插入件、半導(dǎo)體封裝件及制造插入件的方法
【專利摘要】本文中公開了一種插入件、半導(dǎo)體封裝件及制造插入件的方法，該插入件包括：插入件基板，該插入件基板通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成；腔，該腔在厚度方向上穿過插入件基板的中央；以及連接電極，所述連接電極具有柱部，該柱部設(shè)置在插入件基板的上表面和下表面中的至少一個表面上，從而提高了電特性并減少了制造成本和時間。
【專利說明】插入件、半導(dǎo)體封裝件及制造插入件的方法
[0001]本申請要求于2013年8月30日提交的題為“插入件和使用插入件的半導(dǎo)體封裝件及制造插入件的方法(Interposer And Semiconductor Package Using The Same, AndMethod Of Manufacturing Interposer) ” 的韓國專利申請序號 10-2013-0104142 的外國優(yōu)先權(quán),其全部內(nèi)容通過弓I證方式結(jié)合在本申請中。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種插入件，并且更特別地，涉及一種插入件和使用該插入件的半導(dǎo)體封裝件以及制造插入件的方法。

【背景技術(shù)】
[0003]由于對于小而輕且高度集成的半導(dǎo)體裝置的需求增加，已研究了諸如堆疊式芯片封裝件的三維集成電路。通常，三維集成電路包括用于在半導(dǎo)體芯片(將其堆疊以鄰近彼此)之間相互連接的插入件。
[0004]通過參考專利文獻(第10-2009-7023266號專利申請)來描述具有使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的插入件的封裝件構(gòu)造的基本結(jié)構(gòu)，插入件設(shè)置在基板與半導(dǎo)體裝置之間，并且除用于傳輸多個信號的通道(即，過孔)之外還包括用于在基板與半導(dǎo)體裝置之間電連接的各種引線。
[0005]通常，插入件通過堆疊多個絕緣層而形成，并且因此可依據(jù)絕緣層的層數(shù)來控制插入件的高度。就是說，當需要更厚的插入件時，需要堆疊更多的絕緣層。
[0006]然而，在通過該方法控制插入件的高度的情況下，即使在不需要形成引線的空間中絕緣層也被不必要地堆疊在插入件中，從而導(dǎo)致材料的相當大的浪費。此外，當絕緣層的層數(shù)增加時，通過在每層的絕緣層中形成的引線和過孔傳導(dǎo)的電信號的路徑變長，這樣使得信號丟失和失真可能增加。
[0007]同時，在插入件與基板之間以及插入件與半導(dǎo)體裝置之間可通過結(jié)合薄膜、焊膏、焊球等連接。通過該結(jié)合方法，廣泛地形成了結(jié)合部分，這樣使得控制電路的集成是困難的。
[0008]【現(xiàn)有技術(shù)文獻】
[0009]【專利文獻】
[0010](專利文獻I)專利文獻:第10-2009-7023266號專利申請


【發(fā)明內(nèi)容】

[0011]本發(fā)明的目的是通過提供一種具有連接電極(該連接電極具有柱形形狀)的插入件并且構(gòu)造一種使用該插入件的半導(dǎo)體封裝件，而與現(xiàn)有技術(shù)相比改善電特性，同時更加減少制造成本和時間并且更加提聞生廣效率。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，提供了一種插入件，該插入件包括:插入件基板，該插入件基板通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成；腔，該腔在寬度方向上穿過插入件基板的中央；以及連接電極，該連接電極具有設(shè)置在插入件基板的上表面和下表面中的至少一個表面上的柱部。
[0013]連接電極可包括焊盤部，該焊盤部設(shè)置在柱部與插入件基板之間。
[0014]柱部的高度可控制為對應(yīng)于包括在腔中的半導(dǎo)體裝置的厚度。
[0015]連接電極可構(gòu)造成多個。
[0016]柱部的上表面還可設(shè)置有金屬層。
[0017]連接電極的表面可設(shè)置有粗糙度。
[0018]根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實施方式，提供了一種半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括:封裝件基板，該封裝件基板設(shè)置在如上所述的插入件基板的上部和下部上，并且該封裝件基板通過連接電極電連接至插入件基板；半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置安裝在封裝件基板的一個表面上并且包括在插入件基板的腔中；以及密封材料，填充該密封材料以密封包括在腔的內(nèi)部中的半導(dǎo)體裝置。
[0019]根據(jù)本發(fā)明的又一示例性實施方式，提供了一種制造插入件的方法，該方法包括:準備通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成的插入件基板；在插入件基板的一個表面或兩個表面上堆疊光阻劑；在光阻劑中形成連接電極的位置處機械加工出一個開口，并且然后填充開口的內(nèi)部；通過剝離光阻劑形成具有柱部的連接電極；以及形成在厚度方向上穿過插入件基板的中央的腔。
