一種陣列基板的制備方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，涉及顯示技術(shù)的制備領(lǐng)域，可減少制備具有刻蝕阻擋層的陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)，提高生產(chǎn)效率，降低成本。該方法包括在襯底基板上通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層；通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層；其中，刻蝕阻擋層與待形成的源極和漏極之間的間隙對應(yīng)；在公共電極線上方形成露出公共電極線的過孔；通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，保護(hù)層露出漏極的一部分；通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極；其中，像素電極與漏極電連接。用于陣列基板的制備。
【專利說明】一種陣列基板的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)的制備領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]陣列基板是薄膜晶體管液晶顯示裝置(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，簡稱TFT-LCD)的主要組成之一。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，在通過刻蝕工藝形成位于有源層之上的源極、漏極、以及二者之間的間隙時，為了降低有源層整體受到刻蝕液體或者刻蝕氣體影響的程度，有源層的厚度通常制備的較厚，可達(dá)2000'300(.)人，從而保證有源層即使受到過度刻蝕，對其電性能也不會產(chǎn)生較大影響，穩(wěn)定有源層以及TFT開關(guān)的特性；然而，有源層厚度的增加會導(dǎo)致TFT的關(guān)態(tài)電流增加，這就使得當(dāng)陣列基板應(yīng)用于顯示裝置時，原本應(yīng)該顯示下一幀畫面時，由于TFT的關(guān)態(tài)電流較大，導(dǎo)致用于顯示上一幀畫面的電流仍殘存，使顯示畫面的殘像較大，影響顯示品質(zhì)；同時，制備厚度較大的有源層，對制備工藝的難度要求更為嚴(yán)格，導(dǎo)致制備周期更長。
[0004]因此，目前行業(yè)內(nèi)普遍采用的陣列基板中的TFT結(jié)構(gòu)為具有刻蝕阻擋層的TFT，即在有源層之上、且與源極和漏極之間的間隙對應(yīng)處設(shè)置一層結(jié)構(gòu)致密、絕緣性良好的氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)薄膜，從而避免形成源極、漏極、以及二者之間的間隙時對有源層的性能產(chǎn)生破壞；同時，由于刻蝕阻擋層的存在，無需額外增加有源層的厚度，有源層的厚
度可減薄至300?丨000人，相比無刻蝕阻擋層時的厚度明顯減小，從而使得TFT的關(guān)態(tài)電
流較小，應(yīng)用于顯示裝置時的畫面殘像較小，保證了顯示裝置的良好顯示品質(zhì)。
[0005]然而，由于在有源層之上增加了制備刻蝕阻擋層的工藝，使得制備具有刻蝕阻擋層的底柵型陣列基板至少需要采用五次構(gòu)圖工藝，具體包括形成包括柵極、柵線的圖案層、形成柵絕緣層、形成有源層、形成刻蝕阻擋層、形成包括源極、漏極、以及數(shù)據(jù)線的圖案層、形成像素電極的工藝過程；而每一次構(gòu)圖工藝均包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。顯然，構(gòu)圖工藝的次數(shù)越多，生產(chǎn)設(shè)備的投入成本就越高，生產(chǎn)周期也更長。
[0006]因此，如何減少制備具有刻蝕阻擋層的陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的重要技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種陣列基板的制備方法，可減少制備具有刻蝕阻擋層的陣列基板的構(gòu)圖工藝次數(shù)，提高生產(chǎn)效率，降低成本。
[0008]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0009]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制備方法，該方法包括，在襯底基板上通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層；在形成有包括所述柵極、所述柵線、所述公共電極線的圖案層的基板上，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層與待形成的源極和漏極之間的間隙對應(yīng)；在所述公共電極線上方形成露出所述公共電極線的過孔；在形成有包括所述柵絕緣層、所述有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分；在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極；其中，所述像素電極與所述漏極電連接。
[0010]優(yōu)選的，所述在形成有包括所述柵極、所述柵線、所述公共電極線的圖案層的基板上，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層與待形成的源極和漏極之間的間隙對應(yīng)；在所述公共電極線上方形成露出所述公共電極線的過孔，具體包括:
[0011]在形成有包括所述柵極、所述柵線、所述公共電極線的圖案層的基板上，依次形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層薄膜，并在所述刻蝕阻擋層薄膜之上形成光刻膠層；采用第一半色調(diào)掩模板或第一灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述刻蝕阻擋層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)其他區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)待形成的所述過孔的區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述刻蝕阻擋層薄膜、所述有源層薄膜、以及所述柵絕緣層，形成所述過孔；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述刻蝕阻擋層薄膜；采用刻蝕工藝去除露出的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成所述刻蝕阻擋層；采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
[0012]優(yōu)選的，所述有源層薄膜包括非晶硅有源層薄膜；所述在形成有包括所述柵絕緣層、所述有源層薄膜、所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分，包括:
[0013]在形成有包括所述柵絕緣層、所述非晶硅有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分；所述歐姆接觸層至少與所述源極、所述漏極、以及所述非晶硅有源層相接觸。
[0014]進(jìn)一步優(yōu)選的，形成的所述歐姆接觸層還與所述刻蝕阻擋層相接觸。
[0015]優(yōu)選的，所述在形成有包括所述柵絕緣層、所述非晶硅有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分；所述歐姆接觸層至少與所述源極、所述漏極、以及所述非晶硅有源層相接觸，具體包括:
[0016]在形成有包括所述柵絕緣層、所述非晶硅有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，依次形成歐姆接觸層薄膜、源漏金屬層薄膜、以及保護(hù)層薄膜，并在所述保護(hù)層薄膜之上形成光刻膠層；采用第二半色調(diào)掩模板或第二灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述源極、所述漏極、以及所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)待形成的所述保護(hù)層露出所述漏極的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述保護(hù)層薄膜和所述源漏金屬層薄膜，形成包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層，并露出所述歐姆接觸層薄膜；采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述保護(hù)層薄膜；采用刻蝕工藝去除露出的所述歐姆接觸層薄膜和所述非晶硅有源層薄膜，形成所述歐姆接觸層、所述有源層、所述保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分；采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
[0017]在上述基礎(chǔ)上優(yōu)選的，所述歐姆接觸層包括氮摻雜非晶硅層。
[0018]優(yōu)選的，所述在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極；其中，所述像素電極與所述漏極電連接，包括:
[0019]在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線；其中，所述像素電極與所述漏極電連接；所述公共電極過孔連接線與所述公共電極線電連接。
[0020]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線；其中，所述像素電極與所述漏極電連接，具體包括:
[0021]在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，形成透明電極薄膜，并在所述透明電極薄膜之上形成光刻膠層；采用掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述像素電極和所述公共電極過孔連接線的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域；采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述透明電極薄膜，形成所述像素電極和所述公共電極過孔連接線；采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
[0022]通過本發(fā)明實(shí)施例提供的所述陣列基板的制備方法，僅通過四次構(gòu)圖工藝即可制備出具有刻蝕阻擋層的陣列基板，與現(xiàn)有技術(shù)的至少五次構(gòu)圖工藝相比，能夠有效縮短陣列基板的制備流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0024]圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法流程示意圖；
