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具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)、冷卻系統(tǒng)以及制造該結(jié)構(gòu)的方法

文檔序號:7050694閱讀:117來源:國知局
具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)、冷卻系統(tǒng)以及制造該結(jié)構(gòu)的方法
【專利摘要】本發(fā)明提出了一種具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu),其中冷卻裝置具有方形的主體和第一側(cè)邊元件,該主體具有主面、側(cè)面和縱面,其中大功率半導(dǎo)體模塊設(shè)置在第一主面上并且導(dǎo)熱地與主體相連,并且其中多個冷卻通道從第一側(cè)面朝第二側(cè)面延伸穿過主體。第一側(cè)邊元件緊密地貼靠在主體的第一側(cè)面上并且具有面向該第一側(cè)面的凹槽,冷卻通道通到該凹槽中并且該凹槽構(gòu)成了用于這些冷卻通道的連接空間。主體在此在其第一縱側(cè)上具有第一流體接口,其中第一流體接口過渡到第一連接通道中,該連接通道以在30°和75°之間的角度在第一側(cè)面上排出并且在第一入口上通到該處的第一連接空間中。
【專利說明】具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)、冷卻系統(tǒng)以及制造該結(jié)構(gòu)的方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)、一種設(shè)置有該結(jié)構(gòu)的冷卻系統(tǒng)以及一種用于制造該結(jié)構(gòu)的方法。

【背景技術(shù)】
[0002]由現(xiàn)有技術(shù),例如由DE 197 47 321 Al已知一種用于大功率半導(dǎo)體模塊的冷卻裝置,其中該冷卻裝置由導(dǎo)熱良好的冷卻體構(gòu)成,該冷卻體具有多個用來接收流態(tài)冷卻介質(zhì)的冷卻通道。在每個冷卻通道中抗扭地設(shè)置有螺線,其外徑與冷卻通道的內(nèi)部輪廓一樣大。冷卻裝置的進入孔和排出孔偏置地設(shè)置在側(cè)面上,因此不存在優(yōu)選的具有更小流動阻力的管子。
[0003]流量在此不能與各管子相匹配,或只能以巨大的花費才能匹配。此外,各外部的冷卻通道就流量而言是優(yōu)選的。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]在上述事實的基礎(chǔ)上,本發(fā)明的目的是,提出一種具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)以及一種尤其優(yōu)選的用來制造這種結(jié)構(gòu)的方法,其中多個冷卻通道的流量能夠在其比例上進行調(diào)節(jié)并且同時或備選地補償或均衡。
[0005]此目的按本發(fā)明通過具有權(quán)利要求1特征的結(jié)構(gòu)以及通過按權(quán)利要求14所述的方法得以實現(xiàn)。在各從屬權(quán)利要求中描述了優(yōu)選的實施例。
[0006]在按本發(fā)明的具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)中,冷卻裝置構(gòu)成為具有方形的主體和第一側(cè)邊元件的流體冷卻裝置,該主體具有相互平行設(shè)置的第一和第二主面、側(cè)面和縱面,其中大功率半導(dǎo)體模塊設(shè)置在第一主面上并且導(dǎo)熱地與主體相連。多個冷卻通道從第一側(cè)面朝第二側(cè)面延伸穿過主體,其中第一側(cè)邊元件緊密地貼靠在主體的第一側(cè)面上并且具有面向該第一側(cè)面的凹槽,冷卻通道通到該凹槽中并且該凹槽構(gòu)成了用于這些冷卻通道的連接空間。主體在其第一縱側(cè)上具有第一流體接口,其中第一流體接口過渡到第一連接通道中,該連接通道以在30°和75°之間的第一角度在第一側(cè)面上排出并且在第一入口上連通到該處的第一連接空間。
