發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝。公開一種發(fā)光器件。發(fā)光器件包括襯底之下的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中至少一個(gè)第一接觸區(qū)域和至少一個(gè)第二接觸區(qū)域被限定，和發(fā)光結(jié)構(gòu)之下的具有相互不同的折射率的多個(gè)層。
【專利說明】發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件。
[0002]實(shí)施例涉及一種發(fā)光器件封裝。

【背景技術(shù)】
[0003]已經(jīng)積極地進(jìn)行對(duì)于發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝的研究。
[0004]由例如半導(dǎo)體材料制成的發(fā)光器件，是將電能轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體發(fā)光器件或者半導(dǎo)體發(fā)光二極管。
[0005]當(dāng)與諸如熒光燈或者白熾燈的傳統(tǒng)的光源相比較時(shí)，發(fā)光器件具有諸如低功耗、半永久壽命、快速響應(yīng)速度、安全性、以及環(huán)保特性的優(yōu)點(diǎn)。在這一點(diǎn)上，已經(jīng)執(zhí)行各種研究以將傳統(tǒng)的光源替換成半導(dǎo)體LED。
[0006]發(fā)光器件已經(jīng)被越來越多地用作用于在室內(nèi)和室外使用的各種燈的光源、液晶顯示器的背光單元、諸如電子標(biāo)識(shí)牌的顯示裝置、以及諸如街燈的照明裝置。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]實(shí)施例提供一種具有被改進(jìn)的光效率的發(fā)光器件。
[0008]實(shí)施例提供能夠改進(jìn)其可靠性的發(fā)光器件。
[0009]實(shí)施例提供具有發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝。
[0010]根據(jù)實(shí)施例，提供一種發(fā)光器件，包括:襯底；在襯底之下的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中至少一個(gè)第一接觸區(qū)域和鄰近于第一接觸區(qū)域的至少一個(gè)第二接觸區(qū)域被限定；以及在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下的反射結(jié)構(gòu)，反射結(jié)構(gòu)包括具有相互不同的折射率的多個(gè)層。
[0011]根據(jù)實(shí)施例，提供一種發(fā)光器件，包括:襯底；發(fā)光結(jié)構(gòu)，該發(fā)光結(jié)構(gòu)包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，該第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層被布置在襯底之下；有源層，該有源層被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下；以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，該第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層被布置在有源層之下，其中至少一個(gè)第一接觸區(qū)域被限定在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上，至少一個(gè)第二接觸區(qū)域被限定在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上，并且凹進(jìn)被形成在第一接觸區(qū)域中以暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層；反射結(jié)構(gòu)，該反射結(jié)構(gòu)包括具有相互不同的折射率的多個(gè)層；第一電極，該第一電極被形成在第一接觸區(qū)域中；以及第二電極，該第二電極被形成在第二接觸區(qū)域中，其中反射結(jié)構(gòu)從在第一和第二電極之間的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面延伸到凹進(jìn)中的發(fā)光結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面。
[0012]根據(jù)實(shí)施例，提供一種發(fā)光器件封裝，包括:主體，該主體具有腔體；第一和第二電極線，該第一和第二電極線被布置在腔體中；發(fā)光器件，該發(fā)光器件被布置在第一和第二電極線上并且如在權(quán)利要求中的一項(xiàng)中所述的；以及成型構(gòu)件，該成型構(gòu)件包圍發(fā)光器件。
[0013]根據(jù)實(shí)施例，因?yàn)槟軌蚍瓷涔獾姆瓷浣Y(jié)構(gòu)被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下，所以光效率可以被改進(jìn)。
[0014]根據(jù)實(shí)施例，因?yàn)樵试S反射結(jié)構(gòu)以具有絕緣功能和光反射功能，所以不需要附加地形成絕緣層，使得結(jié)構(gòu)可以是簡單的并且成本可以被減少。
[0015]根據(jù)實(shí)施例，因?yàn)榻^緣層重疊電極的一部分，所以防止電極被脫層使得可以改進(jìn)可靠性。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。
[0017]圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0018]圖3是詳細(xì)地示出圖2的反射結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0019]圖4是示出圖2的第一和第二電極的平面圖。
[0020]圖5至圖9是圖示根據(jù)第一實(shí)施例的形成發(fā)光器件的工藝的視圖。
[0021]圖10是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0022]圖11是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0023]圖12是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0024]圖13是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的截面圖。

【具體實(shí)施方式】
[0025]在下文中，將會(huì)參考附圖描述發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝和照明系統(tǒng)。
[0026]在實(shí)施例的描述中，將會(huì)理解，當(dāng)層(或者膜)被稱為是在另一層或者襯底“上”時(shí)，其能夠直接地在另一層或者襯底上，或者也可以存在中間層。此外，將會(huì)理解的是，當(dāng)層被稱為是在另一層“下面”時(shí)，其能夠直接地在另一層下面，并且也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。另外，也將會(huì)理解的是，當(dāng)層被稱為是在兩個(gè)層“之間”時(shí)，其能夠是兩個(gè)層之間的唯一的層，或者也可以存在一個(gè)或者多個(gè)中間層。
[0027]圖1是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件的平面圖。
[0028]參考圖1，根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以是通過使用凸塊(bump)結(jié)合的倒裝芯片型發(fā)光器件。發(fā)光器件可以包括多個(gè)凹進(jìn)33，但是本實(shí)施例不限于此。
[0029]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件可以包括生長襯底3和在生長襯底3之下生長的發(fā)光結(jié)構(gòu)(未示出)。在這樣的情況下，生長襯底3被放置在發(fā)光結(jié)構(gòu)上并且凸塊被放置在發(fā)光結(jié)構(gòu)之下，使得發(fā)光結(jié)構(gòu)被電氣地連接到發(fā)光器件封裝的封裝主體(未示出)。因此，根據(jù)本實(shí)施例的發(fā)光器件，因?yàn)椴季€沒有被使用，所以由于布線和發(fā)光結(jié)構(gòu)的有源層之間電短路或斷線導(dǎo)致的電力供應(yīng)錯(cuò)誤可以被防止。
[0030]在圖1中示出的發(fā)光器件的平面圖可以被共同地應(yīng)用于下面描述的第一至第四實(shí)施例。
[0031]圖2是示出根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。即，圖2是沿著圖1的線A-A’截取的截面圖。
[0032]參考圖1和圖2,根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件I可以包括生長襯底3、發(fā)光結(jié)構(gòu)11、反射結(jié)構(gòu)13、以及第一和第二電極21和29。