[0020]可以以對應(yīng)于連接電極的厚度的高度來堆疊光阻劑的厚度。
[0021]制造插入件的方法可還包括:在形成連接電極之后，對光阻劑的表面進行拋光。
[0022]制造插入件的方法可還包括:在通過剝離光阻劑形成具有柱部的連接電極之前，在柱部的上表面上形成金屬層。
[0023]制造插入件的方法可還包括:在通過剝離光阻劑形成具有柱部的連接電極之后，通過對連接電極進行表面處理來形成粗糙度。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件的截面圖。
[0025]圖2為根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件的平面圖。
[0026]圖3為使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件的半導(dǎo)體封裝件的截面圖。
[0027]圖4至圖10為順序地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的制造插入件的方法的流程圖。

【具體實施方式】
[0028]參考附圖，從示例性實施方式的以下描述中，本發(fā)明的各種優(yōu)點和特征以及實現(xiàn)其的方法將變得顯而易見。然而，本發(fā)明可以多種不同的形式修改，并且本發(fā)明不應(yīng)局限于本文中所闡述的示例性實施方式。可提供這些示例性實施方式以便本公開將是透徹且完整的，并且將向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達本發(fā)明的范圍。
[0029]在本說明書中使用的術(shù)語用于解釋示例性實施方式而不是局限本發(fā)明。除非明確地相反地描述，在本說明書中單數(shù)形式包括復(fù)數(shù)形式。此外，本文中提到的詞語“成分”、“步驟”、“操作”和/或“元件”將被理解成意指包括所述的成分、步驟、操作和/或元件而不排除任何其他成分、步驟、操作和/或元件。
[0030]在下文中，將參照附圖更詳細地描述本發(fā)明的構(gòu)造和作用效果(act1n effect)。
[0031]圖1為根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件的截面圖，圖2為根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件的平面圖，以及圖3為使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件的半導(dǎo)體封裝件的截面圖。此外，在附圖中示出的部件無需按比例示出。例如，在附圖中示出的一些部件的尺寸與其他部件相比可被放大，以幫助理解本發(fā)明的示例性實施方式。同時，貫穿附圖，相同的參考標號將用于描述相同的部件。為了說明的簡要和清楚，將在附圖中示出大致的構(gòu)造方案，并且將省略本領(lǐng)域中熟知的特征和技術(shù)的詳細描述，以避免本發(fā)明的示例性實施方式的討論會不必要的晦澀。
[0032]參照圖1至圖3，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件100具有作為基本結(jié)構(gòu)的插入件基板110并具有連接電極120，其中插入件基板具有上表面和面向上表面的下表面，連接電極設(shè)置在插入件基板110的上表面和下表面中的至少任一個上。
[0033]插入件基板110可構(gòu)造有作為基底材料的絕緣層111，該絕緣層由剛性介電材料(諸如纖維增強雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、FR-4、玻璃以及陶瓷)或者柔性介電材料(諸如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹脂、硅樹脂以及聚酰亞胺樹脂)制成。
[0034]如圖中示出的，絕緣層111堆疊成多層或可以以其他方式構(gòu)造成單層。圖1示出了插入件基板110，在該插入件基板中，柔性介電材料的絕緣層111堆疊在由剛性介電材料制成的絕緣層111的兩個表面上，以在厚度方向上堆疊總共三個絕緣層111，其中絕緣層111的層數(shù)不局限于此而是可依據(jù)所需的插入件100的厚度適當?shù)剡x擇。
[0035]插入件基板110是通過過孔112連接的夾層，過孔穿過每層的絕緣層111，使得插入件基板110的上部上的一個點可在內(nèi)部傳導(dǎo)至插入件基板的下部上的一個點。在這個構(gòu)造中，每層的過孔112可具有堆疊過孔結(jié)構(gòu),在該結(jié)構(gòu)中過孔直接地(Straightly)連接至彼此?？商娲?，過孔112可形成在每層的不同位置處，并還可通過在每個絕緣層111上形成的金屬引線113連接至彼此。
