半導體發(fā)光器件及其制造方法

文檔序號：7051017閱讀：158來源：國知局

半導體發(fā)光器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種半導體發(fā)光器件及其制造方法。所述半導體發(fā)光器件包括發(fā)光結構，所述發(fā)光結構包括第一導電類型半導體層、有源層和第二導電類型半導體層。所述器件還可包括：第一電極，其連接至第一導電類型半導體層；和第二電極，其連接至第二導電類型半導體層并具有焊盤區(qū)和在一個方向上從焊盤區(qū)延伸的指區(qū)。第二電極可包括：透明電極部件，其布置在第二導電類型半導體層上，并在其中包括至少一個開口；至少一個反射部件，其在所述開口中與透明電極部件分隔開，并且設置在焊盤區(qū)和指區(qū)中；以及接合部件，其布置在反射部件的至少一部分上，并包括在指區(qū)中彼此分隔開的多個接合指部件和設置在焊盤區(qū)中的接合焊盤部件。
【專利說明】半導體發(fā)光器件及其制造方法
[0001] 相關申請的交叉引用
[0002] 本申請要求于2013年6月17日提交于韓國知識產(chǎn)權局的韓國專利申請 No. 10_2〇13-0069192的優(yōu)先權，該申請的公開以引用方式并入本文中。

【技術領域】
[0003] 與示例性實施例一致的器件和方法涉及半導體發(fā)光器件及其制造方法。

【背景技術】
[0004] 半導體發(fā)光器件是這樣一種半導體器件，由于當電流施加至該半導體器件時電子和空穴在其P型半導體層和η型半導體層之間的接合部分處復合，該半導體器件能夠發(fā)射各種顏色的光。與基于燈絲的發(fā)光器件相比，半導體發(fā)光器件具有各種優(yōu)點，諸如相對長的壽命、低功耗、卓越的初始驅動特征和高抗振性。因此，對半導體發(fā)光器件的需求持續(xù)增加。具體地說，能夠發(fā)射單波長區(qū)的藍光的第III族氮化物半導體近來尤為突出。
[0005] 通過在襯底上生長包括η型氮化物半導體層和ρ型氮化物半導體層以及形成在它們之間的有源層的發(fā)光結構來獲得利用這種第III族氮化物半導體的發(fā)光器件。在這種情況下，可在發(fā)光結構的表面上形成電極，以便將外部電信號施加至所述結構。隨著對大功率和高效率半導體發(fā)光器件的需求增加，需要能夠防止光反射率劣化并顯著減小電流濃度的電極結構。

【發(fā)明內容】

[0006] 示例性實施例提供了一種半導體發(fā)光器件及其制造方法，所述半導體發(fā)光器件通過顯著減小光吸收和有效地分布電流而具有改進的亮度。
[0007] 根據(jù)示例性實施例的一方面，提供了一種半導體發(fā)光器件，其包括：發(fā)光結構，其包括第一導電類型半導體層、設置在第一導電類型半導體層上的有源層和設置在有源層上的第二導電類型半導體層；第一電極，其設置在第一導電類型半導體層上；以及第二電極，其具有焊盤區(qū)和從焊盤區(qū)延伸的指區(qū)，其中，第二電極包括：透明電極部件，其設置在第二導電類型半導體層上，并具有設置在焊盤區(qū)和指區(qū)中的開口；反射部件，其設置在焊盤區(qū)和指區(qū)中的透明電極部件的開口中的第二導電類型半導體層上，并在開口中與透明電極部件分隔開；以及接合部件，其包括：多個接合指部件，其設置在指區(qū)中的反射部件上并彼此分隔開；以及接合焊盤部件，其設置在焊盤區(qū)中的反射部件上。
[0008] 接合焊盤部件可覆蓋焊盤區(qū)中的透明電極部件的開口，并延伸至透明電極部件上。
[0009] 接合焊盤部件在焊盤區(qū)中的透明電極部件的開口中可介于透明電極部件與反射部件之間。
[0010] 所述多個接合指部件可延伸跨過指區(qū)中的透明電極部件的開口并延伸至透明電極部件上。
[0011] 所述多個接合指部件在指區(qū)中的透明電極部件的開口中可介于透明電極部件與反射部件之間。
[0012] 所述多個接合指部件中的每一個接合指部件可與所述多個接合指部件中的相鄰接合指部件分隔開預定距離。
[0013] 接合部件還可包括連接部件，其從接合焊盤部件延伸，并連接接合指部件。
[0014] 接合指部件在指區(qū)從焊盤區(qū)延伸的第一方向上可具有第一寬度，并且在垂直于第一方向的第二方向上可具有第二寬度，并且其中，第二寬度大于第一寬度。
[0015] 接合焊盤部件的面積可大于接合指部件中的每一個接合指部件的面積，并且接合焊盤部件可具有圓形形狀，該圓形形狀具有大于接合指部件的第二寬度的第三寬度。
[0016] 半導體發(fā)光器件還可包括電流阻擋層，其在焊盤區(qū)中的透明電極部件的開口中介于反射部件與第二導電類型半導體層之間。
[0017] 第一電極可包括：第一反射部件，其設置在第一導電類型半導體層上；以及第一接合部件，其設置在第一反射部件上。
[0018] 第一電極可具有第一焊盤區(qū)和從第一焊盤區(qū)延伸的第一指區(qū)，并且第一電極可包括：第一反射部件，其設置在第一導電類型半導體層上，第一反射部件包括布置在第一焊盤區(qū)中的反射焊盤部件和布置在第一指區(qū)中并彼此分隔開的多個反射指部件；以及第一接合部件，其設置在第一焊盤區(qū)和第一指區(qū)中的第一反射部件上。
[0019] 第一接合部件可設置在所述多個反射指部件之間的第一導電類型半導體層上。
[0020] 半導體發(fā)光器件還可包括光漫射層，其設置在第一導電類型半導體層上，并暴露出第一導電類型半導體層的一部分，其中，第一電極包括：第一反射部件，其設置在光漫射層和第一導電類型半導體層的暴露部分上；以及第一接合部件，其設置在第一反射部件上。
[0021] 第一電極可具有第一焊盤區(qū)和從第一焊盤區(qū)延伸的多個第一指區(qū)，其中，第二電極的指區(qū)可包括從第二電極的焊盤區(qū)延伸的多個第二指區(qū)，并且第一電極的第一指區(qū)和第二電極的第二指區(qū)可交替地布置以形成電流分散網(wǎng)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022] 通過以下結合附圖的詳細描述，將更加清楚地理解以上和其它方面，其中：
[0023] 圖1是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0024]圖2是沿著線ΙΙ-ΙΓ截取的圖1的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0025] 圖3是沿著線ΠΙΑ-IIIA'和線IIIB-IIIB'截取的圖1的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0026]圖4是示出根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的第二電極的另一示例的局部切除的透視圖；