[0033]發(fā)光器件I可以包括至少一個(gè)第一電極21，但是本實(shí)施例不限于此。發(fā)光器件I可以包括至少一個(gè)第二電極29，但是實(shí)施例不限于此。
[0034]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件I可以進(jìn)一步包括絕緣層31。絕緣層31可以被布置在被暴露在第一和第二電極21和29之間的發(fā)光結(jié)構(gòu)11上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0035]根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件I可以進(jìn)一步包括第一和第二凸塊(未不出)，該第一和第二凸塊被布置在第一和第二電極21和29之下。發(fā)光器件I可以包括至少一個(gè)凸塊，但是實(shí)施例不限于此。發(fā)光器件I可以包括至少一個(gè)第二凸塊，并且第一和第二凸塊中的每一個(gè)可以具有圓柱狀形狀，但是實(shí)施例不限于此。
[0036]根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件I可以進(jìn)一步包括緩沖層(未示出)，該緩沖層被布置在生長襯底3和發(fā)光結(jié)構(gòu)11之間，并且可以進(jìn)一步包括至少一個(gè)化合物半導(dǎo)體層(未示出)，其被布置在發(fā)光結(jié)構(gòu)11上和/或之下，但是本實(shí)施例不限于此。
[0037]緩沖層和發(fā)光結(jié)構(gòu)11可以是由I1-VI族化合物半導(dǎo)體材料或者II1-V族化合物半導(dǎo)體材料形成。例如，緩沖層4和發(fā)光結(jié)構(gòu)11可以包括從由InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AIN、InN、以及AlInN組成的組中選擇的至少一個(gè),但是實(shí)施例不限于此。
[0038]生長襯底3被用于生長發(fā)光結(jié)構(gòu)11同時(shí)支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)11。生長襯底3可以包括適于生長半導(dǎo)體材料的材料。生長襯底3可以包括具有熱穩(wěn)定性和近似于發(fā)光結(jié)構(gòu)11的晶格常數(shù)的材料。生長襯底3可以是由導(dǎo)電襯底、化合物半導(dǎo)體襯底以及絕緣襯底中的一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。
[0039]生長襯底3可以包括從由藍(lán)寶石(Al2O3)、SiC、S1、GaAs、GaN、ZnO, GaP, InP以及Ge組成的組中選擇的至少一個(gè)。
[0040]生長襯底3可以包括雜質(zhì)使得生長襯底3具有導(dǎo)電性。包括雜質(zhì)的生長襯底3可以用作電極，但是實(shí)施例不限于此。
[0041]緩沖層可以被布置在生長襯底3之下。緩沖層可以減小在生長襯底3和發(fā)光結(jié)構(gòu)
11的晶格常數(shù)之間的差。另外，緩沖層可以防止生長襯底3的材料被擴(kuò)散到發(fā)光結(jié)構(gòu)11，防止諸如被形成在生長襯底3的頂表面中的凹進(jìn)的回熔現(xiàn)象，或者通過控制應(yīng)變防止生長襯底3被破壞，但是本實(shí)施例不限于此。
[0042]發(fā)光結(jié)構(gòu)11可以被形成在生長襯底3或者緩沖層之下。因?yàn)榘l(fā)光結(jié)構(gòu)11被生長在具有類似于發(fā)光結(jié)構(gòu)11的晶格常數(shù)的晶格常數(shù)的緩沖層上，所以引起諸如錯(cuò)位的缺陷的可能性可以被減少。
[0043]發(fā)光結(jié)構(gòu)11可以包括多個(gè)化合物半導(dǎo)體層。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu)11可以包括第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5和9和有源層7，但是本實(shí)施例不限于此。
[0044]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5可以被布置在生長襯底13或者緩沖層之下，有源層7可以被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5之下，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9可以被布置在有源層7之下。
[0045]可以通過使用具有八1!￡1]1和(1_!￡_#(0；^彡1,0；^彡1,并且0；^+7彡1)的組成式的I1-VI族或者II1-V族化合物半導(dǎo)體材料實(shí)現(xiàn)第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5和9和有源層7。例如，第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5和9和有源層7可以包括從InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN, AIN, InN以及AlInN組成的組中選擇的至少一個(gè)，但是本實(shí)施例不限于此。
[0046]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5可以是包括N型雜質(zhì)的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9可以是包括P型雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體層，但是本實(shí)施例不限于此。N型雜質(zhì)包括S1、Ge、以及Sn，并且P型雜質(zhì)包括Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba，但是實(shí)施例不限于此。
[0047]有源層7通過組合例如通過第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5注入的電子的第一載波與例如通過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9注入的空穴的第二載波，發(fā)射具有與在組成有源層7的材料之間的能帶隙相對(duì)應(yīng)的波長的光。
[0048]有源層7可以包括MQW(多量子阱)結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)或者量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)中的一個(gè)。有源層7可以具有被重復(fù)地形成在阱層和勢壘層的一個(gè)周期處的阱層和勢壘層。阱層和勢壘層的重復(fù)周期可以取決于發(fā)光器件的特征而變化，但是實(shí)施例不限于此。
[0049]例如，有源層7可以以InGaN/GaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN的堆疊結(jié)構(gòu)被形成。勢壘層的能帶隙可能大于阱層的能帶隙。
[0050]盡管未不出，第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5上和/或第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9之下。例如，被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5上的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的導(dǎo)電雜質(zhì)相同的導(dǎo)電雜質(zhì)，但是實(shí)施例不限于此。例如，被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9之下的第三導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括與第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的導(dǎo)電雜質(zhì)相同的導(dǎo)電雜質(zhì)，但是本實(shí)施例不限于此。
[0051]如在圖1中所示，根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光層I可以包括多個(gè)凹進(jìn)33?？梢詮陌l(fā)光器件I的下表面到發(fā)光器件的內(nèi)部形成凹進(jìn)33。S卩，凹進(jìn)33可以經(jīng)過第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9和有源層7，使得凹進(jìn)33可以從第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面延伸到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5。在通過蝕刻工藝去除第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9和有源層7之后可以去除第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的一部分。
[0052]凹進(jìn)33中的每一個(gè)可以具有圓柱狀形狀，使得當(dāng)與蝕刻量相比較時(shí)被暴露于外部的發(fā)光器件的表面面積可以被最大化，但是本實(shí)施例不限于此。
