發(fā)光裝置以及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供發(fā)光裝置以及電子設(shè)備。上述發(fā)光裝置具備形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件、和覆蓋上述第一發(fā)光元件以及上述第二發(fā)光元件的密封層，上述第一發(fā)光元件與上述第二發(fā)光元件的間隔、上述第一發(fā)光元件與上述第二發(fā)光元件的節(jié)距、以及上述發(fā)光元件的寬度中的至少一個為上述密封層的膜厚以下。
【專利說明】發(fā)光裝置以及電子設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及利用例如有機EL材料等的發(fā)光材料的發(fā)光裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]以往已經(jīng)提出一種將在基板上平面狀地排列利用例如有機EL材料的發(fā)光元件的發(fā)光裝置作為各種電子設(shè)備的顯示裝置。專利文獻I公開了以用于防止外部空氣、水分的侵入的密封劑來覆蓋基板上的多個發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)。在專利文獻I的技術(shù)中，以相對于各發(fā)光元件的間隔充分薄的膜厚形成密封劑。
[0003]專利文獻1:日本特開2008 - 525955號公報
[0004]然而，在如專利文獻I那樣將密封劑形成為充分薄的膜厚的結(jié)構(gòu)中，在密封劑的表面顯現(xiàn)反映了基板上的各元件的形狀的凹凸(階梯差)，其結(jié)果，有可能降低密封劑的密封性能。在如專利文獻I的技術(shù)那樣，各發(fā)光元件的間隔(0.3_左右)相對于密封劑的膜厚充分大的大型發(fā)光裝置中，密封劑的表面的凹凸的影響較小，但在以較小的間隔高密度地排列例如面積為40 μ m2以下的微小的各發(fā)光元件的微型顯示器中，密封劑的表面的凹凸的影響特別明顯?？紤]以上的情況，本發(fā)明目的在于減少覆蓋發(fā)光元件的密封層的表面的凹凸。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決以上的技術(shù)問題，本發(fā)明的第一方式的發(fā)光裝置具備形成在基體上的第一發(fā)光兀件以及第二發(fā)光兀件、和覆蓋第一發(fā)光兀件以及第二發(fā)光兀件的密封層，第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的間隔為密封層的膜厚以下。在以上的結(jié)構(gòu)中，由于第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件的間隔為密封層的膜厚以下，所以與第一發(fā)光元件和第二發(fā)光元件的間隔超過密封層的膜厚的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少密封層的表面的凹凸。
[0006]本發(fā)明的第二方式的發(fā)光裝置具備形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件、和覆蓋第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件的密封層，第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的節(jié)距為密封層的膜厚以下。在以上的結(jié)構(gòu)中，由于第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的節(jié)距在密封層的膜厚以下，所以與第一發(fā)光元件與第二發(fā)光元件的節(jié)距為超過密封層的膜厚的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少密封層的表面的凹凸。
[0007]本發(fā)明的第三方式的發(fā)光裝置具備形成在基體上的發(fā)光元件和覆蓋發(fā)光元件的密封層，發(fā)光元件的寬度為密封層的膜厚以下。在以上的結(jié)構(gòu)中，由于發(fā)光元件的寬度為密封層的膜厚以下，所以與發(fā)光層的寬超過密封層的膜厚的結(jié)構(gòu)相比，能夠減少密封層的表面的凹凸。
[0008]在第三方式的發(fā)光裝置中，在基體上形成有相互對置的第一電極以及第二電極、第一電極與第二電極之間的發(fā)光功能層、以及形成在第一電極和第二電極且具有開口部的像素定義層的結(jié)構(gòu)中，將開口部的內(nèi)側(cè)且在第一電極和第二電極之間夾有發(fā)光功能層的部分作為發(fā)光元件而發(fā)揮功能，發(fā)光元件的寬度為開口部的寬度。
[0009]在第一方式至第三方式的發(fā)光裝置的優(yōu)選例中，發(fā)光元件包括形成在絕緣層的面上且相互對置的第一電極以及第二電極、和遍及多個發(fā)光元件連續(xù)地形成且位于第一電極與第二電極之間的發(fā)光功能層，在絕緣層中的各發(fā)光元件之間的區(qū)域形成開口部，發(fā)光功能層進入至該開口部。在以上的構(gòu)成中，由于在絕緣層中的各發(fā)光元件之間形成有開口部且發(fā)光功能層進入至該開口部，所以盡管是發(fā)光功能層遍及多個發(fā)光元件且連續(xù)的構(gòu)成，也能夠防止相互相鄰的各發(fā)光元件之間的漏電電流。由此，具有能夠?qū)⒏靼l(fā)光元件高精度地控制為目標(biāo)亮度這一優(yōu)點。另一方面，在絕緣層形成開口部的構(gòu)成中，具有在密封層的表面容易顯現(xiàn)凹凸這一趨勢?？紤]以上的趨勢，能夠減少密封層的表面的凹凸的本發(fā)明的各方式的發(fā)光裝置格外優(yōu)選在絕緣層設(shè)置開口部的構(gòu)成。
[0010]在以上的各方式的發(fā)光裝置的優(yōu)選例中，密封層的上面比該密封層中的發(fā)光元件側(cè)的下面平坦。此外，在非常高精細地形成有各發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)(微型顯示器)中，密封層的表面的凹凸的影響特別明顯。由此，本發(fā)明格外優(yōu)選例如發(fā)光元件的面積為40 μ Hi2以下的發(fā)光裝置。
[0011]以上的各方式的發(fā)光裝置作為例如顯示裝置而被用于各種電子設(shè)備。具體而言，作為本發(fā)明的電子設(shè)備的優(yōu)選例能夠例示出頭部安裝型的顯示裝置、拍攝裝置的電子式取景器等，但本發(fā)明的適用范圍并不局限于以上的例示。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1是本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0013]圖2是像素的電路圖。
[0014]圖3是發(fā)光裝置的截面圖。
[0015]圖4是發(fā)光裝置的截面圖。
[0016]圖5是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0017]圖6是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0018]圖7是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0019]圖8是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0020]圖9是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0021]圖10是第一電源導(dǎo)電體以及第二電源導(dǎo)電體的示意圖。
[0022]圖11是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0023]圖12是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0024]圖13是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0025]圖14是形成在基板上的各元件的說明圖。
[0026]圖15是著眼于光路調(diào)整層的各顯示像素的截面圖。
[0027]圖16是用于說明光路調(diào)整層的開口部與各發(fā)光元件的間隔的俯視圖。
[0028]圖17是密封體的第二密封層的說明圖。
[0029]圖18是第二實施方式的發(fā)光裝置的截面圖。
[0030]圖19是用于說明發(fā)光元件的寬度的俯視圖。
[0031]圖20是第四實施方式的發(fā)光裝置的俯視圖。
[0032]圖21是電子設(shè)備的一個例子的頭部安裝型的顯示裝置的示意圖。

【具體實施方式】
[0033]第一實施方式
[0034]圖1是本發(fā)明的第一實施方式的發(fā)光裝置100的俯視圖。第一實施方式的發(fā)光裝置100是在基板10的面上形成利用了有機EL材料的發(fā)光元件的有機EL裝置?；?0是由硅(硅)等半導(dǎo)體材料形成的板狀構(gòu)件(半導(dǎo)體基板)，被用作形成有多個發(fā)光元件的基體(基底)。如圖1所示，基板10的表面被劃分為第一區(qū)域12和第二區(qū)域14。第一區(qū)域12是矩形狀的區(qū)域，第二區(qū)域14是包圍第一區(qū)域12的矩形框狀的區(qū)域。
