一層第一絕緣層202a的第一層第二絕緣層 211a，所述第一層第二絕緣層211a中具有暴露出第一層第一金屬層210a的第一端表面的第三開口，以及暴露出第一層第三金屬層209a的第一端表面的第四開口，所述第三開口和第四開口關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱；位于第三開口內(nèi)和第一層第一金屬層210a層上方的第一層第二絕緣層211a表面上的第一層第二金屬層219a，第一層第二金屬層219a的與第一層第一金屬層210a電連接的一端為第一端，第一層第二金屬層219a的未與第一層第一金屬層210a電連接的一端為第二端，在第四開口和第一層第三金屬層209a上方的第一層第二絕緣層211a表面上的第一層第四金屬層218a，第一層第四金屬層218a的與第一層第三金屬層209a的電連接的一端為第一端，第一層第四金屬層218a的未與第一層的第三金屬層209a電連接的一端為第二端，第一層第二金屬層219a和第一層第四金屬層218a關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱；覆蓋所述第一層第二金屬層219a、第一層第四金屬層218a和第一層第二絕緣層211a表面的第二層第一絕緣層202b，所述第二層第一絕緣層202b中具有暴露出第一層第二金屬層219a的第二端表面的第一開口，以及暴露出第一層第四金屬層第二端218a表面的第二開口；位于第一開口中和第一層第二金屬層219a上方的第二層第一絕緣層202b表面上的第二層第一金屬層210b，所述第二層第一金屬層210b的與第一層第二金屬層219a電連接的一端為第二端，第二層第一金屬層210b的未與第二層第一金屬層電連接219a的一端為第一端，位于第二開口中和第一層第四金屬層218a上方的第二層第一絕緣層202b表面上的第二層第三金屬層209b，所述第二層第三金屬層209b的與第一層第四金屬層218a電連接的一端為第二端，第二層第三金屬層209b的未與第一層第四金屬層218a電連接的一端為第一端，第二層第三金屬層209b和第二層第一金屬層210b關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱；覆蓋所述第二層第一金屬層210b、第二層第三金屬層209b和第二層第一絕緣層202b的第二層第二絕緣層211b，所述第二層第二絕緣層211b中具有暴露出第二層第一金屬層210b的第一端表面的第三開口，以及暴露出第二層第三金屬層209b的第一端表面的第四開口；位于所述第三開口中和第二層第一金屬層210b上方的第二層第二絕緣層211b表面上的第二層第二金屬層219b，第二層第二金屬層219b的與第二層第一金屬層電連接的一端為第一端，第二層第二金屬層的未與第二層第一金屬層電連接的一端為第二端，位于第四開口中和第二層第三金屬層209b上方的第二層第二絕緣層211b表面上的第二層第四金屬層218b，所述第二層第四金屬層218b的與第二層第三金屬層209b電連接的一端為第一端，所述第二層第四金屬層218b的未與第二層第三金屬層209b電連接的一端為第二端，第二層第四金屬層218b和第二層第二金屬層219b關(guān)于第三區(qū)域13平面對稱。
[0164] 在本發(fā)明的其他實施例中，所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層層和第四金屬層的層數(shù)N大于兩層。相應(yīng)的第一絕緣層和第二絕緣層的層數(shù)N也大于兩層。
[0165] 所述絕緣層226的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
[0166] 所述底層金屬層201、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt、W中的一種或幾種。
[0167] 每一層第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的厚度為100埃?5毫米，相鄰第一金屬層和第二金屬層的距離為200埃?5毫米，相鄰的第三金屬層和第四金屬層的距離為200埃?5毫米。
[0168] 還包括：射頻集成芯片122,所述射頻集成芯片122包括第一接口 124和第二接口 123,射頻識別天線14的外接第一端口（或第一焊盤222)通過第一金屬線223與射頻集成芯片122的第一接口 124電連接，射頻識別天線14的外接第二端口（或第二焊盤221)通過第二金屬線224與射頻集成芯片122第二接口 123電連接。
[0169] 本實施例中的射頻識別天線具有左右對稱的結(jié)構(gòu)（同一層的第一金屬層和同一層的第三金屬層關(guān)于第三部分平面對稱，同一層的第二金屬層和同一層的第四金屬層關(guān)于第三部分平面對稱），有利于減小外部的噪聲干擾，在接收和發(fā)送射頻型號時，提高了傳輸的射頻信號的準(zhǔn)確度和穩(wěn)定性。
