顯示裝置及其制造方法
【專(zhuān)利摘要】顯示裝置可包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域。該顯示裝置還可包括圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域。該顯示裝置還可包括設(shè)置在該顯示區(qū)域中的像素。該顯示裝置還可包括設(shè)置在該周邊區(qū)域中并配置為傳輸信號(hào)的總線(xiàn)。該顯示裝置還可包括與總線(xiàn)電連接的連接導(dǎo)體組。該顯示裝置還可包括與連接導(dǎo)體組電連接，并配置為從總線(xiàn)接收信號(hào)和將信號(hào)傳輸至像素的支線(xiàn)，其中支線(xiàn)的一部分設(shè)置在顯示區(qū)域中。
【專(zhuān)利說(shuō)明】顯示裝置及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示裝置（如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置）及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 諸如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的裝置可包括兩個(gè)電極和設(shè)置在這兩個(gè)電極 之間的有機(jī)發(fā)光層。在操作中，從一個(gè)電極注入的電子和從另一電極注入的空穴在有機(jī)發(fā) 光層中結(jié)合，以使得形成激子，并使用與激子關(guān)聯(lián)的能量來(lái)發(fā)光。
[0003] 通常，在制造顯示裝置中，形成多個(gè)薄膜和導(dǎo)線(xiàn)，并執(zhí)行0S(開(kāi)路和/或短路）測(cè) 試，該0S測(cè)試用于確認(rèn)在導(dǎo)線(xiàn)的一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)線(xiàn)組中是否存在任何非預(yù)期的開(kāi)路電路和/ 或任何非期望的短路電路。在0S測(cè)試中，導(dǎo)線(xiàn)組的一端與短路棒連接，0S測(cè)試點(diǎn)形成在導(dǎo) 線(xiàn)的另一端，探針與該短路棒和0S測(cè)試點(diǎn)接觸，并施加電信號(hào)以測(cè)試在導(dǎo)線(xiàn)組中是否存在 非預(yù)期的開(kāi)路或非預(yù)期的短路。如果在測(cè)量電阻（在0S測(cè)試中獲得）與預(yù)定的電阻標(biāo)準(zhǔn) 之間的差別不夠大，則檢測(cè)鄰近的導(dǎo)線(xiàn)之間的短路可能十分困難。
[0004]

【背景技術(shù)】部分中公開(kāi)的上述信息僅用于增強(qiáng)對(duì)本發(fā)明的背景的理解?！颈尘凹夹g(shù)】部 分可包含不形成在本國(guó)為本領(lǐng)域技術(shù)人員所已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及顯示裝置，如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置。顯示裝置 可包括這樣的一個(gè)或多個(gè)結(jié)構(gòu)，其配置為便于在制造顯示裝置過(guò)程中進(jìn)行用于初始化電壓 線(xiàn)和全局控制信號(hào)線(xiàn)中至少之一的至少一個(gè)開(kāi)路和/或短路（0S)測(cè)試。本發(fā)明的實(shí)施方 式可涉及用于制造顯示裝置的方法。
[0006] 本發(fā)明的實(shí)施方式可涉及顯示裝置，其可包括用于顯示圖像的顯示區(qū)域。顯示裝 置還可包括圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域。顯示裝置還可包括設(shè)置在顯示區(qū)域中的像素。顯示 裝置還可包括設(shè)置在周邊區(qū)域中并配置為傳輸信號(hào)的總線(xiàn)。顯示裝置還可包括與總線(xiàn)電連 接的連接導(dǎo)體組。顯示裝置還可包括支線(xiàn)，該支線(xiàn)與連接導(dǎo)體組電連接并配置為從總線(xiàn)接 收信號(hào)和將信號(hào)傳輸至像素，其中支線(xiàn)的一部分設(shè)置在顯示區(qū)域中。
[0007] 顯示裝置可以是0LED顯示裝置。
[0008] 信號(hào)可以是初始化電壓信號(hào)或控制信號(hào)。
[0009] 連接導(dǎo)體組可包括以下元件：互連導(dǎo)體、總線(xiàn)連接導(dǎo)體組以及支線(xiàn)連接導(dǎo)體組，其 中總線(xiàn)連接導(dǎo)體組可與互連導(dǎo)體和總線(xiàn)中的每個(gè)直接接觸，支線(xiàn)連接導(dǎo)體組可與總線(xiàn)連接 導(dǎo)體分離并與互連導(dǎo)體和支線(xiàn)中的每個(gè)直接接觸。互連導(dǎo)體的材料可以與總線(xiàn)連接導(dǎo)體組 和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的材料不同。
[0010] 互連導(dǎo)體可與總線(xiàn)和支線(xiàn)中的每個(gè)重疊并直接接觸。
[0011] 顯示裝置可包括以下元件：基底；設(shè)置在基底和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組之間的柵極絕緣 層；以及設(shè)置在支線(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)之間的層間絕緣層。
[0012] 層間絕緣層具有開(kāi)口?；ミB導(dǎo)體的一部分設(shè)置在開(kāi)口內(nèi)部并與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的 第一部分直接接觸。支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第二部分與支線(xiàn)直接接觸。
[0013] 支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第二部分的材料可以與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第一部分的材料不 同。
[0014] 層間絕緣層可具有接觸孔。支線(xiàn)可通過(guò)接觸孔與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組連接。
[0015] 顯示裝置可包括存儲(chǔ)電容，該存儲(chǔ)電容包括第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極。第二 存儲(chǔ)電極可設(shè)置在柵極絕緣層和層間絕緣層之間。總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至 少之一的材料可與第二存儲(chǔ)電極的材料相同。
[0016] 顯示裝置可包括以下元件：包括柵極電極、源極電極和漏極電極的晶體管；設(shè)置 在所述顯示區(qū)域中并與源極電極和漏極電極之一電連接的像素電極。像素電極的材料可與 互連導(dǎo)體的材料相同。
[0017] 總線(xiàn)和支線(xiàn)中至少之一的材料可與源極電極和漏極電極中至少之一的材料相同。
[0018] 總線(xiàn)的材料可與柵極電極的材料相同。
[0019] 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的第一材料可與柵極電極的材料 相同。
[0020] 顯示裝置可包括具有存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)電容?？偩€(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中 至少之一的第二材料可以與存儲(chǔ)電極的材料相同。
[0021] 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組可包括第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體。支線(xiàn)連接導(dǎo)體組可包括第一支線(xiàn)連接 導(dǎo)體。第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體可與互連導(dǎo)體直接接觸。第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體可與第一總線(xiàn)連接導(dǎo) 體分離、可與互連導(dǎo)體直接接觸，以及可通過(guò)互連導(dǎo)體與第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體電連接。
[0022] 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組還可包括第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體。支線(xiàn)連接導(dǎo)體組還可包括第二支線(xiàn) 連接導(dǎo)體。第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體可與總線(xiàn)和第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體中的每個(gè)重疊并直接接觸。第 二總線(xiàn)連接導(dǎo)體的邊緣可與互連導(dǎo)體直接接觸。第二支線(xiàn)連接導(dǎo)體可與支線(xiàn)和第一支線(xiàn)連 接導(dǎo)體中的每個(gè)重疊并直接接觸。第二支線(xiàn)連接導(dǎo)體的邊緣可與互連導(dǎo)體直接接觸。