[0053]凹進(jìn)33可以被形成以將第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5電氣地連接到第一電極21，但是本實(shí)施例不限于此。
[0054]如在圖4中所示，通過凹進(jìn)33可以限定第一接觸區(qū)域20。第一接觸區(qū)域20可以表示其中第一電極22接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的區(qū)域，但是實(shí)施例不限于此。因?yàn)橹辽僖粋€(gè)凹進(jìn)33可以被形成，所以至少一個(gè)第一接觸區(qū)域20可以被限定。
[0055]第二接觸區(qū)域22可以被限定在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。第二接觸區(qū)域22可以表示其中第二電極29接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的區(qū)域，但是本實(shí)施例不限于此。至少一個(gè)第二接觸區(qū)域22可以被限定。
[0056]第一接觸區(qū)域20可以鄰近于第二接觸區(qū)域22。例如，第一接觸區(qū)域20可以被形成在相互鄰近的第二接觸區(qū)域22之間，但是本實(shí)施例不限于此。例如，通過第二接觸區(qū)域22可以包圍第一接觸區(qū)域20，但是本實(shí)施例不限于此。
[0057]第二接觸區(qū)域22可以鄰近于第一接觸區(qū)域20。例如，第二接觸區(qū)域22可以被形成在第一接觸區(qū)域20之間并且可以通過第一接觸區(qū)域20包圍，但是實(shí)施例不限于此。
[0058]第一電極21可以被形成在第一接觸區(qū)域20中。第二電極29可以被形成在第二接觸區(qū)域22中。
[0059]第一電極21可以接觸第一接觸區(qū)域20中的凹進(jìn)33中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的下表面。第一電極21可以被電氣地連接到第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5。
[0060]第二電極29可以接觸第二接觸22中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面。第二電極29可以被電氣地連接到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9。
[0061]反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在除了第一和第二電極21和29之外的發(fā)光結(jié)構(gòu)11之下。反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。另外，反射結(jié)構(gòu)13可以進(jìn)一步被形成在凹進(jìn)33中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的內(nèi)表面上，但是實(shí)施例不限于此。在這樣的情況下，發(fā)光結(jié)構(gòu)11的內(nèi)表面表不通過凹進(jìn)33暴露和形成的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的側(cè)表面。反射結(jié)構(gòu)13可以進(jìn)一步被形成在凹進(jìn)33中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的內(nèi)表面、有源層7的內(nèi)表面以及第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的內(nèi)表面上。
[0062]反射結(jié)構(gòu)13可以向上地反射從有源層7產(chǎn)生并且在向下或者側(cè)面方向上行進(jìn)的光，使得可以改進(jìn)光效率。
[0063]反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在第一和第二電極21和29之間的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。因?yàn)榉瓷浣Y(jié)構(gòu)13具有絕緣特性，所以反射結(jié)構(gòu)13可以防止第一和第二電極21和29被相互短路。
[0064]因?yàn)楦鶕?jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件I的反射結(jié)構(gòu)13具有防止第一和第二電極21和22被相互短路的絕緣功能以及光反射功能，所以絕緣層31可以被另外地要求，使得結(jié)構(gòu)可以被簡化并且成本可以被減少。
[0065]反射機(jī)構(gòu)13可以包括分布式布拉格反射鏡(DBR)結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。
[0066]如在圖3中所示，反射結(jié)構(gòu)13可以包括被交替地堆疊的第一折射率層35a、35b以及35c和第二折射率層37a、37b以及37c。
[0067]為了便于描述,在圖3中描述其中堆疊三個(gè)第一折射率層35a、35b以及35c和三個(gè)第二折射率層37a、37b以及37c的結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。
[0068]如果第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c被限定為一對(duì)，則反射結(jié)構(gòu)13可以包括在3至30范圍中的對(duì)數(shù)，但是實(shí)施例不限于此。詳細(xì)地，反射結(jié)構(gòu)13可以包括在5至15的范圍中的對(duì)數(shù)。
[0069]第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c可以包括相互不同的材料，但是本實(shí)施例不限于此。
[0070]第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c可以包括透明材料和/或絕緣材料。例如，第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c可以分別包括從由TiN、AIN、T12, Al2O3' SnO2, WO3> ZrO2以及S12組成的組中的至少一個(gè)，但是實(shí)施例不限于此。
[0071]例如，第一折射率層35a、35b或者35c可以包括S12，并且第二折射率層37a、37b或者37c可以包括T12,但是實(shí)施例不限于此。
[0072]根據(jù)用于第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c的材料的種類、第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c中的每一個(gè)的厚度、以及第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c的對(duì)數(shù)可以確定反射結(jié)構(gòu)13的反射特性。
[0073]例如，當(dāng)S12的第一折射率層35a、35b或者35c和T12的第二折射率層37a、37b或者37c的對(duì)數(shù)是處于3至30的范圍中時(shí)，根據(jù)第一實(shí)施例的反射結(jié)構(gòu)13可以具有大約98 %或者更大的反射特性，但是實(shí)施例不限于此。
[0074]當(dāng)?shù)谝徽凵渎蕦?5a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c的對(duì)數(shù)是兩個(gè)或者更少時(shí)，反射結(jié)構(gòu)13的反射特性可以被減少95%或者更少，使得光提取效率可能被極具地減少，從而引起第一和第二電極21和29被相互短路。
[0075]當(dāng)?shù)谝徽凵渎蕦?5a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c的對(duì)數(shù)是31或者更多時(shí)，反射結(jié)構(gòu)13的體積被增加使得難以形成第一和第二電極21和29。如在圖4中所示，第一和第二電極21和29可以分別被形成在第一和第二接觸區(qū)域20和22上。
[0076]參考圖2和圖4,第一電極21可以包括第一電極層15,該第一電極層15被布置在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的下表面上；第二電極層17,該第二電極層17被布置在第一電極層15的下表面上；以及第三電極層19，該第三電極層19被布置在第二電極層17的下表面上。
[0077]第二電極29可以包括被布置在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上的第一電極層23、被布置在第一電極層23的下表面上的第二電極層25以及被布置在第二電極層25的下表面上的第三電極層27。
[0078]如在圖4中所示，當(dāng)在頂視圖中觀看時(shí)第一電極層15和23和第三電極層19和27具有圓形形狀，但是本實(shí)施例不限于此。
[0079]第一電極21的第一電極層15可以接觸通過第一接觸區(qū)域20中的凹進(jìn)33暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的下表面。反射結(jié)構(gòu)可以被形成在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的內(nèi)表面和凹進(jìn)33中的第一電極21的第一電極層15之間。盡管未示出，但是第一電極21的第一電極層15可以直接接觸第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的內(nèi)表面，但是實(shí)施例不限于此。
