半導(dǎo)體封裝的制作方法
【專利摘要】于此公開了一種半導(dǎo)體封裝。根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝包括：第一襯底，該第一襯底具有安裝在其兩個表面上的電子設(shè)備；以及第二襯底，該第二襯底與所述第一襯底的一個表面結(jié)合并且包括嵌入部分，其中安裝在所述第一襯底的一個表面上的電子設(shè)備被嵌入所述嵌入部分中，其中所述第二襯底包括接地過孔以及沿著所述第二襯底的內(nèi)壁或外壁形成的屏蔽壁。
【專利說明】半導(dǎo)體封裝
[0001]相關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請要求2013年6月28日提交的、名稱為“Semiconductor Package”的韓國專利申請N0.10-2013-0075875的權(quán)益，該申請的全部以引用的方式結(jié)合于本申請。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體封裝。

【背景技術(shù)】
[0004]隨著半導(dǎo)體技術(shù)的快速發(fā)展，半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)顯著地成長。進一步地，被配置為通過將諸如半導(dǎo)體設(shè)備的電子設(shè)備預(yù)先安裝在印刷電路襯底上的封裝的半導(dǎo)體封裝的發(fā)展已經(jīng)活躍地進行，例如封裝中的系統(tǒng)(SIP)、芯片大小的封裝(CSP)以及倒裝芯片封裝(FCP)。為了使半導(dǎo)體封裝能夠穩(wěn)定并有效地傳遞信號，考慮不斷地增強能夠屏蔽由高頻導(dǎo)致的噪聲的功能是很重要的。為了屏蔽噪聲以允許半導(dǎo)體設(shè)備能夠穩(wěn)定地傳遞信號并且提供低阻抗，在襯底上額外地形成接地層的過程被執(zhí)行。(韓國專利N0.0274782)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明致力于提供一種具有足夠屏蔽區(qū)域的半導(dǎo)體封裝。
[0006]此外，本發(fā)明致力于提供一種能夠在提高屏蔽能力的同時維持信號性能的半導(dǎo)體封裝。
[0007]此外，本發(fā)明致力于提供一種具有提高的設(shè)計自由度的半導(dǎo)體封裝。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種半導(dǎo)體封裝，包括:第一襯底，該第一襯底具有安裝在其兩個表面上的電子設(shè)備；以及第二襯底，該第二襯底與所述第一襯底的一個表面結(jié)合并且包括嵌入部分，其中安裝在所述第一襯底的一個表面上的電子設(shè)備被嵌入所述嵌入部分中，其中所述第二襯底包括接地過孔以及沿著所述第二襯底的內(nèi)壁或外壁形成的屏蔽壁。所述接地過孔可以被電連接至所述屏蔽壁。
[0009]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括第一塑封部分，該第一塑封部分密封安裝在所述第一襯底的另一個表面上的電子設(shè)備。
[0010]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括第一屏蔽膜，該第一屏蔽膜形成在第一塑封部分的外表面上。
[0011 ] 所述第一襯底還可以包括形成在該第一襯底中的接地層。
[0012]所述接地層可以被電連接至所述第一屏蔽膜。
[0013]所述接地層可以被電連接至所述接地過孔。
[0014]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括:接地層，該接地層形成在所述第一襯底中并且被形成為具有暴露至所述第一襯底的外側(cè)的兩端。
[0015]所述第一屏蔽膜被電連接至所述接地層，該接地層被暴露至所述第一襯底的外側(cè)。
[0016]所述接地層可以被電連接至所述接地過孔。
[0017]所述第二襯底還可以包括信號過孔。
[0018]在所述屏蔽壁中，對應(yīng)于形成信號過孔的位置的的區(qū)域可以被打開。
[0019]半導(dǎo)體封裝還可以包括:屏蔽過孔，該屏蔽過孔在對應(yīng)于所述屏蔽壁所打開的區(qū)域的位置形成，并且在沿著所述信號過孔的直線上形成。
[0020]所述嵌入部分可以具有通孔的形式。
[0021]所述嵌入部分可以具有凹槽的形式。
[0022]在嵌入部分中的底部表面還可以被提供有屏蔽壁。
[0023]所述第一襯底還可以被提供有電路層。
[0024]所述第二襯底還可以包括電連接至所述第一襯底的導(dǎo)電過孔。
[0025]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括:外部連接端子，該外部連接端子形成在所述第二襯底的一個表面上并且連接至所述導(dǎo)電過孔。
[0026]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括:第二塑封部分，該第二塑封部分形成在所述嵌入部分中從而密封所述第一電子設(shè)備。
[0027]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括:第二屏蔽膜，該第二屏蔽膜形成在所述第二塑封部分的一個表面上并且電連接至所述屏蔽壁。
[0028]所述半導(dǎo)體封裝還可以包括:第二塑封部分，該第二塑封部分形成在所述嵌入部分中以密封所述第一電子設(shè)備。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0029]本發(fā)明的上述及其他的目的、特征和優(yōu)點將結(jié)合附圖通過以下詳細的描述進行更加清楚的理解，其中:
[0030]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示；
[0031]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖示；
[0032]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示；
[0033]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示；
[0034]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖示；