[0036]插入件基板110的中央可設(shè)置有在厚度方向上穿過插入件基板110的腔110a。因此，在構(gòu)造使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件100的半導(dǎo)體封裝件200(圖3)時，可將半導(dǎo)體裝置220插入腔IlOa中，使得根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的半導(dǎo)體封裝件200可以制造成對應(yīng)于芯片尺寸的等級的小芯片級封裝件。
[0037]如上所述，插入件基板110的上面形成有腔IlOa的其余(之外的)部分可設(shè)置有連接電極120。附圖示出了連接電極120設(shè)置在插入件基板110的上表面和下表面兩者上，但是不同于附圖，連接電極120可設(shè)置在插入件基板110的上表面和下表面中的任一個上。
[0038]連接電極120可接收或傳送來自外部的電信號，以便在構(gòu)造使用根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件100的半導(dǎo)體封裝件200時，連接電極120可用于在插入件基板110與封裝件基板210之間電連接，該封裝件基板設(shè)置在插入件基板110的上部和下部上。因此，連接電極120可由具有良好的導(dǎo)電性的N1、Al、Fe、Cu、T1、Cr、Au、Ag、Pd以及Pt中的任一金屬材料制成，并且連接電極120的數(shù)量可依據(jù)輸入/輸出終端(I/O)的數(shù)量構(gòu)造成多個。
[0039]連接電極120可構(gòu)造成包括具有柱形形狀的柱部(post part) 122并具有焊盤部(pad part) 121，該焊盤部設(shè)置在柱部122與插入件基板110之間以增強過孔112之間的連接可靠性，其中，在構(gòu)造半導(dǎo)體封裝件200時，可對應(yīng)于包括在腔IlOa中的半導(dǎo)體裝置220的厚度來控制柱部122的高度。就是說，現(xiàn)有技術(shù)依據(jù)形成插入件基板的絕緣層的層數(shù)來控制插入件的厚度，但是根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件100可通過控制連接電極120的高度(具體地，作為連接電極120的部件的柱部122的高度)而設(shè)置成所需的高度。
[0040]因此，即使由于半導(dǎo)體裝置220的原因需要具有大的厚度的插入件100，但是如在現(xiàn)有技術(shù)中，絕緣層以多層構(gòu)造，使得插入件的所需的厚度可通過僅設(shè)置柱部122的厚度來設(shè)置，而無需設(shè)定所需的厚度。因此，由于多層絕緣層堆疊可減少材料的浪費，從而節(jié)省制造成本并且減少了堆疊絕緣層的過程的數(shù)量，并且從而縮短了制造時間并極大地提高了生產(chǎn)效率。
[0041]此外，當形成插入件基板110的絕緣層111的層數(shù)增加時，通過每層絕緣層111的過孔112和金屬引線113傳導(dǎo)的電信號的路徑變長，使得極有可能增加信號的丟失和失真。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，因為絕緣層111的層數(shù)可由于具有柱形形狀的連接電極120的使用而減少，所以信號路徑變短，這樣使得可改善電特性。
[0042]同時，柱部122的上表面還設(shè)置有由Ni/Au (ENIG)、Ni/Pd/Au (ENEPIG)等制成的金屬層130，使得在構(gòu)造圖3的半導(dǎo)體封裝件200時，可增加與封裝件基板210的結(jié)合可靠性。此外，盡管沒有在附圖中單獨示出，但是連接電極120的表面可設(shè)置有表面粗糙度以增強附著性(adhes1n)。
[0043]在下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的制造具有該結(jié)構(gòu)的連接電極120以及包括該連接電極的插入件100的方法以及。
[0044]圖4至圖10為順序地示出了根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的制造插入件的方法的流程圖。首先，如圖4所示，準備通過堆疊一層或多層的絕緣層111形成的插入件基板110。
[0045]作為絕緣層111的構(gòu)造材料，可使用剛性介電材料(諸如纖維增強雙馬來酰亞胺三嗪(BT)、FR-4、玻璃以及陶瓷)或者柔性介電材料(諸如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、聚氨酯樹月旨、硅樹脂以及聚酰亞胺樹脂)。
[0046]在堆疊絕緣層111時，用于夾層連接的過孔112和金屬引線113通過使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的電路形成工藝(例如，半加成法、改進的半加成法、減成法等)形成在每個絕緣層111上，并且插入件基板110的外層設(shè)置有結(jié)合至過孔112的焊盤部121。
[0047]接著，如圖5所示，插入件基板110的一個表面或兩個表面經(jīng)歷堆疊具有預(yù)定高度的光阻劑(photo resist,光致抗蝕劑)10的過程。
[0048]光阻劑10是這樣的層，即是用于形成連接電極120的基底，并且光阻劑10的厚度可以堆疊成具有對應(yīng)于連接電極120的厚度的高度，并且作為光阻劑的構(gòu)造材料，使用用于通過曝光和顯影工藝形成連接電極120的光敏樹脂。