[0080]第二電極29的第一電極層23可以接觸第二接觸區(qū)域22中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面的一部分。
[0081]反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在第一電極21的第一電極層15和第二電極29的第一電極層23之間。S卩，反射結(jié)構(gòu)13可以從鄰近于第一電極21的第一電極層15的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面延伸并且可以經(jīng)由第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的內(nèi)表面和有源層7的內(nèi)表面鄰近于第二電極29的第一電極層23。通過反射結(jié)構(gòu)13第一電極21的第一電極層15可以與第二電極29的第一電極層23絕緣。
[0082]第一電極21的第一電極層15和第二電極29的第一電極層23可以包括具有優(yōu)異的反射特性和優(yōu)異的導(dǎo)電性的材料。例如，第一電極21的第一電極層15和第二電極29的第一電極層 23 可以包括從由 Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au、Hf、Ti 以及 TiW 組成的組中選擇的一個(gè)或者其多層結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。第一電極21的第一電極層15和第二電極29的第一電極層23可以包括諸如Ag/Ni/Ti/TiW/Ti的多層結(jié)構(gòu)。Ag具有反射功能，并且Ni具有反射功能、結(jié)功能或者擴(kuò)散防止功能，Ti具有結(jié)功能，并且TiW具有擴(kuò)散防止功能，但是實(shí)施例不限于此。
[0083]第一電極21的第二電極層17可以被形成在第一電極層15的下表面上。第一電極21的第二電極層17可以被電氣地連接相互鄰近的第一接觸區(qū)域20。即，第一電極21的第二電極層17可以被形成在位于一側(cè)處的第一接觸區(qū)域20中并且可以從該第一接觸區(qū)域20延伸到位于相對(duì)一側(cè)處的第一接觸區(qū)域20。
[0084]第一電極21的第二電極層17可以被形成在反射結(jié)構(gòu)13以及第一電極層15的下表面上。即，第一電極21的第二電極層17可以接觸凹進(jìn)33中的第一電極層15的下表面，可以從第一電極層15延伸以接觸被形成在凹進(jìn)33中的反射結(jié)構(gòu)13的內(nèi)表面，并且可以接觸被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上的反射結(jié)構(gòu)13的下表面的一部分，但是實(shí)施例不限于此。
[0085]第二電極29的第二電極層25可以被形成在第一電極層23的下表面上。第一電極21的第二電極層25可以被電氣地連接相互鄰近的第二接觸區(qū)域22。即，第一電極21的第二電極層25可以被形成在位于一側(cè)處的第二接觸區(qū)域22中并且可以從該第二接觸區(qū)域22延伸到位于相對(duì)的一側(cè)處的第二接觸區(qū)域22。
[0086]第二電極29的第二電極層25可以被形成在反射結(jié)構(gòu)13的下表面的一部分以及第一電極層23的下表面上。
[0087]第二電極層17和25的寬度可以大于第一電極層15或者23的直徑,但是實(shí)施例不限于此。
[0088]第一電極21的第二電極層17可以覆蓋第一電極層15并且第二電極層可以覆蓋第一電極層23，但是實(shí)施例不限于此。因?yàn)榈谝浑姌O層15或者23覆蓋第二電極層17或者25,所以第一電極層15或者23到第一或者第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5或者9的粘合強(qiáng)度被削弱，使得可以防止第一電極層15或者23被從第一或者第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5或者9剝離。
[0089]另外，通過第二電極層17或者25，第一和/或第二接觸區(qū)域20或者22被相互電氣地連接，使得電力可以被一起供應(yīng)給每個(gè)接觸區(qū)域。
[0090]第一和第二電極21和29的第二電極層17和25可以包括具有優(yōu)異的導(dǎo)電性的材料。第一和第二電極21和29的第二電極層17和25可以包括從由Al、T1、Cr、N1、Pt、Au、W、Cu、以及Mo組成的組中選擇的一個(gè)或者其多層結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。例如，第一和第二電極21和29的第二電極層17和25可以包括Cr/Ni/Ti/TiW/Ti或者其層壓。Cr具有電極功能，Ni具有結(jié)功能或者擴(kuò)散防止功能，Ti具有結(jié)功能，并且TiW具有擴(kuò)散防止功能，但是實(shí)施例不限于此。
[0091]第一和第二電極21和29的第三電極層19和27可以有助于與第一和第二凸塊(未示出)的結(jié)合同時(shí)穩(wěn)固地支撐第一和第二凸塊，但是實(shí)施例不限于此。
[0092]第一電極21的第三電極層19可以被形成在第二電極層17的下表面的一部分上。第一電極21的第三電極層19可以被形成在鄰近于凹進(jìn)33的第二電極層17的下表面以及凹進(jìn)33上。
[0093]第二電極29的第三電極層27可以被形成在第二電極層25的下表面的一部分上。
[0094]第三電極層19或者27的直徑可以等于或者大于第一電極層15或者23的直徑并且可以小于第二電極層17或者25的寬度，但是本實(shí)施例不限于此。
[0095]盡管未示出，但是通過使用凸塊第三電極層19或者27可以被電氣地連接到發(fā)光器件封裝的封裝主體。
[0096]如有必要，第三電極層19或者27可以不被形成。即，凸塊可以直接接觸第二電極層17或者25，但是本實(shí)施例不限于此。
[0097]與第一和第二電極21和29的第二電極層17和25相類似，第一和第二電極21和29的第三電極層19和27可以是由具有優(yōu)異的導(dǎo)電性的材料形成。例如，第一和第二電極21和29的第三電極層19和27可以包括由Al、T1、Cr、N1、Pt、Au、W、Cu、以及Mo組成的組中選擇的一個(gè)或者其多層結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施例不限于此。
[0098]第一電極21的第二和第三電極層17和19可以是相同種類的材料或者相互不同種類的材料。第二電極29的第二和第三電極層17和19可以是相同種類的材料或者相互不同種類的材料。
[0099]絕緣層31可以被形成在除了第一和第二電極21和29之外的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的下區(qū)域中。絕緣層31可以被形成在反射結(jié)構(gòu)13的下表面上。絕緣層31可以進(jìn)一步被形成在大于第三電極層19或者27的直徑的第二電極層17或者25的下表面的一部分上。盡管未示出，但是絕緣層31可以被形成在第三電極層19或者27的下表面的一部分上，但是實(shí)施例不限于此。
[0100]絕緣層31部分地重疊第二和/或第三電極層17和/或19或25和/或27，可以防止第二和/或第三電極層17和/或19或25和/或27從上層，例如，第一和/或第二電極層15和/或17或23和/或25脫層。
[0101]通過絕緣層31第一和第二電極21和29可以被暴露在發(fā)光器件I的向下的方向上。盡管未示出，但是通過使用凸塊被暴露的第一和第二電極21和29可以被電氣地連接到發(fā)光器件封裝的封裝主體。
[0102]絕緣層31可以包括優(yōu)異的電絕緣的材料。例如，絕緣層31可以包括從由Si02、S1x, S1xNy、Si3N4,以及Al2O3組成的組中選擇的一個(gè)，或者其多層結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。
[0103]圖5至圖9是圖示形成根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件的工藝的視圖。
[0104]參考圖5，生長襯底3被裝載在生長設(shè)備上。通過使用I1-VI族化合物半導(dǎo)體或者II1-V族化合物半導(dǎo)體多個(gè)層或者圖案可以被形成在生長襯底3上。
[0105]生長設(shè)備可以包括電子束蒸鍍機(jī)、PVD(物理汽相淀積)、CVD(化學(xué)汽相淀積)、PLD (等離子體激光淀積)、雙型熱蒸鍍機(jī)、濺射、或者M(jìn)OCVD (金屬有機(jī)化學(xué)汽相淀積)，但是本實(shí)施例不限于此。
[0106]生長襯底3可以包括導(dǎo)電襯底或者絕緣襯底。例如，生長襯底3可以包括從由A1203、GaN、SiC、ZnO, S1、GaP、InP, Ga2O3,以及 GaAs 組成的組中選擇的一個(gè)。
[0107]雖然未示出，但是具有透鏡形狀或者條紋形狀的凹凸圖案可以被形成在生長襯底3的上表面上，使得通過凹凸圖案可以擴(kuò)散或者散射從有源層7產(chǎn)生的光，從而改進(jìn)光提取效率，但是本實(shí)施例不限于此。
[0108]例如，使用MOCVD設(shè)備可以在生長襯底3上生長至少包括第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5和9，和有源層7的發(fā)光結(jié)構(gòu)11。