[0035]在第一區(qū)域12形成有沿X方向延伸的多個掃描線22、與各掃描線22對應(yīng)地沿X方向延伸的多個控制線24、以及沿與X方向交叉的Y方向延伸的多個信號線26。與多個掃描線22和多個信號線26的各交叉對應(yīng)地形成有像素P (PD、PE)。由此，多個像素P遍及X方向以及Y方向行列狀地排列。
[0036]在第二區(qū)域14設(shè)置有驅(qū)動電路30、多個安裝端子36以及保護環(huán)38。驅(qū)動電路30是驅(qū)動各像素P的電路，構(gòu)成為包括在X方向上夾著第一區(qū)域12的各位置設(shè)置的兩個掃描線驅(qū)動電路32、和設(shè)置在第二區(qū)域14中的沿X方向延伸的區(qū)域的信號線驅(qū)動電路34。多個安裝端子36形成在夾著信號線驅(qū)動電路34而與第一區(qū)域12相反的一側(cè)的區(qū)域內(nèi)，經(jīng)由與基板10接合的撓性的布線基板(圖示略)與控制電路、電源電路等外部電路(例如安裝在布線基板上的電子電路)電連接。
[0037]第一實施方式的發(fā)光裝置100通過與多個基板10相當(dāng)尺寸的原基板的切斷(劃線)而一次形成多個。圖1的保護環(huán)38防止原基板的切斷時的沖擊、靜電的影響波及驅(qū)動電路30或者各像素P、從各基板10的端面(原基板的截面)侵入水分。如圖1所示，保護環(huán)38形成為包圍驅(qū)動電路30、多個安裝端子36以及第一區(qū)域12的環(huán)狀(矩形框狀)。
[0038]圖1的第一區(qū)域12被劃分為顯示區(qū)域16和周邊區(qū)域18。顯示區(qū)域16是通過各像素P的驅(qū)動而實際顯示圖像的區(qū)域。周邊區(qū)域18是包圍顯示區(qū)域16的矩形框狀的區(qū)域，在顯示區(qū)域16內(nèi)的各像素P配置有構(gòu)造類似但實際上無助于圖像的顯示的像素P (以下稱為“虛設(shè)像素ro”)。從明確與周邊區(qū)域18內(nèi)的虛設(shè)像素ro之間的在表記上的區(qū)別的觀點出發(fā)，在以下的說明中，有時為了方便將顯示區(qū)域16內(nèi)的像素P表記為“顯示像素PE”。顯示像素PE是發(fā)光的最小單位的元件。
[0039]圖2是位于顯示區(qū)域16內(nèi)的各顯示像素PE的電路圖。如圖2所示,顯示像素PE構(gòu)成為包括發(fā)光元件45、驅(qū)動晶體管TDR、發(fā)光控制晶體管TEL、選擇晶體管TSL以及電容元件C。此外，在第一實施方式中，顯示像素PE的各晶體管T (TDR、TEL、TSL)為P溝道型，但也能夠使用N溝道型的晶體管。
[0040]發(fā)光元件45是在第一電極(陽極)El和第二電極(陰極)E2之間夾有包括有機EL材料的發(fā)光層的發(fā)光功能層46的電氣光學(xué)兀件。第一電極El分別獨立地按每一顯不像素PE而形成，第二電極E2遍及多個像素P而連續(xù)。如圖2所理解的那樣，發(fā)光元件45配置在連結(jié)第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42的路線上。第一電源導(dǎo)電體41是提供高位側(cè)的電源電位VEL的電源布線，第二電源導(dǎo)電體42是提供低位側(cè)的電源電位(例如接地電位)VCT的電源布線。
[0041]驅(qū)動晶體管TDR和發(fā)光控制晶體管TEL在連結(jié)第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42的路線上與發(fā)光元件45串聯(lián)連接而配置。具體而言，驅(qū)動晶體管TDR的一對電流端中的一方(源極)與第一電源導(dǎo)電體41連接。發(fā)光控制晶體管TEL作為控制驅(qū)動晶體管TDR的一對電流端中另一方(漏極)和發(fā)光元件45的第一電極El的導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)的開關(guān)而發(fā)揮功能。驅(qū)動晶體管TDR生成與自身的柵極-源極間的電壓對應(yīng)的電流量的驅(qū)動電流。在發(fā)光控制晶體管TEL被控制成導(dǎo)通狀態(tài)的狀態(tài)下，通過從驅(qū)動晶體管TDR經(jīng)由發(fā)光控制晶體管TEL向發(fā)光元件45供給驅(qū)動電流，使發(fā)光元件45以與驅(qū)動電流的電流量對應(yīng)的亮度發(fā)光，在發(fā)光控制晶體管TEL被控制成截止?fàn)顟B(tài)的狀態(tài)下，通過切斷對發(fā)光元件45的驅(qū)動電流的供給來使發(fā)光元件45熄滅。發(fā)光控制晶體管TEL的柵極與控制線24連接。
[0042]圖2的選擇晶體管TSL作為控制信號線26與驅(qū)動晶體管TDR的柵極的導(dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通/非導(dǎo)通)的開關(guān)而發(fā)揮功能。選擇晶體管TSL的柵極與掃描線22連接。此外，電容兀件C是在第一電極Cl和第二電極C2之間夾有電介質(zhì)的靜電電容。第一電極Cl與驅(qū)動晶體管TDR的柵極連接，第二電極C2與第一電源導(dǎo)電體41 (驅(qū)動晶體管TDR的源極)連接。由此，電容元件C保持驅(qū)動晶體管TDR的柵極-源極間的電壓。
[0043]信號線驅(qū)動電路34按每一寫入期間(水平掃描期間)向多個信號線26并列地供給與從外部電路供給的圖像信號按每一顯示像素PE指定的灰度對應(yīng)的灰度電位(數(shù)據(jù)信號)。另一方面，各掃描線驅(qū)動電路32通過向各掃描線22供給掃描信號來按每一寫入期間依次選擇多個掃描線22的每一個。與掃描線驅(qū)動電路32選擇的掃描線22對應(yīng)的各顯不像素PE的選擇晶體管TSL遷移至導(dǎo)通狀態(tài)。由此，經(jīng)由信號線26和選擇晶體管TSL向各顯示像素PE的驅(qū)動晶體管TDR的柵極供給灰度電位，電容元件C保持有與灰度電位對應(yīng)的電壓。另一方面，若在寫入期間的掃描線22的選擇結(jié)束，則各掃描線驅(qū)動電路32通過向各控制線24供給控制信號來將與該控制線24對應(yīng)的各顯示像素PE的發(fā)光控制晶體管TEL控制成導(dǎo)通狀態(tài)。由此，從驅(qū)動晶體管TDR經(jīng)由發(fā)光控制晶體管TEL向發(fā)光元件45供給與在緊前的寫入期間保持在電容元件C的電壓對應(yīng)的驅(qū)動電流。如上所述，通過各發(fā)光元件45以與灰度電位對應(yīng)的亮度發(fā)光，來在顯示區(qū)域16顯示圖像信號指定的任意的圖像。
[0044]下面詳細說明第一實施方式的發(fā)光裝置100的具體的結(jié)構(gòu)。此外，在以下的說明中參照的各附圖中，為了便于說明，各元件的尺寸、比例尺與實際的發(fā)光裝置100不同。圖3以及圖4是發(fā)光裝置100的截面圖，圖5?圖9是著眼于一個顯示像素PE來圖示在形成發(fā)光裝置100的各元件的各階段的基板10的表面的樣子的俯視圖。與包括圖5?圖9的II1-1II線的剖面對應(yīng)的截面圖相當(dāng)于圖3，與圖5?圖9的IV — IV線的剖面對應(yīng)的截面圖相當(dāng)于圖4。此外，圖5?圖9是俯視圖，從容易掌握各元件的視覺性觀點出發(fā)，在與圖3或者圖4共用的各元件賦予與圖3或者圖4同方式的影線。
[0045]如從圖3、圖4以及圖5所理解的那樣，在由硅等半導(dǎo)體材料形成的基板10的表面形成有顯示像素PE的各晶體管T(TDR、TEL、TSL)的有源區(qū)域1A (源極/漏極區(qū)域)。有源區(qū)域1A被注入離子。顯示像素PE的各晶體管T(TDR、TEL、TSL)的活性層存在于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間，被注入與有源區(qū)域1A不同種類的離子，方便起見而省略圖示。如圖3以及圖4所示，形成有有源區(qū)域1A的基板10的表面被絕緣膜LO (柵極絕緣膜)覆蓋，各晶體管T的柵極G(⑶R、GEL、GSL)形成在絕緣膜LO的面上。各晶體管T的柵極G夾著絕緣膜LO與活性層對置。在圖4中示出選擇晶體管TSL的柵極GSL、驅(qū)動晶體管TDR的柵極⑶R、以及發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL。
[0046]如從圖3以及圖4所理解的那樣，在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣膜LO的面上形成有交替層疊多個絕緣層L(LA?LD)和多個導(dǎo)電層(布線層)的多層布線層。各絕緣層L由例如硅化合物(典型的為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。此外，在以下的說明中，將通過導(dǎo)電層(單層或者多層)的選擇性除去而在同一工序中一并形成多個元件的關(guān)系表記為“從同層形成”。