[0023] 顯示裝置可包括以下元件：基底；設(shè)置在基底與第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體之間的柵極絕 緣層；以及設(shè)置在第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體與總線(xiàn)之間并具有接觸孔的層間絕緣層。總線(xiàn)可通過(guò) 接觸孔與第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體接觸。
[0024] 第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體可與總線(xiàn)重疊并直接接觸。第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體可與支線(xiàn)重疊并 直接接觸。
[0025] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于制造顯示裝置的方法。該方法可包括以下步驟：在圍 繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域中形成總線(xiàn)；形成與總線(xiàn)分離的支線(xiàn)，其中支線(xiàn)的一部分形成在顯 示區(qū)域中；在支線(xiàn)上執(zhí)行測(cè)試，以確定是否存在與支線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的非預(yù)期的開(kāi)路和非預(yù)期的 短路中至少之一；以及在執(zhí)行測(cè)試之后，形成用于將總線(xiàn)與支線(xiàn)電連接的互連導(dǎo)體。
[0026] 互連導(dǎo)體可與總線(xiàn)和支線(xiàn)中的每個(gè)重疊并直接接觸。
[0027] 該方法可包括以下步驟：在形成總線(xiàn)之前，形成總線(xiàn)連接導(dǎo)體組，其中互連導(dǎo)體和 總線(xiàn)中的每個(gè)可形成為與總線(xiàn)連接導(dǎo)體組直接接觸；以及在形成支線(xiàn)之前，形成支線(xiàn)連接 導(dǎo)體組，其中支線(xiàn)連接導(dǎo)體組可與總線(xiàn)連接導(dǎo)體組分離，以及互連導(dǎo)體和支線(xiàn)中的每個(gè)可 形成為與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組直接接觸。
[0028] 該方法可包括以下步驟：形成基底；在基底上形成柵極絕緣層；在柵極絕緣層上 形成支線(xiàn)連接導(dǎo)體組，以使得柵極絕緣層設(shè)置在基底與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組之間；在支線(xiàn)連接 導(dǎo)體組上形成層間絕緣層；以及在層間絕緣層上形成支線(xiàn)，以使得層間絕緣層設(shè)置在支線(xiàn) 連接導(dǎo)體組與支線(xiàn)之間。
[0029] 該方法可包括以下步驟：在層間絕緣層中形成開(kāi)口；將互連導(dǎo)體的一部分設(shè)置在 開(kāi)口內(nèi)部，以與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第一部分直接接觸，以及將支線(xiàn)的一部分設(shè)置為與支線(xiàn) 連接導(dǎo)體組的第二部分直接接觸。
[0030] 支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第二部分的材料可以與支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第一部分的材料不 同。
[0031] 該方法可包括以下步驟：在層間絕緣層中形成接觸孔；以及將支線(xiàn)的一部分設(shè)置 在接觸孔內(nèi)部。
[0032] 該方法可包括形成包括第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)電容。第二存儲(chǔ)電極 可設(shè)置在柵極絕緣層與層間絕緣層之間?？偩€(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的 材料可與第二存儲(chǔ)電極的材料相同。
[0033] 該方法可包括以下步驟：形成包括柵極電極、源極電極以及漏極電極的晶體管； 以及在顯示區(qū)域中形成像素電極，以使得像素電極與源極電極和漏極電極之一電連接。像 素電極的材料可與互連導(dǎo)體的材料相同。
[0034] 總線(xiàn)和支線(xiàn)中至少之一的材料可與源極電極和漏極電極中至少之一的材料相同。
[0035] 總線(xiàn)的材料可與柵極電極的材料相同。
[0036] 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的第一材料可與柵極電極的材料 相同。
[0037] 該方法可包括形成具有存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)電容?？偩€(xiàn)連接導(dǎo)體組和支線(xiàn)連接導(dǎo)體組 中至少之一的第二材料可與存儲(chǔ)電極的材料相同。
[0038] 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組可包括第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體。支線(xiàn)連接導(dǎo)體組可包括第一支線(xiàn)連接 導(dǎo)體。第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體可與互連導(dǎo)體直接接觸。第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體可與第一總線(xiàn)連接導(dǎo) 體分離、可與互連導(dǎo)體直接接觸，以及可通過(guò)互連導(dǎo)體與第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體電連接。
[0039] 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組還可包括第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體。支線(xiàn)連接導(dǎo)體組還可包括第二支線(xiàn) 連接導(dǎo)體。第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體可與總線(xiàn)和第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體中的每個(gè)重疊并直接接觸。第 二支線(xiàn)連接導(dǎo)體可與支線(xiàn)和第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體中的每個(gè)重疊并直接接觸。
[0040] 該方法可包括：在第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體上形成層間絕緣層；在層間絕緣層中形成接 觸孔；在層間絕緣層上形成總線(xiàn)，以使得層間絕緣層設(shè)置在第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體和總線(xiàn)之間， 并且總線(xiàn)通過(guò)接觸孔與第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體接觸。
[0041] 第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體可與總線(xiàn)重疊并直接接觸。第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體可與支線(xiàn)重疊并 直接接觸。
[0042] 本發(fā)明的實(shí)施方式可涉及裝置（如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置），其可包括 以下元件：基底；形成在基底上并用于顯示圖像的顯示區(qū)域；圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，其 中周邊區(qū)域包括可圍繞顯示區(qū)域的總線(xiàn)；與總線(xiàn)分離的支線(xiàn)；以及配置為將總線(xiàn)與支線(xiàn)電 連接的連接構(gòu)件。
[0043] 連接構(gòu)件可包括主連接構(gòu)件和輔助連接構(gòu)件。輔助連接構(gòu)件可包括第一連接構(gòu)件 和第二連接構(gòu)件，其中第一連接構(gòu)件形成在基底上并包括彼此分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和 第一支線(xiàn)連接構(gòu)件，第二連接構(gòu)件包括分別形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件 上且分別與總線(xiàn)和支線(xiàn)連接的第二總線(xiàn)連接構(gòu)件和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件。主連接構(gòu)件可形成 在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件上。主連接構(gòu)件可將第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支 線(xiàn)連接構(gòu)件彼此電連接。