[0109]盡管未示出，為了減輕在生長襯底3和發(fā)光結(jié)構(gòu)11之間的晶格常數(shù)，可以在生長襯底3上生長緩沖層并且發(fā)光結(jié)構(gòu)11可以是由I1-VI族或者II1-V族化合物半導(dǎo)體材料形成。例如，發(fā)光結(jié)構(gòu) 11 可以是由從由 GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP組成的組中選擇的材料形成。
[0110]盡管未示出，但是非導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以被生長在生長襯底3或者緩沖層與發(fā)光結(jié)構(gòu)11之間，但是本實(shí)施例不限于此。非導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括包括雜質(zhì)的化合物半導(dǎo)體層，但是本實(shí)施例不限于此。另外，非導(dǎo)電半導(dǎo)體層可以包括具有小于第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的導(dǎo)電性的化合物半導(dǎo)體層，但是本實(shí)施例不限于此。
[0111]第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5可以被生長在緩沖層或者非導(dǎo)電半導(dǎo)體層上，有源層7可以被生長在第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5上，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9可以被生長在有源層7上。
[0112]例如，第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5可以是包括N型雜質(zhì)的N型半導(dǎo)體層，并且第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9可以是包括P型雜質(zhì)的P型半導(dǎo)體層。
[0113]因?yàn)樵谏厦嬉呀?jīng)描述了第一和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層5和9和有源層7，所以將會(huì)省略更加詳細(xì)的描述。
[0114]參考圖6，通過蝕刻工藝至少一個(gè)凹進(jìn)33可以被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)11中。凹進(jìn)33可以從發(fā)光結(jié)構(gòu)11的上表面，即，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的上表面延伸到內(nèi)部，使得凹進(jìn)33可以經(jīng)過發(fā)光結(jié)構(gòu)11的一部分。通過蝕刻工藝，第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和有源層7可以被去除并且第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的一部分可以從其上表面去除。通過凹進(jìn)33可以穿孔第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9和有源層7并且可以暴露第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的上表面的一部分。
[0115]凹進(jìn)33可以被排列成在圖1中示出的形狀，但是本實(shí)施例不限于此。
[0116]參考圖7，反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)11上。反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的上表面上。反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在凹進(jìn)33中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的側(cè)表面上。例如，反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在凹進(jìn)33中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9和有源層7的側(cè)表面上。例如，反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在凹進(jìn)33中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的側(cè)表面上。
[0117]如在圖3中所示，通過重復(fù)地堆疊第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c3至30次可以形成反射結(jié)構(gòu)13，但是本實(shí)施例不限于此。
[0118]在具有帶形狀的薄膜中事先制備的反射結(jié)構(gòu)13可以被附接在發(fā)光結(jié)構(gòu)11上。例如，通過使用濺射或者淀積設(shè)備反射結(jié)構(gòu)13可以被直接地形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)11上。
[0119]從發(fā)光結(jié)構(gòu)11產(chǎn)生的光可以被反射結(jié)構(gòu)11反射大約98%或者更多，但是本實(shí)施例不限于此。
[0120]另外，因?yàn)榉瓷浣Y(jié)構(gòu)13具有絕緣功能，所以通過接下來的工藝形成的第一和第二電極21和29可以被相互絕緣。因此，因?yàn)榉瓷浣Y(jié)構(gòu)13被使用，所以不需要形成任何附加的絕緣層。
[0121]參考圖8，第一電極21可以被形成在第一接觸區(qū)域20中并且第二電極29可以被形成在第二接觸區(qū)域22中。
[0122]如上所述，通過第一凹進(jìn)33可以限定第一接觸區(qū)域20，并且第二接觸區(qū)域22可以被限定在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9上。
[0123]第一、第二以及第三電極層15、17以及19可以被順序地形成在第一接觸區(qū)域20上使得第一電極21可以被形成。
[0124]第一、第二以及第三電極層15、17以及19可以被順序地形成在第二接觸區(qū)域22上使得第二電極29可以被形成。
[0125]第一電極21的第一電極層15可以被形成在通過第一接觸區(qū)域20中的凹進(jìn)33暴露的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的上表面上。第一電極21的第二電極層17可以具有大于第一電極層15的直徑并且可以電氣地連接被形成在相互鄰近的第一接觸區(qū)域20中的第一電極層
15。第一電極21的第三電極層19可以具有大于第一電極層15的直徑并且小于第二電極層17的寬度。如有必要，第三電極層19可以不被形成，但是本實(shí)施例不限于此。
[0126]第二電極29的第一電極層23可以被形成在第一接觸區(qū)域20中的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的上表面上。第二電極29的第二電極層25可以具有大于第一電極層23的直徑的寬度并且可以電氣地連接被形成在相互鄰近的第二接觸區(qū)域22中的第一電極層23。第二電極29的第三電極層27可以具有大于第一電極層23的直徑和小于第二電極層25的寬度。如有必要，第三電極層27可以不被形成，但是本實(shí)施例不限于此。
[0127]第一電極層15或者23可以具有作為反射層的功能，第二電極層17或者25可以具有作為電極的功能并且第三電極可以具有作為接觸焊盤的功能，但是本實(shí)施例不限于此。
[0128]參考圖9，絕緣層31可以被形成在被暴露在第一和第二電極21和29之間的反射結(jié)構(gòu)13上。絕緣層31可以相互絕緣第一和第二電極21和29。絕緣層31可以被形成使得第一和第二電極21和29的第二電極層17和25的上表面的部分重疊第三電極層19和27的上表面的部分，使得可以防止第二和第三電極層17、25、19以及27，以及第一電極層15和23被剝離。
[0129]圖10是示出根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0130]第二實(shí)施例與第一實(shí)施例幾乎相似，不同之處在于電流擴(kuò)展層39進(jìn)一步被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)11和第二電極29之間。在第二實(shí)施例的下面的描述中，具有與第一實(shí)施例的相同功能、材料和/或形狀的元件將會(huì)被指配有相同的附圖標(biāo)記并且詳細(xì)描述將會(huì)被省略。
[0131]參考圖1和圖10，根據(jù)第二實(shí)施例的發(fā)光器件IA可以包括生長襯底3、發(fā)光結(jié)構(gòu)
11、電流擴(kuò)展層39、反射結(jié)構(gòu)13、以及第一和第二電極21和29。