[0035]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示；
[0036]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示；
[0037]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示；
[0038]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖示；
[0039]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示；
[0040]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖示；
[0041]圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示；
[0042]圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖示；
[0043]圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示；
[0044]圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖示；
[0045]圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示；以及
[0046]圖17至19是示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式形成屏蔽膜的方法的示例圖。

【具體實施方式】
[0047]本發(fā)明的目的、特征和優(yōu)點將結(jié)合附圖通過以下對優(yōu)選實施方式的詳細描述進行更加清楚的理解。在所有附圖中，相同的參考數(shù)字用于標記相同或相似的組件，并且省略了多余的描述。進一步地，在以下描述中，“第一”、“第二”、“一側(cè)”、“另一側(cè)”等術(shù)語用于區(qū)分某一部件與另一部件，但是對這些部件的配置不應(yīng)受到這些術(shù)語的限制。進一步地，在本發(fā)明的說明書中，當確定相關(guān)技術(shù)的詳細描述可能使本發(fā)明的主旨模糊時，將省略這些描述。
[0048]在下文中，本發(fā)明的優(yōu)選實施方式將參考附圖進行詳細描述。
[0049]圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示。
[0050]參照圖1，半導(dǎo)體襯底100可以包括第一電子設(shè)備122、第二電子設(shè)備121、第一襯底110、第二襯底130、塑封部分140、屏蔽膜150以及外部連接端子133。
[0051]第一電子設(shè)備122被安裝在第一襯底110的一個表面上。此外，第二電子設(shè)備121被安裝在第一襯底110的另一個表面上。如圖1所不，第一襯底I1的一個表面成為底部表面以及其另一個表面成為頂部表面。第一電子設(shè)備122和第二電子設(shè)備121可以包括各種設(shè)備，例如無源設(shè)備和有源設(shè)備。第一電子設(shè)備122和第二電子設(shè)備121不僅限于無源設(shè)備和有源設(shè)備，而是可以安裝在第一襯底110中的任何設(shè)備均可以被使用。
[0052]第一襯底110具有安裝在其兩個表面的第一電子設(shè)備122和第二電子設(shè)備121。對于第一襯底110，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。例如，第一襯底110可以是陶瓷襯底、印刷電路襯底、柔性襯底等。雖然未在圖1中示出，但是第一襯底110可以被提供有電路層。電路層可以將第一襯底110電連接至第一電子設(shè)備122、第二電子設(shè)備121以及第二襯底130中的至少一者。在這種配置中，電路層可以包括電路圖案、連接板、過孔等。此外，第一襯底110可以包括具有多層結(jié)構(gòu)的電路層。第一襯底110可以被提供有接地層(未示出)。
[0053]第二襯底130可以形成在第一襯底110的一個表面上。對于第二襯底130，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。例如，第二襯底130可以是陶瓷襯底、印刷電路襯底、柔性襯底等。雖然未在圖1中示出，但是第二襯底130可以被提供有一層或多層的電路層。電路層可以包括電路圖案、連接板以及導(dǎo)電過孔132。導(dǎo)電過孔132可以與形成在第二襯底130中的電路圖案電連接。此外，導(dǎo)電過孔132可以被連接至連接板以將第一襯底110電連接至第二襯底130。此外，雖然未被示出，但是第二襯底130可以被提供有連接至第一襯底110的接地層(未示出)的接地過孔(未示出)。
[0054]第二襯底130可以包括嵌入部分134。在這里，嵌入部分134可以被形成在其內(nèi)布置有第一電子設(shè)備122的區(qū)域中。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，嵌入部分134可以以通孔的形式形成。
[0055]屏蔽壁131可以被形成在嵌入部分134的壁表面上。屏蔽壁131可以由導(dǎo)電金屬制成。屏蔽壁131可以通過電鍍方法、無電式電鍍方法、噴涂方法等形成。用于形成屏蔽壁131的方法不限于此，并且因此屏蔽壁131可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何鍍層方法而形成。屏蔽壁131可以被電連接至接地過孔(未示出)。
[0056]塑封部分140被形成在第一襯底110的另一表面上從而能夠?qū)⒌诙娮釉O(shè)備121密封。塑封部分140被填充在第二電子設(shè)備121之間從而能夠使第一電子設(shè)備122彼此之間進行電隔離。此外，塑封部分140被形成為封閉第一電子設(shè)備122從而可以防止第一電子設(shè)備122受到外部沖擊。塑封部分140可以由諸如環(huán)氧基樹脂的絕緣樹脂制成。也就是說，塑封部分140可以由本領(lǐng)域中使用的塑封材料中的一種制成。