[0025]圖2(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層的制備過程示意圖一；
[0026]圖2(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層的制備過程示意圖二；
[0027]圖2(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層的制備過程示意圖三；
[0028]圖2(d)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層的制備過程示意圖四；
[0029]圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層的制備過程示意圖一；
[0030]圖3(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層的制備過程示意圖二；
[0031]圖3(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層的制備過程示意圖三；
[0032]圖3(d)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層的制備過程示意圖四；
[0033]圖3(e)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層的制備過程示意圖五；
[0034]圖3(f)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層的制備過程示意圖六；
[0035]圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層的制備過程示意圖一；
[0036]圖4(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層的制備過程示意圖二 ；
[0037]圖4(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層的制備過程示意圖三；
[0038]圖4(d)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層的制備過程示意圖四；
[0039]圖4(e)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層的制備過程示意圖五；
[0040]圖4(f)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層的制備過程示意圖六；
[0041]圖5(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線的制備過程示意圖一；
[0042]圖5(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線的制備過程示意圖二；
[0043]圖5(c)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線的制備過程示意圖三；
[0044]圖5(d)為采用本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制備方法形成陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0045]附圖標(biāo)記:
[0046]01-陣列基板；10_襯底基板；20_柵金屬薄膜；21_柵極；22_公共電極線；23_過孔；30_柵絕緣層；40-(非晶硅)有源層薄膜；41-(非晶硅)有源層；50_刻蝕阻擋層薄膜；51-刻蝕阻擋層；60_源漏金屬層薄膜；61_源極；62_漏極；70_保護(hù)層薄膜；71_保護(hù)層；80-透明電極薄膜；81-像素電極；82_公共電極過孔連接線；90_光刻膠層；91_光刻膠完全保留部分；92_光刻膠半保留部分；93_光刻膠完全去除部分；100_普通掩模板；110_第一(第二)半色調(diào)掩模板；111-完全不透明部分；112_半透明部分；113_完全透明部分；120-歐姆接觸層薄膜；121_歐姆接觸層。
【具體實(shí)施方式】
[0047]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板01的制備方法，如圖1所示，所述制備方法主要包括以下步驟:
[0049]S01、在襯底基板10上通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極21、柵線、公共電極線22
的圖案層。
[0050]S02、在形成有包括所述柵極21、所述柵線、所述公共電極線22的圖案層的基板上，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層30、有源層薄膜40、以及刻蝕阻擋層51 ;其中，所述刻蝕阻擋層51與待形成的源極61和漏極62之間的間隙對應(yīng)；在所述公共電極線22上方形成露出所述公共電極線22的過孔23。
[0051]S03、在形成有包括所述柵絕緣層30、所述有源層薄膜40、以及所述刻蝕阻擋層51的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層41、包括源極61、漏極62、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層71 ;其中，所述保護(hù)層71露出所述漏極62的一部分。