[0132]電流擴(kuò)展層39可以被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)11之下。詳細(xì)地，電流擴(kuò)展層39可以被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。電流擴(kuò)展層39可以被形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)11的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9和第二電極29之間。電流擴(kuò)展層39的上表面可以接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面，并且電流擴(kuò)展層39的下表面可以接觸第二電極29的上表面，即，第二電極29的第一電極層23的上表面。電流擴(kuò)展層39可以擴(kuò)展被供應(yīng)到第二電極29的電力或者電流使得電力或者電流被供應(yīng)給第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的整個(gè)區(qū)域。為此，電流擴(kuò)展層39可以被形成以接觸第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的整個(gè)區(qū)域。
[0133]在被供應(yīng)到第二電極29的電流被擴(kuò)展到電流擴(kuò)展層39的整個(gè)區(qū)域之后，可以將電流從電流擴(kuò)展層39的整個(gè)區(qū)域提供到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9。因此，因?yàn)閺呐c第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的整個(gè)區(qū)域相對(duì)應(yīng)的有源層7的整個(gè)區(qū)域可以產(chǎn)生光，所以可以改進(jìn)光效率。
[0134]電流擴(kuò)展層39可以被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9和反射結(jié)構(gòu)13之間。電流擴(kuò)展層39可以允許反射結(jié)構(gòu)13更加堅(jiān)固地粘附到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9。換言之，電流擴(kuò)展層39可以防止在反射結(jié)構(gòu)13和第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9之間的粘合強(qiáng)度被降低。
[0135]電流擴(kuò)展層39可以與第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9 一起具有歐姆特性。因此，被供應(yīng)到電流擴(kuò)展層39的電流可以被更加平滑地供應(yīng)到第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9，使得可以改進(jìn)光效率。
[0136]電流擴(kuò)展層39可以是由具有優(yōu)異的電流擴(kuò)散和歐姆特性的導(dǎo)電材料形成。例如，電流擴(kuò)展層 39 可以包括從由 ITO、IZO(In-ZnO)、GZO (Ga-ZnO)、AZO (Al-ZnO)、AGZO (Al-GaZnO)、IGZOdn-Ga ZnO)、IrOx, RuOx, RuOx/1 TO, Ni/IrOx/Au 以及 Ni/IrOx/Au/Ι-- 組成的組中選擇的至少一個(gè)，或者其多層結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施例不限于此。
[0137]圖11是示出根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0138]第三實(shí)施例幾乎與第一實(shí)施例相類似，不同之處在于第一和第二電極21和29的第一電極層15和23被形成在反射結(jié)構(gòu)13上。在第三實(shí)施例的下面的描述中，具有與第一實(shí)施例的相同功能、材料以及/或者形狀的元件將會(huì)被指配有相同的附圖標(biāo)記并且詳細(xì)描述將會(huì)被省略。
[0139]參考圖1和圖11，根據(jù)第三實(shí)施例的發(fā)光器件IB可以包括生長襯底3、發(fā)光結(jié)構(gòu)
11、反射結(jié)構(gòu)13、以及第一和第二電極21和29。
[0140]第一和第二電極21和29中的每一個(gè)可以包括第一電極層15或者23、第二電極層17或者25以及第三電極層19或者27。
[0141]第二電極層17或者25可以被形成在第一電極層15或者23之下并且第三電極層19或者27可以被形成在第二電極層17或者25之下。
[0142]第一電極21的第一電極層15可以被形成在第一接觸區(qū)域20中的凹進(jìn)33中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的下表面上。第一電極21的第一電極層15可以被形成在凹進(jìn)33中的反射結(jié)構(gòu)13的內(nèi)表面上。第一電極21的第一電極層15可以被形成在凹進(jìn)33周圍的反射結(jié)構(gòu)13的下表面的一部分上。換言之，第一電極21的第一電極層15可以經(jīng)由凹進(jìn)33中的反射結(jié)構(gòu)13的內(nèi)表面從凹進(jìn)33中的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的下表面延伸到凹進(jìn)33周圍的反射結(jié)構(gòu)13的下表面的一部分，但是實(shí)施例不限于此。
[0143]第二電極29的第一電極層23可以被形成在第二接觸區(qū)域22中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。第二電極29的第一電極層23可以被形成在反射結(jié)構(gòu)13的下表面的一部分上。換言之，第二電極29的第一電極層23可以從第一接觸區(qū)域20中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面延伸到反射結(jié)構(gòu)13的下表面的一部分，但是實(shí)施例不限于此。
[0144]第一電極21的第一電極層15可以與反射結(jié)構(gòu)13中的第二電極29的第一電極層23隔開。
[0145]絕緣層31可以被形成在第一和第二電極21和29的第一電極層15和23之間的反射結(jié)構(gòu)13的下表面上，但是實(shí)施例不限于此。
[0146]絕緣層31可以被形成在第一和第二電極21和29的第二電極層17和25的下表面的部分上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0147]盡管未示出，但是絕緣層31可以被形成在第一和第二電極21和29的第三電極層19和27的下表面的部分上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0148]如上所述，反射結(jié)構(gòu)13的反射率可以是98%。因此，發(fā)光結(jié)構(gòu)11的光的一部分可以通過反射結(jié)構(gòu)13透射使得光損耗可能發(fā)生。
[0149]在第三實(shí)施例中，因?yàn)榈谝缓偷诙姌O21和29的第一電極層15和23被形成在反射結(jié)構(gòu)13的下表面上，所以可以反射通過第一和第二電極21和29的第一和第二電極層15和25穿透反射結(jié)構(gòu)13的光，使得光反射率可以被更多地增加，從而改進(jìn)光效率。
[0150]圖12是示出根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件的截面圖。
[0151]第四實(shí)施例與第一實(shí)施例相類似，不同之處在于絕緣層41和43進(jìn)一步被包括在反射結(jié)構(gòu)13的上表面和/或下表面上。在第四實(shí)施例的下面的描述中，具有與第一實(shí)施例相同的功能、材料以及/或者形狀的元件將會(huì)被指配有相同的附圖標(biāo)記并且詳細(xì)描述將會(huì)被省略。
[0152]參考圖1和圖12，根據(jù)第四實(shí)施例的發(fā)光器件IC可以包括生長襯底3、發(fā)光結(jié)構(gòu)
11、第一至第三絕緣層41、43以及31、反射結(jié)構(gòu)13、以及第一和第二電極21和29。
[0153]第一絕緣層41可以被形成在第一接觸區(qū)域20中的凹進(jìn)33中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的內(nèi)表面上。詳細(xì)地，第一絕緣層41可以被形成在凹進(jìn)33中的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層5的內(nèi)表面、有源層7的內(nèi)表面以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的內(nèi)表面上。第一絕緣層41可以被形成在凹進(jìn)33周圍的發(fā)光結(jié)構(gòu)11的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面的一部分上。
[0154]反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在第一接觸區(qū)域20中的凹進(jìn)33中的第一絕緣層41的側(cè)表面上。反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在凹進(jìn)33周圍的絕緣層41的下表面上。反射結(jié)構(gòu)13可以從第一絕緣層41的下表面延伸使得反射結(jié)構(gòu)13可以鄰近于第二電極29并且可以被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。換言之，反射結(jié)構(gòu)13可以被形成以覆蓋第一絕緣層41。