[0057]屏蔽膜150可以被形成為具有封閉塑封部分140的結(jié)構(gòu)。屏蔽膜150可以由導(dǎo)電材料制成。例如，屏蔽膜150可以通過將包含導(dǎo)電粉末的樹脂材料涂覆至塑封部分140的外表面來形成。可替換地，屏蔽膜150可以通過將金屬薄膜附著至塑封部分140的外表面來形成。在這里，金屬薄膜可以由各種方法形成，例如噴鍍、蒸鍍、噴涂、絲網(wǎng)印刷、電鍍、無電式電鍍。屏蔽膜150可以獨立地形成而不是分別連接至其它組件，或可以被連接連至第一襯底110的接地層(未示出)。
[0058]外部連接端子133可以形成在第二襯底130的一個表面上。外部連接端子133可以被電連接至第二襯底130的導(dǎo)電過孔132或連接板(未示出)。外部連接端子133可以將半導(dǎo)體封裝100電連接以及物理連接至安裝了半導(dǎo)體封裝100的主襯底(未示出)。例如，外部連接端子133可以被形成為焊凸或焊球。
[0059]雖然未在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中示出，但是絕緣層(未示出)可以被形成在第一襯底110和第二襯底130之間。絕緣層可以保護導(dǎo)電元件(未示出)，例如凸起，該導(dǎo)電元件將第一襯底110電連接至第二襯底130。此外，絕緣層(未示出)可以提高第一襯底110和第二襯底130之間的粘合力。如此，絕緣層(未示出)保護導(dǎo)電元件，并且在第一襯底110和第二襯底之間的粘合力得到提高，以使得半導(dǎo)體封裝100的可靠性被提高。
[0060]圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/Jn ο
[0061]參照圖2，第二襯底130包括嵌入部分134、屏蔽壁131、接地過孔135、接地圖案136以及導(dǎo)電過孔132。
[0062]第二襯底130的嵌入部分134可以嵌入有安裝在第一襯底110 (圖1)上的第一電子設(shè)備122 (圖1)。
[0063]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的屏蔽壁131可以沿著嵌入部分134的壁表面被形成。此外,屏蔽壁131可以被電連接至接地過孔135。在這種情況中，屏蔽壁131和接地過孔135可以通過接地圖案136彼此連接。
[0064]接地過孔135可以被電連接至第一襯底110 (圖1)的接地層(未示出)。也就是說，屏蔽壁131可以通過接地過孔135被電連接至接地層(未示出)。
[0065]導(dǎo)電過孔132可以將外部連接端子133 (圖1)電連接至形成在第一襯底110(圖1)和第二襯底130中的電路圖案中的至少一者。
[0066]第二襯底130可以通過具有上述結(jié)構(gòu)的屏蔽壁131在第一電子設(shè)備122 (圖1)和半導(dǎo)體封裝100 (圖1)的外側(cè)之間執(zhí)行屏蔽。
[0067]圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示。
[0068]參照圖3，第二襯底130包括信號過孔137、嵌入部分134、屏蔽壁131、接地過孔135、接地圖案136、屏蔽過孔138以及導(dǎo)電過孔132。
[0069]第二襯底130的嵌入部分134可以被嵌入有安裝在第一襯底110 (圖1)上的第一電子設(shè)備122 (圖1)。
[0070]信號過孔137可以通過電路層將第一襯底110(圖1)電連接至第一電子設(shè)備122 (圖1)和第二電子設(shè)備121 (圖1)中的至少一者。此外，信號過孔137可以將電信號傳送至外側(cè)或從外側(cè)接收電信號。例如，信號過孔137可以傳送和接收RF信號。
[0071]屏蔽壁131可以沿著嵌入部134的壁表面被形成。在這種情況中，屏蔽壁131可以被形成以將對應(yīng)于形成信號過孔137的位置的區(qū)域打開。這是為了防止信號過孔137傳送和接收電信號的性能下降。屏蔽壁131可以被電連接至接地過孔135。在這種情況中，屏蔽壁131和接地過孔135可以通過接地圖案136彼此連接。
[0072]接地過孔135可以被電連接至第一襯底110 (圖1)的接地層(未示出)。也就是說，屏蔽壁131可以通過接地過孔135被電連接至接地層(未示出)。
[0073]當屏蔽壁131的打開區(qū)域很大時，屏蔽過孔138可以被形成以防止屏蔽性能的降低。因此，屏蔽過孔138可以被形成在對應(yīng)于屏蔽壁131的打開區(qū)域的位置。例如，屏蔽過孔138可以在沿著信號過孔137的直線上形成。在這種情況中，在信號過孔137與屏蔽過孔138之間的距離可以被設(shè)置為足夠保持信號過孔137的信號性能的距離。在這里，信號性能可以是允許信號過孔137傳送和接收電信號的性能。屏蔽過孔138可以被電連接至第一襯底110 (圖1)的接地層(未示出)以執(zhí)行屏蔽功能。
[0074]導(dǎo)電過孔132可以將外部連接端子133 (圖1)電連接至形成在第一襯底110(圖1)和第二襯底130中的電路圖案中的至少一者。
[0075]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，通過信號過孔137打開的屏蔽壁131的區(qū)域由屏蔽過孔138屏蔽，從而防止第二襯底130的屏蔽功能降低。
[0076]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示。
[0077]參照圖4，半導(dǎo)體封裝200可以包括第一電子設(shè)備222、第二電子設(shè)備221、第一襯底210、第二襯底230、塑封部分240、屏蔽膜250以及外部連接端子233。
[0078]第一電子設(shè)備222被安裝在第一襯底210的一個表面上。此外，第二電子設(shè)備221被安裝在第一襯底210的另一個表面上。第一電子設(shè)備222和第二電子設(shè)備221可以包括各種設(shè)備，例如無源設(shè)備和有源設(shè)備，但是任何可以安裝在第一襯底210上的設(shè)備都可以被使用。
[0079]第一襯底210具有安裝在其兩個表面上的第一電子設(shè)備222和第二電子設(shè)備221。對于第一襯底210，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖4中示出，但是第一襯底210可以被提供有電路層。此外，第一襯底210可以被提供有接地層(未示出)。