[0047]絕緣層LA形成在形成有各晶體管T的柵極G的絕緣膜LO的面上。如從圖3、圖4以及圖6所理解的那樣，在絕緣層LA的面上從同層形成有掃描線22、控制線24、多個中繼電極QA(QA1、QA2、QA3、QA4)。掃描線22以及控制線24相互隔開間隔而遍及多個像素P沿X方向直線狀地延伸。具體而言，如圖6所示，掃描線22形成為通過選擇晶體管TSL的柵極GSL的上方以及驅(qū)動晶體管TDR的柵極⑶R的上方，經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔(接觸孔)HAl導(dǎo)通至選擇晶體管TSL的柵極GSL。導(dǎo)通孔HAl形成為俯視時與選擇晶體管TSL的柵極GSL以及活性層重疊。另一方面，控制線24形成為通過發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL的上方，經(jīng)由貫通絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA2導(dǎo)通至發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL。導(dǎo)通孔HA2形成為俯視時與發(fā)光控制晶體管TEL的柵極GEL以及活性層重疊。
[0048]中繼電極QAl是連接選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A和驅(qū)動晶體管TDR的柵極GDR的布線，如圖6所示，俯視時位于掃描線22和控制線24之間。具體而言，如圖4以及圖6所理解的那樣，中繼電極QAl經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA3導(dǎo)通至選擇晶體管TSL的有源區(qū)域10A，并且經(jīng)由絕緣層LA的導(dǎo)通孔HA4導(dǎo)通至驅(qū)動晶體管TDR的柵極⑶R。此外，如圖6所理解的那樣，中繼電極QA2經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA5導(dǎo)通至選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A0中繼電極QA3經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA6導(dǎo)通至驅(qū)動晶體管TDR的有源區(qū)域1A(源極)。中繼電極QA4經(jīng)由貫通絕緣層LA和絕緣膜LO的導(dǎo)通孔HA7導(dǎo)通至發(fā)光控制晶體管TEL的有源區(qū)域1A (漏極)。如圖6所理解的那樣，選擇晶體管TSL、驅(qū)動晶體管TDR以及發(fā)光控制晶體管TEL分別形成為溝道長沿著Y方向。此外，驅(qū)動晶體管TDR和發(fā)光控制晶體管TEL沿著Y方向排列，選擇晶體管TSL被配置在相對于驅(qū)動晶體管TDR以及發(fā)光控制晶體管TEL在X方向(圖6中為X方向的負側(cè))上偏離的位置。
[0049]絕緣層LB形成在形成有掃描線22、控制線24以及多個中繼電極QA的絕緣層LA的面上。如圖3、圖4以及圖7所理解的那樣，在絕緣層LB的面上從同層形成有信號線26、第一電極Cl以及多個中繼電極QB(QBl、QB2)。信號線26遍及多個像素P沿Y方向直線狀地延伸，通過絕緣層LA而與掃描線22以及控制線24電絕緣。具體而言，信號線26形成為經(jīng)過選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A(源極、漏極)和活性層的上方、以及導(dǎo)通至驅(qū)動晶體管TDR的柵極GDR的中繼電極QAl的上方，沿著選擇晶體管TSL的溝道長的方向(Y方向)延伸且俯視時與選擇晶體管TSL重疊。此外，信號線26形成在比各晶體管T(TDR、TEL、TSL)的有源區(qū)域1A(源極、漏極)、各晶體管T的柵極G靠上層。如圖7所理解的那樣，信號線26經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HBl導(dǎo)通至中繼電極QA2。即，信號線26和選擇晶體管TSL的有源區(qū)域1A(源極)經(jīng)由中繼電極QA2而連接。圖7的第一電極Cl經(jīng)由貫通絕緣層LB的導(dǎo)通孔HB2而導(dǎo)通至中繼電極QA1。S卩，電容元件C的第一電極Cl和驅(qū)動晶體管TDR的柵極⑶R經(jīng)由中繼電極QAl而連接。圖7的中繼電極QBl經(jīng)由絕緣層LB的導(dǎo)通孔HB3導(dǎo)通至中繼電極QA3，中繼電極QB2經(jīng)由絕緣層LB的導(dǎo)通孔HB4導(dǎo)通至中繼電極QA4。
[0050]絕緣層LC形成在形成有信號線26、第一電極Cl以及多個中繼電極QB(QB1、QB2)的絕緣層LB的面上。如圖3、圖4以及圖8所理解的那樣，在絕緣層LC的面上從同層形成有第二電極C2和多個中繼電極QC(QC1、QC2)。第二電極C2被形成為俯視(即從與基板10的表面垂直的方向觀察的狀態(tài))是與第一電極Cl重復(fù)的形狀以及位置。如圖3所理解的那樣，由第一電極Cl、第二電極C2、以及兩者間的絕緣層LC構(gòu)成電容元件C。如圖8所示，電容元件C (第一電極Cl、第二電極C2)被設(shè)置成俯視時與驅(qū)動晶體管TDR以及發(fā)光控制晶體管TEL重疊。圖8的中繼電極QCl經(jīng)由絕緣層LC的導(dǎo)通孔HCl導(dǎo)通至中繼電極QB1，中繼電極QC2經(jīng)由絕緣層LC的導(dǎo)通孔HC2導(dǎo)通至中繼電極QB2。
[0051]如圖3以及圖4所示，絕緣層LD形成在形成有第二電極C2和多個中繼電極QC(QC1、QC2)的絕緣層LC的面上。雖然在以上的說明中著眼于顯示像素PE，但周邊區(qū)域18內(nèi)的虛設(shè)像素ro也能夠共用從基板10的表面到絕緣層LD為止的各元件的結(jié)構(gòu)。
[0052]絕緣層LD的表面被執(zhí)行平坦處理。平坦處理可以任意采用化學(xué)機械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing:化學(xué)機械拋光)等公知的表面處理技術(shù)。如圖3所示，在利用平坦處理而被高度平坦化的絕緣層LD的表面從同層形成有第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42。圖10是第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42的俯視圖，圖11?圖14是圖10中的區(qū)域α的放大圖。如圖10以及圖11所理解的那樣，第一電源導(dǎo)電體41形成在第一區(qū)域12的顯示區(qū)域16內(nèi)，第二電源導(dǎo)電體42形成在第一區(qū)域12的周邊區(qū)域18內(nèi)。第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42相互分離而被形成為電絕緣。第一電源導(dǎo)電體41經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示略)而導(dǎo)通至被供給高位側(cè)的電源電位VEL的安裝端子36。同樣地，第二電源導(dǎo)電體42經(jīng)由多層布線層內(nèi)的布線(圖示略)而導(dǎo)通至供給低位側(cè)的電源電位VCT的安裝端子36。第一實施方式的第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42由例如含有銀、鋁的光反射性的導(dǎo)電材料被形成為例如10nm左右的膜厚。
[0053]第一電源導(dǎo)電體41是如上述那樣被供給高位側(cè)的電源電位VEL的電源布線，如從圖10以及圖11所理解的那樣，第一電源導(dǎo)電體41是遍及顯示區(qū)域16的大致整個區(qū)域而形成為面狀的大致矩形狀的實心圖案。實心圖案是指不是線狀或者帶狀的圖案或其組合(例如格子狀)的圖案，而是將顯示區(qū)域16的大致整面涂色那樣地實際上沒有間隙的均勻連續(xù)的面狀(即實心狀)的圖案。
[0054]如從圖4、圖9以及圖11所理解的那樣，形成在顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電源導(dǎo)電體41經(jīng)由按每一顯示像素PE形成在絕緣層LD的導(dǎo)通孔HDl而導(dǎo)通至中繼電極QC1。S卩，如從圖4所理解的那樣，作為驅(qū)動晶體管TDR的源極而發(fā)揮功能的有源區(qū)域1A經(jīng)由中繼電極QA3、中繼電極QBl以及中繼電極QCl與第一電源導(dǎo)電體41連接。此外，也能夠經(jīng)由貫通絕緣層LC和絕緣層LD的導(dǎo)通孔使第一電源導(dǎo)電體41導(dǎo)通至中繼電極QB2(因此省略了中繼電極QC1)。此外，如圖9以及圖11所示，第一電源導(dǎo)電體41經(jīng)由絕緣層LD的導(dǎo)通孔HD2與電容元件C的第二電極C2連接。S卩，在驅(qū)動晶體管TDR的柵極⑶R和源極(第一電源導(dǎo)電體41)之間夾有電容元件C。
