有機發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】一種有機發(fā)光裝置，包括：基板；在所述基板上的第一電極；第二電極；在所述第一電極和第二電極之間的有機層，所述有機層包括發(fā)光層；和包括含氰基的化合物的第一層，所述第一層在所述第一電極和所述發(fā)光層之間，其中所述第一電極包括依次堆疊在所述基板上的Al類反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類反射層包括第一元素和鎳(Ni)，且所述第一元素包括鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和镥(Lu)中的至少一種。
【專利說明】有機發(fā)光裝置
[0001]本申請是申請日為2010年10月12日，申請?zhí)枮?01010513076.6，發(fā)明名稱為“有
機發(fā)光裝置”的發(fā)明專利申請的分案申請。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明各實施方式涉及有機發(fā)光裝置。
【背景技術(shù)】
[0003]有機發(fā)光裝置(OLED)為自發(fā)光裝置，具有例如寬視角、優(yōu)異的對比度、快速響應(yīng)、高亮度、優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性等優(yōu)點，并能夠提供多色圖像。
[0004]OLED具有包括例如基板，以及依次堆疊在該基板上的陽極、空穴傳輸層(HTL)、發(fā)光層(EML)、電子傳輸層(ETL)和陰極。〈0}在此，HTL、EML和ETL可為例如由有機化合物形成的有機薄膜。
[0005]具有上述結(jié)構(gòu)的OLED的操作原理如下。
[0006]在對陽極和陰極施加電壓時，由陽極注入的空穴可通過HTL移動到EML ;且由陰極注入的電子可通過ETL移動到EML?？昭ê碗娮訒贓ML再結(jié)合以產(chǎn)生激子。當(dāng)激子由激發(fā)態(tài)下降至基態(tài)時，會發(fā)光。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本申請本發(fā)明的各實施方式涉及一種有機發(fā)光裝置，所述有機發(fā)光裝置基本上克服了因現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點而造成的一個或多個問題。
[0008]本發(fā)明實施方式的特點在于提供具有優(yōu)異的驅(qū)動電壓特性和優(yōu)異的功率效率特性的有機發(fā)光裝置。
[0009]以上和其他特征及優(yōu)點中的至少一個可通過提供有機發(fā)光裝置來實現(xiàn)，所述有機發(fā)光裝置包括:基板；在所述基板上的第一電極；第二電極；在所述第一電極和第二電極之間的有機層，所述有機層包括發(fā)光層；和包括含氰基的化合物的第一層，所述第一層在所述第一電極和所述發(fā)光層之間，其中所述第一電極包括依次堆疊在所述基板上的Al類反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類反射層包括第一元素和鎳(Ni)，且所述第一元素包括鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、钷(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)、釓(Gd)、鋱(Tb)、鏑(Dy)、欽(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)和镥(Lu)中的至少一種。
[0010]所述第一電極可進一步包括含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素包括鋁(Al)、銦(In)、鎵(Ga)、鍺(Ge)、釓(Gd)、錯(Zr)、.(Mo)和鎳(Ni)中的至少一種。
[0011]所述Al類反射層、所述透明導(dǎo)電層和所述含第二元素的氧化鋅層可以此順序依次堆疊在所述基板上。
[0012]基于100重量份的所述含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素的含量可為約0.5至約10重量份。
[0013]所述Al類反射層可包括La、Ni和Al。[0014]所述含氰基的化合物可包括由通式I至20表示的化合物中的任何一種:
[0015]
【權(quán)利要求】
1.一種有機發(fā)光裝置，包括: 基板； 在所述基板上的第一電極； 第二電極； 在所述第一電極和第二電極之間的有機層，所述有機層包括發(fā)光層；和 包括含氰基的化合物的第一層，所述第一層在所述第一電極和所述發(fā)光層之間， 其中: 所述第一電極包括依次堆疊在所述基板上的Al類反射層和透明導(dǎo)電層，所述Al類反射層包括第一元素和鎳，且 所述第一元素包括鑭、鈰、鐠、钷、釤、銪、釓、鋱、鏑、欽、鉺、銩、鐿和镥中的至少一種；其中在所述Al類反射層面向所述透明導(dǎo)電層的表面上進一步包括富鎳氧化物層，且其中在所述第一電極的所述Al類反射層和所述基板之間設(shè)置有金屬層，且所述金屬層包括鑰(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鈀(Pd)、鉬(Pt)和金(Au)中的至少一種。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一電極進一步包括含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素包括鋁、銦、鎵、鍺、釓、鋯、鑰和鎳中的至少一種。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層、所述透明導(dǎo)電層和所述含第二元素的氧化鋅層以此順序依次堆疊在所述基板上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述含第二元素的氧化鋅層，所述第二元素的含量為0.5至10重量份。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層包括La、Ni和Al。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述含氰基的化合物包括由通式I至20表示的化合物中的任何一種:
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中X1至X4各自獨立地由通式30A或30D表示。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中R103為氫原子，鹵素原子，氰基，C1-Cki的烷基，C1~Cl0的烷氧基，被鹵素原子、氛基、苯基、蔡基、恩基、吡啶基、苯硫基和苯并苯硫基中的至少一種取代的C1~Cltl的烷基或C1~Cltl的烷氧基，或者-N(Rltl7) (R108)的一種，且 其中Rltl7和Rltl8各自獨立地為氫原子、C1~Cltl的烷基、苯基或聯(lián)苯基。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中Rltll和Rltl2各自獨立地為氰基、