[0007]原則上作為等同的解決方案,連接空間也可局部地或完全地設(shè)置在主體中,其方式是,在側(cè)邊元件上類似地設(shè)置凹槽。
[0008]所述的大功率半導(dǎo)體模塊當(dāng)然指至少一個大功率半導(dǎo)體模塊,其中多個功率半導(dǎo)體構(gòu)件能夠設(shè)置在主體上。
[0009]優(yōu)選的是,第一連接通道在第一流體接口過渡時具有第一寬度和第一橫截面,并且在第一連接空間的第一入口上具有第二寬度和第二橫截面,其中第二橫截面具有第一橫截面的75%至125%的面積。在此,第一、第二或兩個橫截面都構(gòu)成為圓形。第一和第二橫截面在此以及在下面總是指垂直于流動方向的表面。寬度同樣定義為這些橫截面的寬度。
[0010]同樣,第一流體接口與所屬的第一側(cè)面能夠具有間距,該間距在第一寬度的0.5至5倍之間。
[0011]第一連接通道優(yōu)選具有直的、垂直于第一側(cè)面的第一通道部段和直的第二通道部段,該第二通道部段以第一角度從第一側(cè)面通到第一連接空間中,其中這兩個通道部段具有過渡區(qū)域,該過渡區(qū)域?qū)⑦@兩個通道部段連接起來。
[0012]還有利的是,冷卻通道具有第三寬度和相互等距離的間距,該間距是第三寬度的0.2至3倍。在此,冷卻通道的寬度是指平行于主體的主面且垂直于冷卻介質(zhì)的冷卻流體的流動方向的寬度。在此,第一入口在此與相鄰的冷卻通道具有間距,該間距是冷卻通道相互間的間距的0.5至5倍。
[0013]第一側(cè)邊元件的凹槽以優(yōu)選的方式具有U形的第三橫截面。第三橫截面可具有在長度上恒定的間距并且從側(cè)面(該側(cè)面從屬于第一入口)持續(xù)或非持續(xù)地減小。第三橫截面的面積在此以及在下文當(dāng)然只是指第一入口和最后一個冷卻通道之間的相關(guān)區(qū)域。持續(xù)地減少在此指,在第一入口至最后一個冷卻通道之間的相關(guān)范圍中的直徑不是增大,而是減少。非持續(xù)地減少在此應(yīng)指,直徑在短的范圍內(nèi)變大,以便在第一入口的附近形成渦流室。
[0014]尤其有利的是,主體朝其中間平面是對稱的并因此也具有第二流體接口,其中第二流體接口過渡到第二連接通道中,該連接通道以在30°和75°之間的第二角度在第二側(cè)面上排出并且在第二入口上同樣連通到第二側(cè)邊元件的該處的第二連接空間。中間平面在此指對稱平面,它平行于側(cè)面進行延伸并且從中間分割主面和縱面。在此尤其有利的是,第一和第二流體接口在主體的縱向方向上并排設(shè)置。
[0015]按本發(fā)明的冷卻系統(tǒng)具有兩個上述結(jié)構(gòu),其分別只具有一個流體接口。這兩個結(jié)構(gòu)借助其第二側(cè)面相互平行且鏡像對稱地設(shè)置,并且借助額外的連接裝置彼此連接。
[0016]為此尤其有利的是,該連接裝置是耦合裝置,它使兩個結(jié)構(gòu)的所屬的相互對齊的冷卻通道分別相互連接。
[0017]該尤其優(yōu)選的用來制造具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置的結(jié)構(gòu)的方法的特征尤其在于以下主要的方法步驟,其中該冷卻裝置構(gòu)成為流體冷卻裝置:
[0018]a)由鋁或鋁合金擠壓制造主體,其中在此只構(gòu)成冷卻通道;
[0019]b)形成第一和第二通道部段,方式是從主體的第一縱面垂直地引入第一通道部段,并且其中第二通道部段由第一側(cè)面以在30°和75°之間的第一角度引入;第一和第二通道部段優(yōu)選在此分別借助切削方法引入;
[0020]c)設(shè)置側(cè)邊元件和大功率半導(dǎo)體模塊。
[0021]應(yīng)理解,本發(fā)明的各個構(gòu)造方案能夠單獨地或者在任意的本身不排斥的組合中實現(xiàn),以實現(xiàn)改進。以上提到和闡述的特征尤其與它們是否在該方法和內(nèi)容的框架內(nèi)被提及無關(guān),并且不僅能在提到的組合中應(yīng)用,而且還能在其它的組合中或單獨地應(yīng)用,而不會偏離本發(fā)明的范圍。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]本發(fā)明的其它闡述、有利的細(xì)節(jié)和特征都來自按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的圖1至7所示的實施例的以下描述或來自其中的一部分描述。