[0055]如圖9所示，在第一電源導(dǎo)電體41按每一顯示像素PE形成有開口部41A。在各開口部41A的內(nèi)側(cè)，中繼電極QDl從同層形成有第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42。中繼電極QDl和第一電源導(dǎo)電體41相互分離地形成為電絕緣。如從圖4以及圖9所理解的那樣，中繼電極QDl經(jīng)由形成在絕緣層LD的導(dǎo)通孔HD3而導(dǎo)通至中繼電極QC2。此外，也能夠經(jīng)由貫通絕緣層LC和絕緣層LD的導(dǎo)通孔使中繼電極QDl導(dǎo)通至中繼電極QB2(因此省略中繼電極QC2)。
[0056]另一方面，在第一區(qū)域12中的排列有虛設(shè)像素H)的周邊區(qū)域18內(nèi)形成的第二電源導(dǎo)電體42是如上所述那樣地被供給低位側(cè)的電源電位VCT的電源布線，如圖10所示，在俯視時形成為包圍第一電源導(dǎo)電體41 (顯示區(qū)域16)的矩形框狀(封閉圖形)。如圖11所示，在絕緣層LD按每一虛設(shè)像素H)形成有導(dǎo)通孔HD4和導(dǎo)通孔HD5。第二電源導(dǎo)電體42經(jīng)由導(dǎo)通孔HD4而導(dǎo)通至虛設(shè)像素H)的中繼電極QC1，且經(jīng)由導(dǎo)通孔HD5導(dǎo)通至虛設(shè)像素PD的中繼電極QC2。另一方面,在第二電源導(dǎo)電體42未形成關(guān)于第一電源導(dǎo)電體41所述的開口部41A、中繼電極QD1。
[0057]如圖3以及圖4所示，在形成有第一電源導(dǎo)電體41、第二電源導(dǎo)電體42以及中繼電極QDl的絕緣層LD的面上形成有光路調(diào)整層60。光路調(diào)整層60是規(guī)定各顯示像素PE的共振結(jié)構(gòu)的共振波長(即顯示色)的透光性的膜體。后面詳細說明各顯示像素PE的共振結(jié)構(gòu)、光路調(diào)整層60。
[0058]如圖12所示，在光路調(diào)整層60的面上從同層形成按顯示區(qū)域16內(nèi)的每一顯示像素PE的中繼電極QEl和周邊區(qū)域18的每一虛設(shè)像素H)的中繼電極QE2。中繼電極QEl以及中繼電極QE2例如由遮光性的導(dǎo)電材料(例如氮化鈦)形成。
[0059]顯示區(qū)域16內(nèi)的中繼電極QEl經(jīng)由貫通光路調(diào)整層60的導(dǎo)通孔HEl導(dǎo)通至中繼電極QD1。如從圖4以及圖12所理解的那樣，中繼電極QEl在第一電源導(dǎo)電體41的開口部41A形成為俯視時重復(fù)。S卩，中繼電極QEl的外周邊在俯視時位于開口部41A的內(nèi)周邊的外側(cè)。由于中繼電極QEl由遮光性的導(dǎo)電材料形成，所以通過中繼電極QEl防止了從開口部41A的外光對多層布線層的侵入。由此，具有能夠防止基于光照射的各晶體管T的漏電電流的優(yōu)點。另一方面，如從圖12所理解的那樣，周邊區(qū)域18內(nèi)的中繼電極QE2經(jīng)由貫通光路調(diào)整層60的導(dǎo)通孔HE2而導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。
[0060]如圖3、圖4以及圖13所示，在形成有中繼電極QEl以及中繼電極QE2的光路調(diào)整層60的面上，從同層形成顯示區(qū)域16內(nèi)的每一顯示像素PE的第一電極E1、和周邊區(qū)域18的每一虛設(shè)像素H)的導(dǎo)通用電極QF。第一電極El和導(dǎo)通用電極QF例如由ITO (IndiumTin Oxide:銦錫氧化物)等透光性的導(dǎo)電材料形成。如參照圖2所述，第一電極El是作為發(fā)光元件45的陽極發(fā)揮功能的大致矩形狀的電極(像素電極)，如圖4所示，與光路調(diào)整層60的面上的中繼電極QEl接觸。即，第一電極El經(jīng)由中繼電極QE1、中繼電極QD1、中繼電極QC2、中繼電極QB2以及中繼電極QA4導(dǎo)通至發(fā)光控制晶體管TEL的有源區(qū)域1A(漏極)。
[0061]另一方面，周邊區(qū)域18內(nèi)的導(dǎo)通用電極QF是形成為與第一電極El同等的平面形狀以及尺寸的大致矩形狀的電極。顯示區(qū)域16內(nèi)的各第一電極El和周邊區(qū)域18內(nèi)的各導(dǎo)通用電極QF分別遍及X方向以及Y方向以相同的節(jié)距(周期)排列。即，各第一電極El和各導(dǎo)通用電極QF在X方向上以相同的節(jié)距DX排列，并且在Y方向上以相同的節(jié)距DY排列。隔著顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的邊界線而相鄰的第一電極El與導(dǎo)通用電極QF的節(jié)距也被設(shè)定為X方向的節(jié)距DX和Y方向的節(jié)距DY。X方向的節(jié)距DX例如設(shè)定為1.3μπι以上且3.5 μ m以下。如從圖13所理解的那樣，導(dǎo)通用電極QF與光路調(diào)整層60的面上的中繼電極QE2接觸。即，導(dǎo)通用電極QF經(jīng)由中繼電極QE2導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。此夕卜，在圖13中，例示出在周邊區(qū)域18內(nèi)遍及X方向的I行和Y方向的2列來排列導(dǎo)通用電極QF的構(gòu)成，但導(dǎo)通用電極QF的排列數(shù)是任意的。例如，根據(jù)第二電極E2與第二電源導(dǎo)電體42之間所需要的連接電阻、發(fā)光功能層46或者第二電極E2的形成范圍等，來適當(dāng)?shù)剡x定導(dǎo)通用電極QF的排列數(shù)。如從圖3以及圖4所理解的那樣，第一電源導(dǎo)電體41形成在形成有信號線26的布線層和形成有第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF的布線層之間。
[0062]如圖3所示，圖1的保護環(huán)38通過從與以上所例示的各元件同層形成的多個導(dǎo)電層QG(QG1?QG6)的層疊而構(gòu)成。導(dǎo)電層QGl與各晶體管T的柵極G從同層形成，導(dǎo)電層QG2與信號線26從同層形成，導(dǎo)電層QG3與電容元件C的第二電極C2從同層形成。此外，導(dǎo)電層QG4與第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42從同層形成，導(dǎo)電層QG5與中繼電極QE2從同層形成，導(dǎo)電層QG6與第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF從同層形成。此外，能夠適當(dāng)?shù)厥÷詷?gòu)成保護環(huán)38的各導(dǎo)電層QG。例如，能夠省略導(dǎo)電層QG3而使導(dǎo)電層QG2和導(dǎo)電層QG4直接導(dǎo)通。
[0063]如圖3、圖4以及圖14所示，在形成有中繼電極QE1、中繼電極QE2、第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF的光路調(diào)整層60的面上遍及基板10的整個區(qū)域地形成像素定義層65。像素定義層65例如由硅化合物(典型為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成。如從圖14所理解的那樣，在像素定義層65形成有與顯示區(qū)域16內(nèi)的各第一電極El對應(yīng)的開口部65A、和與周邊區(qū)域18內(nèi)的各導(dǎo)通用電極QF對應(yīng)的開口部65B。像素定義層65中的開口部65A的內(nèi)周邊的附近的區(qū)域與第一電極El的周邊重疊。即，開口部65A的內(nèi)周邊在俯視時位于第一電極El的周邊的內(nèi)側(cè)。同樣地,像素定義層65中的開口部65B的內(nèi)周邊的附近的區(qū)域與導(dǎo)通用電極QF的周邊重疊。如從圖12以及圖14所理解的那樣，中繼電極QEl以及中繼電極QE2被像素定義層65覆蓋。各開口部65A和各開口部65B的平面形狀(矩形狀)、尺寸相同，并且分別遍及X方向以及Y方向以相同的節(jié)距行列狀地排列。如從以上的說明所理解的那樣，像素定義層65在俯視時形成為格子狀。
[0064]如圖3以及圖4所示，在形成有第一電極E1、導(dǎo)通用電極QF以及像素定義層65的光路調(diào)整層60的面上形成有發(fā)光功能層46。發(fā)光功能層46形成在第一區(qū)域12的顯示區(qū)域16內(nèi)且遍及多個顯示像素PE而連續(xù)。另一方面，如從圖3所理解的那樣，在周邊區(qū)域18、第二區(qū)域14未形成發(fā)光功能層46。發(fā)光功能層46構(gòu)成為包括由有機EL材料形成的發(fā)光層，通過電流的供給而射出白色光。此外，也能夠使發(fā)光功能層46包括被供給至發(fā)光層的電子、正孔的輸送層或者注入層。