[0027]圖5是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0028] 圖6是沿著線VIA-VIA'和線VIB-VIB'截取的圖5的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0029]圖7是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0030] 圖8是沿著線VIIIA-VIIIA'和線VIIIB-VIIIB'截取的圖7的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0031] 圖9A至圖9F是示出制造根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的方法中的各主要工藝的剖視圖；
[0032] 圖10是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0033] 圖11是沿著線)QA-XIA'和線ΠΒ-XIB'截取的圖1〇的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0034] 圖12是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0035] 圖13是沿著線ΧΠΙ-ΧΙΙΓ截取的圖12的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0036] 圖14是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0037] 圖15是沿著線XIV-XIV'截取的圖14的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖；
[0038] 圖16是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖；
[0039] 圖17是示出根據(jù)示例性實施例的布置第二接合部件的方法的示圖；
[0040]圖18和圖19是分別示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于封裝件的示例的示圖；
[0041] 圖20和圖21是分別示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于背光部件的示例的示圖；
[0042] 圖22是示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于發(fā)光裝置的示例的示圖；以及
[0043] 圖23是示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于前燈的示例的示圖。

【具體實施方式】
[0044]下文中，將參照附圖詳細描述示例性實施例。然而，本申請的發(fā)明構思可按照許多不同的形式實現(xiàn)，并且不應理解為限于本文闡述的示例性實施例。此外，提供這些示例性實施例以使得本公開將是徹底和完整的，并且將把本發(fā)明構思的范圍完全傳遞給本領域技術人員。在圖中，為了清楚起見，可夸大元件的形狀和尺寸，并且相同的附圖標記將始終指代相同或相似的元件。
[0045]圖1是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。
[0046]圖2是沿著線Π -ΙΓ截取的圖1的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0047] 圖3是沿著線ΙΠΑ-ΙΙΙΑ'和線IIIB-IIIB'截取的圖1的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0048]參照圖1至圖3,半導體發(fā)光器件100可包括襯底101、設置在襯底1〇1上的緩沖層110和設置在緩沖層110上的發(fā)光結構120。發(fā)光結構120可包括第一導電類型半導體層122、有源層124和第二導電類型半導體層I%。另外，半導體發(fā)光器件100可包括作為電極結構的第一電極130和第二電極140。第一電極130可包括第一反射部件134和第一接合部件136。第二電極140可包括透明電極部件142、第二反射部件144和第二接合部件 146。
[0049]如本文所用，基于附圖使用術語'在……之上'、'上部，、'上表面，、'在……之下，、 '下部'、'下表面'、'側表面'等，并且根據(jù)器件或封裝件實際設置的方向，所述術語可實際上不同。
[0050]可設置襯底101作為用于半導體生長的襯底。襯底101可由諸如藍寶石、Sic、 MgAl204、Mg0、LiA102、LiGa02、GaN等的絕緣材料、導電材料或半導體材料形成。廣泛地用作氮化物半導體生長襯底的藍寶石可為具有電絕緣特性和六菱形R3c對稱性的晶體。藍寶石在c軸方向上可具有it. 001 i的晶格常數(shù)，并且在A軸方向上可具有If 58 I的晶格常數(shù)，并且可包括C(0001)平面、A(1120)平面、R(1102)平面等。在這種情況下，C平面主要用作氮化物生長襯底，這是因為C平面相對有利于氮化物膜的生長并且在高溫下穩(wěn)定。多個不平坦結構可形成在襯底101的上表面（即，半導體層的生長表面）上。由于所述不平坦結構，可提高半導體層的結晶特性、發(fā)光效率等。
[0051]然而，根據(jù)各個示例性實施例，襯底101可與第一電極130 一起用作半導體發(fā)光器件100的電極，并且在這種情況下，襯底101可由導電材料形成。因此，襯底101可由包括以下物質之一的材料形成，所述物質有：金（All)、鎳（Ni)、鋁（A1)、銅（Cu)、鎢（W)、硅（Si)、硒（Se)、鍺（Ge)、氮化鎵（GaN)和砷化鎵（GaAs)，例如，摻有鋁（A1)的硅（Si)材料。
[0052]設置緩沖層110以減輕在襯底101上生長的發(fā)光結構！2〇中的晶格缺陷，并且可由包括氮化物等的未摻雜的半導體層形成緩沖層11〇。緩沖層110可減輕由例如藍寶石形成的襯底101與疊置在襯底101的上表面上并由GaN形成的第一導電類型半導體層122之間的日日格吊數(shù)的差異，以因此提聞GaN層的結晶特性?？衫梦磻K雜的GaN、A1N和InGaN 等形成緩沖層110,并且可在500°C至60(TC的低溫下生長緩沖層110以具有幾十至幾百埃的厚度。這里，術語"未摻雜的"指示未對半導體層執(zhí)行單獨的摻雜工藝，并且例如在氮化鎵半導體利用金屬有機化學氣相沉積（M0CVD)生長的情況下，雜質濃度固有地存在于半導體層中，可以包括約1014至1018/cm 3量的用作摻雜物的硅（Si)等。然而，在示例性實施例中，緩沖層110不是必要元件，因此根據(jù)示例性實施例可省略緩沖層 110。