[0052]S04、在形成有至少包括所述有源層41、包括所述源極61、所述漏極62、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層71的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極81 ;其中，所述像素電極81與所述漏極62電連接。
[0053]需要說明的是，第一、在本發(fā)明所有實(shí)施例中，所述構(gòu)圖工藝可以是任意對膜層(由一層或多層薄膜)進(jìn)行處理以形成具有特定圖案的工藝，典型的一種構(gòu)圖工藝是應(yīng)用一次掩模板，通過光刻膠曝光、顯影、刻蝕、去除光刻膠的工藝。
[0054]其中，掩模板可以是普通掩模板、或半色調(diào)掩模板、或灰色調(diào)掩模板，應(yīng)根據(jù)具體構(gòu)圖工藝靈活調(diào)整。
[0055]第二、盡管本發(fā)明實(shí)施例中未提及柵線引線和數(shù)據(jù)線引線，但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，在上述步驟SOl中，通過第一次構(gòu)圖工藝形成所述柵線的同時，還形成與所述柵線相連的柵線引線；同樣的，在上述步驟S03中，通過第三次構(gòu)圖工藝形成所述數(shù)據(jù)線的同時，還形成與所述數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)線引線。
[0056]第三、所述公共電極線，其作用是用來給與所述陣列基板相對應(yīng)的彩膜基板上的公共電極提供公共電壓。
[0057]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板01的制備方法，包括:在襯底基板10上通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極21、柵線、公共電極線22的圖案層；在形成有包括所述柵極21、所述柵線、所述公共電極線22的圖案層的基板上，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層30、有源層薄膜40、以及刻蝕阻擋層51 ;其中，所述刻蝕阻擋層51與待形成的源極61和漏極62之間的間隙對應(yīng)；在所述公共電極線22上方形成露出所述公共電極線22的過孔23 ;在形成有包括所述柵絕緣層30、所述有源層薄膜40、以及所述刻蝕阻擋層51的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層41、包括源極61、漏極62、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層71 ；其中，所述保護(hù)層71露出所述漏極62的一部分；在形成有至少包括所述有源層41、包括所述源極61、所述漏極62、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層71的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極81 ;其中，所述像素電極81與所述漏極62電連接。
[0058]通過本發(fā)明實(shí)施例提供的所述陣列基板01的制備方法，僅通過四次構(gòu)圖工藝即可制備出具有刻蝕阻擋層51的陣列基板01，與現(xiàn)有技術(shù)的至少五次構(gòu)圖工藝相比，能夠有效縮短陣列基板的制備流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0059]針對上述步驟S01，優(yōu)選的，具體可以包括以下4個子步驟:
[0060]S11、如圖2(a)所示，在襯底基板10上依次形成柵金屬薄膜20和光刻膠層90。
[0061]此處，所述柵金屬薄膜20可采用鋁(Al)、或銅(Cu)、或鑰(Mo)、或鉻(Cr)等金屬單質(zhì)或金屬合金材料，通過濺射法或熱蒸發(fā)的方法形成，其厚度范圍例如可以為
3000~55()()Ao
[0062]本發(fā)明實(shí)施例中涉及的所述光刻膠層90均采用正性光刻膠材料，即所述光刻膠層90在曝光前不溶解于顯影液，經(jīng)過紫外線曝光后，所述光刻膠層90轉(zhuǎn)變?yōu)槟軌蛉芙庥陲@影液中的物質(zhì)。
[0063]S12、在完成上述步驟Sll的基板上，如圖2(b)所示，采用普通掩膜板100對形成有所述光刻膠90的襯底基板10進(jìn)行曝光、顯影后形成光刻膠完全保留部分91和光刻膠完全去除部分93 ;其中，所述光刻膠完全保留部分91對應(yīng)待形成的包括所述柵極21、所述柵線、以及所述公共電極線22的圖案層的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分93對應(yīng)其他區(qū)域。
[0064]這里，所述普通掩模板100是指在透明襯底材料上形成具有特定圖形的一層遮光金屬層，以便實(shí)現(xiàn)對所述光刻膠90選擇性曝光的一種裝置。
[0065]其中，所述遮光金屬層覆蓋的區(qū)域是完全不透明的，而沒有被所述遮光金屬層覆蓋的區(qū)域則是完全透明的；當(dāng)通過所述普通掩模板對所述光刻膠90進(jìn)行曝光時，由于紫外光無法照射到與所述普通掩模板的完全不透明部分111對應(yīng)的光刻膠90，從而在顯影后形成了所述光刻膠完全保留部分91，而與所述普通掩模板的完全透明部分113對應(yīng)的光刻膠90，在顯影后形成了光刻膠完全去除部分93。
[0066]因此在刻蝕所述光刻膠90覆蓋的膜層時，所述光刻膠完全保留部分91覆蓋的膜層均會被保留，而所述光刻膠完全去除部分93覆蓋的膜層會被完全刻蝕去除，從而形成相應(yīng)的圖案層。