[0065]在形成有發(fā)光功能層46的光路調(diào)整層60的面上，遍及第一區(qū)域12 (顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18)的整個區(qū)域形成有第二電極E2。如參照圖2所述，第二電極E2作為發(fā)光元件45的陰極而發(fā)揮功能。如圖4所示，被第一電極El和第二電極E2夾著的區(qū)域(發(fā)光區(qū)域)在發(fā)光功能層46中的像素定義層65的各開口部65A的內(nèi)側(cè)發(fā)光。S卩，在開口部65A的內(nèi)側(cè)層疊有第一電極E1、發(fā)光功能層46以及第二電極E2的部分作為發(fā)光兀件45發(fā)揮功能。如以上的說明所理解的那樣，像素定義層65規(guī)定各顯示像素PE的發(fā)光元件45的平面形狀、尺寸(實際上發(fā)光的區(qū)域)。第一實施方式的發(fā)光裝置100是非常高精細地配置有發(fā)光元件45的微型顯示器。例如一個發(fā)光元件45的面積(一個開口部65A的面積)被設(shè)定為40 μ m2以下(進一步為20 μ m2以下)。
[0066]如上所述，由于在周邊區(qū)域18未形成發(fā)光功能層46，所以位于遍及第一區(qū)域12的整個區(qū)域的第二電極E2中的周邊區(qū)域18內(nèi)的部分在圖14的像素定義層65的開口部65B的內(nèi)側(cè)與導(dǎo)通用電極QF接觸。如以上的說明所理解的那樣，遍及顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18這雙方的第二電極E2經(jīng)由周邊區(qū)域18內(nèi)的各導(dǎo)通用電極QF和各中繼電極QE2導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。即，從第二電源導(dǎo)電體42經(jīng)由中繼電極QE2和導(dǎo)通用電極QF向第二電極E2供給低位側(cè)的電源電位VCT。
[0067]第二電極E2作為使到達表面的光的一部分透過，并且使剩余的部分反射的性質(zhì)(半透過反射性)的半透過反射層而發(fā)揮功能。例如，通過將含有銀、鎂的合金等的光反射性的導(dǎo)電材料形成為充分薄的膜厚，來形成半透過反射性的第二電極E2。來自發(fā)光功能層46的放射光在第一電源導(dǎo)電體41和第二電極E2之間往復(fù)，在選擇性地放大了確定的共振波長的成分的基礎(chǔ)上，透過第二電極E2出射至觀察側(cè)(與基板10相反的一側(cè))。即，形成為在作為反射層發(fā)揮功能的第一電源導(dǎo)電體41與作為半透過反射層發(fā)揮功能的第二電極E2之間使來自發(fā)光功能層46的出射光共振的共振結(jié)構(gòu)。光路調(diào)整層60是為了針對每一顯示像素PE的顯示色分別獨立地設(shè)定共振結(jié)構(gòu)的共振波長(顯示色)的元件。具體而言，通過根據(jù)光路調(diào)整層60的膜厚適當(dāng)?shù)卣{(diào)整構(gòu)成共振結(jié)構(gòu)的第一電源導(dǎo)電體41和第二電極E2之間的光路長(光學(xué)距離)，來針對每一顯示色設(shè)定各顯示像素PE的出射光的共振波長。
[0068]圖15是著眼于光路調(diào)整層60的具體結(jié)構(gòu)而圖示出顯示色不同的三個顯示像素PE(紅色、綠色、藍色)的結(jié)構(gòu)的截面圖。在圖15中，簡便地例示出與紅色(R)對應(yīng)的顯示像素PE、與綠色(G)對應(yīng)的顯示像素PE以及與藍色⑶對應(yīng)的顯示像素PE。如圖15所理解的那樣，光路調(diào)整層60由硅化合物(典型為氮化硅、氧化硅)等透光性的絕緣材料形成的多層(第一調(diào)整層61、第二調(diào)整層62、第三調(diào)整層63)的層疊而構(gòu)成。第一調(diào)整層61例如形成為氮化硅為40nm以上且10nm以下的膜厚，第二調(diào)整層62例如形成為氧化硅為40nm以上且50nm以下的膜厚,第三調(diào)整層63例如形成為氧化娃為40nm以并且70nm以下的膜厚。
[0069]根據(jù)各顯示像素PE的顯示色選擇性地除去第二調(diào)整層62以及第三調(diào)整層63。具體而言，在藍色的顯示像素PE中，通過除去第二調(diào)整層62以及第三調(diào)整層63來使光路調(diào)整層60僅由第一調(diào)整層61構(gòu)成，在綠色的顯示像素PE中，通過除去第三調(diào)整層63來使光路調(diào)整層60由第一調(diào)整層61以及第二調(diào)整層62構(gòu)成。另一方面，在紅色的顯示像素PE中，通過第一調(diào)整層61、第二調(diào)整層62以及第三調(diào)整層63的層疊構(gòu)成光路調(diào)整層60。例如在以50nm的膜厚形成第一調(diào)整層61、以65nm的膜厚形成第二調(diào)整層62、以55nm的膜厚形成第三調(diào)整層63的情況下，在紅色的顯示像素PE中構(gòu)成170nm的光路調(diào)整層60(第一調(diào)整層61+第二調(diào)整層62+第三調(diào)整層63)，在綠色的顯示像素PE中構(gòu)成115nm的光路調(diào)整層60 (第一調(diào)整層61+第二調(diào)整層62)，在藍色的顯示像素PE中構(gòu)成50nm的光路調(diào)整層60 (第一調(diào)整層61)。在以上的例示中，在紅色的顯示像素PE與藍色的顯示像素PE之間，光路調(diào)整層60的膜厚差為120nm。此外，在以上的說明中，雖然著眼于顯示區(qū)域16，但針對周邊區(qū)域18內(nèi)的各虛設(shè)像素H)也形成與顯示區(qū)域16內(nèi)同樣構(gòu)成的光路調(diào)整層60。
[0070]圖16是在X方向上排列的三個發(fā)光元件45的俯視圖。如圖15以及圖16所理解的那樣，在光路調(diào)整層60中的X方向上相鄰的各發(fā)光元件45之間，沿Y方向延伸的直線狀的區(qū)域中形成有開口部(選擇性地除去光路調(diào)整層60的槽部)60A。如圖15所示，遍及顯示區(qū)域16的整個區(qū)域連續(xù)的發(fā)光功能層46形成為從光路調(diào)整層60的面上進入至開口部60A的內(nèi)側(cè)。根據(jù)以上的構(gòu)成，與發(fā)光功能層46在各發(fā)光元件45之間的區(qū)域也被形成在平坦面上的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制在X方向上遍及相鄰的各發(fā)光元件45間的電荷的移動(各發(fā)光元件45間的漏電電流)。因此，具有能夠?qū)⒏靼l(fā)光元件45高精度地控制為目標(biāo)亮度這一優(yōu)點。
[0071]如圖3所示，在第二電極E2的面上遍及基板10的整個區(qū)域形成有密封體70。此夕卜，在圖4中，為了簡便而省略了密封體70的圖示。密封體70是通過密封形成在基板10上的各元件來防止外部空氣、水分的侵入的透光性的膜體，是由第一密封層71、第二密封層72以及第三密封層73的層疊而構(gòu)成。在第一密封層71的面上形成有第二密封層72，在第一密封層71以及第二密封層72的面上形成有第三密封層73。如從圖3所理解的那樣，第一密封層71以及第三密封層73遍及包括第一區(qū)域12和第二區(qū)域14的基板10的整個區(qū)域而形成。另一方面，第二密封層72形成在基板10的第一區(qū)域12內(nèi)而未形成在第二區(qū)域14。具體而言，如圖17所示，第二密封層72形成為遍及顯示區(qū)域16和周邊區(qū)域18中的內(nèi)周邊側(cè)的一部分區(qū)域。如以上的說明所理解的那樣，圖3的密封體70在顯示區(qū)域16內(nèi)由第一密封層71、第二密封層72以及第三密封層73共三層層疊而構(gòu)成，在第二區(qū)域14內(nèi)由第一密封層71以及第二密封層72共兩層層疊而構(gòu)成。圖1的各安裝端子36經(jīng)由形成在與密封體70中的撓性的布線基板連接的區(qū)域的開口部而露出于外部。各安裝端子36例如由從與第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42同層形成的導(dǎo)電層、與中繼電極QE2同層開始形成的導(dǎo)電層、從與第一電極El以及導(dǎo)通用電極QF同層形成的導(dǎo)電層的層疊而構(gòu)成。
[0072]密封體70的第一密封層71形成在第二電極E2的面上并直接與第二電極E2的表面接觸。第一密封層71例如由硅化合物(典型為氮化硅、氧化硅)等絕緣性的無機材料形成為例如200nm?400nm左右的膜厚。第一密封層71優(yōu)選形成為光路調(diào)整層60的膜厚差(例如120nm)以上的膜厚?？梢詢?yōu)選地利用等離子體CVD(Chemical Vapor Deposit1n:化學(xué)氣相沉積)法或者ECR(Electron Cyclotron Resonance:電子回旋共振)等離子體派射法、離子鍍敷法等高密度等離子體成膜技術(shù)來形成第一密封層71?？梢酝ㄟ^在氮氣環(huán)境氣中蒸鍍氧化硅來形成硅酸氮化物的第一密封層71。此外，也可以采用以氧化鈦等金屬氧化物為代表的無機氧化物作為第一密封層71的材料。