[0053]發(fā)光結構12〇可包括按次序地設置在襯底101上的第一導電類型半導體層122、有源層1?和第二導電類型半導體層126。第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層126可分別為η型半導體層和p型半導體層。然而，示例性實施例不限于此，并且第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層 126可分別為ρ型半導體層和η型半導體層。第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層126可由氮化物半導體形成，例如由成分為AlJiiyGa^- yN(0彡X彡1，〇彡y彡ι，〇彡x+y彡1)的材料形成。除氮化物半導體之外，可利用基于AlGalnP的半導體或基于AlGaAs的半導體形成第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層 126。
[0054]有源層124可介于第一導電類型半導體層I22和第二導電類型半導體層 126之間，并由于電子和空穴的復合發(fā)射具有預定等級能量的光。有源層124可包括其能帶隙小于第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層126的能帶隙的材料。例如，當?shù)谝?導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層I%由基于GaN的化合物半導體形成時，有源層124可包括基于InAlGaN的化合物半導體，其能帶隙小于GaN的能帶隙。另外，有源層1?可具有量子勢壘層和量子阱層交替疊置的多量子阱（MQW)結構，例如InGaN/GaN結構。
[0055]設置第一電極13〇和第二電極140以用于第一導電類型半導體層12 2和第二導電類型半導體層U6的外部電連接，并可分別連接至第一導電類型半導體層122和第二導電類型半導體層U6。第一電極 130和第二電極14〇可基于襯底1〇1設置在相同方向上。 [00 56]第一電極130可設置在第一導電類型半導體層丨22的上表面上，使得通過發(fā)光結構110的臺面蝕刻區(qū)暴露第一電極no。第二電極14〇可設置在第二導電類型半導體層126 上。第一電極130可包括第一反射部件134和第一接合部件1況，并且第二電極140可包括透明電極部件142、第二反射部件144和第二接合部件146。
[0057]第一電極130以及第二電極140的第二反射部件144和第二接合部件146可分別包括焊盤區(qū)P和指區(qū)F，指區(qū)F從焊盤區(qū)P延伸并具有比焊盤區(qū)p的寬度更窄的寬度，以使得電流能夠均勻地注射至整個發(fā)光結構12〇中。
[0058]第一電極130可沿著發(fā)光結構120的邊緣區(qū)設置在第一導電類型半導體層丨22的暴露的上表面上，以更有效地散布電流。
[0059]在第一電極13〇中，第一反射部件134可用于防止在其電極區(qū)中吸收從有源層124 發(fā)射的光，并且可由與第一導電類型半導體層丨22具有歐姆特性的單層或多層導電材料形成。例如，第一反射部件134可包括Ag、Al、Rh和Ir之一，并且可為選自包括Mg、Zn、Sc、 Hf、Zr、Te、Se、Ta、W、Nb、Cu、Si、Ni、Co、Mo、Cr、Mn、Hg、Pr 和 La 的組中的至少一個與 Ag 或 A1的合金。
[0060]第一接合部件136可為第一電極13〇的接觸導電線、焊料凸塊等的區(qū)域，并且可包括八11、1、？13丨、11*、48、〇1、祖、11、(>等以及它們的合金中的至少一個，但是也可包括與第一反射部件134的材料不同的材料。
[0061]第二電極140的透明電極部件142可具有形成在其中的開口 0P。第二反射部件 144設置在透明電極部件142的開口 0P中，并且與透明電極部件142分隔開預定距離。第二接合部件146從第二反射部件144的一部分延伸至與第二反射部件144相鄰的透明電極部件142的一部分。
[0062]透明電極部件142的開口 0P可具有這樣的形狀，其中開口〇p在第二電極140的焊盤區(qū)P和指區(qū)F中連續(xù)。透明電極部件142可由具有高光透射率等級和相對優(yōu)秀的歐姆接觸性能的透明導電氧化物層形成，并且可由選自包括氧化銦錫（IT0)、摻鋅氧化銦錫 (ΖΙΤ0)、氧化鋅銦（ΖΙ0)、氧化鎵鋅（GI0)、氧化鋅錫（ΖΤ0)、摻氟氧化錫（FT0)、摻鋁氧化鋅 (ΑΖ0)、摻鎵氧化鋅（GZ0)、In 4Sn3012和ZivxMgx0(氧化鋅鎂，0彡X彡1)的組中的至少一個形成。
[0063]第二反射部件144可設置在開口 0P中并具有這樣的形狀，其中第二反射部件H4 在第二電極140的指區(qū)F和焊盤區(qū)P中連續(xù)。第二反射部件144可與透明電極部件142分隔開預定距離。在第二反射部件144形成為接觸透明電極部件142的情況下，會在它們之間的結界面中產(chǎn)生界面化合物，從而使驅動電壓增大，并且由于界面化合物會導致光吸收從而降低亮度。在第二反射部件144相對更加遠離透明電極部件142的情況下，第二反射部件144會具有較小的面積，從而使反射率劣化。因此，第二反射部件 144可與透明電極部件142分隔開一定距離，所述距離例如在從約3μπι至約6μπι的范圍內。第二反射部件144 可由與第一反射部件134的材料相同的材料形成。
[0064]在圖2和圖3中，雖然第二反射部件144示為其厚度大于透明電極部件142的厚度，但是根據(jù)示例性實施例,第二反射部件144的厚度不限于此，而是可小于或等于透明電極部件142的厚度。
[0065] 第二接合部件146可包括接合焊盤部件146Ρ和多個接合指部件146F。第二接合部件146可由與第一接合部件136的材料相同的材料形成，并且可包括與第二反射部件144 的材料不同的材料。
[0066]參照圖2,接合焊盤部件146P可延伸至透明電極部件142上，同時覆蓋焊盤區(qū)P中的第二反射部件144,并填充第二反射部件144與透明電極部件142之間的空隙。在指區(qū)F 中，多個接合指部件146F可排列在一條線上，同時彼此分隔開預定距離。接合指部件146F 的數(shù)量不限于附圖中示出的示例性實施例，并且可根據(jù)示例性實施例變化。參照圖3,接合指部件146F也可延伸至透明電極部件M2上，同時覆蓋第二反射部件144并填充第二反射部件144與透明電極部件142之間的空隙。雖然圖3中示出了接合焊盤部件146P和接合指部件146F具有相同高度的情況，但是根據(jù)示例性實施例，接合焊盤部件 146P可具有相對大的_度。