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中A1和A2均為-S-。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中Q皿和Qltl2各自獨立地為亞乙基，亞丙基，亞乙烯基，亞丙烯基，被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞乙基，被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞丙基，被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞乙烯基，或被鹵素原子、氰基、羥基中的至少一種取代的亞丙烯基。
12.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中T1和T2各自獨立地為苯，萘，蒽，噻吩，唾重氣，嚼二唑，或者為被鹵素原子、氛基、C1~Cltl的烷基和C1~Cltl的烷氧基中的至少一種取代的苯、萘、蒽、噻吩、噻重氮或噁二唑。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中P為I。
14.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中q為O、I或2。
15.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置,其中Lltll為亞苯硫基,苯并亞苯硫基,被鹵素原子、氰基和C1~Cltl的烷基中的至少一種取代的亞苯硫基，和被鹵素原子、氰基和C1~Cki的烷基中的至少一種取代的苯并亞苯硫基中的一種。
16.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光裝置，其中所述含氰基的化合物為由以下通式IA至20B中的任何一種表示的化合物:
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一層進一步包括空穴傳輸化合物。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有機發(fā)光裝置，其中所述空穴傳輸化合物包括由以下通式41或42表示的化合物:
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光裝置，其中Ar1和Ar11各自獨立地為C1~Cltl的亞烷基，亞苯基，亞萘基，亞蒽基，亞芴基，亞咔唑基，亞吡唑基，亞吡啶基，亞三嗪基，-N(Q1)-；或者被鹵素原子、氰?基、羥基、C1~Cltl的烷基、C1~Cltl的烷氧基、苯基、蔡基和恩基中的至少一種取代的C1~Cltl的亞烷基、亞苯基、亞萘基、亞蒽基、亞芴基、亞咔唑基、亞吡唑基、亞吡啶基或亞三嗪基， 其中Q1為氫原子，C1~Cltl的烷基，C1~Cltl的烷氧基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，用選自由鹵素原子、氛基、羥基、C1~Cltl的烷基、C1~Cltl的烷氧基、苯基、蔡基和恩基組成的組中的至少一種取代基取代的C1~Cltl的烷基X1~Cltl的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N(Q2) (Q3)中的一種。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光裝置，其中Ar2和Ar12各自獨立地為氫原子，C1~C10的烷基，苯基，萘基，咔唑基，芴基，芘基，被鹵素原子、氰基、羥基、C1~Cltl的烷基、C1~C10的烷氧基、苯基、萘基和蒽基中的至少一種取代的C1~Cltl的烷基X1~Cltl的烷氧基、苯基、萘基、咔唑基、芴基或芘基，或-N (Q2) (Q3),且 其中Q2和Q3各自獨立地為氫原子、甲基、乙基、苯基、甲苯基、聯(lián)苯基、萘基或甲萘基。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的有機發(fā)光裝置，其中η和m各自獨立地為0、1、2、3、4、5或6。
22.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述第一層，所述第一層中所述含氰基的化合物的含量為0.1至20重量份。
23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一層具有丨OA至2100A.的厚度。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一層和所述發(fā)光層之間的距離為50人或更大。
25.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中在所述第一層和所述發(fā)光層之間進一步包括空穴注入層和空穴傳輸層中的至少一個。
26.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層包括AlxNi相，且X為2.5 至 3.5。
27.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述Al類反射層包括AlxNi相并接觸所述透明導(dǎo)電層，其中所述AlxNi相中X為2.5至3.5。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的有機發(fā)光裝置，其中X為3。
29.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述Al類反射層，所述Al類反射層中鎳的含量為0.6?1:%至5wt%。
30.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中所述第一元素包括鑭。
31.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中基于100重量份的所述Al類反射層，所述Al類反射層中所述第一元素的含量為0.lwt%至3wt%。
32.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機發(fā)光裝置，其中，所述透明導(dǎo)電層包括氧化銦錫或氧化錫。
【文檔編號】H01L51/52GK103943784SQ201410182230
【公開日】2014年7月23日 申請日期:2010年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2009年10月12日
【發(fā)明者】金怠植, 金東憲, 李寬熙, 千民承, 金美更 申請人:三星顯示有限公司