[0023]圖1在主面的俯視圖中示出了按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的第一種構(gòu)造方案,該結(jié)構(gòu)具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置;
[0024]圖2在俯視圖中示出了按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的第二種構(gòu)造方案;
[0025]圖3在俯視圖中示出了按本發(fā)明的第一種冷卻系統(tǒng);
[0026]圖4在俯視圖中示出了按本發(fā)明的第二種冷卻系統(tǒng);
[0027]圖5在橫截面中示出了按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的側(cè)面元件;
[0028]圖6在第一側(cè)面的視圖中示出了按本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu);
[0029]圖7在第一縱面的視圖中示出了按本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu)。

【具體實施方式】
[0030]圖1在主面的俯視圖中示出了按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的第一構(gòu)造方案的剖面圖,該結(jié)構(gòu)具有大功率半導(dǎo)體模塊和冷卻裝置。在此示出了主體30,其具有相互平行設(shè)置的第一和第二主面300、301 (參見圖6)、第一和第二側(cè)面302、303以及第一和第二縱面304、305,并且具有四個冷卻通道,這些冷卻通道從第一側(cè)面302延伸至第二側(cè)面303。由于主體30在擠壓法中由鋁或由主要含鋁的合金制成,以此構(gòu)造這些冷卻通道32。
[0031]還參見圖6,在第一主面300上設(shè)置多個大功率半導(dǎo)體模塊2,為了清晰起見只示出了其中一個。這些大功率半導(dǎo)體模塊2優(yōu)選是以常規(guī)形式制成的大功率半導(dǎo)體模塊,它們典型地在同樣示意性示出的功率半導(dǎo)體構(gòu)件20的范圍內(nèi)局部地具有最高的冷卻要求。經(jīng)模擬示出了,在按所述現(xiàn)有技術(shù)的冷卻裝置中中間的冷卻通道通常正好具有比各外部冷卻通道更小的冷卻流體流量,并因此具有更小的冷卻功率。另一方面,設(shè)置在中間冷卻通道上方的功率半導(dǎo)體構(gòu)件大多需要最高的冷卻功率,因為與設(shè)置在外部冷卻通道上方的功率半導(dǎo)體構(gòu)件20相比,側(cè)面的熱量排放只能以更小的程度實現(xiàn)。
[0032]冷卻裝置3還具有第一側(cè)邊元件40 (在此為了使視圖清楚而隔開地示出),它緊密地(示例性地借助示意性示出的螺紋連接和未示出的密封元件)設(shè)置在主體30的第一側(cè)面302上。第一側(cè)邊元件40在其貼靠在第一側(cè)面302的側(cè)邊上具有第一凹槽42。因此該凹槽構(gòu)成連接空間420,所有冷卻通道都通到該連接空間中。該凹槽42在此具有U形的第三橫截面,它們的面積在此在整個相關(guān)長度上都是恒定的。
[0033]按本發(fā)明,主體30在其第一縱側(cè)304上具有第一流體接口 34。該第一流體接口34能夠如所示的一樣構(gòu)成為螺紋連接,用來輸入或排出冷卻流體的裝置能夠設(shè)置在該螺紋連接上。
[0034]該第一流體接口 34過渡到第一連接通道36中,該連接通道具有直的第一通道部段360,該通道部段如同所示的一樣優(yōu)選垂直于第一縱側(cè)304延伸到主體30中。第一連接通道36還具有直的第二通道部段370,它以第一角度從第一入口 30上的第一側(cè)面302通到第一連接空間420中。這兩個通道部段360、370在主體30的容積中具有共同的過渡區(qū)域364。第一通道部段360在此借助切削方式(例如鉆孔或銑削方式)從第一縱面304開始垂直地引入到主體30中。第二通道部段370在此同樣借助切削方式從第一縱面302開始以第一角度ct引入到主體30中。