[0067] 接合指部件146F中的每一個在指區(qū)F從焊盤區(qū)P延伸的第一方向上（例如，在 X-方向上）可具有第一寬度D1，并且在垂直于第一方向的第二方向上（例如，在Y-方向上）可具有第二寬度D2,第二寬度D2大于第一寬度D1。接合指部件146F的形狀不限于圖1所示的示例性實施例，而是可不同地改變?yōu)橹T如矩形或橢圓形的形狀。接合焊盤部件146P可形成為其面積大于接合指部件14冊的面積，并且如圖1所示，接合焊盤部件146P具有圓形形狀，該圓形形狀具有大于第二寬度D 2的第三寬度D3。多個接合指部件146F中的每一個可以距離D4和距離D5同與其相鄰的接合指部件146F分隔開。根據(jù)示例性實施例，距離D4 和距離D5可彼此相等或彼此不等。
[0068] 根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件100可包括延伸至指區(qū)F的第二反射部件 144和具有相對小的面積的多個接合指部件14冊，以顯著提高光提取效率。另外，可將施加至接合焊盤部件14冊的外部電信號通過第二反射部件144傳送至指區(qū)F中的接合指部件 14冊，并到達透明電極部件14 2,以顯著降低電流濃度，從而不管指區(qū)F的長度如何都可有效地執(zhí)行電流分散。
[0069] 雖然示例性實施例例示了具有水平式結構的半導體發(fā)光器件100,其中第一導電類型半導體層122的一部分暴露出來，但是示例性實施例不限于此，并且也可使用具有豎直式結構的半導體發(fā)光器件。
[0070]圖4是不出根據(jù)不例性實施例的半導體發(fā)光器件的第二電極的示例的局部切除的透視圖。為了方便理解，圖4僅示出了對應于圖1至3的半導體發(fā)光器件1〇〇中的第二電極140的一部分，并且示出了接合焊盤部件246P的局部切除的示圖。
[0071] 參照圖4,第二電極240可包括：透明電極部件242,其具有在其中形成的開口〇p ; 第二反射部件244,其與透明電極部件242分隔開預定距離，并設置在開口 0P中；以及第二接合部件246,其從第二反射部件244的一部分延伸至鄰近第二反射部件244的透明電極部件24 2的一部分。第二接合部件2祕可包括接合焊盤部件24冊和多個接合指部件246F。
[0072] 在圖4的示例性實施例中，接合指部件24冊中的每一個可具有啞鈴形狀，其中接合指部件246F在透明電極部件 2似上的寬度D7大于其在第二反射部件244上的寬度D6。根據(jù)示例性實施例，接合指部件 24冊可具有從第二反射部件244至透明電極部件242逐漸增大的寬度。因此，透明電極部件2似與接合指部件246F之間的接觸面積可增大，從而可進一步有效地執(zhí)行電流分散。
[0073] 圖5是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。圖6是沿著線 VIA-VIA'和線VIB-VIB'截取的圖5的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0074] 參照圖5和圖6,半導體發(fā)光器件300可包括設置在襯底301上的緩沖層310和設置在緩沖層310上的發(fā)光結構320。發(fā)光結構320可包括第一導電類型半導體層322、有源層324和第二導電類型半導體層326。另外，半導體發(fā)光器件300可包括作為電極結構的第一電極330和第二電極340。第二電極340可包括透明電極部件342、第二反射部件344和第二接合部件346。
[0075] 第二電極340可包括：透明電極部件342,其具有在其中形成在其中的開口 0P ;第二反射部件344,其與透明電極部件342分隔開預定距離，并設置在開口 0P中；以及第二接合部件346,其從第二反射部件344的一部分延伸至鄰近第二反射部件344的透明電極部件 342的一部分。
[0076] 在圖5和圖6的示例性實施例中，第二接合部件346可包括接合焊盤部件346P、多個接合指部件346F和連接部件346C。連接部件346C可將接合焊盤部件346P與多個接合指部件346F連接，并可設置為從接合焊盤部件346P的一端穿過各接合指部件346F的中心部分。連接部件346C的寬度可等于或小于設置在連接部件346C下方的第二反射部件344 的寬度。
[0077] 圖7是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。圖8是沿著線 VIIIA-VIIIA'和線VIIIB-VIIIB'截取的圖7的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0078] 參照圖7和圖8,半導體發(fā)光器件400可包括設置在襯底401上的緩沖層410、發(fā) 光結構420和電流阻擋層450,并且發(fā)光結構420可包括第一導電類型半導體層422、有源層4M和第二導電類型半導體層426。另外，半導體發(fā)光器件400可包括作為電極結構的第一電極430和第二電極440。第二電極440可包括透明電極部件442、第二反射部件444和第二接合部件446。
[0079] 電流阻擋層450可設置在第二導電類型半導體層426上，但是也可設置在透明電極部件442中的開口 0P下方，同時具有與開口〇P的形狀相似的形狀，并且與開口〇p相比，電流阻擋層450具有更大的尺寸。因此，透明電極部件442可形成在電流阻擋層450的邊緣上。電流阻擋層450可包括絕緣材料，例如可包括Si0 2、SiN、A1203、HfO、Ti02和ZrO之一。
[0080] 由于電流阻擋層45〇,施加至第二接合部件446的電信號（例如電流）可通過透明電極部件4似容易地在整個發(fā)光結構420中散布，而不限制于在第二接合部件446的下部。
[0081] 圖9A至圖冊是示出制造根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的方法中的各主要工藝的剖視圖。具體地說，圖 9A至圖9F是沿著圖7的線IX-IX'截取的上述參照圖7和圖 8描述的半導體發(fā)光器件的剖視圖。然而，圖1至圖6的半導體發(fā)光器件也可按照與圖7和圖8的方式相似的方式制造。
[0082] 參照圖9A，緩沖層410可首先形成在襯底401上。然而，根據(jù)示例性實施例，可省略緩沖層410。如上所述，襯底401可由藍寶石、SiC、MgAl204、MgO、LiA10 2、LiGa02、GaN等形成，并且緩沖層410可由未摻雜的GaN、AIN、InGaN等形成。
[0083] 接著，可利用諸如金屬有機化學氣相沉積（M0CVD)、氫化物氣相外延（HVPE)、分子束外延（MBE)等的工藝形成發(fā)光結構420,其包括按次序地在緩沖層410上生長的第一導電類型半導體層422、有源層424和第二導電類型半導體層426。
[0084]參照圖9B，電流阻擋層450可形成在第二導電類型半導體層426的一個區(qū)上，在所述區(qū)上將形成第二反射部件444和第二接合部件446 (參照圖7和圖8)?？衫梅蛛x的掩模層通過沉積工藝和圖案化工藝形成電流阻擋層450。電流阻擋層450的尺寸可形成為大于圖7和圖8所示的透明電極部件442的開口 OP的尺寸。