[0044] 主連接構(gòu)件可延伸至總線(xiàn)和支線(xiàn)上，從而將總線(xiàn)與支線(xiàn)彼此連接。
[0045] 顯示裝置可包括以下元件：形成在基底與第一連接構(gòu)件之間的柵極絕緣層；以及 形成在第二連接構(gòu)件與總線(xiàn)以及支線(xiàn)之間的層間絕緣層。
[0046] 層間絕緣層可具有暴露第一連接構(gòu)件的第一端部的開(kāi)口。
[0047] 第一連接構(gòu)件的第二端部可與第二連接構(gòu)件接觸。第一連接構(gòu)件的通過(guò)層間絕緣 層的開(kāi)口暴露的第一端部可以與主連接構(gòu)件接觸。
[0048] 總線(xiàn)可通過(guò)形成在層間絕緣層的總線(xiàn)接觸孔與第二總線(xiàn)連接構(gòu)件連接，支線(xiàn)可通 過(guò)形成在層間絕緣層的支線(xiàn)接觸孔與第二支線(xiàn)連接構(gòu)件連接。
[0049] 總線(xiàn)和支線(xiàn)可形成用于至少將初始化電壓傳輸至顯示區(qū)域的多個(gè)像素的初始化 電壓線(xiàn)。
[0050] 顯示區(qū)域可包括：形成在基底上的第一存儲(chǔ)電極和半導(dǎo)體層；形成在柵極絕緣層 上的柵極電極、第二存儲(chǔ)電極以及像素電極，其中柵極絕緣層覆蓋半導(dǎo)體層和第一存儲(chǔ)電 極；與半導(dǎo)體層連接并形成在層間絕緣層上的漏極電極和源極電極，其中層間絕緣層覆蓋 柵極電極和第二存儲(chǔ)電極；以及覆蓋源極電極和漏極電極的像素限定層，其中像素電極可 通過(guò)形成在層間絕緣層和像素限定層的像素開(kāi)口而被暴露。
[0051] 主連接構(gòu)件可以與像素電極利用或由相同的材料形成。
[0052] 初始化電壓線(xiàn)的支線(xiàn)的一部分和總線(xiàn)可形成在周邊區(qū)域的上部部分，并可以與源 極電極和漏極電極由和/或利用相同的材料和/或?qū)有纬伞?br> [0053] 初始化電壓線(xiàn)的第二連接構(gòu)件可形成在周邊區(qū)域的上部部分，并可與柵極電極由 和/或利用相同的材料和/或?qū)有纬伞?br> [0054] 連接構(gòu)件可包括以下元件：輔助連接構(gòu)件，形成在基底上并包括彼此分離的第一 總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件；以及主連接構(gòu)件，形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支 線(xiàn)連接構(gòu)件上并將第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件彼此連接。
[0055] 總線(xiàn)可形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件上，而支線(xiàn)可形成在第一支線(xiàn)連接構(gòu)件上。
[0056] 顯示裝置可包括以下元件：形成在基底與第一連接構(gòu)件之間的柵極絕緣層；以及 形成在第一連接構(gòu)件與支線(xiàn)之間的層間絕緣層。
[0057] 總線(xiàn)可延伸至第一總線(xiàn)連接構(gòu)件上，以與其直接接觸，而支線(xiàn)可通過(guò)形成在層間 絕緣層的支線(xiàn)接觸孔與第一連接構(gòu)件連接。
[0058] 層間絕緣層可具有至少暴露第一連接構(gòu)件的端部部分的開(kāi)口。
[0059] 主連接構(gòu)件可與通過(guò)開(kāi)口暴露的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件的端部部分和第一支線(xiàn)連接 構(gòu)件的端部部分接觸并將其電連接。
[0060] 總線(xiàn)和支線(xiàn)可形成用于將全局控制信號(hào)傳輸至顯示區(qū)域的多個(gè)像素的全局控制 信號(hào)線(xiàn)。
[0061] 顯示區(qū)域可包括：形成在基底上的第一存儲(chǔ)電極和半導(dǎo)體層；形成在柵極絕緣層 上的柵極電極、第二存儲(chǔ)電極以及像素電極，其中柵極絕緣層覆蓋半導(dǎo)體層和第一存儲(chǔ)電 極；與半導(dǎo)體層連接并形成在層間絕緣層上的漏極電極和源極電極，其中層間絕緣層覆蓋 柵極電極和第二存儲(chǔ)電極；以及覆蓋源極電極和漏極電極的像素限定層，其中像素電極可 通過(guò)形成在層間絕緣層和像素限定層的像素開(kāi)口而被暴露。
[0062] 主連接構(gòu)件可以與像素電極由或利用相同的材料形成。
[0063] 全局控制信號(hào)線(xiàn)的總線(xiàn)可形成在周邊區(qū)域的下部部分處，并可與柵極電極由和/ 或利用相同的材料和/或?qū)有纬?。全局控制信?hào)線(xiàn)的支線(xiàn)的一部分可形成在周邊區(qū)域的下 部部分處，并可與源極電極和漏極電極由和/或利用相同的材料和/或?qū)有纬伞?br> [0064] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及用于制造顯示裝置（如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置） 的方法。顯示裝置可包括這樣的基底，其具有用于顯示圖像的顯示區(qū)域和圍繞顯示區(qū)域的 周邊區(qū)域。該方法可包括以下步驟：在周邊區(qū)域中形成圍繞顯示區(qū)域的總線(xiàn)；形成與總線(xiàn) 分離的支線(xiàn)，該支線(xiàn)的一部分設(shè)置在顯示區(qū)域中；在支線(xiàn)上執(zhí)行開(kāi)路和/或短路（0S)測(cè)試； 以及在執(zhí)行0S測(cè)試之后，形成用于將總線(xiàn)和支線(xiàn)電連接的主連接構(gòu)件。
[0065] 該方法可包括：在形成總線(xiàn)和支線(xiàn)之前，在基底上形成輔助連接構(gòu)件。形成輔助連 接構(gòu)件的步驟可包括以下步驟：在基底上形成第一連接構(gòu)件，其中該第一連接構(gòu)件包括彼 此分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件；以及在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連 接構(gòu)件上形成第二連接構(gòu)件，其中該第二連接構(gòu)件包括分別與總線(xiàn)和支線(xiàn)連接的第二總線(xiàn) 連接構(gòu)件和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件。
[0066] 主連接構(gòu)件可形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件上，以將第一總線(xiàn)連 接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件彼此連接。
[0067] 在顯示區(qū)域形成半導(dǎo)體層和第一存儲(chǔ)電極的步驟可包括以下步驟：形成覆蓋半導(dǎo) 體層和第一存儲(chǔ)電極的柵極絕緣層；在柵極絕緣層上形成第二存儲(chǔ)電極和柵極電極；形成 覆蓋第二存儲(chǔ)電極和柵極電極的層間絕緣層；在層間絕緣層上形成源極電極和漏極電極以 及形成暴露層間絕緣層的像素開(kāi)口；在像素開(kāi)口處形成像素電極；以及形成覆蓋源極電極 和漏極電極的像素限定層，其中主連接構(gòu)件可與像素電極同時(shí)由或利用相同的材料形成。 [0068] 總線(xiàn)和支線(xiàn)可形成用于將初始化電壓傳輸至顯示區(qū)域的多個(gè)像素的初始化電壓 線(xiàn)。
[0069] 初始化電壓線(xiàn)的支線(xiàn)的一部分和總線(xiàn)可形成在周邊區(qū)域的上部部分處，并可以與 源極電極和漏極電極由和/或利用相同的材料和/或?qū)有纬伞?br> [0070] 初始化電壓線(xiàn)的第二連接構(gòu)件可形成在周邊區(qū)域的上部部分處并可與柵極電極 由和/或利用相同的材料和/或?qū)訕?gòu)成。
[0071] 該方法可以包括，在形成總線(xiàn)和支線(xiàn)之前，在基底上形成輔助連接構(gòu)件，該輔助連 接構(gòu)件包括彼此分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件。
[0072] 主連接構(gòu)件可形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件上，以將第一總線(xiàn)連 接構(gòu)件與第一支線(xiàn)連接構(gòu)件彼此電連接。
[0073] 該方法可包括以下步驟：在顯示區(qū)域形成半導(dǎo)體層和第一存儲(chǔ)電極；形成柵極絕 緣層，其中該柵極絕緣層覆蓋半導(dǎo)體層和第一存儲(chǔ)電極；在柵極絕緣層上形成第二存儲(chǔ)電 極和柵極電極；形成層間絕緣層，其中該層間絕緣層覆蓋第二存儲(chǔ)電極和柵極電極；在層 間絕緣層上形成源極電極和漏極電極和形成暴露柵極絕緣層的像素開(kāi)口；在像素開(kāi)口處形 成像素電極；以及形成像素限定層，其中該像素限定層覆蓋源極電極和漏極電極。主連接構(gòu) 件可以與像素電極同時(shí)由或利用相同的材料構(gòu)成。