[0067]S13、如圖2(c)所示，在完成上述步驟S12的基板上，采用濕法刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分93 (圖中未標(biāo)示出)的所述柵金屬薄膜20，形成包括所述柵極21、所述柵線、以及所述公共電極線22的圖案層。
[0068]這里，濕法刻蝕工藝中采用的刻蝕液體例如可以為硝酸(HNO3)、磷酸(H3PO4)、醋酸(CH3COOH)等酸性刻蝕液。
[0069]S13、如圖2(d)所示，在完成步驟S13的基板上，采用灰化工藝去除所述光刻膠完全保留部分91 (圖中未標(biāo)示出)的光刻膠，露出包括所述柵極21、所述柵線、以及所述公共電極線22的圖案層。[0070]針對上述步驟S02，優(yōu)選的，具體可以包括以下6個子步驟:
[0071]S21、如圖3(a)所示，在完成上述步驟Sll?S13的基板上，依次形成柵絕緣層30、有源層薄膜40、以及刻蝕阻擋層薄膜50，并在所述刻蝕阻擋層薄膜50之上形成光刻膠層90。
[0072]其中，所述柵絕緣層30和所述刻蝕阻擋層薄膜50可采用氮化硅(SiNx)、或氧化硅(SiO2)等結(jié)構(gòu)均勻致密、絕緣性能良好的材料，通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition,簡稱PECVD)形成,所述柵絕緣層30的厚度范圍例
如可以為3000'5000人，所述刻蝕阻擋層薄膜50的厚度范圍例如可以為300~2000人。
[0073]根據(jù)所述有源層薄膜40采用的不同材料，所述有源層薄膜40的制備方法及厚度范圍應(yīng)根據(jù)其采用的不同材料靈活調(diào)整。
[0074]例如，當(dāng)所述有源層薄膜40為非晶硅(a-Si)有源層薄膜40時，可以通過PECVD方法形成，其厚度范圍例如可以為300~1000人;當(dāng)所述有源層薄膜40為金屬氧化物半導(dǎo)體(如銦鎵鋅氧化物，Indium Gallium Zinc Oxide,簡稱IGZO)時,可以通過磁控派射法或熱蒸發(fā)的方法形成，其厚度范圍例如可以為300?1000A。
[0075]S22、如圖3(b)所示，在完成上述步驟S21的基板上，采用第一半色調(diào)掩模板110或第一灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層90的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分91、光刻膠半保留部分92和光刻膠完全去除部分93 ;其中，所述光刻膠完全保留部分91對應(yīng)待形成的所述刻蝕阻擋層51的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分92對應(yīng)其他區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分93對應(yīng)待形成的所述過孔23的區(qū)域。
[0076]此處，所述半色調(diào)掩膜板110與上述步驟S12中采用的普通掩膜板相比，還包括半透明部分112 ;即:半色調(diào)掩膜板110是指在透明襯底材料上在某些區(qū)域形成不透光的遮光金屬層，在另外一些區(qū)域形成半透光的遮光金屬層，其他區(qū)域不形成任何遮光金屬層；其中，所述半透光的遮光金屬層的厚度小于所述完全不透光的遮光金屬層的厚度；此外，可以通過調(diào)節(jié)所述半透光的遮光金屬層的厚度來改變所述半透光的遮光金屬層對紫外光的透過率。
[0077]基于上述描述，所述半色調(diào)掩膜板110工作原理說明如下:通過控制所述半色調(diào)掩模板110上不同區(qū)域處遮光金屬層的厚度，使曝光在不同區(qū)域的透過光的強(qiáng)度有所不同，從而對光刻膠90進(jìn)行有選擇性的曝光、顯影后，形成與所述半色調(diào)掩模板110的完全不透明部分111、半透明部分112以及完全透明部分113分別對應(yīng)的光刻膠完全保留部分91、光刻膠半保留部分92、光刻膠完全去除部分93。這樣以來，在第一次刻蝕時，所述光刻膠完全保留部分91和所述光刻膠半保留部分92覆蓋的膜層不會被刻蝕去除；之后，由于光刻膠完全保留部分91的厚度大于所述光刻膠半保留部分92的厚度，當(dāng)把所述光刻膠半保留部分92的光刻膠灰化掉后,光刻膠完全保留部分91的光刻膠還存在,這樣便可以對露出部分的膜層進(jìn)行有選擇的刻蝕，從而可以得到不同圖案的至少兩層圖案層。
[0078]所述灰色調(diào)掩模板的原理與所述半色調(diào)掩模板110的原理類似，此處不再贅述，僅對所述灰色調(diào)掩模板與所述半色調(diào)掩模板110不同之處加以說明:所述半色調(diào)掩模板110的半透明部分112，是通過在所述透明襯底材料上形成厚度相對較薄的半透光的遮光金屬層，即，通過控制金屬層的厚度來調(diào)節(jié)紫外光的透過率，從而使與該部分對應(yīng)的光刻膠的曝光量與其他區(qū)域的曝光量不同；而所述灰色調(diào)掩模板的半透明部分，是通過制作一些窄條形的狹縫結(jié)構(gòu)，當(dāng)紫外光通過狹縫結(jié)構(gòu)時，發(fā)生散射、衍射等光學(xué)現(xiàn)象，從而使與該部分對應(yīng)的所述光刻膠90的曝光量與其他區(qū)域的曝光量不同。
[0079]S23、如圖3(c)所示，在完成上述步驟S22的基板上，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分93 (圖中未標(biāo)示出)露出的所述刻蝕阻擋層薄膜50、所述有源層薄膜40、以及所述柵絕緣層30，形成所述過孔23。
[0080]這里，考慮到濕法刻蝕工藝對形成具有較小特征尺寸的圖案的控制性較差，所述刻蝕工藝優(yōu)選為采用等離子體氣體的干法刻蝕，以便更為精確地控制刻蝕的速率以及刻蝕剖面，從而使得形成的所述過孔23的孔徑尺寸參數(shù)更為精確。