[0080]第二襯底230可以被形成在第一襯底210的一個表面上。對于第二襯底230，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖4中示出，但是第二襯底230可以被提供有一層或多層的電路層。電路層可以包括電路圖案、連接板以及導(dǎo)電過孔232。連接過孔232可以與形成在第二襯底230中的電路圖案電連接。此外，導(dǎo)電過孔232可以被連接至連接板以將第一襯底210電連接至第二襯底230。此外，雖然未被示出，但是第二襯底230可以被提供有連接至第一襯底210的接地層(未示出)的接地過孔(未示出)。
[0081]第二襯底230可以包括嵌入部分234。在這里，嵌入部分234可以被形成在其內(nèi)布置有第一電子設(shè)備222的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，嵌入部分234可以通過通孔的形式形成。
[0082]屏蔽壁231可以被形成在第二襯底230的外壁上。屏蔽壁231可以由導(dǎo)電金屬制成。用于形成屏蔽壁231的方法可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何鍍層方法來形成。屏蔽壁231可以被電連接至接地過孔(未示出)。
[0083]塑封部分240被形成在第一襯底210的另一表面上從而能夠?qū)⒌诙娮釉O(shè)備221密封。塑封部分240被填充在第二電子設(shè)備221之間從而能夠?qū)⒌谝浑娮釉O(shè)備222彼此之間進行電隔離。此外，塑封部分240被形成以封閉第一電子設(shè)備222從而能夠防止第一電子設(shè)備222受到外部沖擊。塑封部分240可以由諸如環(huán)氧基樹脂的絕緣樹脂制成。
[0084]屏蔽膜250可以被形成為具有封閉塑封部分240的結(jié)構(gòu)。屏蔽膜250可以由導(dǎo)電材料制成。屏蔽膜250可以獨立地形成而不是分別連接至其它組件，或可以被電連接連至第一襯底210的接地層(未不出)。
[0085]外部連接端子233形成在第二襯底230的一個表面上從而能夠被電連接至導(dǎo)電過孔232或連接板(未示出)。外部連接端子233可以將半導(dǎo)體封裝200電連接以及物理連接至安裝了半導(dǎo)體封裝200的主襯底(未示出)。例如，外部連接端子233可以被形成為焊凸或焊球。
[0086]雖然未在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中示出，但是絕緣層(未示出)可以被形成在第一襯底210和第二襯底230之間。絕緣層(未示出)可以保護導(dǎo)電元件(未示出)，例如凸起，該導(dǎo)電元件被布置在第一襯底210和第二襯底230之間。此外，絕緣層(未示出)可以提高第一襯底210和第二襯底230之間的粘合力。如此，半導(dǎo)體封裝200的可靠性可以通過絕緣層(未示出)被提高。
[0087]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/Jn ο
[0088]參照圖5，第二襯底230包括嵌入部分234、屏蔽壁231、接地過孔235、接地圖案236以及導(dǎo)電過孔232。
[0089]第二襯底230的嵌入部分234可以嵌入有安裝在第一襯底210 (圖4)上的第一電子設(shè)備222 (圖4)。
[0090]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的屏蔽壁231可以沿著第二襯底230的外壁而形成。此外，屏蔽壁231可以被電連接至接地過孔235。在這種情況中，屏蔽壁231和接地過孔235可以通過接地圖案236彼此連接。
[0091]接地過孔235可以被電連接至第一襯底210 (圖4)的接地層(未示出)。也就是說，屏蔽壁231可以通過接地過孔235被電連接至接地層(未示出)。
[0092]導(dǎo)電過孔232可以將外部連接端子233(圖4)電連接至形成在第一襯底210(圖4)和第二襯底230上的電路圖案中的至少一者。
[0093]第二襯底230可以通過具有上述結(jié)構(gòu)的屏蔽壁231在第一電子設(shè)備222 (圖4)和半導(dǎo)體封裝200 (圖4)的外側(cè)之間執(zhí)行屏蔽。
[0094]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/j、l Ο
[0095]參照圖6，第二襯底230包括嵌入部分234、信號過孔237、屏蔽壁231、接地過孔
235、接地圖案236、屏蔽過孔238以及導(dǎo)電過孔232。
[0096]第二襯底230的嵌入部分234可以被嵌入有安裝在第一襯底210 (圖4)上的第一電子設(shè)備222 (圖4)。
[0097]信號過孔237可以通過電路層將第一襯底210(圖4)電連接至第一電子設(shè)備222(圖4)和第二電子設(shè)備211 (圖1)中的至少一者。信號過孔237可以將諸如RF信號的電信號傳送至外部或從外部接收電信號。
[0098]屏蔽壁231可以沿著第二襯底230的外壁形成。在這種情況中，屏蔽壁231可以被形成以將對應(yīng)于形成信號過孔237的位置的區(qū)域打開。這是為了防止信號過孔237傳送和接收電信號的性能下降。屏蔽壁231可以被電連接至接地過孔235。在這種情況中，屏蔽壁231和接地過孔235可以通過接地圖案236彼此連接。此外，屏蔽壁231被打開的區(qū)域可以依賴設(shè)計師的需求而增加。
[0099]接地過孔235可以被電連接至第一襯底210 (圖4)的接地層(未示出)。也就是說，屏蔽壁231可以通過接地過孔235被電連接至接地層(未示出)。
[0100]當屏蔽壁231的打開區(qū)域很大時，屏蔽過孔238可以被形成以防止屏蔽性能的降低。因此，屏蔽過孔238可以被形成在對應(yīng)于屏蔽壁231的打開區(qū)域的位置。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽過孔238可以被形成在沿著信號過孔237的直線上。屏蔽過孔238可以被電連接至第一襯底210 (圖4)的接地層(未示出)以執(zhí)行屏蔽功能。
[0101]導(dǎo)電過孔232可以將外部連接端子233(圖4)電連接至在第一襯底210 (圖4)和第二襯底230中形成的電路圖案中的至少一者。
[0102]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明第二優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示。
[0103]參照圖7，第二襯底230包括嵌入部分234、屏蔽壁231、接地過孔235、接地圖案
236、屏蔽過孔238以及導(dǎo)電過孔232。