[0074] 總線(xiàn)和支線(xiàn)可形成用于將全局控制信號(hào)傳輸至顯示區(qū)域的多個(gè)像素的全局控制 信號(hào)線(xiàn)。
[0075] 全局控制信號(hào)線(xiàn)的支線(xiàn)的一部分可形成在周邊區(qū)域的下部部分處并可與源極電 極和漏極電極由和/或利用相同的材料和/或?qū)有纬伞?br> [0076] 全局控制信號(hào)線(xiàn)的總線(xiàn)可形成在周邊區(qū)域的下部部分處并可與柵極電極由和/ 或利用相同的材料和/或?qū)有纬伞?br> [0077] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在0S測(cè)試之前和0S測(cè)試期間，初始化電壓線(xiàn)的總線(xiàn)和初 始化電壓線(xiàn)的支線(xiàn)大體彼此分離，以使得總線(xiàn)的電阻可大體不影響測(cè)量電阻。因此，如果存 在非預(yù)期的短路或非預(yù)期的開(kāi)路，則測(cè)量電阻與預(yù)定的電阻標(biāo)準(zhǔn)之間的差別可容易地檢測(cè) 至IJ。有利地，可以使0S測(cè)試的準(zhǔn)確度和/或效率最大化。
[0078] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，在0S測(cè)試之前和0S測(cè)試期間，全局控制信號(hào)線(xiàn)的總線(xiàn)和 全局控制信號(hào)線(xiàn)的支線(xiàn)大體彼此分離，以使得總線(xiàn)的電阻可以大體不影響測(cè)量電阻。因此， 如果存在非預(yù)期的短路或非預(yù)期的開(kāi)路，則測(cè)量電阻與預(yù)定的電阻標(biāo)準(zhǔn)之間的差別可容易 地檢測(cè)到。有利地，可以使0S測(cè)試的準(zhǔn)確度和/或效率最大化。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0079] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的平面圖（例如 俯視圖）；
[0080] 圖2是根據(jù)實(shí)施方式的顯示裝置（例如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置）的顯 示區(qū)域的剖視圖；
[0081] 圖3是初始化電壓線(xiàn)的形成在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的 周邊區(qū)域的第一部分處（例如上部部分（圖1的U1))的一部分的布局圖；
[0082] 圖4是圖3中示出的部分A的放大的布局圖；
[0083] 圖5是沿圖4中示出的線(xiàn)V-V的剖視圖；
[0084] 圖6是用于制造根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的方法的流程 圖；
[0085] 圖7是全局控制信號(hào)線(xiàn)的形成在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器 的周邊區(qū)域的第二部分處（例如下部部分）的一部分的放大的布局圖；以及
[0086] 圖8是沿圖7中示出的線(xiàn)VIII-VIII的剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0087] 下面將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，所描述的 實(shí)施方式可以以各種不同的方式進(jìn)行修改，并且所有修改不背離本發(fā)明的精神或范圍。 [0088] 為了清楚起見(jiàn)和描述簡(jiǎn)潔，在附圖中可能省略了一些部分，并且相同的附圖標(biāo)記 指示相同或相似的部分。
[0089] 在附圖中，層、膜、面板、區(qū)域等的厚度為了清楚起見(jiàn)可能被夸大但這些并不限制 本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0090] 如果諸如層、膜、區(qū)域或基底的元件被稱(chēng)為位于另一個(gè)元件"上"，則其可直接地位 于另一元件上，或可存在插入的元件。
[0091] 盡管本文可能使用了術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)描述各種信號(hào)、元件、部件、區(qū)域、層和/ 或部分，但是這些信號(hào)、元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不由這些術(shù)語(yǔ)所限制。這些術(shù)語(yǔ)可 用于將一個(gè)信號(hào)、元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)信號(hào)、元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū) 別開(kāi)。因此，下文討論的第一信號(hào)、元件、部件、區(qū)域、層或部分可稱(chēng)為第二信號(hào)、元件、部件、 區(qū)域、層或部分而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。將元件描述為"第一"元件可以不需要或暗示存在 第二元件或其他元件。本文中還可使用術(shù)語(yǔ)第一、第二等來(lái)區(qū)分元件的不同分類(lèi)。為了簡(jiǎn) 潔起見(jiàn)，術(shù)語(yǔ)第一、第二等分別可代表第一類(lèi)型（或第一分類(lèi)）、第二類(lèi)型（第二分類(lèi)）等。 術(shù)語(yǔ)"連接"可以指的是"電連接"，術(shù)語(yǔ)"絕緣"可以指的是"電絕緣"，術(shù)語(yǔ)"導(dǎo)體"可以指 的是"電導(dǎo)體"。
[0092] 圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的例如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示裝置（或0LED 顯示器）的裝置的平面圖（例如俯視圖）。
[0093] 如圖1所示，顯示裝置（例如有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器）包括基底110、形成 在基底110上并用于顯示圖像的顯示區(qū)域P1、以及包圍顯示區(qū)域P1的周邊區(qū)域P2。
[0094] 0LED顯示器包括多個(gè)像素 P、用于將初始化電壓傳輸至多個(gè)像素 P的初始化電壓 線(xiàn)70、以及用于將全局控制信號(hào)傳輸至多個(gè)像素 P的全局控制信號(hào)線(xiàn)80。多個(gè)像素 P可設(shè) 置在顯示區(qū)域P1中。初始化電壓線(xiàn)70可包括總線(xiàn)71和多個(gè)支線(xiàn)72。總線(xiàn)71可設(shè)置在周 邊區(qū)域P2中并大體圍繞顯示區(qū)域P1。多個(gè)支線(xiàn)72可與總線(xiàn)71和多個(gè)像素 P電連接。全 局控制信號(hào)線(xiàn)80可包括總線(xiàn)81和多個(gè)支線(xiàn)82。總線(xiàn)81可設(shè)置在周邊區(qū)域P2中。多個(gè)支 線(xiàn)82可與總線(xiàn)81和多個(gè)像素 P電連接。
[0095] 圖2是圖1所示的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的顯示區(qū)域P1的剖視圖。圖3 是初始化電壓線(xiàn)70的形成在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的周邊區(qū)域P2的第一部分（例 如上部部分）處的一部分的布局圖。圖4是圖3中示出的部分A的放大的布局圖。圖5是 沿圖4中示出的線(xiàn)V-V的剖視圖。
[0096] 如圖2所示，在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的顯示區(qū)域P1處，緩沖層120形成 在基底110上?；?10可以是由玻璃、石英、陶瓷或塑料形成的絕緣基底，或基底110可 以是由不銹鋼形成的金屬基底。緩沖層120可具有硅氮化物（SiNx)的單層式結(jié)構(gòu)，或緩沖 層120可具有硅氮化物（SiNx)和氧化硅（Si02)的雙層式結(jié)構(gòu)。緩沖層120可配置為防止 不希望的物質(zhì)如其他環(huán)境物質(zhì)的水氣侵入0LED顯示器的部件和/或可提供平的表面，0LED 顯示器的部件可以形成在該平的表面上。
[0097] 半導(dǎo)體層135和第一存儲(chǔ)電極132形成在緩沖層120上的分離位置處。半導(dǎo)體 層135和第一存儲(chǔ)電極132可以由多晶硅或氧化物半導(dǎo)體制成。氧化物半導(dǎo)體可包括鈦 〇1)、鉿〇^)、鋯（21〇、鋁仏1)、鉭〇^)、鍺（6 6)、鋅（211)、鎵（6&)、錫（511)以及銦（111)中 的一種或多種的一種或多種氧化物?？商娲鼗蛄硗?，氧化物半導(dǎo)體可包括一種或多種 復(fù)合氧化物，如氧化鋅（ZnO)，銦鎵鋅氧化物（InGaZn04)，鋅銦氧化物（Ζη-Ιη-0)，鋅錫氧 化物（Zn-Sn-Ο)，銦鎵氧化物（Ιη-Ga-O)，銦錫氧化物（In-Sn-Ο)，銦鋯氧化物（Ιη-Zr-O)， 銦鋯鋅氧化物（Ιη-Zr-Zn-O)，銦鋯錫氧化物（In-Zr-Sn-Ο)，銦鋯鎵氧化物（In-Zr-Ga-0)， 銦鋁氧化物（Ιη-Α1-0)，銦鋅鋁氧化物（Ιη-Ζη-Α1-0)，銦錫鋁氧化物（In-Sn-Al-Ο)，銦鋁 鎵氧化物（Ιη-Al-Ga-O)，銦鉭氧化物（Ιη-Ta-O)，銦鉭鋅氧化物（In-Ta-Zn-Ο)，銦鉭錫氧 化物（Ιη-Ta-Sn-O)，銦鉭鎵氧化物（Ιη-Ta-Ga-O)，銦鍺氧化物（Ιη-Ge-O)，銦鍺鋅氧化物 (In-Ge-Zn-O)，銦鍺錫氧化物（In-Ge-Sn-O)，銦鍺鎵氧化物（In-Ge-Ga-O)，鈦銦鋅氧化物 (Ti-In-Zn-O)以及鉿銦鋅氧化物（Hf-In-Zn-O)中的一種或多種。在實(shí)施方式中，半導(dǎo)體 層135和第一存儲(chǔ)電極132由氧化物半導(dǎo)體構(gòu)成，并且OLED顯示器可包括保護(hù)層，該保護(hù) 層配置為保護(hù)半導(dǎo)體層135和第一存儲(chǔ)電極132免受外界環(huán)境因素（如高溫）影響。