[0085] 參照圖9C，透明電極部件442可形成在電流阻擋層450和第二導電類型半導體層 426上。透明電極部件442可由諸如ΙΤ0、CIO、ZnO等的透明導電材料形成。
[0086] 參照圖9D，可部分蝕刻透明電極部件442、第二導電類型半導體層426、有源層424 和第一導電類型半導體層422以暴露出第一導電類型半導體層422的至少一部分。
[0087] 通過蝕刻工藝暴露出的第一導電類型半導體層422的表面是用于形成第一電極 43〇(請參照圖7和圖8)的區(qū)域。在掩模層形成在透明電極部件442上之后（除用于形成第一電極430的區(qū)域以外），可通過濕蝕刻或干蝕刻形成臺面蝕刻區(qū)M。根據(jù)示例性實施例，可執(zhí)行蝕刻工藝，使得可僅將第一導電類型半導體層422的上表面部分地暴露，而不用蝕刻第一導電類型半導體層422。
[0088] 參照圖9E，通過利用分離的掩模層去除透明電極部件442的一部分以形成開口 0P?？赏ㄟ^例如濕蝕刻形成開口 0P。開口 0P可形成在電流阻擋層450上并小于電流阻擋層450,從而暴露出電流阻擋層450。因此，電流阻擋層450和透明電極部件442可在開口 0P的周圍以預定寬度重疊。
[0089] 接著，可執(zhí)行射頻（RF)等離子處理。通過RF等離子處理，氧化層可形成在第一導電類型半導體層422的暴露的表面上，從而可減小第一導電類型半導體層422與第一反射部件434之間的功函數(shù)的差異，以增大電流注入效率。例如，當?shù)谝粚щ婎愋桶雽w層422 由GaN形成并且第一反射部件434包括A1時，可通過RF等離子處理在第一導電類型半導體層422與第一反射部件434之間形成層。然而，根據(jù)示例性實施例，可省略RF等離子處理。
[0090] 然后，可形成第一反射部件434和第二反射部件444。第一反射部件434可形成在第一導電類型半導體層422的通過臺面蝕刻區(qū)Μ暴露出來的表面上，并且第二反射部件444 可形成在開口 0Ρ中的電流阻擋層450上。第二反射部件444可與透明電極部件442分隔開預定距離?？赏ㄟ^相同工藝由相同材料形成第一反射部件434和第二反射部件444,但也可通過分離工藝由不同材料來形成。
[0091] 參照圖9F，可形成第一接合部件436和第二接合部件446。第一接合部件436可在臺面蝕刻區(qū)Μ中形成在第一反射部件434上，并且第二接合部件446可形成為覆蓋第二反射部件444并與透明電極部件442的一部分重疊。第二接合部件446可形成為填充透明電極部件442與第二反射部件444之間的空隙。
[0092] 可通過相同工藝由相同材料形成第一接合部件436和第二接合部件446,但也可通過分離工藝由不同材料來形成。
[0093] 圖10是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。圖11是沿著線 ΠΑ-ΧΙΑ'和線ΧΙΒ-ΧΙΒ'截取的圖10的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0094] 參照圖10和圖11，半導體發(fā)光器件500可包括設置在襯底501上的緩沖層510和設置在緩沖層510上的發(fā)光結構520。發(fā)光結構520可包括第一導電類型半導體層522、有源層524和第二導電類型半導體層526。另外，半導體發(fā)光器件500可包括作為電極結構的第一電極530和第二電極540。
[0095] 第二電極540可包括：透明電極部件542,其具有在其中形成的第一開口 0Ρ1和第二開口 0P2 ;第二反射部件544,其與透明電極部件542分隔開預定距離，并設置在第一開口 0P1和第二開口 0P2中；以及第二接合部件5你，其布置在第二反射部件544或透明電極部件542上。
[0096] 透明電極部件542可具有在其中形成的多個第一開口 0P1和單個第二開口〇P2,并且多個第一開口 0P1可在指區(qū)F中排列在一條線上同時彼此分隔開預定距離，而單個第二開口 0P2可設置在焊盤區(qū)P中。第一開口 0P1和第二開口 0P2可具有島嶼形狀，并且第二開口 0P2可大于第一開口 0P1。多個第一開口 0P1的形狀和數(shù)量不限于示出的示例性實施例，而是可不同地改變。
[0097] 第二反射部件544的形狀可與第一開口 0P1和第二開口 0P2的形狀相似，并且第二反射部件544的一些部分可具有島嶼形狀，其中第二反射部件544的一些部分在第一開口 0P1和第二開口 0P2中彼此分隔開。
[0098] 第二接合部件546可包括接合焊盤部件546P、多個接合指部件546F和連接部件 546C。
[0099] 接合焊盤部件546P可延伸至透明電極部件542上，同時覆蓋焊盤區(qū)P中的第二反射部件544,并且在第二開口 0P2中填充第二反射部件544與透明電極部件542之間的空隙。
[0100] 多個接合指部件546F在指區(qū)F中可排列在一條線上，同時彼此分隔開預定距離。接合指部件546F的數(shù)量不限于附圖中示出的示例性實施例，而是可根據(jù)示例性實施例變化。接合指部件546F可延伸至透明電極部件542上，同時覆蓋第二反射部件544,并且在第一開口 0P1中填充第二反射部件544與透明電極部件542之間的空隙。
[0101] 連接部件54eC可將接合焊盤部件546P與多個接合指部件546F連接，并且可設置為從接合焊盤部件546P的一端穿過各接合指部件546F的中心部分。
[0102] 根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件500可包括具有相對小尺寸的多個接合指部件546F，并且在指區(qū)F中第二反射部件544的面積可明顯減小，從而進一步提高光提取效率。另外，即使在第一開口 0P1之間的區(qū)域中，連接部件546C和透明電極部件542也彼此接觸，以允許注入電流，從而提高光均勻度。
[0103] 圖12是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。圖13是沿著線 ΧΠΙ-ΧΙΙΓ截取的圖12的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0104] 參照圖12和圖13,半導體發(fā)光器件600可包括設置在襯底601上的緩沖層610和發(fā)光結構620,并且發(fā)光結構620可包括第一導電類型半導體層622、有源層624和第二導電類型半導體層626。另外，半導體發(fā)光器件600可包括作為電極結構的第一電極630和第二電極640。
[0105] 第一電極630可包括第一反射部件634和第一接合部件636。在示例性實施例中，第一電極630可包括焊盤區(qū)P和指區(qū)F，并且第一反射部件634可包括反射焊盤部件634P 和多個反射指部件634F。多個反射指部件634F可在反射指部件634F延伸的方向上在指區(qū) F中排列為彼此隔離。也就是說，多個反射指部件634F可彼此分隔開預定距離。