[0104]第二襯底230的嵌入部分234可以嵌入有安裝在第一襯底210 (圖4)上的第一電子設(shè)備222 (圖4)。
[0105]屏蔽壁231可以沿著第二襯底230的外壁形成。屏蔽壁231可以被電連接至接地過孔235。在這種情況中，屏蔽壁231和接地過孔235可以通過接地圖案236彼此連接。此夕卜，接地過孔235可以被電連接至第一襯底210(圖4)的接地層(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽壁231可以被形成，除了第二襯底230的壁表面的頂角部分。在這里，第二襯底230的頂角部分可以不受到用于形成屏蔽壁231的充足的電鍍。由于屏蔽壁231沒有被完全形成的區(qū)域具有降低的屏蔽功能，用于提高屏蔽功能的屏蔽過孔238可以被形成。
[0106]由于屏蔽壁231的結(jié)構(gòu)，屏蔽過孔238可以在第二襯底230的頂角部分形成。屏蔽過孔238可以被形成以防止在屏蔽壁231的打開區(qū)域很大時屏蔽性能的下降。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽過孔238可以在沒有被形成屏蔽壁231的第二襯底230的頂角部分處形成。屏蔽過孔238可以被電連接至第一襯底210 (圖4)的接地層(未示出)。
[0107]導(dǎo)電過孔232可以將外部連接端子233(圖4)電連接至在第一襯底210 (圖4)和第二襯底230中形成的電路圖案中的至少一者。
[0108]參照圖6和圖7，通過信號過孔237打開的屏蔽壁231的區(qū)域被屏蔽過孔238遮蔽，從而防止了第二襯底230的屏蔽功能的降低。
[0109]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示。
[0110]參照圖8,半導(dǎo)體封裝300可以包括第一電子設(shè)備322、第二電子設(shè)備321、第一襯底310、第二襯底330、塑封部分340，屏蔽膜350以及外部連接端子333。
[0111]第一電子設(shè)備322被安裝在第一襯底310的一個表面上。此外，第二電子設(shè)備321被安裝在第一襯底310的另一個表面上。第一電子設(shè)備322和第二電子設(shè)備321可以包括各種設(shè)備，例如無源設(shè)備和有源設(shè)備，但是任何可以安裝在第一襯底310中的設(shè)備都可以被使用。
[0112]第一襯底310具有安裝在其兩個表面上的第一電子設(shè)備322和第二電子設(shè)備321。對于第一襯底310，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖8中示出，但是第一襯底310可以被提供有電路層。此外，第一襯底310可以被提供有接地層(未示出)。
[0113]第二襯底330可以被形成在第一襯底310的一個表面上。對于第二襯底330,本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖8中示出，但是第二襯底330可以被提供有一層或多層的電路層。電路層可以包括電路圖案、連接板以及導(dǎo)電過孔332。連接過孔332可以與在第二襯底330中形成的電路圖案電連接。此外，導(dǎo)電過孔332可以被連接至連接板以將第一襯底310電連接至第二襯底330。此外，雖然未被示出，但是第二襯底330可以被提供有連接至第一襯底310的接地層(未示出)的接地過孔(未示出)。
[0114]第二襯底330可以包括嵌入部分334。在這里，嵌入部分334可以被形成在其內(nèi)布置了第一電子設(shè)備322的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，嵌入部分334可以以凹槽的形式形成。第二襯底330的嵌入部分334以凹槽的形式形成，從而提高了第二襯底330的結(jié)構(gòu)可靠性。此外，可以防止第一電子設(shè)備322被暴露至外側(cè)。因此，第二襯底330可以防止第一電子設(shè)備322受到外部物理沖擊。
[0115]形成在第二襯底330上的嵌入部分334的壁表面和底部表面可以被提供有屏蔽壁331。屏蔽壁331可以由導(dǎo)電金屬制成。用于形成屏蔽壁331的方法可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何電鍍方法而形成。屏蔽壁331可以被電連接至接地過孔(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽壁331可以以封閉被嵌入嵌入部分334的第一電子設(shè)備322的形式形成。在第一電子設(shè)備322和外側(cè)之間的屏蔽可以通過上述的結(jié)構(gòu)同時在屏蔽壁331的兩側(cè)以及底部表面執(zhí)行。
[0116]塑封部分340可以被形成在第一襯底310的另一表面上。塑封部分340可以將在第一襯底310的另一表面上形成的第二電子設(shè)備321封閉。塑封部分340被填充在第二電子設(shè)備321之間以能夠使第一電子設(shè)備322彼此之間電隔離。此外，塑封部分340被形成以封閉第一電子設(shè)備322從而能夠防止第一電子設(shè)備322受到外部沖擊。塑封部分340可以由絕緣樹脂制成，例如環(huán)氧基樹脂。
[0117]屏蔽膜350可以被形成為具有封閉塑封部分340的結(jié)構(gòu)。屏蔽膜350可以由導(dǎo)電材料制成。例如，屏蔽膜350可以通過將包含導(dǎo)電粉末的樹脂材料涂覆至塑封部分340的外表面來形成?？商鎿Q地，屏蔽膜350可以通過將金屬薄膜附著至塑封部分340的外表面來形成。屏蔽膜350可以獨立地形成而不是分別連接至其它組件，或可以被電連接連至第一襯底310的接地層(未示出)。
[0118]外部連接端子333可以在第二襯底330的一個表面上形成。外部連接端子333可以被電連接至第二襯底330的導(dǎo)電過孔332或連接板(未示出)。如此形成的外部連接端子333可以將半導(dǎo)體封裝300電連接以及物理連接至安裝了半導(dǎo)體封裝300的主襯底(未示出)。例如，外部連接端子333可以被形成為焊凸或焊球。
[0119]雖然未在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中示出，但是絕緣層(未示出)可以被形成在第一襯底310和第二襯底330之間。絕緣層可以保護導(dǎo)電元件(未示出)，例如凸起，該導(dǎo)電元件將第一襯底310電連接至第二襯底330。此外，絕緣層(未示出)可以提高第一襯底310和第二襯底330之間的粘合力。如此，可以通過絕緣層(未示出)提高半導(dǎo)體封裝310的可靠性。