[0155]反射結(jié)構(gòu)13可以包圍第二電極29并且可以被形成在第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的下表面上。即，反射結(jié)構(gòu)13可以被形成在除了第二電極29之外的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層9的整個(gè)下表面上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0156]第二絕緣層43可以被形成以覆蓋反射結(jié)構(gòu)13，但是本實(shí)施例不限于此。第二絕緣層43可以被形成在凹進(jìn)33中的反射結(jié)構(gòu)13的側(cè)表面上并且可以延伸反射結(jié)構(gòu)13的側(cè)表面使得第二絕緣層43可以被形成在凹進(jìn)33周圍的反射結(jié)構(gòu)13的下表面上。
[0157]第二絕緣層43可以被形成以包圍第一電極21。第二絕緣層43可以被形成以包圍第二電極29。
[0158]第二絕緣層43可以被形成在第一電極21和反射結(jié)構(gòu)13之間。第二絕緣層43可以被形成在第二電極29和反射結(jié)構(gòu)13之間。
[0159]第三絕緣層31可以被形成在第一和第二電極21和29之間。第三絕緣層31可以被形成在第一和第二電極21和29之間的第二絕緣層43的下表面上。通過第三絕緣層31第一和第二電極21和29可以被相互電氣地絕緣。
[0160]第一至第三絕緣層41、43以及31可以是由具有優(yōu)異的絕緣特性的材料形成。例如，第一至第三絕緣層41、43以及31可以包括從Si02、S1x, S1xNy> Si3N4、以及Al2O3組成的中選擇的一個(gè)，或者其多層結(jié)構(gòu)，但是實(shí)施例不限于此。
[0161]在第四實(shí)施例中，在反射結(jié)構(gòu)13具有導(dǎo)電性的前提條件下第一和第二絕緣層41和43可以被形成。
[0162]如上所述，通過交替其中的每一個(gè)包括從TiN、AIN、T12, A1203、SnO2, WO3> ZrO2以及S12組成的組中選擇的至少一個(gè)的第一折射率層35a、35b或者35c和第二折射率層37a、37b或者37c可以形成反射結(jié)構(gòu)13。
[0163]一些材料可以具有導(dǎo)電性。因此，當(dāng)具有導(dǎo)電性的材料被用作反射結(jié)構(gòu)13時(shí)，反射結(jié)構(gòu)13可以被電氣地連接到第一和第二電極21和29，使得第一電極21可以短路第二電極29。另外，反射結(jié)構(gòu)13可以與發(fā)光結(jié)構(gòu)11短路，使得在發(fā)光器件中錯(cuò)誤可能發(fā)生。
[0164]因此，因?yàn)樵诎l(fā)光結(jié)構(gòu)11和反射結(jié)構(gòu)13之間形成第一絕緣層41，所以可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)11與反射結(jié)構(gòu)13短路。另外，第二絕緣層43可以被形成在反射結(jié)構(gòu)13和第一電極21和/或第二電極29之間，使得可以防止發(fā)光結(jié)構(gòu)11與反射結(jié)構(gòu)13短路。
[0165]圖13是示出根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件封裝的截面圖。
[0166]參考圖13，發(fā)光器件封裝可以包括發(fā)光器件I以產(chǎn)生光；和封裝主體51，在其上安裝發(fā)光器件I。
[0167]盡管在圖13中描述了根據(jù)第一實(shí)施例的發(fā)光器件1，但是根據(jù)第二至第四實(shí)施例的發(fā)光器件可以被應(yīng)用于圖13的發(fā)光器件封裝。發(fā)光器件I可以包括倒裝芯片型發(fā)光器件，但是本實(shí)施例不限于此。
[0168]封裝主體51可以被形成有腔體67，該腔體67在其上區(qū)域中具有傾斜表面并且向下凹進(jìn)。換言之，腔體67可以具有底表面和傾斜到底表面的內(nèi)表面并且腔體67的內(nèi)表面可以垂直于底表面，但是實(shí)施例不限于此。
[0169]通過封裝主體51可以形成第一和第二電極線53和55。第一和第二電極線53和55可以水平或者垂直地通過封裝主體51，但是本實(shí)施例不限于此。第一和第二電極線53和55可以被相互絕緣并且隔開。第一和第二電極線53和55可以被形成在腔體67的底表面上。第一和第二電極線53和55可以從腔體67的底表面經(jīng)過封裝主體51并且可以被形成在封裝主體51的外表面上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0170]第一和第二電極線53和55可以包括金屬材料，例如，表示優(yōu)異的導(dǎo)電性和優(yōu)異的抗蝕性的包括從由Cu、Al、Cr、Pt、N1、T1、Au、以及W組成的組中選擇的至少一個(gè)或者兩個(gè)的合金，但是實(shí)施例不限于此。
[0171]在第一和第二電極線53和55被放置的狀態(tài)下通過注入成型工藝可以形成封裝主體51，使得第一和第二電極線53和55可以固定封裝主體51，但是本實(shí)施例不限于此。
[0172]第一和第二電極線53和55可以包括單層或者多層，但是實(shí)施例不限于此。第一和第二電極線53和55的最上層可以包括諸如Ag或者Al的反射層，但是實(shí)施例不限于此。
[0173]通過使用第一凸塊61a或者61b、第二凸塊63a或者63b以及焊膏65，發(fā)光器件I可以被物理地固定到并且被電氣地連接到第一和第二電極線53和55。發(fā)光器件I的第一電極21和第一電極線53可以通過第一凸塊61a或者61b被相互電氣地連接。發(fā)光器件I的第二電極29和第二電極線55可以通過第二凸塊63a或者63b被相互電氣地連接。
[0174]雖然在附圖中示出具有相互不同的寬度的第一和第二凸塊61a或者61b以及63a或者63b，但是第一凸塊61a或者61b的寬度可以等于第二凸塊63a或者63b的寬度。
[0175]通過使用焊膏65，第一和第二凸塊61a或者61b和63a或者63b可以分別被穩(wěn)固地固定到第一和第二電極線53和55。
[0176]被形成在第一和第二凸塊61a或者61b和63a或者63b周圍的焊膏65相互太近使得焊膏65可以相互短路。因此，為了防止這樣的短路，堤部(bank) 57可以被形成在第一和第二凸塊61a或者61b和63a或者63b之間的腔體67中的底表面上。例如，當(dāng)從頂視圖中看到時(shí)，堤部57可以具有閉環(huán)的圓形。堤部57的高度可以被形成以高于焊膏65的頂表面，但是本實(shí)施例不限于此。
[0177]如在附圖中示出，堤部57的上部分可以具有頂點(diǎn)。盡管未示出，但是堤部57的上部分可以具有圓形的形狀或者平坦的形狀。
[0178]通過注入成型工藝堤部57可以與封裝主體51集成地形成。堤部57可以是由與封裝主體51的相同的材料形成，但是實(shí)施例不限于此。
[0179]堤部57可以被形成，不論封裝主體51如何。在堤部57被事先處理之后，堤部57可以被附接在封裝主體51的腔體67的底表面上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0180]第一和第二電極線53和55可以被形成在堤部57和封裝主體51之間，使得本實(shí)施例不限于此。
[0181]成型構(gòu)件69可以被形成以包圍發(fā)光器件I。成型構(gòu)件69可以被形成在腔體67中。換言之，成型構(gòu)件69可以被填充在腔體67中。
[0182]成型構(gòu)件69可以包括熒光體，以轉(zhuǎn)換光的波長。成型構(gòu)件69的頂表面可以被形成在等于、高于或者低于封裝主體51的頂表面的水平面處。成型構(gòu)件69可以是由在傳輸、熱輻射、以及/或者絕緣中表示優(yōu)異的特性的材料形成。例如，成型構(gòu)件69可以是由硅材料或者環(huán)氧材料形成，但是本實(shí)施例不限于此。
[0183]盡管未示出，但是根據(jù)第一至第三實(shí)施例的發(fā)光器件可以被應(yīng)用于C0B(板上芯片)型發(fā)光器件封裝。多個(gè)發(fā)光器件可以被安裝在COB發(fā)光器件封裝中的基臺(tái)上，但是本實(shí)施例不限于此。
[0184]根據(jù)實(shí)施例的發(fā)光器件和發(fā)光器件封裝可以應(yīng)用于燈單元。燈單元可應(yīng)用于顯示裝置和照明裝置，諸如照明燈、信號(hào)燈、車輛的頭燈、電子標(biāo)識(shí)牌、以及指示燈。
[0185]在本說明書中對(duì)“一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示例性實(shí)施例”等的任何引用指的是結(jié)合實(shí)施例描述的特定特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)或者特征被包括在本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說明書中的各種位置中出現(xiàn)這樣的詞語不必都指代相同的實(shí)施例。此外，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例來描述特定特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)或者特征時(shí)，認(rèn)為結(jié)合實(shí)施例中的另外一些來實(shí)現(xiàn)這樣的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)或者特征是在本領(lǐng)域技術(shù)人員的理解范圍之內(nèi)。