[0049]如圖6所示，當將光阻劑10如上所述堆疊時，在光阻劑10的預(yù)定位置處機器加工出開口 10a，并且然后將開口 1a的內(nèi)部填充金屬材料(圖7)。
[0050]詳細地，由于光阻劑10由光敏樹脂制成，所以當將具有所需圖案的光掩膜(例如，原裝菲林(artwork film))堆疊在光阻劑10上，并且然后執(zhí)行曝光過程時，光阻劑的被紫外線照射的一部分通過由包含在光阻劑中的感光啟始劑開始聚合反應(yīng)而被固化，并且沒有被紫外線照射的一部分(即，形成有連接電極120的柱部122的一部分)稍后通過顯影劑的顯影工藝而被蝕刻，從而形成開口 10a。
[0051]通過使用無電鍍、電鍍、絲網(wǎng)印刷、派射、蒸發(fā)、噴墨以及分配(dispensing)中的任一個或其組合可將這樣形成的開口 1a用從N1、Al、Fe、Cu、T1、Cr、Au、Ag、Pd以及Pt中選擇的任一種金屬材料填充。
[0052]如上所述，當將開口 1a填充金屬材料并且然后將光阻劑10剝離(delaminated,分層)時，則完成由焊盤部121和形成于其上的柱部122構(gòu)造的連接電極120，并且在光阻劑10被剝離之前，光阻劑的表面可進一步經(jīng)受拋光光阻劑10的表面的過程，以使連接電極120的高度平整(planarize)。當在填充過程中連接電極120 (具體地，柱部122的高度)形成為比需要的值大時，則通過拋光過程將值設(shè)定成需要的值。
[0053]此外，在拋光過程之后，柱部122的暴露于光阻劑10的表面的上表面可經(jīng)受如無電鍍表面處理的形成由Ni/Au (ENIG)、Ni/Pd/Au (ENEPIG)等制成的金屬層130的過程(圖8)。在通過金屬層130構(gòu)造半導(dǎo)體封裝件200時，可極大地改善插入件基板110與封裝件基板210之間的結(jié)合可靠性。
[0054]如上所述，當形成金屬層130時，光阻劑10被剝離(圖9)，并且然后通過刨槽(router)或沖壓工藝形成在厚度方向上穿過插入件基板110的中央的腔110a，從而最終完成根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的插入件100(圖10)。
[0055]此外，在構(gòu)造半導(dǎo)體封裝件200時，為了增強連接電極120的附著性，在將光阻劑10剝離之后，可通過執(zhí)行棕氧化工藝或有機可焊保護劑(OSP)工藝而進一步形成連接電極120的表面粗糙度。
[0056]在下文中，將參照圖3詳細描述依據(jù)該方法的根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的使用插入件100的半導(dǎo)體封裝件200的結(jié)構(gòu)。
[0057]參照圖3，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的使用插入件100的半導(dǎo)體封裝件200包括插入件基板110和封裝件基板210，在該半導(dǎo)體封裝件中，封裝件基板210可通過連接電極120電連接至插入件基板110。
[0058]在本文中，封裝件基板210包括陶瓷基板、PCB基板等，諸如高溫共燒陶瓷(HTCC)和低溫共燒陶瓷(LTCC)。封裝件基板210依據(jù)預(yù)先設(shè)計的圖案設(shè)置有電路引線以構(gòu)造芯片部件的信號線、地線等。
[0059]封裝件基板210的一個表面可設(shè)置有使用硅、絕緣體上硅結(jié)構(gòu)(SOI)、硅鍺等制造的半導(dǎo)體裝置220。例如，可將多層引線、多個晶體管、多個無源裝置等結(jié)合進半導(dǎo)體裝置200中，并且圖3示出了半導(dǎo)體裝置220以倒裝芯片法(flip-chip)結(jié)合至封裝件基板210，但是本發(fā)明的示例性實施方式不局限于此，并且可通過諸如引線接合的各種結(jié)合方式將半導(dǎo)體裝置220安裝在封裝件基板210上。
[0060]更詳細地，半導(dǎo)體裝置220安裝在設(shè)置有插入件基板110的側(cè)面處，并且因此半導(dǎo)體裝置可設(shè)置成插入插入件基板I1的腔IlOa中。因此，包括連接電極120的插入件100的厚度形成為比已安裝的半導(dǎo)體裝置220的厚度大。在這個情況下，可以以柱部122的高度來控制插入件100的厚度。
[0061]密封材料230可填充到直至插入件100的高度以便密封包括在腔IlOa的內(nèi)部中的半導(dǎo)體裝置220。例如，密封材料230可為環(huán)氧模塑料(EMC)材料或底部填充材料，但是不局限于此并且可使用各種材料的密封劑。
[0062]可通過連接電極120將另一封裝件基板(其上安裝有半導(dǎo)體裝置)連接在具有上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體封裝件200上(具體地，連接在插入件基板110上與封裝件基板210相對的側(cè)面處)，這樣使得根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的半導(dǎo)體封裝件200還可制造成具有堆疊式封裝(PoP)結(jié)構(gòu)。