[0106] 第一接合部件636可布置在第一反射部件634上并在多個反射指部件634F之間與第一導電類型半導體層622接觸。因此，在根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件 6〇〇中，可進一步有效地執(zhí)行從第一電極630注入電流。此外,在上述參照圖9E的制造工藝中，可省略RF等離子處理，以形成簡化的工藝。
[0107]圖14是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。圖15是沿著線 XIV-XIV'截取的圖14的半導體發(fā)光器件的示意性剖視圖。
[0108] 參照圖14和圖15,半導體發(fā)光器件700可包括設置在襯底701上的緩沖層710和發(fā)光結構720,并且發(fā)光結構720可包括第一導電類型半導體層722、有源層724和第二導電類型半導體層726。另外，半導體發(fā)光器件700可包括作為電極結構的第一電極730和第二電極 740。具體地說，在示例性實施例中，半導體發(fā)光器件700還可包括設置在第一導電類型半導體層722上的光漫射層760,第一電極730設置在光漫射層760上。
[0109] 第一電極73〇可包括第一反射部件734和第一接合部件736,并具有焊盤區(qū)p和指區(qū)F。
[0110]光漫射層760可設置在第一電極730的下部的預定區(qū)中，以暴露出第一導電類型半導體層722。具體地說，光漫射層760可暴露出焊盤區(qū)P中的第一導電類型半導體層722，并且暴露出指區(qū)F的彼此分隔開的預定區(qū)中的第一導電類型半導體層722。因此，第一反射部件 734可僅直接接觸第一導電類型半導體層722的暴露區(qū)。
[0111] 光漫射層760可包括例如Si02、SiN、A120 3、HfO、Ti02和ZrO中的至少一個的絕緣材料。
[0112] 在根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件700中，光漫射層760可設置在第一導電類型半導體層722的暴露的上表面的一些部分上，其可防止從發(fā)光結構720發(fā)射的光在第一電極730與第一導電類型半導體層722之間的界面處全反射，從而提高亮度。
[0113]圖16是根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件的示意性平面圖。圖17是示出根據(jù) 示例性實施例的布置第二接合部件的方法的示圖。
[0114]參照圖I6,半導體發(fā)光器件8〇0的第一電極830和第二電極840可基于襯底設置在相同方向上。在圖16中，半導體發(fā)光器件800的一些組件未示出，并且對它們的描述可參照以上描述。
[0115] 第一電極830可設置在通過發(fā)光結構820的臺面蝕刻區(qū)暴露出的第一導電類型半導體層的上表面上，并且第二電極840可設置在布置在發(fā)光結構820的上部上的第二導電類型半導體層上。第二電極840可包括透明電極部件S42、第二反射部件844和第二接合部件846。第二接合部件846可包括接合焊盤部件846P和多個接合指部件846F。
[0116] 在示例性實施例中，第一電極83〇以及第二電極840的第二反射部件844和第二接合部件846可分別包括焊盤區(qū)P和多個指區(qū)F，多個指區(qū)F從焊盤區(qū)P延伸，并具有比焊盤區(qū)P的寬度更窄的寬度，以使得電流能夠均勻地注入整個發(fā)光結構820中。如圖16所示，第一電極83〇可包括兩個指區(qū)F，而第二電極840的第二反射部件844和第二接合部件846 可包括三個指區(qū)F。然而，第一電極830和第二電極840的指區(qū)F的數(shù)量不限于圖16和圖 17中示出的示例性實施例，而是可根據(jù)示例性實施例不同地改變。第一電極 83〇的指區(qū)f 以及第二反射部件844和第二接合部件846的指區(qū)F可交替設置。由于第一電極830和第二電極840的布置方式，電流可在發(fā)光結構 82〇中有效地流動，以增加發(fā)光效率。
[0117]參照圖16和圖17,例示了布置多個接合指部件846F的方法。圖17中可示出根據(jù) 給定的電流值利用電流分散長度在發(fā)光結構820的設有第二接合部件846的上表面上由虛線示出的虛擬電流分散網(wǎng)。可通過電流分散網(wǎng)形成多個六邊形區(qū)域H，并且多個接合指部件846F可設置在六邊形區(qū)域Η的頂點中。然而，考慮到第一電極830的布置方式，接合指部件84即可不設置在六邊形區(qū)域Η的特定行和列中。此外，在第二電極840的設置在三個指區(qū)F的中間的指區(qū)F中，接合指部件846F可設置在六邊形區(qū)域Η的頂點（也就是說，兩條線彼此交叉的點）中。
[0118] 在單個指區(qū)F中，彼此相鄰的接合指部件846F可彼此分隔開距離D4,并且距離D4 的值可與電流分散長度的值相等。
[0119] 根據(jù)上述布置方式，多個接合指部件846F可規(guī)則地排列在發(fā)光結構820的上表面上，從而可進一步有效地執(zhí)行電流散布。
[0120]圖18和圖19是分別示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于封裝件的示例的示圖。
[0121] 參照圖I8,半導體發(fā)光器件封裝件1000包括半導體發(fā)光器件1001、封裝件主體 1002和一對引線框10〇3。半導體發(fā)光器件1001可安裝在引線框1003上，以通過布線W與引線框1003電連接。根據(jù)示例性實施例，半導體發(fā)光器件1〇〇1可安裝在封裝件1〇〇〇的另一部分上（例如，封裝件主體1002上）而非引線框1003上。封裝件主體1002可具有杯形，以提高光反射效率，并且這種反射杯可填充有包括透光材料的密封構件1005,以包封半導體發(fā)光器件1001和布線W。在示例性實施例中，半導體發(fā)光器件封裝件1000可包括圖i 至圖8或圖10至圖16的各半導體發(fā)光器件中的任一個。
[0122] 參照圖19,半導體發(fā)光器件封裝件2000包括半導體發(fā)光器件2001、安裝板2010 和密封構件2003。另外，波長轉換部件2002可形成在半導體發(fā)光器件2001的上表面和側表面上。半導體發(fā)光器件2001可安裝在安裝板2010上，并且通過布線W與安裝板2010電連接。
[0123] 安裝板2010可包括襯底主體2011、上表面電極2013和下表面電極2014。另外，安裝板 2〇1〇還可包括連接上表面電極2013和下表面電極2014的穿通電極2012。安裝板 2010可設置為諸如PCB、MCPCB、MPCB、FPCB等的板，并且可按照多種方式使用其結構。