[0081]S24、如圖3(d)所示，在完成上述步驟S23的基板上，采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分92(圖中未標(biāo)示出)的光刻膠，露出所述刻蝕阻擋層薄膜50。
[0082]S25、如圖3(e)所示，在完成上述步驟S24的基板上，采用刻蝕工藝去除露出的所述刻蝕阻擋層薄膜50，形成所述刻蝕阻擋層51。
[0083]同樣的，所述刻蝕工藝優(yōu)選為采用等離子體氣體的干法刻蝕，以便更為精確地控制刻蝕的速率以及刻蝕剖面，從而使得形成的所述刻蝕阻擋層51的相關(guān)尺寸參數(shù)更為精確。
[0084]這里，所述刻蝕阻擋層51與待形成的源極61和漏極62之間的間隙對應(yīng)；考慮到所述源極61和所述漏極62之間的間隙寬度較小，若所述刻蝕阻擋層51的寬度等于所述源極61和所述漏極62之間的間隙寬度，在刻蝕形成所述刻蝕阻擋層51時容易發(fā)生刻蝕不均或過度刻蝕，因此，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選為所述刻蝕阻擋層51的寬度略大于待形成的所述源極61和所述漏極62之間的間隙寬度。
[0085]S26、如圖3(f)所示，在完成上述步驟S25的基板上，采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分91 (圖中未標(biāo)示出)的光刻膠。
[0086]針對上述步驟S02中形成的所述有源層薄膜40采用非晶硅a-Si材料時，上述步驟S03進(jìn)一步優(yōu)選為:
[0087]在形成有包括所述柵絕緣層30、所述非晶硅有源層薄膜40、以及所述刻蝕阻擋層51的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層51、歐姆接觸層121、包括源極61、漏極62、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層71 ;其中，所述保護(hù)層71露出所述漏極62的一部分；所述歐姆接觸層121至少與所述源極61、所述漏極62、以及所述非晶硅有源層51相接觸。
[0088]這里，所述歐姆接觸層121的作用是減小所述非晶硅有源層51與所述源極61、所述漏極62之間的電阻，降低信號延遲。
[0089]由上述描述可知，當(dāng)所述刻蝕阻擋層51的寬度略大于待形成的所述源極61和所述漏極62之間的間隙寬度時，進(jìn)一步優(yōu)選的，所述歐姆接觸層121除了與所述源極61、所述漏極62、以及所述非晶硅有源層51相接觸之外，還與所述刻蝕阻擋層51相接觸。
[0090]針對上述步驟S03，優(yōu)選的，具體可以包括以下6個子步驟:
[0091]S31、如圖4(a)所示，在完成上述步驟S21?S26的基板上，依次形成歐姆接觸層薄膜120、源漏金屬層薄膜60、以及保護(hù)層薄膜70，并在所述保護(hù)層薄膜70之上形成光刻膠層90。
[0092]這里，所述歐姆接觸層薄膜120可采用氮摻雜非晶硅(n+a-Si)等材料，通過PECVD的方法形成，其厚度范圍例如可以為200?500A。
[0093]所述源漏金屬層薄膜60可采用鋁(Al)、或銅(Cu)、或鑰(Mo)、或鉻(Cr)等金屬單質(zhì)或金屬合金材料，通過濺射法或熱蒸發(fā)的方法形成，其厚度范圍例如可以為
2500-5500 A0
[0094]所述保護(hù)層薄膜70可采用氮化硅(SiNx)、或氧化硅(SiO2)等結(jié)構(gòu)均勻致密、絕緣性能良好的材料，通過PECVD的方法形成，其厚度范圍例如可以為2000?7000人。
[0095]S32、如圖4(b)所示，在完成上述步驟S31的基板上，采用第二半色調(diào)掩模板110或第二灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層90的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分91、光刻膠半保留部分92和光刻膠完全去除部分93 ;其中，所述光刻膠完全保留部分91對應(yīng)待形成的所述源極61、所述漏極62、以及所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分92對應(yīng)待形成的所述保護(hù)層71露出所述漏極62的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分93對應(yīng)其他區(qū)域。
[0096]S33、如圖4(c)所示，在完成上述步驟S32的基板上，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分93(圖中未標(biāo)示出)露出的所述保護(hù)層薄膜70和所述源漏金屬層薄膜60，形成包括所述源極61、所述漏極62、所述數(shù)據(jù)線的圖案層，并露出所述歐姆接觸層薄膜120。
[0097]這里，考慮到干法刻蝕工藝能夠較為精確地控制刻蝕的速率以及形成的刻蝕剖面，首先對露出的所述保護(hù)層薄膜70采用等離子體氣體的干法刻蝕工藝；在此之后，考慮到濕法刻蝕工藝的刻蝕選擇比較大，能夠避免過度刻蝕，對露出的所述源漏金屬層薄膜60采用濕法刻蝕工藝形成包括所述源極61、所述漏極62、所述數(shù)據(jù)線的圖案層。
[0098]S34、如圖4(d)所示，在完成上述步驟S33的基板上，采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分92(圖中未標(biāo)示出)的光刻膠，露出所述保護(hù)層薄膜70。
[0099]S35、如圖4(e)所示，在完成上述步驟S34的基板上，采用刻蝕工藝去除露出的所述歐姆接觸層薄膜120和所述有源層薄膜40，形成所述歐姆接觸層121、所述有源層41、所述保護(hù)層71 ;其中，所述保護(hù)層71露出所述漏極62的一部分。