[0063]根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，由于插入件的厚度以具有柱形形狀的連接電極的高度來控制，因此可減少由于絕緣層的制造的材料浪費，從而節(jié)省制造成本并減少用于堆疊絕緣層的過程的數(shù)量，從而縮短制造時間并極大地提高生產(chǎn)效率。
[0064]此外，電信號在最短的距離上保持，同時提高了電路的集成化，從而極大地改善了電特性。
[0065]已結(jié)合目前被理解為實踐的示例性實施方式描述了本發(fā)明。盡管已描述了本發(fā)明的示例性實施方式，但是本發(fā)明還可在各種其他組合、修改以及環(huán)境中使用。換言之，可在說明書中所公開的本發(fā)明的概念的范圍之內(nèi)改變或修改本發(fā)明，該范圍相當于本發(fā)明所屬的領(lǐng)域中的技術(shù)或知識的公開內(nèi)容和/或范圍。已提供上述的示例性實施方式來解釋實現(xiàn)本發(fā)明的最佳情形。因此，這些示例性實施方式可以在使用其他發(fā)明(諸如本發(fā)明)時在對于本發(fā)明所屬的領(lǐng)域是已知的其他情形中實現(xiàn)，并且還修改成本發(fā)明的特定應(yīng)用領(lǐng)域和用途中所需要的各種形式。因此，應(yīng)理解的是，本發(fā)明不局限于已公開的實施方式。應(yīng)理解的是，其他實施方式也可包括在所附權(quán)利要求的精神和范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種插入件，包括: 插入件基板，所述插入件基板通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成； 腔，所述腔在厚度方向上穿過所述插入件基板的中央；以及 連接電極，所述連接電極具有柱部，所述柱部設(shè)置在所述插入件基板的上表面和下表面中的至少一個表面上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件，其中，所述連接電極包括焊盤部，所述焊盤部設(shè)置在所述柱部與所述插入件基板之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件，其中，所述柱部的高度控制為對應(yīng)于包括在所述腔中的半導(dǎo)體裝置的厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件，其中，所述連接電極構(gòu)造成多個。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件，其中，所述柱部的所述上表面還設(shè)置有金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的插入件，其中，所述連接電極的表面設(shè)置有粗糙度。
7.一種半導(dǎo)體封裝件，包括: 封裝件基板，所述封裝件基板設(shè)置在根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項所述的插入件基板的上部和下部上，并且所述封裝件基板通過所述連接電極電連接至所述插入件基板。 半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置安裝在所述封裝件基板的一個表面上并包括在所述插入件基板的腔中；以及 密封材料，填充所述密封材料以密封包括在所述腔的內(nèi)部中的所述半導(dǎo)體裝置。
8.一種制造插入件的方法，包括: 準備通過堆疊一層或多層的絕緣層并堆疊通過過孔連接的夾層構(gòu)成的插入件基板； 在所述插入件基板的一個表面或兩個表面上堆疊光阻劑； 在所述光阻劑中形成連接電極的位置處機械加工出一開口，并且然后填充所述開口的內(nèi)部； 通過剝離所述光阻劑形成具有柱部的所述連接電極；以及 形成在厚度方向上穿過所述插入件基板的中央的腔。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，以對應(yīng)于所述連接電極的厚度的高度來堆疊所述光阻劑的厚度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括: 在形成所述連接電極之后，對所述光阻劑的表面進行拋光。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括: 在通過剝離所述光阻劑形成具有柱部的所述連接電極之前，在所述柱部的上表面上形成金屬層。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括: 在通過剝離所述光阻劑形成具有柱部的所述連接電極之后，通過對所述連接電極進行表面處理而形成粗糙度。
【文檔編號】H01L21/48GK104425433SQ201410199160
【公開日】2015年3月18日 申請日期:2014年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月30日
【發(fā)明者】金起煥, 樸正鉉, 趙鏞允, 鄭丞洹, 金多禧, 韓基鎬 申請人:三星電機株式會社