[0124] 波長轉換部件2002可包括熒光材料或量子點。密封構件2003可具有其上表面向上凸出的凸透鏡形狀，但是根據(jù)示例性實施例也可具有凹透鏡形狀，從而可控制通過密封構件2003的上表面發(fā)射的光的取向角。
[0125] 在示例性實施例中，半導體發(fā)光器件封裝件2000可包括圖1至圖8或圖10至圖 16的各種半導體發(fā)光器件中的任一個。
[0126]圖2〇和圖21是分別示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于背光部件的示例的示圖。
[0127] 參照圖20,背光單元3000包括安裝在襯底3002上的光源3001和設置在光源3001 上方的至少一個光學片材3003。光源3001可為具有與以上參照圖18和圖19描述的結構相同或相似的結構的半導體發(fā)光器件封裝件?？商鎿Q地，圖1至圖8或者圖10至圖16的各半導體發(fā)光器件之一可直接安裝在襯底3002上（所謂的板上芯片（C0B)式）。
[0128] 圖2〇的背光單元3〇00中的光源3001朝著設置在光源3001上側的液晶顯示（LCD) 裝置發(fā)射光。另一方面，安裝在根據(jù)圖21所示的示例性實施例的背光單元4000中的襯底 4002上的光源4001側向發(fā)光，并且發(fā)射的光入射至導光板4003,從而背光單元4000可用作表面光源。穿過導光板4003的光可向上發(fā)射，并且反射層4004可形成在導光板4003的底表面下方，以提高光提取效率。
[0129]圖22是示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于發(fā)光裝置的示例的示圖。
[0130] 參照圖22的分解透視圖，發(fā)光裝置5000例示為燈泡式燈，并包括發(fā)光模塊5003、驅動單元5008和外部連接器單元5010。另外，可額外包括諸如外部殼體5006、內部殼體 5009、蓋單元50〇7等的外部結構。發(fā)光模塊5003可包括光源5001和在其上安裝有光源 5001的電路板5002,光源5001的結構與以上參照圖18和圖19描述的半導體發(fā)光器件封裝件的結構相同或相似。示例性實施例示出了將單個光源5001安裝在電路板5002上的情況；然而，可根據(jù)需要將多個光源安裝在電路板5002上。
[0131]外部殼體5〇〇6可用作熱輻射部件，并包括與發(fā)光模塊5003直接接觸以改進散熱的散熱板5004和覆蓋發(fā)光裝置5000的側表面的熱輻射翅片5〇〇5。蓋單元5007可設置在發(fā)光模塊50〇 3上方，并且可具有凸透鏡形狀。驅動單元5008可設置在內部殼體5009內，并且可連接至諸如插座結構的外部連接器單元5010,以從外部電源接收功率。另外，驅動單元50〇 8可將接收到的功率轉換為適于驅動發(fā)光模塊5003的光源5001的電流源，并將轉換后的電流源供應至光源5001。例如，驅動單元5008可設置為AC-DC轉換器、整流電路部件等。
[0132] 此外，發(fā)光裝置5000還可包括通信模塊。
[0133] 圖23是示出將根據(jù)示例性實施例的半導體發(fā)光器件應用于前燈的示例的示圖。
[0134] 參照圖23,用作車輛照明元件等的前燈6000可包括光源6001、反射單元6005和透鏡覆蓋單元 6〇〇4,透鏡覆蓋單元6004包括空心導向部件6003和透鏡6002。光源6001 可包括圖18和圖19的半導體發(fā)光器件封裝件中的至少一個。
[0135] 前燈6000還可包括熱輻射單元6012,其使光源6001產(chǎn)生的熱向外消散。熱輻射單元601 2可包括散熱器6010和冷卻風扇6011，以有效地散熱。另外，前燈6000還可包括殼體6009,其允許將熱輻射單元6012和反射單元6005固定在其中，并因此支承它們。殼體 6009的一個表面可設有中心孔6008,熱輻射單元6012插入中心孔6008中以與其結合。
[0136] 一體地連接至殼體6009的所述一個表面并在垂直于殼體6009的所述一個表面的方向上彎曲的殼體6009的另一表面可設有前向孔6007,從而反射單元6005可設置在光源6001上方。因此，前向側可通過反射單元6005敞開，并且反射單元6005可固定至殼體 6009,以使得敞開的前向側對應于前向孔6007,從而通過設置在光源6001上方的反射單元 6005反射的光可穿過前向孔6007以向外發(fā)射。
[0137] 如上所述，根據(jù)示例性實施例,可提供通過明顯減小光吸收和有效地分布電流而具有改進亮度的半導體發(fā)光器件。
[0138] 雖然已經(jīng)示出并描述了示例性實施例，但是本領域技術人員應該清楚，在不脫離權利要求限定的本發(fā)明構思的精神和范圍的前提下，可作出修改和改變。
【權利要求】
1. 一種半導體發(fā)光器件，包括：發(fā)光結構，其包括第一導電類型半導體層、設置在所述第一導電類型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第二導電類型半導體層；第一電極，其設置在所述第一導電類型半導體層上；以及第二電極，其具有焊盤區(qū)和從所述焊盤區(qū)延伸的指區(qū)，其中，所述第二電極包括：透明電極部件，其設置在所述第二導電類型半導體層上，并具有設置在所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的開口；反射部件，其設置在所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的透明電極部件的開口中的第二導電類型半導體層上，并在所述開口中與所述透明電極部件分隔開；以及接合部件，其包括：多個接合指部件，其設置在所述指區(qū)中的反射部件上并彼此分隔開；以及接合焊盤部件，其設置在所述焊盤區(qū)中的反射部件上。
2. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述接合焊盤部件覆蓋所述焊盤區(qū) 中的透明電極部件的開口，并延伸至所述透明電極部件上，并且所述接合焊盤部件在所述焊盤區(qū)中的透明電極部件的開口中介于所述透明電極部件與所述反射部件之間。
3. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述多個接合指部件延伸跨過所述指區(qū)中的透明電極部件的開口并延伸至所述透明電極部件上，并且所述多個接合指部件在所述指區(qū)中的透明電極部件的開口中介于所述透明電極部件與所述反射部件之間。
4. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述多個接合指部件中的每一個接合指部件與所述多個接合指部件中的相鄰接合指部件分隔開預定距離。
5. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述接合部件還包括連接部件，其從所述接合焊盤部件延伸，并連接所述接合指部件。
6. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述接合指部件在所述指區(qū)從所述焊盤區(qū)延伸的第一方向上具有第一寬度，并且在垂直于所述第一方向的第二方向上具有第二寬度，并且其中，所述第二寬度大于所述第一寬度。
7. 根據(jù)權利要求6所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述接合焊盤部件的面積大于所述接合指部件中的每一個接合指部件的面積，并且所述接合焊盤部件具有圓形形狀，該圓形形狀具有大于所述接合指部件的第二寬度的第三寬度。
8. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，還包括電流阻擋層，其在所述焊盤區(qū)中的透明電極部件的開口中介于所述反射部件與所述第二導電類型半導體層之間。
9. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一電極包括：第一反射部件，其設置在所述第一導電類型半導體層上；以及第一接合部件，其設置在所述第一反射部件上。
10. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一電極具有第一焊盤區(qū)和從所述第一焊盤區(qū)延伸的第一指區(qū)，并且所述第一電極包括：第一反射部件，其設置在所述第一導電類型半導體層上，所述第一反射部件包括布置在所述第一焊盤區(qū)中的反射焊盤部件和布置在所述第一指區(qū)中并彼此分隔開的多個反射指部件；以及第一接合部件，其設置在所述第一焊盤區(qū)和所述第一指區(qū)中的第一反射部件上。
11. 根據(jù)權利要求10所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一接合部件設置在所述多個反射指部件之間的第一導電類型半導體層上。
12. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，還包括光漫射層，其設置在所述第一導電類型半導體層上，并暴露出所述第一導電類型半導體層的一部分，其中，所述第一電極包括：第一反射部件，其設置在所述光漫射層和所述第一導電類型半導體層的暴露部分上；以及第一接合部件，其設置在所述第一反射部件上。
13. 根據(jù)權利要求1所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第一電極具有第一焊盤區(qū)和從所述第一焊盤區(qū)延伸的多個第一指區(qū)，其中，所述第二電極的指區(qū)包括從所述第二電極的焊盤區(qū)延伸的多個第二指區(qū)，并且所述第一電極的第一指區(qū)和所述第二電極的第二指區(qū)交替地布置以形成電流分散網(wǎng)。
14. 一種半導體發(fā)光器件，包括：發(fā)光結構，其包括第一導電類型半導體層、設置在所述第一導電類型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第二導電類型半導體層；第一電極，其設置在所述第一導電類型半導體層上；以及第二電極，其設置在所述第二導電類型半導體層上并且具有焊盤區(qū)和從所述焊盤區(qū)延伸的指區(qū)，其中，所述第二電極包括接合部件，其包括延伸跨過所述指區(qū)的多個接合指部件和設置在所述焊盤區(qū)中的接合焊盤部件，并且其中，所述接合指部件彼此分隔開并且與所述接合焊盤部件分隔開。
15. 根據(jù)權利要求14所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述第二電極還包括：透明電極部件，其設置在所述第二導電類型半導體層上，并具有設置在所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的開口；以及反射部件，其設置在所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的透明電極部件的開口中的第二導電類型半導體層上，并在所述開口中與所述透明電極部件分隔開，其中，所述接合指部件設置在所述指區(qū)中的反射部件上，并且所述接合焊盤部件設置在所述焊盤區(qū)中的反射部件上。
16. -種半導體發(fā)光器件，包括：發(fā)光結構，其包括第一導電類型半導體層、設置在所述第一導電類型半導體層上的有源層和設置在所述有源層上的第二導電類型半導體層；第一電極，其設置在所述第一導電類型半導體層上；以及第二電極，其具有焊盤區(qū)和從所述焊盤區(qū)延伸的指區(qū)，其中，所述第二電極包括：透明電極部件，其設置在所述第二導電類型半導體層上，并具有設置在所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的開口；反射部件，其設置在所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的透明電極部件的開口中的第二導電類型半導體層上，并在所述開口中與所述透明電極部件分隔開；以及接合部件，其設置在所述指區(qū)和所述焊盤區(qū)中的反射部件上。
17. 根據(jù)權利要求16所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述接合部件包括：多個接合指部件，其設置在所述指區(qū)中的反射部件上；以及接合焊盤部件，其設置在所述焊盤區(qū)中的反射部件上，并且其中，所述接合指部件彼此分隔開并與所述接合焊盤部件分隔開。
18. 根據(jù)權利要求17所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述接合部件還包括連接部件，其設置在所述指區(qū)中的反射部件上，并從所述接合焊盤部件延伸并連接所述接合指部件。
19. 根據(jù)權利要求16所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述開口是圍繞所述焊盤區(qū)和所述指區(qū)中的反射部件的周圍的連續(xù)區(qū)。
20. 根據(jù)權利要求16所述的半導體發(fā)光器件，其中，所述開口包括所述指區(qū)中的至少一個第一開口和所述焊盤區(qū)中的第二開口，并且所述至少一個第一開口與所述第二開口分隔開，并且其中，所述反射部件包括設置在所述至少一個第一開口中的至少一個第一反射部件和設置在所述第二開口中的第二反射部件。
【文檔編號】H01L33/40GK104241486SQ201410267670
【公開日】2014年12月24日申請日期:2014年6月16日優(yōu)先權日:2013年6月17日
【發(fā)明者】金基石, 李相奭, 李守烈, 林璨默申請人:三星電子株式會社

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