[0100]同樣的，所述刻蝕工藝優(yōu)選為采用等離子體氣體的干法刻蝕，以便更為精確地控制刻蝕的速率以及刻蝕剖面，從而使得形成的所述歐姆接觸層121、所述有源層41、所述保護(hù)層71的相關(guān)尺寸參數(shù)更為精確。
[0101]S36、如圖4(f)所示，在完成上述步驟S35的基板上，采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分91的光刻膠。
[0102]在上述基礎(chǔ)上，當(dāng)通過所述公共電極線22為公共電極提供公共電壓時，為了使公共電極信號更均一，上述步驟S04進(jìn)一步優(yōu)選為，通過所述第四次構(gòu)圖工藝還形成公共電極過孔連接線82，所述公共電極過孔連接線82與所述公共電極線22電連接，這樣以來，所述公共電極過孔連接線82與所述公共電極線22構(gòu)成類似于網(wǎng)格狀的連接線，可以使得公共電極信號更均一。
[0103]針對上述步驟S04，優(yōu)選的，具體可以包括以下6個子步驟:
[0104]S41、如圖5(a)所示，在完成上述步驟S31?S36的基板上，形成透明電極薄膜80，并在所述透明電極薄膜80之上形成光刻膠層90。[0105]這里,所述透明電極薄膜80可采用氧化銦錫(Indium Tin Oxide,簡稱ITO)等透明電極材料，通過PECVD的方法形成，其厚度范圍例如可以為200~丨000人。
[0106]S42、如圖5(b)所示，在完成上述步驟S42的基板上，采用普通掩模板100對形成有所述光刻膠層90的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分91和光刻膠完全去除部分93 ;其中，所述光刻膠完全保留部分91對應(yīng)待形成的所述像素電極81和所述公共電極過孔連接線82的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分93對應(yīng)其他區(qū)域。
[0107]S43、如圖5(c)所示，在完成上述步驟S43的基板上，采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分93 (圖中未標(biāo)示出)露出的所述透明電極薄膜80，形成所述像素電極81和所述公共電極過孔連接線82。
[0108]這里，考慮到濕法刻蝕工藝的刻蝕選擇比較大，能夠避免過度刻蝕，所述刻蝕工藝采用濕法刻蝕工藝。
[0109]S44、在完成上述步驟S43的基板上，采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分91 (圖中未標(biāo)不出)的光刻膠，形成如圖5(d)所不的陣列基板01。
[0110]通過本發(fā)明實(shí)施例提供的所述陣列基板01的制備方法，僅通過四次構(gòu)圖工藝即可制備出具有刻蝕阻擋層51的陣列基板01，與現(xiàn)有技術(shù)的至少五次構(gòu)圖工藝相比，能夠有效縮短陣列基板的制備流程，提高生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
[0111]需要說明的是，本發(fā)明所有附圖是上述陣列基板的簡略的示意圖，只為清楚描述本方案體現(xiàn)了與發(fā)明點(diǎn)相關(guān)的結(jié)構(gòu)，對于其他的與發(fā)明點(diǎn)無關(guān)的結(jié)構(gòu)是現(xiàn)有結(jié)構(gòu)，在附圖中并未體現(xiàn)或只體現(xiàn)部分。
[0112]此外，盡管在本發(fā)明所有實(shí)施例中，以所述源極與所述數(shù)據(jù)線相連，而使所述漏極與所述陽極電連接為例進(jìn)行了說明，然而本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，由于所述源極和所述漏極在結(jié)構(gòu)和組成上的可互換性，也可以將所述漏極與所述數(shù)據(jù)線相連，而使所述源極與所述陽極電連接，這屬于本發(fā)明的上述實(shí)施例的等同變換。
[0113]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種陣列基板的制備方法，其特征在于，包括， 在襯底基板上通過第一次構(gòu)圖工藝形成包括柵極、柵線、公共電極線的圖案層； 在形成有包括所述柵極、所述柵線、所述公共電極線的圖案層的基板上，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層與待形成的源極和漏極之間的間隙對應(yīng)；在所述公共電極線上方形成露出所述公共電極線的過孔； 在形成有包括所述柵絕緣層、所述有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分； 在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極；其中，所述像素電極與所述漏極電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有包括所述柵極、所述柵線、所述公共電極線的圖案層的基板上，通過第二次構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層；其中，所述刻蝕阻擋層與待形成的源極和漏極之間的間隙對應(yīng)；在所述公共電極線上方形成露出所述公共電極線的過孔，具體包括， 在形成有包括所述柵極、所述柵線、所述公共電極線的圖案層的基板上，依次形成柵絕緣層、有源層薄膜、以及刻蝕阻擋層薄膜，并在所述刻蝕阻擋層薄膜之上形成光刻膠層； 