[0170] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種射頻識別天線，其特征在于，包括：底層金屬層，所述底層金屬層包括第一部分和與第一部分相連接的第二部分；位于底層金屬層的第一部分上的若干依次交替堆疊的第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬層均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層的第二端與底層金屬層的第一部分電連接，第N(N> 1)層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；絕緣層，所述絕緣層將底層金屬層、第一金屬層和第二金屬層隔離；位于底層金屬層的第二部分上的絕緣層中的金屬連接層，所述金屬連接層的底部與底層金屬層的第二部分電連接，所述金屬連接層的頂部作為射頻識別天線的外接第二端口，頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口。
2. 如權(quán)利要求1所述的射頻識別天線，其特征在于，所述絕緣層的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
3. 如權(quán)利要求1所述的射頻識別天線，其特征在于，所述底層金屬層、第一金屬層、第二金屬層、金屬連接層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt、W中的一種或幾種。
4. 如權(quán)利要求1所述的射頻識別天線，其特征在于，每一層第一金屬層和第二金屬層的厚度為1〇〇埃?5毫米，相鄰第一金屬層和第二金屬層的距離為200埃?5毫米。
5. 如權(quán)利要求1所述的射頻識別天線，其特征在于，還包括：射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口，射頻識別天線的外接第一端口通過第一金屬線與射頻集成芯片的第一接口電連接，射頻識別天線的外接第二端口通過第二金屬線與射頻集成芯片第二接口電連接。
6. -種射頻識別天線，其特征在于，包括：底層金屬層，所述底層金屬層包括相連接的第一部分、第二部分和第三部分，第一部分和第二部分關(guān)于第三部分平面對稱；位于底層金屬層的第一部分上的若干依次交替堆疊的第一金屬層和第二金屬層，第一金屬層和第二金屬均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第一金屬層的第二端與底層金屬層的第一部分電連接，第N(N> 1)層的第二金屬層的第一端與第N層的第一金屬層的第一端電連接，第N+1層的第一金屬層的第二端與第N層的第二金屬層第二端電連接，第N+1層的第二金屬層的第一端與第N+1層的第一金屬層的第一端電連接；位于底層金屬層的第二部分上的若干依次交替堆疊的第三金屬層和第四金屬層，第三金屬層和第四金屬均包括第一端和與第一端相對的第二端，第一層第三金屬層的第二端與底層金屬層的第二部分電連接，第N(N> 1)層的第四金屬層的第一端與第N層的第三金屬層的第一端電連接，第N+1層的第三金屬層的第二端與第N層的第四金屬層第二端電連接，第N+1層的第四金屬層的第一端與第N+1層的第三金屬層的第一端電連接，且同一層的第一金屬層和同一層的第三金屬層關(guān)于第三部分平面對稱，同一層的第二金屬層和同一層的第四金屬層關(guān)于第三部分平面對稱；頂層的第一金屬層或第二金屬層作為射頻識別天線的外接第一端口，頂層的第三金屬層或第四金屬層作為射頻識別天線的外接第二端口；絕緣層，所述絕緣層將底層金屬層、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層電學(xué)隔離。
7. 如權(quán)利要求6所述的射頻識別天線，其特征在于，所述絕緣層的材料為光敏的聚酰亞胺膠、環(huán)氧樹脂膠、苯并環(huán)丁烯膠或聚苯并惡唑膠。
8. 如權(quán)利要求6所述的射頻識別天線，其特征在于，所述底層金屬層、第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的材料為Al、Cu、Ag、Au、Pt、W中的一種或幾種。
9. 如權(quán)利要求6所述的射頻識別天線，其特征在于，所述第一金屬層、第二金屬層、第三金屬層和第四金屬層的厚度為100埃?5毫米，相鄰第一金屬層和第二金屬層的距離為 200埃?5毫米，相鄰的第三金屬層和第四金屬層的距離為200埃?5毫米。
10. 如權(quán)利要求9所述的射頻識別天線，其特征在于，還包括：射頻集成芯片，所述射頻集成芯片包括第一接口和第二接口，射頻識別天線的外接第一端口通過第一金屬線與射頻集成芯片的第一接口電連接，射頻識別天線的外接第二端口通過第二金屬線與射頻集成芯片第二接口電連接。
【文檔編號】H01Q1/38GK104051847SQ201410304858
【公開日】2014年9月17日申請日期:2014年6月27日優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】林仲珉申請人:南通富士通微電子股份有限公司

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