[0120]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝300同時屏蔽第二襯底330的側(cè)面和底部表面，從而提聞屏蔽功能。
[0121]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/j、l Ο
[0122]參照圖9，第二襯底330包括嵌入部分334、信號過孔337、屏蔽壁331、接地過孔335、接地圖案336、屏蔽過孔338以及導(dǎo)電過孔332。
[0123]如圖8所示，第一電子設(shè)備322(圖8)所嵌入的嵌入部分334(圖8)可以以凹槽形狀形成。
[0124]信號過孔337可以通過電路層將第一襯底310(圖8)電連接至第一電子設(shè)備322(圖8)和第二電子設(shè)備321 (圖8)中的至少一者。信號過孔337可以向外側(cè)傳送電信號，諸如RF信號，或從外側(cè)接收電信號。
[0125]屏蔽壁331可以被形成在嵌入部分334(圖8)的壁表面和底部表面上。圖9中示出的屏蔽壁331被形成在嵌入部分334(圖8)的底部表面上。屏蔽壁331可以被形成從而打開對應(yīng)于信號過孔337被形成的位置的區(qū)域。這是為了防止信號過孔337傳送和接收電信號的性能降低。在這里，屏蔽壁331可以被打口從而以預(yù)定的距離與信號過孔337隔開。在這里，預(yù)定距離可以被設(shè)置為足夠保持信號過孔337的信號性能的距離。屏蔽壁331可以被電連接至接地過孔335。在這種情況中，屏蔽壁331和接地過孔335可以通過接地圖案336彼此連接。
[0126]接地過孔335可以被電連接至第一襯底310 (圖8)的接地層(未示出)。通過這種連接關(guān)系，屏蔽壁331可以將第一電子設(shè)備322(圖8)與半導(dǎo)體封裝300(圖8)的外側(cè)屏蔽。
[0127]當屏蔽壁331的打口區(qū)域很大時，屏蔽過孔338可以被形成以防止屏蔽性能的降低。因此，屏蔽過孔338可以被形成在對應(yīng)于屏蔽壁331的打口區(qū)域的位置。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽過孔338可以被形成在沿著信號過孔337的直線上。在這種情況中，信號過孔337與屏蔽過孔338之間的距離也可以被設(shè)置為足夠保持信號過孔337的信號性能的距離。屏蔽過孔338可以被電連接至第一襯底310 (圖8)的接地層(未示出)以執(zhí)行屏蔽功能。
[0128]導(dǎo)電過孔332可以將外部連接端子333(圖8)電連接至在第一襯底310 (圖8)和第二襯底330中形成的電路圖案中的至少一者。
[0129]圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示。
[0130]參照圖10，半導(dǎo)體封裝400可以包括第一電子設(shè)備422、第二電子設(shè)備421、第一襯底410、第二襯底430、塑封部分440、屏蔽膜450以及外部連接端子433。
[0131]第一電子設(shè)備422被安裝在第一襯底410的一個表面上。此外,第二電子設(shè)備421被安裝在第一襯底410的另一個表面上。第一電子設(shè)備422和第二電子設(shè)備421可以包括各種設(shè)備，例如無源設(shè)備和有源設(shè)備，但是任何可以安裝在第一襯底410中的設(shè)備都可以被使用。
[0132]第一襯底410具有安裝在其兩個表面上的第一電子設(shè)備422和第二電子設(shè)備421。對于第一襯底410，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖10中示出，但是第一襯底410可以被提供有電路層。此外，第一襯底410可以被提供有接地層(未示出)。
[0133]第二襯底430可以被形成在第一襯底410的一個表面上。對于第二襯底430，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖10中示出，但是第二襯底430可以被提供有一層或多層的電路層。電路層可以包括電路圖案、連接板以及導(dǎo)電過孔432。連接過孔432可以與在第二襯底430中形成的電路圖案電連接。此外，導(dǎo)電過孔332可以被連接至連接板以將第一襯底410電連接至第二襯底430。此外，雖然未被示出，但是第二襯底430可以被提供有連接至第一襯底410的接地層(未示出)的接地過孔(未示出)。
[0134]第二襯底430可以包括嵌入部分434。在這里，嵌入部分434可以被形成在其內(nèi)布置有第一電子設(shè)備422的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，嵌入部分434可以以凹槽的形式形成。第二襯底430的嵌入部分434以凹槽的形式形成，從而提高了第二襯底430的結(jié)構(gòu)可靠性。此外，可以防止第一電子設(shè)備422被暴露至外側(cè)。因此，第二襯底430可以防止第一電子設(shè)備422受到外部物理沖擊。
[0135]嵌入部分434的壁表面可以被提供有第一屏蔽壁431。此外，第二襯底430的外壁可以被提供有第二屏蔽壁439。第一屏蔽壁431和和第二屏蔽壁439可以由導(dǎo)電金屬制成。用于形成第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439的方法可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何電鍍方法形成。第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439可以被電連接至接地過孔(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，第一屏蔽壁431可以以封閉嵌入至嵌入部分434的第一電子設(shè)備422的形式而形成。在第一電子設(shè)備422 (圖10)和半導(dǎo)體封裝400的外側(cè)之間的屏蔽可以通過如此形成的第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439來雙倍地執(zhí)行。