[0098] 半導(dǎo)體層135包括不摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)域1351。半導(dǎo)體層135還包括源極區(qū)域 1352和漏極區(qū)域1353,該源極區(qū)域1352和漏極區(qū)域1353摻雜有雜質(zhì)并形成在溝道區(qū)域 1351兩側(cè)。雜質(zhì)可根據(jù)包括半導(dǎo)體層135的薄膜晶體管的類(lèi)型而改變并可以是N型雜質(zhì)或 P型雜質(zhì)。
[0099] 柵極絕緣層140形成在半導(dǎo)體層135和第一存儲(chǔ)電極132上。柵極絕緣層140可 以是一層或可包括含有氮化硅和氧化硅中至少之一的多個(gè)層。
[0100] 第二存儲(chǔ)電極127、第一像素連接構(gòu)件126、柵極電極125、第二像素連接構(gòu)件128 以及像素電極710形成在柵極絕緣層140上。第二像素連接構(gòu)件128與第一像素連接構(gòu)件 126的一端接觸，像素電極710與第一像素連接構(gòu)件126的另一端接觸。柵極電極125與半 導(dǎo)體層135重疊。第二存儲(chǔ)電極127與第一存儲(chǔ)電極132重疊，從而形成存儲(chǔ)電容Cst，該 存儲(chǔ)電容Cst包括作為介電層的柵極絕緣層140的一部分。
[0101] 層間絕緣層160形成在柵極電極125和第二存儲(chǔ)電極127上。與柵極絕緣層140 類(lèi)似，層間絕緣層160可以由硅氮化物和氧化硅形成。
[0102] 層間絕緣層160和柵極絕緣層140具有分別暴露源極區(qū)域1352和漏極區(qū)域1353 的源極接觸孔61和漏極接觸孔62。層間絕緣層160具有暴露第二像素連接構(gòu)件128的像 素接觸孔63。
[0103] 源極電極176和漏極電極177形成在層間絕緣層160上。源極電極176和漏極電 極177分別通過(guò)源極接觸孔61和漏極接觸孔62與源極區(qū)域1352和漏極區(qū)域1353連接。
[0104] 像素限定層350形成在源極電極176和漏極電極177上。像素限定層350具有暴 露像素電極710的像素開(kāi)口 351。像素限定層350可以由樹(shù)脂如聚丙烯酸酯、聚酰亞胺等中 的一種或多種組成。可替代地或另外，像素限定層350可由硅基無(wú)機(jī)物質(zhì)等中的一種或多 種組成。
[0105] 像素電極710通過(guò)連接構(gòu)件126、連接構(gòu)件128以及形成在層間絕緣層160處的像 素接觸孔63與漏極電極177電連接。像素電極710可以是有機(jī)發(fā)光二極管（0LED) 700的 陽(yáng)極。
[0106] 像素限定層350的兩部分可與像素電極710和層間絕緣層160的邊緣部分重疊。 暴露像素電極710的像素開(kāi)口 351可位于像素限定層350的兩部分之間。
[0107] 有機(jī)發(fā)光層720形成在像素限定層350的像素開(kāi)口 351處。有機(jī)發(fā)光層720包括 發(fā)光層、空穴注入層（HIL)、空穴傳輸層（HTL)、電子傳輸層（ETL)以及電子注入層（EIL)中 的一個(gè)或多個(gè)。在實(shí)施方式中，有機(jī)發(fā)光層720可以包括所有這五種層，空穴注入層（HIL) 可以位于像素電極710 (可以是正極）上，空穴傳輸層（HTL)、發(fā)光層、電子傳輸層（ETL)以 及電子注入層（EIL)可連續(xù)地堆疊在空穴注入層（HIL)上方。
[0108] 公共電極730形成在像素限定層350和有機(jī)發(fā)光層720上。公共電極730可以是 反射層或半透射層，并可包括反射材料。構(gòu)成反射層或半透射層的反射材料可包括至少一 種金屬或合金，該至少一種金屬或合金包括18、八8、411、〇3、1^、0以及41中的一種或多種。 公共電極730可作為有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)700的陰極，其中該有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)700 可包括像素電極710、有機(jī)發(fā)光層720以及公共電極730。
[0109] 如圖3至圖5所示，初始化電壓線(xiàn)70的總線(xiàn)71和初始化電壓線(xiàn)70的支線(xiàn)72通 過(guò)連接構(gòu)件組10電連接。
[0110] 連接構(gòu)件組10包括彼此電連接的主連接構(gòu)件20和輔助連接構(gòu)件組30。輔助連接 構(gòu)件組30包括彼此電連接的第一連接構(gòu)件組40和第二連接構(gòu)件組50。第一連接構(gòu)件組 40包括彼此分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42。第二連接構(gòu)件組50包 括分別與第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42電連接并直接接觸的第二總線(xiàn)連接 構(gòu)件51和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52。第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52分別通過(guò) 總線(xiàn)接觸孔64 (總線(xiàn)71的一部分設(shè)置在總線(xiàn)接觸孔64中）和支線(xiàn)接觸孔65 (支線(xiàn)72的 一部分設(shè)置在支線(xiàn)接觸孔65中）與總線(xiàn)71和支線(xiàn)72電連接。主連接構(gòu)件20與第一總線(xiàn) 連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42直接接觸，以使得第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41與第一支線(xiàn)連 接構(gòu)件42至少通過(guò)主連接構(gòu)件20彼此電連接。主連接構(gòu)件20與總線(xiàn)71和支線(xiàn)72直接 接觸，以使得總線(xiàn)71與支線(xiàn)72至少通過(guò)主連接構(gòu)件20彼此電連接。因此，總線(xiàn)71與支線(xiàn) 72通過(guò)主連接構(gòu)件20和輔助連接構(gòu)件組30彼此電連接。
[0111] 參照?qǐng)D5,緩沖層120和柵極絕緣層140在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的周邊 區(qū)域P2處順序地形成基底110上。由寬度為D的間隙分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一 支線(xiàn)連接構(gòu)件42形成在柵極絕緣層140上。第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52 分別形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42上。第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41的第 一部分和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42的第一部分（例如外端）分別與第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51的第 一部分和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52的第一部分（例如內(nèi)端）重疊并直接接觸。第一總線(xiàn)連接 構(gòu)件41的第二部分和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42的第二部分（例如內(nèi)端）與主連接構(gòu)件20重 疊并直接接觸。第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51的第二部分和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52的第二部分（例 如外端）分別可與總線(xiàn)71的設(shè)置在總線(xiàn)接觸孔64中的部分和支線(xiàn)72的設(shè)置在支線(xiàn)接觸 孔65中的部分直接接觸。形成在周邊區(qū)域P2的上部部分處的初始化電壓線(xiàn)70的第二連 接構(gòu)件組50可以與柵極電極125利用或由相同的材料形成。