[0073]密封體70的第二密封層72作為填埋第二電極E2、第一密封層71的表面的凹凸的平坦化膜而發(fā)揮功能。即，在第二電極E2、第一密封層71的表面形成有反映下方(基板10偵?的各元件的形狀的凹凸，但第二密封層72的表面是凹凸充分減少了的大致平面。也可以說第二密封層72的上面比下面(即與第一密封層71的接觸面)平坦。第二密封層72被形成與第一密封層71以及第三密封層73相比充分厚的膜厚T (例如I μ m?5 μ m，特別優(yōu)選3 μ m)，以便實現(xiàn)如上所述的平坦化的功能。例如通過利用公知的涂敷技術(shù)(例如印刷法、旋涂法)在第一密封層71的表面涂敷環(huán)氧樹脂等透光性的有機材料的溶液后進行干燥的工序，來形成第二密封層72。此外，第二密封層72的材料并不局限于有機材料。例如也能夠通過利用印刷法等涂敷技術(shù)涂敷氧化硅等無機材料后進行干燥，來形成平坦化所需的充分的膜厚T的第二密封層72。第二密封層72與形成有發(fā)光功能層46的區(qū)域相比，遍及較大的區(qū)域而連續(xù)，形成為至少覆蓋發(fā)光功能層46。此外，也可以采用第二密封層72覆蓋第二電極E2的構(gòu)成。
[0074]第三密封層73例如由耐水性、耐熱性優(yōu)良的無機材料而形成為例如300nm?700nm左右(特別優(yōu)選為400nm左右)的膜厚。例如作為第三密封層73的材料優(yōu)選為氮化合物(硅氮化物、硅氧化物、硅酸氮化物)?？梢匀我獠捎冕槍Φ谝幻芊鈱?1例示出的公知的成膜技術(shù)來形成第三密封層73。
[0075]另外，在X方向上相鄰的各發(fā)光元件45的間隔δ X(圖15)與密封體70的膜厚相比充分大的情況下，有可能反映基板10的面上的各元件的形狀的第二電極Ε2的表面的凹凸(階梯差)未被密封體70充分平坦化(例如第二電極Ε2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋)。在發(fā)光元件45的面積被設(shè)定為40 μ m2以下的微型顯示器中，以上的趨勢極為明顯。此外，如第一實施方式那樣地在光路調(diào)整層60形成有開口部60A的構(gòu)成中，特別是反映開口部60A的凹陷在第二電極E2的表面明顯。
[0076]考慮以上的情況，在第一實施方式中，按照即使在第二電極E2的表面存在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸的情況下密封體70的表面也為充分平坦面的方式，來選定在X方向上相鄰的各發(fā)光元件45的間隔δ X與密封體70的膜厚之間的關(guān)系。在以下的說明中，著眼于構(gòu)成密封體70的多層(第一密封層71、第二密封層72、第三密封層73)中的膜厚最大的第二密封層72的膜厚Τ，對與各發(fā)光元件45的間隔δΧ的關(guān)系進行說明。如圖15所示，間隔δ X相當(dāng)于由像素定義層65規(guī)定的各發(fā)光區(qū)域的X方向的間隔(距離)。
[0077]在各發(fā)光元件45的間隔δ X比第二密封層72的膜厚T大的情況下，第二電極Ε2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋，其結(jié)果，在密封體70的表面也有可能殘留凹凸?？紤]以上的趨勢，在第一實施方式中，在X方向上相鄰的任意的兩個發(fā)光元件45 (第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件)的間隔SX被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸(δΧ<Τ)。例如，假定將第二密封層72形成為3μ m的膜厚T的構(gòu)成，在X方向上相鄰的兩個發(fā)光元件45的間隔δΧ被設(shè)定為3μπι以下的適當(dāng)?shù)某叽?。在進一步優(yōu)選的方式中，各發(fā)光元件45的間隔δ X被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T的一半以下的尺寸(δ X彡Τ/2)。在例如將第二密封層72形成為3 μ m的膜厚T的上述構(gòu)成中，各發(fā)光元件45的間隔δ X被設(shè)定為1.2μπι以上且1.5μπι以下的范圍內(nèi)的適當(dāng)?shù)某叽纭８靼l(fā)光元件45的間隔δ X與密封體70的膜厚(第二密封層72的膜厚Τ)之間的關(guān)系為以上所述那樣。
[0078]在形成有以上的各元件的基板10的表面，例如利用粘合劑接合密封基板(圖示略)。密封基板是用于保護基板10上的各元件的透光性的板狀構(gòu)件(例如玻璃基板)。此夕卜，也可以在密封基板的表面或者密封體70 (第三密封層73)的表面按每一顯示像素PE形成彩色濾光器。
[0079]如上所述，在第一實施方式中，在X方向上相鄰的任意的兩個發(fā)光元件45的間隔s X被設(shè)定為在第二密封層72的膜厚T以下的尺寸。因此，與各發(fā)光元件45的間隔δΧ超過第二密封層72的膜厚T的構(gòu)成相比，即使反映基板10上的各元件的形狀的凹凸在第二電極Ε2的表面存在的情況下，也能夠使密封體70的表面成為充分的平坦面。
[0080]此外，在第一實施方式中，在周邊區(qū)域18形成有從與顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電極El同層形成的導(dǎo)通用電極QF、和從與顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電源導(dǎo)電體41同層形成的第二電源導(dǎo)電體42，遍及顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18這雙方的第二電極Ε2在周邊區(qū)域18內(nèi)經(jīng)由導(dǎo)通用電極QF導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42。S卩，與在顯示區(qū)域16內(nèi)第一電源導(dǎo)電體41和第一電極El重疊層結(jié)構(gòu)同樣地，在周邊區(qū)域18中，第二電源導(dǎo)電體42和導(dǎo)通用電極QF重疊。因此，與在相鄰接區(qū)域內(nèi)的虛設(shè)像素未形成發(fā)光元件的陽極的專利文獻I的構(gòu)成相比，能夠抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差。并且，通過抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差，具有與顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差大的構(gòu)成相比，能夠更容易形成密封體70這一優(yōu)點。在第一實施方式中特別是，在顯示區(qū)域16內(nèi)的第一電極El和周邊區(qū)域18內(nèi)的導(dǎo)通用電極QF，平面形狀以及尺寸和X方向的節(jié)距DX以及Y方向的節(jié)距DY相同。由此，抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差這一效果格外明顯。
[0081]此外，在遍及顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18這雙方的像素定義層65，除了顯示區(qū)域16內(nèi)的與第一電極El對應(yīng)的開口部65A之外，還形成有周邊區(qū)域18內(nèi)的與導(dǎo)通用電極QF對應(yīng)的開口部65B。即，針對像素定義層65在周邊區(qū)域18也存在與顯示區(qū)域16同樣的結(jié)構(gòu)。由此，與在周邊區(qū)域18未形成像素定義層65的結(jié)構(gòu)、和在周邊區(qū)域18中在像素定義層65未形成開口部65B的結(jié)構(gòu)相比，能夠抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差。在第一實施方式中，特別是由于在開口部65A和開口部65B，平面形狀以及尺寸、以及X方向和Y方向的排列的節(jié)距相同，所以抑制顯示區(qū)域16與周邊區(qū)域18的階梯差這一效果格外明顯。
[0082]在第一實施方式中，由于第一電源導(dǎo)電體41與掃描線22、控制線24、以及信號線26從不同層形成，所以和從與各布線同層形成第一電源導(dǎo)電體41的結(jié)構(gòu)相比，能夠充分確保第一電源導(dǎo)電體41的面積(減少第一電源導(dǎo)電體41的電阻)。具體而言，如參照圖10所述的那樣，能夠作為遍及顯示區(qū)域16的整個區(qū)域的實心圖案形成第一電源導(dǎo)電體41。因此，能夠抑制第一電源導(dǎo)電體41的面內(nèi)的電源電位VEL的電壓降，其結(jié)果，能夠減少顯示圖像的顯示斑(顯示區(qū)域16的面內(nèi)的顯示灰度的不同)。此外，在以上的說明中，雖然著眼于第一電源導(dǎo)電體41，但從與各布線(掃描線22、控制線24、信號線26)不同層形成的第二電源導(dǎo)電體42也能夠?qū)崿F(xiàn)同樣的效果。