[0136]塑封部分440可以被形成在第一襯底410的另一表面上。塑封部分440可以將在第一襯底410的另一表面上形成的第二電子設(shè)備421封閉。塑封部分440被填充在第二電子設(shè)備421之間從而能夠使第一電子設(shè)備422彼此之間電隔離。此外，塑封部分440被形成以封閉第一電子設(shè)備422從而可以防止第一電子設(shè)備422受到外部沖擊。塑封部分440可以由絕緣樹脂制成，例如環(huán)氧基樹脂。
[0137]屏蔽膜450可以被形成為具有封閉塑封部分440的結(jié)構(gòu)。屏蔽膜450可以由導(dǎo)電材料制成。例如，屏蔽膜450可以通過將包含導(dǎo)電粉末的樹脂材料涂覆至塑封部分440的外表面來形成?？商鎿Q地，屏蔽膜450可以通過將金屬薄膜附著至塑封部分440的外表面來形成。屏蔽膜450可以獨立地形成而不是分別連接至其它組件，或可以被電連接連至第一襯底410的接地層(未示出)。
[0138]外部連接端子433可以形成在第二襯底430的一個表面上。外部連接端子433可以被電連接至第二襯底430的導(dǎo)電過孔432或連接板(未示出)。如此形成的外部連接端子433可以將半導(dǎo)體封裝400電連接以及物理連接至安裝了半導(dǎo)體封裝400的主襯底(未示出)。例如，外部連接端子433可以被形成為焊凸或焊球。
[0139]雖然未在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中示出，但是絕緣層(未示出)可以被形成在第一襯底410和第二襯底430之間。絕緣層可以保護導(dǎo)電元件(未示出)，例如凸起，該導(dǎo)電元件將第一襯底410電連接至第二襯底430。此外，絕緣層(未示出)可以提高第一襯底410和第二襯底430之間的粘合力。如此，可以通過絕緣層(未示出)提高半導(dǎo)體封裝410的可靠性。
[0140]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝400可以因雙倍屏蔽結(jié)構(gòu)提高屏蔽功倉泛。
[0141]圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的第四優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/j、l Ο
[0142]參照圖11，第二襯底430包括嵌入部分434、信號過孔437、第一屏蔽壁431、第二屏蔽壁439、接地過孔435、接地圖案436、屏蔽過孔438以及導(dǎo)電過孔432。
[0143]如圖11所示，第一電子設(shè)備422 (圖10)嵌入的嵌入部分434 (圖10)可以以凹槽的形狀形成。
[0144]信號過孔437可以通過電路層將第一襯底410(圖10)電連接至第一電子設(shè)備4322(圖10)和第二電子設(shè)備421 (圖10)中的至少一者。信號過孔437可以向外側(cè)傳送電信號，諸如RF信號，或從外側(cè)接收電信號。
[0145]第一屏蔽壁431可以被形成在嵌入部分434的壁表面上。此外，第二屏蔽壁439可以被形成在第二襯底430的外壁上。第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439可以被形成從而打開對應(yīng)于形成信號過孔437的位置的區(qū)域。這是為了防止信號過孔437傳送和接收電信號的性能降低。
[0146]第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439可以通過接地圖案436被電連接至接地過孔435。在這種情況中，如圖11所示，第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439可以通過接地過孔435以及接地圖案436彼此連接?？商鎿Q地，第一屏蔽壁431和第二屏蔽壁439中的每一者可以單獨地被連接至另一接地過孔435。
[0147]接地過孔435可以被電連接至第一襯底410 (圖10)的接地層(未示出)。通過該連接關(guān)系，屏蔽壁431可以將第一電子設(shè)備422(圖10)與半導(dǎo)體封裝400 (圖10)的外側(cè)屏蔽。
[0148]當屏蔽壁431的打開區(qū)域很大時，屏蔽過孔438可以被形成以防止屏蔽性能的降低。因此，屏蔽過孔438可以被形成在對應(yīng)于屏蔽壁431的打開區(qū)域的位置。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽過孔438可以被形成在沿著信號過孔437的直線上。在這種情況中，在信號過孔437與屏蔽過孔438之間的距離可以被設(shè)置為足夠保持信號過孔437的信號性能的距離。屏蔽過孔438可以被電連接至第一襯底410(圖10)的接地層(未示出)以執(zhí)行屏蔽功能。
[0149]導(dǎo)電過孔432可以將外部連接端子433(圖10)電連接至在第一襯底410 (圖10)和第二襯底430中形成的電路圖案中的至少一者。
[0150]圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明第五優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示。
[0151]參照圖12,半導(dǎo)體封裝500可以包括第一電子設(shè)備522、第二電子設(shè)備521、第一襯底510、第二襯底530、塑封部分540、屏蔽膜550以及外部連接端子533。
[0152]第一電子設(shè)備522被安裝在第一襯底510的一個表面上。此外,第二電子設(shè)備521被安裝在第一襯底510的另一個表面上。第一電子設(shè)備522和第二電子設(shè)備521可以包括各種設(shè)備，例如無源設(shè)備和有源設(shè)備，但是任何可以安裝在第一襯底510中的設(shè)備都可以被使用。
[0153]第一襯底510具有安裝在其兩個表面上的第一電子設(shè)備522和第二電子設(shè)備521。對于第一襯底510，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖10中示出，但是第一襯底510可以被提供有電路層。此外,第一襯底510可以被提供有接地層(未不出)。