[0035]第一連接通道36在從第一流體接口 34的過渡部并且在其進一步的走向中具有第一寬度362以及構(gòu)成為圓形的第一橫截面。同樣,第二連接通道37在第一連接腔420的第一入口 38上在它的其它走向中具有第二寬度372以及同樣構(gòu)成為圓形的第二橫截面。在此構(gòu)造方案中,第二橫截面具有第一橫截面的90%的面積,因此提高了冷卻流體的流動速度。
[0036]圖2在與圖1類似的視圖中示出了按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的第二構(gòu)造方案,其中為了使視圖清晰沒有示出大功率半導(dǎo)體模塊,而只是示出了冷卻裝置。第二構(gòu)造方案與按圖1的構(gòu)造方案的區(qū)別主要在于,主體30構(gòu)造得朝其中間平面9是對稱的。因此,主體30具有第二流體接口 54。在此,第一和第二流體接口 34、56在主體30的縱向方向上并排地、但隔開地設(shè)置。
[0037]第二流體接口 54過渡到第二連接通道56中,該連接通道以第二角度(與第一角度相同)在主體30的第二側(cè)面303(參見圖1)上排出,并且在第二入口上通到第二側(cè)邊元件60的該處的第二連接空間620中。
[0038]結(jié)合圖1、2,第一和第二側(cè)邊元件40、60的各凹槽42、62鏡像對稱地具有相同的I形的第三橫截面。該第三橫截面具有從各側(cè)邊在相關(guān)長度上持續(xù)減小的面積。該側(cè)邊從屬于各自的入口 38。
[0039]此外,圖2還示出了冷卻流體經(jīng)由按本發(fā)明的連接通道的流入效果。冷卻流體以一角度(優(yōu)選以50。至60。的角度)從連接通道中排出,這產(chǎn)生了渦流,該渦流負(fù)責(zé)在冷卻通道中實現(xiàn)均勻的流量。本發(fā)明的主要特征是冷卻流體以規(guī)定的角度從入口中排出。該精確調(diào)節(jié)通過該入口與冷卻通道的相對位置來實現(xiàn)。參見圖6,模擬表明,在現(xiàn)有技術(shù)中通流最好的冷卻通道的流量比最少流量最多高5倍。在如同此處建議的構(gòu)造方案中,這些差異在30%至40%的范圍內(nèi),并且沒有其它用來調(diào)節(jié)或引導(dǎo)流體的措施。
[0040]圖3在俯視圖中示出了按本發(fā)明的第一種冷卻系統(tǒng)10。該冷卻系統(tǒng)10由兩個按圖1的結(jié)構(gòu)3構(gòu)成,其中這兩個結(jié)構(gòu)3借助其第二側(cè)面303(參照圖1)相互平行且鏡像對稱地設(shè)置,并且借助額外的連接裝置彼此連接。該額外的連接裝置在此由耦合裝置70構(gòu)成,該耦合裝置使這兩個結(jié)構(gòu)3或主體30的所屬的相互對齊的冷卻通道32分別相互連接。因此,在一定程度上產(chǎn)生了連接在一起的冷卻通道,它們直線地延伸穿過兩個結(jié)構(gòu)3和耦合裝置70。
[0041]側(cè)邊元件40、60分別構(gòu)成冷卻系統(tǒng)的終結(jié)處。在此冷卻系統(tǒng)10中第一流體接口34示例性地起進入口的作用,冷卻流體通過該流體接口經(jīng)由第一連接通道36并且通過第一入口 38抵達(dá)第一連接空間420中。該冷卻流體通過這些冷卻通道抵達(dá)第二連接空間620中,并且從該處通過第二入口 58抵達(dá)第二連接通道56中。那么,該所屬的第二流體接口 54當(dāng)作冷卻流體的排出口來用。
[0042]此外,該耦合裝置70形成額外的連接裝置,用來實現(xiàn)兩個結(jié)構(gòu)3的機械連接。此夕卜,該耦合裝置70或各個待與之相連的主體30提供了密封裝置,用來實現(xiàn)液密的連接。
[0043]大功率半導(dǎo)體模塊2設(shè)置在這兩個結(jié)構(gòu)上。在此只示意性地示出了這些大功率半導(dǎo)體模塊2中的一個。
[0044]圖4在俯視圖中示出了按本發(fā)明的第二種冷卻系統(tǒng)。該冷卻系統(tǒng)也具有兩個結(jié)構(gòu),它們借助其第二側(cè)面303(參照圖1)相互鏡像對稱地設(shè)置并且借助額外的連接裝置彼此連接。該連接裝置具有輔助體80以及兩個耦合裝置70,該輔助體與主體30類似地構(gòu)造。該輔助體與主體相同,但當(dāng)然不具有流體接口和連接通道。通過把結(jié)構(gòu)3與輔助體80的主體30以及其它結(jié)構(gòu)3排成一列,又與主體30排成一列,在一定程度上產(chǎn)生了連接在一起的冷卻通道,它們直線地延伸穿過冷卻系統(tǒng)10。