[0112] 層間絕緣層160形成在第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52上。層間絕 緣層160具有開(kāi)口 66,該開(kāi)口 66暴露第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41的端部和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42 的端部，其中第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41的端部和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42的端部通過(guò)寬度為D的 間隙彼此分離。
[0113] 總線(xiàn)71和支線(xiàn)72形成在層間絕緣層160上?？偩€(xiàn)71通過(guò)形成在層間絕緣層160 處的總線(xiàn)接觸孔64與第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51連接。支線(xiàn)72通過(guò)形成在層間絕緣層160處 的支線(xiàn)接觸孔65與第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52連接。初始化電壓線(xiàn)70的形成在周邊區(qū)域P2的 上部部分處的總線(xiàn)71和支線(xiàn)72可與源極電極176和漏極電極177利用或由相同的材料形 成。
[0114] 主連接構(gòu)件20可與第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42中每個(gè)的一端 重疊并直接接觸，其中該第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42通過(guò)層間絕緣層160 的開(kāi)口 66被暴露。寬度為D的間隙可以比開(kāi)口 66窄并可設(shè)置在開(kāi)口 66的內(nèi)部。設(shè)置在 間隙內(nèi)部的主連接構(gòu)件20的部分可與連接構(gòu)件41和連接構(gòu)件42中每個(gè)的邊緣直接接觸。 主連接構(gòu)件20延伸至總線(xiàn)71和支線(xiàn)72上，從而將總線(xiàn)71與支線(xiàn)72彼此電連接。主連接 構(gòu)件20可與像素電極710利用或由相同的材料形成?？偩€(xiàn)71的一部分和第二總線(xiàn)連接構(gòu) 件51的一部分可設(shè)置在主連接構(gòu)件20的一部分與第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41的一部分之間。支 線(xiàn)72的一部分和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52的一部分可設(shè)置在主連接構(gòu)件20的一部分與第一 支線(xiàn)連接構(gòu)件42的一部分之間。
[0115] 圖6是根據(jù)實(shí)施方式的用于制造有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的方法的流程圖。
[0116] 如圖6所示，在步驟S100中，輔助連接構(gòu)件組30形成在周邊區(qū)域P2處。
[0117] 在步驟S100中，包括第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42的第一連接構(gòu) 件組40形成在柵極絕緣層140上，該柵極絕緣層140與緩沖層120和/或基底110重疊。 順序地或大體同時(shí)地，第二連接構(gòu)件組50的第二總線(xiàn)連接構(gòu)件51和第二支線(xiàn)連接構(gòu)件52 分別形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42上。第一連接構(gòu)件組40與第二 存儲(chǔ)電極127利用或由相同的材料形成和/或形成在同一層。第二連接構(gòu)件組50與柵極 電極125利用或由相同的材料形成和/或形成在同一層。層間絕緣層160形成在輔助連接 構(gòu)件組30上。
[0118] 在步驟S200中，總線(xiàn)71以及包括支線(xiàn)72并與總線(xiàn)71分離的多個(gè)支線(xiàn)形成在層 間絕緣層160上。總線(xiàn)71和支線(xiàn)72可與源極電極176和漏極電極177利用或由相同的材 料形成和/或形成在同一層。
[0119] 在步驟S300中，在支線(xiàn)72上執(zhí)行0S測(cè)試。探針與支線(xiàn)72 (即被測(cè)試支線(xiàn)72)的 兩端接觸，以測(cè)試在被測(cè)試支線(xiàn)72和與被測(cè)試支線(xiàn)72緊鄰的鄰近支線(xiàn)72之間是否存在非 預(yù)期的短路。支線(xiàn)72至少通過(guò)寬度為D的間隙與總線(xiàn)71分離，以使得總線(xiàn)71的電阻大體 可不影響測(cè)量電阻。因此，如果在鄰近的支線(xiàn)72之間存在非預(yù)期的短路，則測(cè)量電阻與預(yù) 定的電阻標(biāo)準(zhǔn)之間的差別可以容易地檢測(cè)到。有利地，可以使0S測(cè)試的準(zhǔn)確度和/或效率 最大化。
[0120] 在步驟S400中，用于將總線(xiàn)71與支線(xiàn)72彼此連接的主連接構(gòu)件20被形成。主 連接構(gòu)件20形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42上，以使得通過(guò)寬度為D 的間隙分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件41和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件42彼此電連接。主連接構(gòu)件20 與像素電極710利用相同的材料同時(shí)形成。
[0121] 如上所述，在0S測(cè)試執(zhí)行之前，初始化電壓線(xiàn)70的總線(xiàn)71和支線(xiàn)72彼此分離且 彼此電絕緣。在0S測(cè)試執(zhí)行之后，初始化電壓線(xiàn)70的總線(xiàn)71和支線(xiàn)72通過(guò)主連接構(gòu)件 20彼此電連接。有利地，在0S測(cè)試中，如果在鄰近的支線(xiàn)之間存在非預(yù)期的短路，則測(cè)量電 阻與電阻標(biāo)準(zhǔn)之間的差別可以容易地檢測(cè)到。
[0122] 在實(shí)施方式中，連接構(gòu)件可以在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的周邊區(qū)域的上 部部分處形成在初始化電壓線(xiàn)的總線(xiàn)和支線(xiàn)之間。在實(shí)施方式中，連接構(gòu)件可以在有機(jī)發(fā) 光二極管（0LED)顯示器的周邊區(qū)域的下部部分處形成在初始化電壓線(xiàn)和全局控制信號(hào)線(xiàn) 中至少之一的總線(xiàn)和支線(xiàn)之間。
[0123] 圖7是全局控制信號(hào)線(xiàn)的形成在根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器 的周邊區(qū)域的第二部分（例如下部部分（圖1的U2))處的一部分的放大的布局圖。圖8 是沿圖7中示出的線(xiàn)VIII-VIII的剖視圖。
[0124] 參照?qǐng)D7和圖8討論的0LED顯示器及相關(guān)聯(lián)的方法可以包括與參照?qǐng)D1至圖5 討論的OLED顯示器及相關(guān)聯(lián)的方法的元件、步驟、特征和/或優(yōu)點(diǎn)相同和/或相似的元件、 步驟、特征和/或優(yōu)點(diǎn)。
[0125] 參照?qǐng)D7和圖8,在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的周邊區(qū)域P2的下部部分處， 全局控制信號(hào)線(xiàn)80的總線(xiàn)81 (其可配置為用于將諸如GI、GW以及GE的全局控制信號(hào)傳輸 至多個(gè)像素 P)可以與支線(xiàn)82分離，并可通過(guò)連接構(gòu)件組101與支線(xiàn)82電連接。
[0126] 連接構(gòu)件組101包括彼此電連接的主連接構(gòu)件201和輔助連接構(gòu)件組301。
[0127] 輔助連接構(gòu)件組301包括彼此分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件 32。主連接構(gòu)件201與第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32直接接觸，從而將第 一總線(xiàn)連接構(gòu)件31與第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32彼此電連接。
[0128] 總線(xiàn)81延伸至第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31上，以與第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31直接接觸。支 線(xiàn)82通過(guò)支線(xiàn)接觸孔651與第二支線(xiàn)連接構(gòu)件32電連接。支線(xiàn)82的一部分設(shè)置為通過(guò) 支線(xiàn)接觸孔651并與第二支線(xiàn)連接構(gòu)件32直接接觸。
[0129] 因此，總線(xiàn)81和支線(xiàn)82通過(guò)主連接構(gòu)件201和輔助連接構(gòu)件組301彼此電連接。