[0083]此外，在從同層形成第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42的構(gòu)成中，有可能例如由于絕緣層LD的表面的凹凸而引起第一電源導(dǎo)電體41和第二電源導(dǎo)電體42相互短路。在第一實施方式中，有如下的優(yōu)點:即，由于在針對絕緣層LD的表面執(zhí)行平坦處理的基礎(chǔ)上，形成第一電源導(dǎo)電體41以及第二電源導(dǎo)電體42，所以能夠有效地防止由于絕緣層LD的表面的凹凸引起的第一電源導(dǎo)電體41與第二電源導(dǎo)電體42的短路。
[0084]第二實施方式
[0085]對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。此外，在以下例示的各方式中，針對作用、功能與第一實施方式同樣的元件，流用在第一實施方式的說明中參照的附圖標(biāo)記，適當(dāng)?shù)厥÷云渚唧w說明。
[0086]圖18是著眼于在第二實施方式的發(fā)光裝置100中的X方向上排列的三個發(fā)光兀件45的截面圖，與第一實施方式中參照的圖16對應(yīng)。如圖18所理解的那樣，未在第二實施方式的光路調(diào)整層60形成在第一實施方式中例示出的開口部60A。即使在如上所述那樣地在光路調(diào)整層60未形成開口部60A的構(gòu)成中，反映像素定義層65的各開口部65A的形狀的階梯差也有可能出現(xiàn)在第二電極E2的表面?？紤]以上的事情，在第二實施方式中，在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸存在于第二電極E2的表面的情況下，也按照使密封體70的表面成為充分的平坦面的方式，選定各發(fā)光元件45的寬度WX和密封體70的第二密封層72的膜厚T之間的關(guān)系。如圖19所示，寬度WX為發(fā)光元件45的X方向的尺寸(俯視時大致長方形的發(fā)光元件45的短邊的長度)，相當(dāng)于形成在像素定義層65的開口部65A的X方向的尺寸。
[0087]具體而言，在發(fā)光元件45的寬度WX比第二密封層72的膜厚T大的情況下，第二電極E2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋，其結(jié)果，有可能在密封體70的表面也殘留凹凸?？紤]以上的趨勢，在第二實施方式中，將發(fā)光元件45的寬度WX設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸(WX彡T)。在例如發(fā)光元件45的寬度WX為3.5μπι的構(gòu)成中，將第二密封層72的膜厚T設(shè)定為4 μ m?5 μ m左右的尺寸，在發(fā)光元件45的寬度WX為1.3 μ m的構(gòu)成中，將第二密封層72的膜厚T設(shè)定為1.5 μ m?2 μ m左右的尺寸。在進一步優(yōu)選的方式中，將發(fā)光元件45的寬度WX設(shè)定為第二密封層72的膜厚T的一半以下的尺寸(WX ( T/2)。
[0088]在第二實施方式中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施方式同樣的效果。即，在第二實施方式中，由于發(fā)光元件45的寬度WX被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸，所以與發(fā)光元件45的寬度WX超過第二密封層72的膜厚T的構(gòu)成相比，即使在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸存在于第二電極E2的表面的情況下，也能夠使密封體70的表面成為充分的平坦面。此外，在第二實施方式中，也能夠與第一實施方式同樣地，在光路調(diào)整層60形成開口部60A。
[0089]第三實施方式
[0090]在第一實施方式中，著眼于各發(fā)光兀件45的X方向的間隔δ X與第二密封層72的膜厚T的關(guān)系，在第二實施方式中，著眼于發(fā)光元件45的寬度WX與第二密封層72的膜厚T的關(guān)系。在第三實施方式中，按照即使在第二電極Ε2的表面存在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸的情況下，密封體70的表面也成為充分的平坦面的方式，來選定各發(fā)光元件45的X方向的節(jié)距(周期)DX與密封體70的第二密封層72的膜厚T的關(guān)系。此外，第三實施方式中不管光路調(diào)整層60的開口部60Α的有無。
[0091]具體而言，在各發(fā)光元件45的X方向的節(jié)距DX比第二密封層72的膜厚T大的情況下，第二電極Ε2的表面的凹陷未被密封體70充分填埋，其結(jié)果，有可能在密封體70的表面也殘留凹凸?？紤]以上的趨勢，在第三實施方式中，將各發(fā)光元件45 (第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件)的X方向的節(jié)距DX設(shè)定為第二密封層72的膜厚T以下的尺寸(DX ( Τ)。在例如發(fā)光元件45的節(jié)距DX為2.5 μ m的構(gòu)成中，將第二密封層72的膜厚T設(shè)定為3 μ m?5μπι左右的尺寸。在進一步優(yōu)選的方式中，各發(fā)光元件45的節(jié)距DX被設(shè)定為第二密封層72的膜厚T的一半以下的尺寸(DX ( Τ/2)。
[0092]在第三實施方式中也能夠?qū)崿F(xiàn)與第一實施方式同樣的效果。即，在第三實施方式中，由于各發(fā)光元件45的X方向的節(jié)距DX被設(shè)定成第二密封層72的膜厚T以下的尺寸，所以與各發(fā)光元件45的節(jié)距DX超過第二密封層72的膜厚T的構(gòu)成相比，即使在反映基板10上的各元件的形狀的凹凸存在于第二電極Ε2的表面的情況下，也能夠使密封體70的表面成為充分的平坦面。
[0093]第四實施方式
[0094]圖20是著眼于第四實施方式的發(fā)光裝置100中的密封體70的俯視圖。如圖20所示，在第四實施方式的發(fā)光裝置100中，在基板10的第二區(qū)域14中的排列有多個安裝端子36的區(qū)域(以下稱為“端子區(qū)域”)15未形成密封體70。具體而言，遍及包括顯示區(qū)域16以及周邊區(qū)域18的第一區(qū)域12、第二區(qū)域14中的端子區(qū)域15以外的區(qū)域形成有密封體70的第一密封層71以及第三密封層73。密封體70的第二密封層72形成在顯示區(qū)域16內(nèi)的構(gòu)成與第一實施方式相同。根據(jù)以上的構(gòu)成，具有除了與第一實施方式同樣的效果之外，還具有無需在密封體70形成用于使各安裝端子36導(dǎo)通至多層布線層內(nèi)的布線的導(dǎo)通孔這一優(yōu)點。此外，還能夠沿著基板10的兩邊或者三邊排列多個安裝端子36。
[0095]變形例
[0096]能夠?qū)⒁陨系姆绞竭M行多樣的變形。下面例示具體的變形的方式。從以下的例示中任意選擇出的兩個以上的方式在相互不矛盾的范圍內(nèi)能夠適當(dāng)?shù)睾喜ⅰ?br> [0097](I)在上述的各方式中，例示出層疊第一密封層71、第二密封層72以及第三密封層73的構(gòu)成的密封體70，但密封體70的層數(shù)(單層/多層)是任意的。例如，也可以由無機材料或者有機材料的單層構(gòu)成密封體70。此外，在上述的各方式中，例示出俯視時保護環(huán)38與密封體70的全部(第一實施方式)或者一部分(第二實施方式)重疊的構(gòu)成，但不管密封體70與保護環(huán)38之間是否重復(fù)。
[0098](2)在上述的各方式中，以與顯示區(qū)域16內(nèi)的開口部65A同樣的方式使第二電極E2經(jīng)由形成在像素定義層65的開口部65B導(dǎo)通至第二電源導(dǎo)電體42，但使第二電極E2與第二電源導(dǎo)電體42導(dǎo)通的結(jié)構(gòu)可以適當(dāng)?shù)刈兏?。例如，也可以如日本特開2005 - 352498號公開的那樣，經(jīng)由在像素定義層65形成為俯視時直線狀(即與顯示區(qū)域16內(nèi)的開口部65A不同的方式)的開口部使第二電極E2與第二電源導(dǎo)電體42導(dǎo)通。
[0099](3)在上述的各方式中，例示出作為基板10使用半導(dǎo)體基板的發(fā)光裝置100，基板10的材料是任意的。例如也可以作為基板10使用玻璃、石英等板狀構(gòu)件。此外，在上述的各方式中，在基板10中的第一區(qū)域12的外側(cè)的第二區(qū)域14配置有驅(qū)動電路30，但也可以將驅(qū)動電路30配置在例如周邊區(qū)域18內(nèi)。例如，在第二電源導(dǎo)電體42與基板10之間配置驅(qū)動電路30。
[0100](4)像素P(像素電路)的構(gòu)成并不局限于上述的圖2所例示的構(gòu)成。例如，能夠采用省略上述的各方式的發(fā)光控制晶體管TEL的構(gòu)成、在灰度電位的供給前通過將驅(qū)動晶體管TDR與二極管連接來補償驅(qū)動晶體管TDR的閾值電壓的誤差的構(gòu)成。