[0045]大功率半導(dǎo)體模塊2設(shè)置該主體30和輔助體80上。在此只示意性地示出了這些大功率半導(dǎo)體模塊2中的一個。
[0046]圖5在從所屬的主體的縱面看的橫截面中示出了按本發(fā)明的結(jié)構(gòu)的側(cè)面元件。在此可看到朝向主體的所屬的側(cè)面302敞開的凹槽,該凹槽在朝向主體30的結(jié)構(gòu)中形成連接空間420 (參照圖1)。該凹槽構(gòu)成為U形,并且具有第三橫截面。
[0047]圖6在主體的第一側(cè)面的視圖中示出了按本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu),其具有冷卻裝置的主體30以及大功率半導(dǎo)體模塊2。大功率半導(dǎo)體模塊在此示意性地示出為具有殼體22、大功率半導(dǎo)體構(gòu)件20、電絕緣且導(dǎo)熱的基體26和接口裝置24。
[0048]圖6還示出了冷卻通道32,與圓形構(gòu)造相比,它們在此具有擴大了表面的、星狀的構(gòu)造。原則上總是努力使冷卻通道這樣構(gòu)成,即盡量有效地使熱量從冷卻體材料轉(zhuǎn)換到冷卻介質(zhì)上。冷卻通道的構(gòu)造方案(尤其是常規(guī)的構(gòu)造方案)的變形方式不是本發(fā)明的主題。
[0049]冷卻通道32分別具有統(tǒng)一的第三寬度320和相互等距離的間距322,該間距在此約為第三寬度的0.5倍。
[0050]第一入口 38在此與相鄰的冷卻通道32具間距34,該間距是冷卻通道相互間的間距322的2倍。
[0051]圖7在主體的第一縱面304的視圖中示出了按本發(fā)明的第一種結(jié)構(gòu)I。還示意性地示出了大功率半導(dǎo)體模塊、第一流體接口 34以及連接到它上面的具有第一寬度362的第一連接通道36 (參見圖1)。流體接口 34與所屬的第一側(cè)面302的間距340在此是第一連接通道的第一寬度362的2.5倍。
【權(quán)利要求】
1.一種具有大功率半導(dǎo)體模塊(2)和冷卻裝置(3)的結(jié)構(gòu)(I),其中,該冷卻裝置(3)構(gòu)成為具有方形的主體(30)和第一側(cè)邊元件(40)的流體冷卻裝置,該主體具有相互平行設(shè)置的第一主面和第二主面(300、301)、第一側(cè)面和第二側(cè)面(302、303)以及第一縱面和第二縱面(304、305),其中,該大功率半導(dǎo)體模塊(2)設(shè)置在該第一主面(300)上并與該主體(30)導(dǎo)熱連接,其中,多個冷卻通道(32)從該第一側(cè)面(302)朝向該第二側(cè)面(303)延伸穿過該主體(30),該第一側(cè)邊元件(40)緊密地貼靠在該主體(30)的第一側(cè)面(302)上并且具有面向該第一側(cè)面(302)的凹槽(42),該冷卻通道(32)連通到該凹槽中并且該凹槽構(gòu)成用于該冷卻通道(32)的連接空間,其中,該主體(30)在該第一縱面(304)上具有第一流體接口(34),其中,該第一流體接口(34)過渡到第一連接通道(36),該第一連接通道以在30°到75°之間的第一角度(α)在該第一側(cè)面(302)上排出并且在第一入口(38)連通到第一連接空間(420)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一連接通道(36)在所述第一流體接口(34)的過渡部具有第一寬度(362)和第一橫截面,并且在所述第一連接空間(420)的第一入口(38)上具有第二寬度(372)和第二橫截面,其中,所述第二橫截面具有第一橫截面的75%至125%的面積。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一、第二或兩個橫截面均構(gòu)成為圓形。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一流體接口(34)與所述第一側(cè)面(302)具有間距(340),該間距在所述第一寬度(362)的0.5至5倍之間。