Tft深接觸孔制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種TFT深接觸孔制造方法，采用非晶化ITO膜層生長在厚絕緣層膜之上，利用圖形化工藝將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至此非晶化ITO膜層之上，在深接觸孔刻蝕過程中無需多次曝光、干刻接觸孔而形成深接觸孔，一方面節(jié)省了工藝成本及提升工藝時(shí)間，另一方面由于無需多次剝離光刻膠，可明顯提高產(chǎn)品的良率。本發(fā)明使得深接觸孔制造工藝僅通過一次光刻圖形化轉(zhuǎn)移、一次干法刻蝕即可實(shí)現(xiàn)，節(jié)省工藝制造成本；同時(shí)無需考慮光刻膠長時(shí)間在干刻氣氛的作用下變性而無法剝防干凈，制作工藝簡單，提高生產(chǎn)良率與生產(chǎn)節(jié)拍，本發(fā)明制作工藝簡單，能有效提高生產(chǎn)節(jié)拍，在更低的生產(chǎn)成本的條件下，實(shí)現(xiàn)TFT陣列基板中TFT深接觸孔的快速和高質(zhì)量制造。
【專利說明】 TFT深接觸孔制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種顯示領(lǐng)域TFT陣列基板的制造方法，特別是涉及到一種TFT接觸孔的制造方法，應(yīng)用于薄膜晶體管制備【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管的英文全稱為Thin Film Transistor,縮寫為TFT。
[0003]參見圖1，傳統(tǒng)的TFT陣列基板中TFT深接觸孔的制造方法如下:
一、首先將PECVD沉積的絕緣層膜后的基板清洗潔凈，并在此基板表面之上涂布正性光刻膠及前烘，利用圖形化轉(zhuǎn)移方式對(duì)涂布的正性光刻膠進(jìn)行曝光、顯影以及后烘，制作出預(yù)進(jìn)行干法刻蝕的接觸孔圖形；二、對(duì)此基板上PECVD沉積的絕緣層膜進(jìn)行干刻處理，為保證每次干刻工藝結(jié)束后的光刻膠可以被完全去除干凈，控制干刻工藝時(shí)間，在后續(xù)N次重復(fù)干刻工藝之后，整個(gè)絕緣層膜可以被完全刻蝕干凈；三、剝離基板表面光刻膠；四、重復(fù)驟一、二、三的工藝步驟N次，直至干刻工藝結(jié)束。至此，本方法的TFT陣列基板深接觸孔制造工藝結(jié)束。
[0004]傳統(tǒng)的TFT陣列基板中TFT深接觸孔的制造方法通過多次光刻圖形化轉(zhuǎn)移、多次干法刻蝕進(jìn)行，制作工藝較為繁復(fù)，生產(chǎn)受到影響，產(chǎn)品合格率不高，工藝制造成本較高，對(duì)于深接觸孔圖形干刻由于采用的光刻膠長時(shí)間在干刻氣氛的作用下而發(fā)生性狀改變，采用傳統(tǒng)脫膜方式無法將其徹底去除干凈導(dǎo)致光刻膠殘留，因此傳統(tǒng)選用分步刻蝕的方式對(duì)深接觸孔圖形進(jìn)行干法刻蝕。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)問題，本發(fā)明的目的在于克服已有技術(shù)存在的不足，提供一種TFT深接觸孔制造方法，該工藝通過在PECVD沉積的絕緣層膜之后先進(jìn)行一次常溫非晶化ITO膜層工藝加工，從而使得深接觸孔干刻只經(jīng)過一次光刻圖形化轉(zhuǎn)移、一次干法刻蝕工藝即可實(shí)現(xiàn)深接觸孔的干刻工藝。
[0006]為達(dá)到上述發(fā)明創(chuàng)造目的，本發(fā)明采用下述技術(shù)方案:
一種TFT深接觸孔制造方法，包括如下步驟:
a.在清洗潔凈的TFT基板上利用PECVD工藝沉積一層絕緣層膜，絕緣層膜的厚度可根據(jù)工藝需求沉積比傳統(tǒng)干刻工藝所能接受厚度更厚的厚度；
b.在上述步驟a中制備的絕緣層膜之上用磁控濺射方法生長一層非晶化ITO膜層，使非晶化ITO膜層的厚度小于在上述步驟a中制備的絕緣層膜的厚度；