[0101](5)發(fā)光元件45的構(gòu)成并不局限于以上的例示。例如，在上述的各方式中，例示出遍及多個顯示像素PE連續(xù)地形成產(chǎn)生白色光的發(fā)光功能層46的構(gòu)成，但也可以按每一顯示像素PE分別獨立地形成放射與各顯示像素PE的顯示色對應(yīng)的波長的單色光的發(fā)光功能層46。此外，在上述的各方式中，在第一電源導(dǎo)電體41 (反射層)與第二電極E2(半透過反射層)之間形成共振結(jié)構(gòu)，但也可以例如用反射性的導(dǎo)電材料形成第一電極E1，在第一電極El (反射層)與第二電極E2(半透過反射層)之間形成共振結(jié)構(gòu)。在將第一電極El作為反射層利用的構(gòu)成中，在第一電極El與第二電極E2之間形成光路調(diào)整層60。也可以是第一電源導(dǎo)電體41、第一電極El分別形成共振結(jié)構(gòu)的反射層(每一顯示像素PE的反射層或者遍及多個顯示像素PE而連續(xù)的反射層)。
[0102]在上述的各方式中，利用光路調(diào)整層60調(diào)整了各顯示像素PE的共振波長，但也可以根據(jù)第一電極E1、發(fā)光功能層46的膜厚來調(diào)整各顯示像素PE的共振波長。優(yōu)選地，與用于調(diào)整共振波長的具體的結(jié)構(gòu)無關(guān)，將第一密封層71形成為超過由于共振波長的不同而引起的階梯差的膜厚的構(gòu)成。
[0103]在上述的各方式中，例示出利用有機EL材料的發(fā)光元件45，但本發(fā)明也能夠同樣適用利用無機EL材料形成發(fā)光層的發(fā)光元件、LED等發(fā)光元件的構(gòu)成。此外，在上述的各方式中，例示出將光出射至與基板10相反側(cè)的頂部發(fā)光(Top emiss1n)型的發(fā)光裝置100,但本發(fā)明也能夠同樣適用將光出射至基板10側(cè)的底部發(fā)射(Bottom emiss1n)型的發(fā)光
>j-U ρ?α裝直。
[0104](6)在上述的各方式中，例示出在周邊區(qū)域18內(nèi)配置了與顯示像素PE結(jié)構(gòu)(布線、晶體管、電容元件等的結(jié)構(gòu))類似的虛設(shè)像素ro的構(gòu)成，但周邊區(qū)域18內(nèi)的構(gòu)成并不局限于以上的例示。例如，也能夠在周邊區(qū)域18內(nèi)的第二電源導(dǎo)電體42的下層配置驅(qū)動電路30(掃描線驅(qū)動電路32或者信號線驅(qū)動電路34)、驅(qū)動電路30以外的電路以及布線。
[0105](7)在上述的各方式中，為了簡化共振波長的說明而著眼于光路調(diào)整層60的膜厚，但實際上根據(jù)位于共振結(jié)構(gòu)的反射層(例如第一電源導(dǎo)電體41)和半透過反射層(例如第二電極E2)之間的各層的折射率、在反射層以及半透過反射層的表面的相位位移而設(shè)定共振結(jié)構(gòu)的共振波長。
[0106]電子設(shè)備
[0107]在上述的各方式中例示出的發(fā)光裝置100能夠優(yōu)選地利用于各種電子設(shè)備的顯示裝置。在圖21中，示出利用上述的各方式例示出的發(fā)光裝置100的頭部安裝型的顯示裝置90(HMD:Head Mounted Display)作為電子設(shè)備來使用的例子。
[0108]顯示裝置90是能夠安裝在利用者的頭部的電子設(shè)備，具備與利用者的左眼重疊的透過部(透鏡)92L、與利用者的右眼重疊的透過部92R、左眼用的發(fā)光裝置100L以及半透半反鏡94L、右眼用的發(fā)光裝置100R以及半透半反鏡94R。發(fā)光裝置100L和發(fā)光裝置100R被配置成出射光向相互相反的方向進行。左眼用的半透半反鏡94L使透過部92L的透過光透過至利用者的左眼側(cè)，并且使來自發(fā)光裝置100L的出射光反射至利用者的左眼偵U。同樣地，右眼用的半透半反鏡94R使透過部92R的透過光透過至利用者的右眼側(cè)，并且使來自發(fā)光裝置100R的出射光反射至利用者的右眼側(cè)。因此，利用者感知到重疊經(jīng)由透過部92L以及透過部92R觀察到的像和基于各發(fā)光裝置100的顯示圖像而得的圖像。此外，通過使發(fā)光裝置100L和發(fā)光裝置100R顯示被賦予相互視差的立體圖像(左眼用圖像以及右眼用圖像)，能夠使利用者感知顯示圖像的立體感。
[0109]此外，用于上述的各方式的發(fā)光裝置100的電子設(shè)備并不局限于圖21的顯示裝置90。例如，本發(fā)明的發(fā)光裝置100也能夠優(yōu)選利用于在攝像機、靜態(tài)相機等拍攝裝置中利用的電子式取景器(EVF:ElectronicView Finder)。此外,在移動電話、便攜式信息終端(智能手機)、電視、個人計算機等的顯示器、車輛導(dǎo)航裝置等的各種電子設(shè)備也能夠采用本發(fā)明的發(fā)光裝置。
[0110]附圖標(biāo)記的說明:
[0111]100...發(fā)光裝置；10...基板；10A...有源區(qū)域；12...第一區(qū)域；14...第二區(qū)域；16...顯示區(qū)域；18...周邊區(qū)域；22...掃描線；24...控制線；26...信號線；30...驅(qū)動電路；32...掃描線驅(qū)動電路；34...信號線驅(qū)動電路；36...安裝端子；41...第一電源導(dǎo)電體；42...第二電源導(dǎo)電體；45...發(fā)光兀件；El...第一電極；E2...第二電極；
46...發(fā)光功能層；TDR...驅(qū)動晶體管；TEL...發(fā)光控制晶體管；TSL...選擇晶體管；C...電容元件；60...光路調(diào)整層；65...像素定義層；65A ；65B...開口部；70...密封體；
71...第一密封層；72...第二密封層；73...第三密封層;Q(QA1、QA2、QA3、QA4、QB1、QB2、 QC1、QC2、QD1、QE1、QE2)...中繼電極；QF...導(dǎo)通用電極。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件；和 覆蓋所述第一發(fā)光元件以及所述第二發(fā)光元件的密封層， 所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件的間隔在所述密封層的膜厚以下。
2.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 形成在基體上的第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件；和 覆蓋所述第一發(fā)光元件以及所述第二發(fā)光元件的密封層， 所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件的節(jié)距在所述密封層的膜厚以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或者權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 具備絕緣層，所述絕緣層的面上形成所述第一發(fā)光元件以及所述第二發(fā)光元件， 所述第一發(fā)光元件以及第二發(fā)光元件分別包括相互對置的第一電極以及第二電極、和遍及所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件連續(xù)地形成且位于所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光功能層， 在所述絕緣層中的所述第一發(fā)光元件和所述第二發(fā)光元件之間的區(qū)域形成開口部，所述發(fā)光功能層進入至該開口部。
4.一種發(fā)光裝置，其特征在于，具備: 形成在基體上的發(fā)光元件；和 覆蓋所述發(fā)光元件的密封層， 所述發(fā)光元件的寬度在所述密封層的膜厚以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 在所述基體上形成相互對置的第一電極以及第二電極、所述第一電極和所述第二電極之間的發(fā)光功能層、以及形成在所述第一電極和所述第二電極之間且具有開口部的像素定義層， 將所述開口部的內(nèi)側(cè)且在所述第一電極和所述第二電極之間夾有所述發(fā)光功能層的部分作為所述發(fā)光元件而發(fā)揮功能， 所述發(fā)光元件的寬度為所述開口部的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1?5中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述密封層的上表面比該密封層中的所述發(fā)光元件側(cè)的下表面平坦。
7.根據(jù)權(quán)利要求1?6中任一項所述的發(fā)光裝置，其特征在于， 所述發(fā)光元件的面積為40 μ Hi2以下。
8.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備權(quán)利要求1?7中任一項所述的發(fā)光裝置。
【文檔編號】H01L51/52GK104241545SQ201410268410
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2014年6月16日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月18日
【發(fā)明者】野澤陵一 申請人:精工愛普生株式會社