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中任一項所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一連接通道(36)具有直的、垂直于第一側(cè)面(304)的第一通道部段(360)和直的第二通道部段(370),該第二通道部段以第一角度(α)從該第一側(cè)面(302)連通到所述第一連接空間(420)中,并且,該第一和第二通道部段(360、370)具有過渡區(qū)域(364)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的結(jié)構(gòu),其中,所述冷卻通道(32)具有第三寬度(320)和相互等距離的間距(322),該間距是該第三寬度的0.2至3倍。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一入口(38)與相鄰的冷卻通道(32)具有間距(324),該間距是冷卻通道相互間的間距(322)的0.5至5倍。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一側(cè)邊元件(40)的凹槽(42)具有U形的第三橫截面。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第三橫截面具有在長度上恒定的面積并且從從屬于第一入口的側(cè)面持續(xù)或非持續(xù)地減小。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的結(jié)構(gòu),其中,所述主體(30)關(guān)于其中間平面(9)對稱地構(gòu)造并具有第二流體接口(54),其中,該第二流體接口(54)過渡到第二連接通道(56)中,該第二連接通道以在30°和75°之間的第二角度在第二側(cè)面(303)上排出并且在第二入口連通到第二側(cè)邊元件¢0)的第二連接空間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的結(jié)構(gòu),其中,所述第一和第二流體接口(34、56)在所述主體(30)的縱向方向上并排地設(shè)置。
12.—種冷卻系統(tǒng)(10),其具有兩個根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項所述的結(jié)構(gòu),其中,這兩個結(jié)構(gòu)借助各自的第二側(cè)面(303)相互平行且鏡像對稱地設(shè)置,并且借助額外的連接裝置彼此連接。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的冷卻系統(tǒng),其中,所述連接裝置是耦合裝置(70),該耦合裝置使所述兩個結(jié)構(gòu)的所屬的相互對齊的冷卻通道(32)分別相互連接。
14.一種用來制造具有大功率半導(dǎo)體模塊(2)和冷卻裝置(3)的結(jié)構(gòu)的方法,其中該冷卻裝置(3)構(gòu)成為流體冷卻裝置,該方法的特征尤其在于以下主要的方法步驟: a)由鋁或鋁合金擠壓制造主體,其中,在此只構(gòu)成冷卻通道(32); b)形成第一和第二通道部段(360、370),方式是從主體(30)的第一縱面(304)垂直地引入第一通道部段(360),并且其中,所述第二通道部段(370)由第一側(cè)面(302)以在30°和75°之間的第一角度(α)引入; c)設(shè)置側(cè)邊元件(40)和大功率半導(dǎo)體模塊(2)。
15.按權(quán)利要求14所述的方法,其中,所述第一和第二通道部段(360、370)分別借助切削方法引入。
【文檔編號】H01L23/367GK104347545SQ201410258530
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2014年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月29日
【發(fā)明者】K·帕拉哈, R·波普 申請人:賽米控電子股份有限公司
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