c.通過光刻圖形化工藝，將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至非晶化ITO膜層上，然后按照非晶化ITO膜層上的接觸孔圖形所對(duì)應(yīng)的施行濕法刻蝕區(qū)域形狀，利用ITO刻蝕液對(duì)非晶化ITO膜層進(jìn)行刻蝕，在非晶化ITO膜層上形成接觸孔圖形，使接觸孔底部的絕緣層膜裸露出來，并利用剝離液剝離掉非晶化ITO膜層表面上的光刻膠，使具有接觸孔的非晶化ITO膜層顯露出來；作為優(yōu)選的工藝手段，對(duì)非晶化ITO膜層表面上進(jìn)行圖形化工藝時(shí)，首先在非晶化ITO膜層之上涂布一層光刻膠涂層，再經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成具有接觸孔的光刻膠圖形，使接觸孔底部的非晶化ITO膜層裸露出來，即完成將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至非晶化ITO膜層上的工藝工程；
d.以在上述步驟C中制備的具有接觸孔的非晶化ITO膜層作為絕緣層膜的干法刻蝕阻擋層，通過接觸孔對(duì)絕緣層膜進(jìn)行干法刻蝕，直至形成深接觸孔，使深接觸孔底部的TFT基板表面裸露出來；
e.再次利用ITO刻蝕液刻蝕掉非晶化ITO膜層，使具有深接觸孔的絕緣層膜顯露出來，從而完成TFT深接觸孔制造過程。
[0007]作為本發(fā)明優(yōu)選的技術(shù)方案，在上述步驟a中，絕緣層膜優(yōu)選采用SiOx絕緣層膜；在上述步驟d中，優(yōu)選對(duì)SiOx絕緣層膜進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，在CF4氣氛下施行干刻工藝。
[0008]作為上述技術(shù)方案的優(yōu)選技術(shù)方案，在上述步驟c和步驟e中，均采用草酸刻蝕液在常溫下對(duì)非晶化ITO膜層進(jìn)行刻蝕。
[0009]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下顯而易見的突出實(shí)質(zhì)性特點(diǎn)和顯著優(yōu)點(diǎn): 本發(fā)明采用非晶化ITO膜層生長在厚絕緣層膜之上，利用圖形化工藝將接觸孔圖形轉(zhuǎn)
移至此非晶化ITO膜層之上，深接觸孔干刻工藝過程中，長時(shí)間的干法刻蝕氣氛下使光刻膠變性而無法剝離掉的現(xiàn)象可以避免，因此在深接觸孔刻蝕過程中無需多次曝光、干刻接觸孔而形成深接觸孔，一方面節(jié)省了工藝成本及提升工藝時(shí)間，另一方面由于無需多次剝離光刻膠，可明顯提高產(chǎn)品的良率。本發(fā)明通過在PECVD沉積的絕緣層膜之上先濺射常溫非晶化ITO膜層并進(jìn)行圖形化工藝加工，使得深接觸孔制造工藝僅通過一次光刻圖形化轉(zhuǎn)移、一次干法刻蝕即可實(shí)現(xiàn)，節(jié)省工藝制造成本；同時(shí)還無需考慮光刻膠長時(shí)間在干刻氣氛的作用下變性而無法剝防干凈，制作工藝簡單，提高生產(chǎn)的良率與生產(chǎn)節(jié)拍，本發(fā)明制作工藝簡單，能有效提高生產(chǎn)節(jié)拍，在更低的生產(chǎn)成本的條件下，實(shí)現(xiàn)TFT陣列基板中TFT深接觸孔的快速和高質(zhì)量制造。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1為傳統(tǒng)TFT深接觸孔制造工藝流程框圖。
[0011]圖2為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例TFT深接觸孔制造工藝流程框圖。
[0012]圖3為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中采用的TFT基板結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖4為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中沉積絕緣層膜的TFT工藝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0014]圖5為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中生長非晶化ITO膜層的TFT工藝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0015]圖6為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中光刻圖形化的TFT工藝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖7為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中呈現(xiàn)非晶化ITO膜層的TFT工藝結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖8為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中制作深接觸孔的TFT工藝結(jié)構(gòu)示意圖。[0018]圖9為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例在TFT深接觸孔制造工藝中呈現(xiàn)具有深接觸孔的絕緣層膜的TFT工藝結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0019]本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例詳述如下:
在本實(shí)施例中，參見圖2?圖9，TFT深接觸孔制造方法，包括如下步驟:
a.在清洗潔凈的TFT基板10上利用PECVD工藝沉積一層厚度為5000A的SiOx絕緣層膜20，參見圖3和圖4 ；
b.在上述步驟a中制備的SiOx絕緣層膜20之上用磁控濺射方法在低溫下生長一層厚度為300 A的非晶化ITO膜層30，參見圖5 ;
c.通過光刻圖形化工藝，首先在非晶化ITO膜層30之上涂布一層光刻膠40，再經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成具有接觸孔的光刻膠圖形，使接觸孔底部的非晶化ITO膜層30裸露出來，即完成將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至非晶化ITO膜層30上的工藝工程，將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至非晶化ITO膜層30上，然后按照非晶化ITO膜層30上的接觸孔圖形所對(duì)應(yīng)的施行濕法刻蝕區(qū)域形狀，在常溫下利用草酸刻蝕液對(duì)非晶化ITO膜層30進(jìn)行刻蝕，刻蝕時(shí)間為20秒，在非晶化ITO膜層30上形成接觸孔圖形31，使接觸孔底部的絕緣層膜20裸露出來，并在溫度為60°C條件下，利用剝離液剝離去除非晶化ITO膜層30表面上的光刻膠40，使具有接觸孔的非晶化ITO膜層30顯露出來，參見圖6和圖7 ；
d.以在上述步驟c中制備的具有接觸孔的非晶化ITO膜層30作為SiOx絕緣層膜20的干法刻蝕阻擋層，在CF4氣氛下，通過接觸孔對(duì)SiOx絕緣層膜20進(jìn)行干法刻蝕，刻蝕時(shí)間為350秒，直至將接觸孔處SiOx完全刻蝕形成TFT深接觸孔50，使深接觸孔50底部的TFT基板10表面裸露出來，參見圖8 ;
e.在常溫下，再次利用草酸刻蝕液刻蝕去除非晶化ITO膜層30，使具有深接觸孔50的SiOx絕緣層膜20顯露出來，從而完成TFT深接觸孔50制造過程，參見圖9。
[0020]參見圖2，本實(shí)施例TFT深接觸孔制造方法，通過在PECVD沉積的厚絕緣層膜之上，利用磁控濺射機(jī)常溫濺射一層非晶化ITO膜層，通過光刻圖形化工藝將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至此非晶化ITO膜層上，并對(duì)ITO膜層時(shí)行刻蝕，剝離去除表面的光刻膠，并將此層非晶化ITO膜層作為干法刻蝕阻擋層，從而實(shí)現(xiàn)深接觸孔干法刻蝕工藝的一次性刻蝕，節(jié)約工藝制造成本；同時(shí)，可以避免光刻膠在干法刻蝕氣氛長時(shí)間的作用下變性而無法剝離。本實(shí)施例對(duì)傳統(tǒng)的TFT深接觸孔制造方法進(jìn)行了優(yōu)化，通過在PECVD沉積的絕緣層膜之上先濺射常溫非晶化ITO膜層并進(jìn)行圖形化工藝加工，使得深接觸孔制造工藝僅通過一次光刻圖形化轉(zhuǎn)移、一次干法刻蝕即可實(shí)現(xiàn)，節(jié)省工藝制造成本；同時(shí)還無需考慮光刻膠長時(shí)間在干刻氣氛的作用下變性而無法剝防干凈，制作工藝簡單，提高生產(chǎn)的良率與生產(chǎn)節(jié)拍。