[0130] 參照?qǐng)D8,緩沖層120和柵極絕緣層140在有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的周邊 區(qū)域P2處順序地形成在基底110上。通過(guò)寬度為D1的間隙彼此分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件 31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32形成在柵極絕緣層140上?？偩€(xiàn)81與柵極絕緣層140和第一總 線(xiàn)連接構(gòu)件31直接接觸。全局控制信號(hào)線(xiàn)80的形成在周邊區(qū)域P2的下部部分處的總線(xiàn) 81可以與柵極電極125利用或由相同的材料和/或相同的層形成。寬度D1可以與參照?qǐng)D 5討論的寬度D相等或不同。
[0131] 層間絕緣層160形成在總線(xiàn)81、第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31以及第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32 上。層間絕緣層160具有暴露第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31的端部和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32的端部 的開(kāi)口 661，其中該第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31的端部與該第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32的端部通過(guò)寬度 為D1的間隙彼此分離。
[0132] 支線(xiàn)82形成在層間絕緣層160上。支線(xiàn)82通過(guò)形成在層間絕緣層160處的支線(xiàn) 接觸孔651與第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32連接。全局信號(hào)線(xiàn)的可延伸至周邊區(qū)域P2的下部部分 的支線(xiàn)82可以與源極電極176和漏極電極177利用和/或由相同的材料和/或相同的層 形成。
[0133] 主連接構(gòu)件201形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32中每個(gè)的一 端上并與第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32中每個(gè)的一端直接接觸，其中第一 總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32中每個(gè)的一端通過(guò)層間絕緣層160的開(kāi)口 661暴 露。寬度為D1的間隙可以比開(kāi)口 661窄并可設(shè)置在開(kāi)口 661的內(nèi)部。主連接構(gòu)件201可 以與像素電極710利用或由相同的材料形成。
[0134] 參照?qǐng)D6至圖8描述了用于制造有機(jī)發(fā)光二極管（0LED)顯示器的方法。
[0135] 在步驟S100中，輔助連接構(gòu)件組301形成在周邊區(qū)域P2處。
[0136] 在步驟S100中，包括第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32的輔助連接構(gòu) 件組301形成在柵極絕緣層140上，該柵極絕緣層140與緩沖層120和/或基底110重疊。 輔助連接構(gòu)件組301與第二存儲(chǔ)電極127利用或由相同的材料和/或相同的層形成。
[0137] 在步驟S200中，總線(xiàn)81形成在柵極絕緣層140上，總線(xiàn)81的一部分與第一總線(xiàn) 連接構(gòu)件31直接接觸?？偩€(xiàn)81與柵極電極125利用和/或由相同的材料和/或相同的層 形成。然后用于覆蓋輔助連接構(gòu)件組301和總線(xiàn)81的層間絕緣層160被形成。隨后，包括 支線(xiàn)82并與總線(xiàn)81分離的多個(gè)支線(xiàn)形成在層間絕緣層160上。支線(xiàn)82與源極電極176 和漏極電極177利用和/或由相同的材料和/或相同的層形成。
[0138] 在步驟S300中，在支線(xiàn)82上執(zhí)行0S測(cè)試。探針與支線(xiàn)82 (即被測(cè)試支線(xiàn)82)的 兩端接觸，以測(cè)試在被測(cè)試支線(xiàn)82和與被測(cè)試支線(xiàn)82緊鄰的鄰近支線(xiàn)82之間是否存在非 預(yù)期的短路。支線(xiàn)82至少通過(guò)寬度為D1的縫隙與總線(xiàn)81分離，以使得總線(xiàn)81的電阻大 體可不影響測(cè)量電阻。因此，如果在鄰近的支線(xiàn)82之間存在非預(yù)期的短路，則測(cè)量電阻和 預(yù)定的電阻標(biāo)準(zhǔn)之間的差別可以容易地檢測(cè)到。有利地，可以使0S測(cè)試的準(zhǔn)確度和/或效 率最大化。
[0139] 在步驟S400中，用于將總線(xiàn)81與支線(xiàn)82彼此連接的主連接構(gòu)件201被形成。主 連接構(gòu)件201形成在第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32上，以將通過(guò)寬度為D1 的間隙分離的第一總線(xiàn)連接構(gòu)件31和第一支線(xiàn)連接構(gòu)件32電連接。主連接構(gòu)件201與像 素電極710利用相同的材料同時(shí)形成。
[0140] 主連接構(gòu)件201在0S測(cè)試執(zhí)行之前沒(méi)有形成，以使得全局控制信號(hào)線(xiàn)的總線(xiàn)81 和支線(xiàn)82在0S測(cè)試期間是分離的。在0S測(cè)試執(zhí)行之后，全局控制信號(hào)線(xiàn)的總線(xiàn)81和支 線(xiàn)82通過(guò)主連接構(gòu)件201電連接。有利地，在0S測(cè)試中，如果在鄰近的支線(xiàn)之間存在非預(yù) 期的短路，則測(cè)量電阻與電阻標(biāo)準(zhǔn)之間的差別可以容易地檢測(cè)到。
[0141] 雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是應(yīng)理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施方 式。本發(fā)明旨在涵蓋包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)的各種修改和等同布置。
【權(quán)利要求】
1. 一種顯示裝置，包括： 顯示區(qū)域，用于顯示圖像； 周邊區(qū)域，圍繞所述顯示區(qū)域； 像素，設(shè)置在所述顯示區(qū)域中； 總線(xiàn)，設(shè)置在所述周邊區(qū)域中，并配置為傳輸信號(hào)； 連接導(dǎo)體組，與所述總線(xiàn)電連接；以及 支線(xiàn)，與所述連接導(dǎo)體組電連接，并配置為從所述總線(xiàn)接收所述信號(hào)和將所述信號(hào)傳 輸至所述像素。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述連接導(dǎo)體組包括： 互連導(dǎo)體； 總線(xiàn)連接導(dǎo)體組，與所述互連導(dǎo)體和所述總線(xiàn)中的每個(gè)直接接觸；以及 支線(xiàn)連接導(dǎo)體組，與所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組分離，并與所述互連導(dǎo)體和所述支線(xiàn)中的每 個(gè)直接接觸， 其中，所述互連導(dǎo)體的材料與所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一 的材料不同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述互連導(dǎo)體與所述總線(xiàn)和所述支線(xiàn)中的每 個(gè)重疊并直接接觸。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括： 基底； 柵極絕緣層，設(shè)置在所述基底與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組之間；以及 層間絕緣層，設(shè)置在所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組與所述支線(xiàn)之間， 其中，所述層間絕緣層具有開(kāi)口， 所述互連導(dǎo)體的一部分設(shè)置在所述開(kāi)口內(nèi)部并與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第一部分直 接接觸，以及 所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第二部分與所述支線(xiàn)直接接觸。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的所述第二部分的材料 與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的所述第一部分的材料不同。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中， 所述層間絕緣層具有接觸孔，以及 所述支線(xiàn)通過(guò)所述接觸孔與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組連接。