[0186]雖然已經(jīng)參考其多個(gè)說明性實(shí)施例而描述了實(shí)施例，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)落在本公開的原理的精神和范圍內(nèi)的多種其他修改和實(shí)施例。更具體地，在本公開、附圖和所附的權(quán)利要求的范圍內(nèi)的主題組合布置的部件部分和/或布置中，各種改變和修改是可能的。除了在部件部分和/或布置中的改變和修改，替代物使用也對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員是顯然的。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光器件，包括: 襯底； 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)在所述襯底之下，其中，至少一個(gè)第一接觸區(qū)域和鄰近于所述第一接觸區(qū)域的至少一個(gè)第二接觸區(qū)域被限定；以及 反射結(jié)構(gòu)，所述反射結(jié)構(gòu)在所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之下，所述反射結(jié)構(gòu)包括具有相互不同的折射率的多個(gè)層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其中，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)至少包括第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層、有源層、以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，并且 其中，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層被布置在所述襯底之下， 所述有源層被布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下，并且 所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層被布置在所述有源層之下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中，凹進(jìn)被形成在所述第一接觸區(qū)域中以暴露所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括: 第一電極，所述第一電極被布置在所述第一接觸區(qū)域中；和 第二電極，所述第二電極被布置在所述第二接觸區(qū)域中， 其中，所述第一電極和所述第二電極中的每一個(gè)包括至少一個(gè)電極層，并且 其中，所述至少一個(gè)電極層的第一電極層包括反射材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)包括具有相互不同的折射率的第一和第二折射率層，并且 提供3至30對(duì)所述第一和第二折射率層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)具有反射和絕緣特性。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光器件，其中，所述第一和第二折射率中的每一個(gè)包括從由TiN、AIN、T12, A1203、Sn02、W03、ZrO2以及S12組成的組中選擇的至少一個(gè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)被形成在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)被形成在所述凹進(jìn)中的發(fā)光結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面上。
10.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)被形成在所述第一和第二電極之間的所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光器件，其中，所述凹進(jìn)具有圓柱形形狀，并且 所述圓柱形形狀的上表面被包括在所述第一接觸區(qū)域中，通過所述第一接觸區(qū)域所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層被暴露。
12.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述反射結(jié)構(gòu)被形成在除了所述第一和第二電極之外的所述發(fā)光結(jié)構(gòu)之下。
13.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極包括:第一電極層，所述第一電極層被布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上；和第二電極層，所述第二電極層被布置在所述第一電極層的下表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極的第一電極層歐姆接觸所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層并且具有反射特性。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中，所述第一電極的第二電極層在相互鄰近的凹進(jìn)中將所述第一接觸區(qū)域相互電氣地連接。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括絕緣層，所述絕緣層部分地重疊所述反射結(jié)構(gòu)的下表面以及所述第一和第二電極的下表面。
17.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極包括:第一電極層，所述第一電極層被布置在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上；和 第二層，所述第二層被布置在所述第一電極層的下表面上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極的第一電極層歐姆接觸所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層并且具有反射特性。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的發(fā)光器件，其中，所述第二電極的第二電極層電氣地連接相互鄰近的第二接觸區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，進(jìn)一步包括:電流擴(kuò)展層，所述電流擴(kuò)展層在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述反射結(jié)構(gòu)之間以及在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層和所述第二電極之間。
21.一種發(fā)光器件，包括: 襯底； 發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括:第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層被布置在所述襯底之下；有源層，所述有源層被布置在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層之下；以及第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層，所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層被布置在所述有源層之下，其中至少一個(gè)第一接觸區(qū)域被限定在所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上，至少一個(gè)第二接觸區(qū)域被限定在所述第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面上，并且凹進(jìn)被形成在所述第一接觸區(qū)域中以暴露所述第一導(dǎo)電半導(dǎo)體層； 反射結(jié)構(gòu)，所述反射結(jié)構(gòu)包括具有相互不同的折射率的多個(gè)層； 第一電極，所述第一電極被形成在所述第一接觸區(qū)域中；以及 第二電極，所述第二電極被形成在所述第二接觸區(qū)域中， 其中，所述反射結(jié)構(gòu)從在所述第一和第二電極之間的第二導(dǎo)電半導(dǎo)體層的下表面延伸到所述凹進(jìn)中的發(fā)光結(jié)構(gòu)的內(nèi)表面。
22.一種發(fā)光器件封裝，包括: 主體，所述主體具有腔體； 第一和第二電極線，所述第一和第二電極線被布置在所述腔體中； 發(fā)光器件，所述發(fā)光器件被布置在所述第一和第二電極線上并且如在權(quán)利要求1至21中的一項(xiàng)中所述的；以及 成型構(gòu)件，所述成型構(gòu)件包圍所述發(fā)光器件。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK104241493SQ201410287480
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月24日
【發(fā)明者】金英焄 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司