采用第一半色調(diào)掩模板或第一灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述刻蝕阻擋層的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)其他區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)待形成的所述過孔的區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述刻蝕阻擋層薄膜、所述有源層薄膜、以及所述柵絕緣層，形成所述過孔； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述刻蝕阻擋層薄膜； 采用刻蝕工藝去除露出的所述刻蝕阻擋層薄膜，形成所述刻蝕阻擋層； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述有源層薄膜包括非晶硅有源層薄膜； 所述在形成有包括所述柵絕緣層、所述有源層薄膜、所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝至少形成有源層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分，包括， 在形成有包括所述柵絕緣層、所述非晶硅有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層； 其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分；所述歐姆接觸層至少與所述源極、所述漏極、以及所述非晶硅有源層相接觸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，形成的所述歐姆接觸層還與所述刻蝕阻擋層相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有包括所述柵絕緣層、所述非晶硅有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，通過第三次構(gòu)圖工藝形成非晶硅有源層、歐姆接觸層、包括源極、漏極、數(shù)據(jù)線的圖案層、以及保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分；所述歐姆接觸層至少與所述源極、所述漏極、以及所述非晶硅有源層相接觸，具體包括， 在形成有包括所述柵絕緣層、所述非晶硅有源層薄膜、以及所述刻蝕阻擋層的基板上，依次形成歐姆接觸層薄膜、源漏金屬層薄膜、以及保護(hù)層薄膜，并在所述保護(hù)層薄膜之上形成光刻膠層； 采用第二半色調(diào)掩模板或第二灰色調(diào)掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分、光刻膠半保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述源極、所述漏極、以及所述數(shù)據(jù)線的區(qū)域，所述光刻膠半保留部分對應(yīng)待形成的所述保護(hù)層露出所述漏極的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述保護(hù)層薄膜和所述源漏金屬層薄膜，形成包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層，并露出所述歐姆接觸層薄膜； 采用灰化工藝去除所述光刻膠半保留部分的光刻膠，露出所述保護(hù)層薄膜； 采用刻蝕工藝去除露出的所述歐姆接觸層薄膜和所述非晶硅有源層薄膜，形成所述歐姆接觸層、所述有源層、所述保護(hù)層；其中，所述保護(hù)層露出所述漏極的一部分； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
6.根據(jù)權(quán)利要求3至5任一項(xiàng)所述的制備方法，其特征在于，所述歐姆接觸層包括氮摻雜非晶娃層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝至少形成像素電極；其中，所述像素電極與所述漏極電連接，包括， 在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線；其中，所述像素電極與所述漏極電連接；所述公共電極過孔連接線與所述公共電極線電連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，通過第四次構(gòu)圖工藝形成像素電極和公共電極過孔連接線；其中，所述像素電極與所述漏極電連接，具體包括， 在形成有至少包括所述有源層、包括所述源極、所述漏極、所述數(shù)據(jù)線的圖案層、以及所述保護(hù)層的基板上，形成透明電極薄膜，并在所述透明電極薄膜之上形成光刻膠層； 采用掩模板對形成有所述光刻膠層的基板進(jìn)行曝光、顯影后，形成光刻膠完全保留部分和光刻膠完全去除部分；其中，所述光刻膠完全保留部分對應(yīng)待形成的所述像素電極和所述公共電極過孔連接線的區(qū)域，所述光刻膠完全去除部分對應(yīng)其他區(qū)域； 采用刻蝕工藝去除所述光刻膠完全去除部分露出的所述透明電極薄膜，形成所述像素電極和所述公共電極過孔連接線； 采用剝離工藝去除所述光刻膠完全保留部分的光刻膠。
【文檔編號】H01L21/77GK104022078SQ201410234421
【公開日】2014年9月3日 申請日期:2014年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月29日
【發(fā)明者】郭會斌, 王守坤, 劉曉偉, 馮玉春, 郭總杰 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司