[0021]上面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，還可以根據(jù)本發(fā)明的發(fā)明創(chuàng)造的目的做出多種變化，凡依據(jù)本發(fā)明技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)和原理下做的改變、修飾、替代、組合、簡化，均應(yīng)為等效的置換方式，只要符合本發(fā)明的發(fā)明目的，只要不背離本發(fā)明TFT深接觸孔制造方法的技術(shù)原理和發(fā)明構(gòu)思，都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種TFT深接觸孔制造方法，其特征在于，包括如下步驟: a.在清洗潔凈的TFT基板上利用PECVD工藝沉積一層厚絕緣層膜，絕緣層膜的厚度根據(jù)工藝需求沉積比傳統(tǒng)干刻工藝所能接受厚度更厚的厚度； b.在上述步驟a中制備的絕緣層膜之上用磁控濺射方法生長一層非晶化ITO膜層，使非晶化ITO膜層的厚度小于在上述步驟a中制備的絕緣層膜的厚度； c.通過光刻圖形化工藝，將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至非晶化ITO膜層上，然后按照非晶化ITO膜層上的接觸孔圖形所對(duì)應(yīng)的施行濕法刻蝕區(qū)域形狀，利用ITO刻蝕液對(duì)非晶化ITO膜層進(jìn)行刻蝕，在非晶化ITO膜層上形成接觸孔圖形，使接觸孔底部的絕緣層膜裸露出來，并利用剝離液剝離掉非晶化ITO膜層表面上的光刻膠，使具有接觸孔的非晶化ITO膜層顯露出來； d.以在上述步驟C中制備的具有接觸孔的非晶化ITO膜層作為絕緣層的干法刻蝕阻擋層，通過接觸孔對(duì)絕緣層膜進(jìn)行干法刻蝕，直至形成深接觸孔，使深接觸孔底部的TFT基板表面裸露出來； e.再次利用ITO刻蝕液刻蝕掉非晶化ITO膜層，使具有深接觸孔的絕緣層膜顯露出來，從而完成TFT深接觸孔制造過程。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述TFT深接觸孔制造方法，其特征在于:在上述步驟c中，對(duì)非晶化ITO膜層表面上進(jìn)行圖形化工藝時(shí)，首先在非晶化ITO膜層之上涂布一層光刻膠涂層，再經(jīng)過光刻、顯影、烘烤形成具有接觸孔的光刻膠圖形，使接觸孔底部的非晶化ITO膜層裸露出來，即完成將接觸孔圖形轉(zhuǎn)移至非晶化ITO膜層上的工藝工程。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述TFT深接觸孔制造方法，其特征在于:在上述步驟a中，絕緣層膜為SiOx絕緣層膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述TFT深接觸孔制造方法，其特征在于:在上述步驟d中，對(duì)SiOx絕緣層膜進(jìn)行干法刻蝕時(shí)，在CF4氣氛下施行干刻工藝。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述TFT深接觸孔制造方法，其特征在于:在上述步驟c和步驟e中，均采用草酸刻蝕液在常溫下對(duì)非晶化ITO膜層進(jìn)行刻蝕。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK103996653SQ201410193642
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年5月9日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月9日
【發(fā)明者】陳龍龍, 李喜峰, 張建華 申請(qǐng)人:上海大學(xué)