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，還包括： 存儲(chǔ)電容，包括第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極， 其中，所述第二存儲(chǔ)電極設(shè)置在所述柵極絕緣層和所述層間絕緣層之間，以及 所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的材料與所述第二存儲(chǔ)電極 的材料相同。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，還包括： 晶體管，所述晶體管包括柵極電極、源極電極和漏極電極；以及 像素電極，設(shè)置在所述顯示區(qū)域中并與所述源極電極和所述漏極電極之一電連接， 其中，所述像素電極的材料與所述互連導(dǎo)體的材料相同。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中， 所述總線(xiàn)和所述支線(xiàn)中至少之一的材料與所述源極電極和所述漏極電極中至少之一 的材料相同，以及 所述總線(xiàn)的材料與所述柵極電極的材料相同。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其中， 所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的第一材料與所述柵極電極 的材料相同，以及 所述顯示裝置還包括具有存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)電容， 其中，所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的第二材料與所述存儲(chǔ) 電極的材料相同。
11. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中， 所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組包括第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體， 所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組包括第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體， 所述第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體與所述互連導(dǎo)體直接接觸，以及 所述第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體與所述第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體分離、與所述互連導(dǎo)體直接接觸、并 通過(guò)所述互連導(dǎo)體與所述第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體電連接。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中， 所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組還包括第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體， 所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組還包括第二支線(xiàn)連接導(dǎo)體， 所述第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體與所述總線(xiàn)和所述第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體中的每個(gè)重疊并直接接 觸，以及 所述第二支線(xiàn)連接導(dǎo)體與所述支線(xiàn)和所述第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體中的每個(gè)重疊并直接接 觸。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示裝置，還包括： 基底； 柵極絕緣層，設(shè)置在所述基底和所述第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體之間；以及 層間絕緣層，設(shè)置在所述第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體和所述總線(xiàn)之間并具有接觸孔，其中所述 總線(xiàn)通過(guò)所述接觸孔與所述第二總線(xiàn)連接導(dǎo)體接觸。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中， 所述第一總線(xiàn)連接導(dǎo)體與所述總線(xiàn)重疊并直接接觸，以及 所述第一支線(xiàn)連接導(dǎo)體與所述支線(xiàn)重疊并直接接觸。
15. -種用于制造顯示裝置的方法，包括： 在圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域中形成總線(xiàn)； 形成與所述總線(xiàn)分離的支線(xiàn)； 在所述支線(xiàn)上執(zhí)行測(cè)試，以確定是否存在與所述支線(xiàn)相關(guān)聯(lián)的非預(yù)期的開(kāi)路和非預(yù)期 的短路中至少之一；以及 在執(zhí)行所述測(cè)試之后，形成互連導(dǎo)體，以將所述總線(xiàn)與所述支線(xiàn)電連接。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括： 在形成所述總線(xiàn)之前，形成總線(xiàn)連接導(dǎo)體組，其中所述互連導(dǎo)體和所述總線(xiàn)中的每個(gè) 形成為與所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組直接接觸；以及 在形成所述支線(xiàn)之前，形成支線(xiàn)連接導(dǎo)體組，其中所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組與所述總線(xiàn)連 接導(dǎo)體組分離，以及所述互連導(dǎo)體和所述支線(xiàn)中的每個(gè)形成為與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組直接 接觸。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，還包括： 形成基底； 在所述基底上形成柵極絕緣層； 在所述柵極絕緣層上形成所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組，以使得所述柵極絕緣層設(shè)置在所述基 底與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組之間； 在所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組上形成層間絕緣層；以及 在所述層間絕緣層上形成所述支線(xiàn)，以使得所述層間絕緣層設(shè)置在所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體 組與所述支線(xiàn)之間。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括： 在所述層間絕緣層中形成開(kāi)口； 將所述互連導(dǎo)體的一部分設(shè)置在所述開(kāi)口內(nèi)部，以與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第一部分 直接接觸，以及 將所述支線(xiàn)的一部分設(shè)置為與所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組的第二部分直接接觸。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括： 在所述層間絕緣層中形成接觸孔；以及 將所述支線(xiàn)的一部分設(shè)置在所述接觸孔內(nèi)部。
20. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，還包括： 形成包括第一存儲(chǔ)電極和第二存儲(chǔ)電極的存儲(chǔ)電容， 其中，所述第二存儲(chǔ)電極設(shè)置在所述柵極絕緣層與所述層間絕緣層之間，以及 所述總線(xiàn)連接導(dǎo)體組和所述支線(xiàn)連接導(dǎo)體組中至少之一的材料與所述第二存儲(chǔ)電極 的材料相同。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104218067SQ201410242331
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2014年6月3日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月3日
【發(fā)明者】崔貞美, 金東奎, 黃榮仁, 崔德永, 樸圣日 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司