[0154]第二襯底530可以被形成在第一襯底510的一個表面上。對于第二襯底530，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖10中示出，但是第二襯底530可以被提供有一層或多層的電路層。電路層可以包括電路圖案、連接板以及導(dǎo)電過孔532。連接過孔532可以與形成在第二襯底530中的電路圖案電連接。此外，導(dǎo)電過孔532可以被連接至連接板以將第一襯底510電連接至第二襯底530。此外，雖然未被示出，但是第二襯底530可以被提供有連接至第一襯底510的接地層(未示出)的接地過孔(未示出)。
[0155]第二襯底530可以包括嵌入部分534。在這里，嵌入部分534可以被形成在其內(nèi)布置有第一電子設(shè)備522的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，嵌入部分534可以以凹槽的形式形成。第二襯底530的嵌入部分534以凹槽的形式形成，從而提高了第二襯底530的結(jié)構(gòu)可靠性。此外，可以防止第一電子設(shè)備522被暴露至外側(cè)。因此，第二襯底530可以防止第一電子設(shè)備522受到外部物理沖擊。
[0156]嵌入部分534的壁表面和底部表面可以被提供有第一屏蔽壁531。此外,第二襯底530的外壁可以被提供有第二屏蔽壁539。第一屏蔽壁531和第二屏蔽壁539可以由導(dǎo)電金屬制成。用于形成第一屏蔽壁531和第二屏蔽壁539的方法可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何電鍍方法來形成。第一屏蔽壁531和第二屏蔽539可以被電連接至接地過孔(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，第一屏蔽壁531可以以封閉被嵌入至嵌入部分534的第一電子設(shè)備522的形式形成。在第一電子設(shè)備522 (圖10)和半導(dǎo)體封裝500的外側(cè)之間的屏蔽可以通過如此形成的第一屏蔽壁531和和第二屏蔽壁539來雙倍地執(zhí)行。此外，可以由第一屏蔽壁531在第一電子設(shè)備522的兩側(cè)和底部表面執(zhí)行屏蔽。
[0157]塑封部分540可以被形成在第一襯底510的另一表面上。塑封部分540可以將在第一襯底510的另一表面上形成的第二電子設(shè)備521封閉。塑封部分540被填充在第二電子設(shè)備521之間從而能夠?qū)⒌谝浑娮釉O(shè)備522彼此之間電隔離。此外，塑封部分540被形成以封閉第一電子設(shè)備522從而能夠防止第一電子設(shè)備522受到外部沖擊。塑封部分540可以由絕緣樹脂制成，例如環(huán)氧基樹脂。
[0158]屏蔽膜550可以被形成為具有封閉塑封部分540的結(jié)構(gòu)。屏蔽膜550可以由導(dǎo)電材料制成。例如，屏蔽膜550可以通過將包含導(dǎo)電粉末的樹脂材料涂覆至塑封部分540的外表面來形成。可替換地，屏蔽膜550可以通過將金屬薄膜附著至塑封部分440的外表面來形成。屏蔽膜550可以獨立地形成而不是分別連接至其它組件，或可以被電連接連至第一襯底510的接地層(未不出)。
[0159]外部連接端子533可以形成在第二襯底530的一個表面上。外部連接端子533可以被電連接至第二襯底530的導(dǎo)電過孔432或連接板(未示出)。如此形成的外部連接端子533可以將半導(dǎo)體封裝500電連接以及物理連接至安裝了半導(dǎo)體封裝500的主襯底(未示出)。例如，外部連接端子533可以被形成為焊凸或焊球。
[0160]雖然未在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中示出，但是絕緣層(未示出)可以被形成在第一襯底510和第二襯底530之間。絕緣層可以保護導(dǎo)電兀件(未不出)，例如凸起，該導(dǎo)電元件將第一襯底510電連接至第二襯底530。此外，絕緣層(未示出)可以提高第一襯底510和第二襯底530之間的粘合力。如此，可以通過絕緣層(未示出)提高半導(dǎo)體封裝510的可靠性。
[0161]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝500可以因底部屏蔽結(jié)構(gòu)和雙倍屏蔽結(jié)構(gòu)提高屏蔽功能。
[0162]圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的第五優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/j、l Ο
[0163]參照圖13，第二襯底530包括嵌入部分534、信號過孔537、第一屏蔽壁531、第二屏蔽壁539、接地過孔535、接地圖案536、屏蔽過孔538以及導(dǎo)電過孔532。
[0164]如圖13所不，第一電子設(shè)備522 (圖12)所嵌入的嵌入部分534 (圖12)可以以凹槽形狀形成。
[0165]信號過孔537可以通過電路層將第一襯底510(圖12)連接至第一電子設(shè)備522 (圖12)和第二電子設(shè)備521(圖12)中的至少一者。信號過孔537可以向外側(cè)傳送電信號，諸如RF信號，或從外側(cè)接收電信號。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，信號過孔537可以被形成在第二襯底530的頂角部分。
[0166]第一屏蔽壁531可以在嵌入部分534的壁表面和底部表面上形成。此外，第二屏蔽壁539可以在第二襯底530的外壁上形成。第二屏蔽壁539可以被形成從而打開對應(yīng)于形成信號過孔537的位置的區(qū)域。這是為了防止信號過孔537傳送和接收電信號的性能降低。當?shù)谝黄帘伪?31被形成為與信號過孔537隔離從而足夠保持信號過孔537的信號性能時，單獨開口的區(qū)域的形式可以被忽略。
[0167]第一屏蔽壁531和第二屏蔽壁539可以通過接地圖案536被電連接至接地過孔535。在這種情況中，如圖13所示，第一屏蔽壁531和第二屏蔽壁539可以通過接地過孔535以及接地圖案536彼此連接?？商鎿Q地，第一屏蔽壁531和第二屏蔽壁539中的每一者可以單獨地連接至另一個接地過孔535。
[0168]接地過孔535可以被電連接至第一襯底510 (圖12)的接地層(未示出)。通過該連接關(guān)系，屏蔽壁531可以將第一電子設(shè)備522(圖12)與半導(dǎo)體封裝500 (圖12)的外側(cè)屏蔽。
[0169]當屏蔽壁531的打口區(qū)域很大時，屏蔽過孔538可以被形成以防止屏蔽性能的降低。因此，如圖13所示，屏蔽過孔538可以被形成在對應(yīng)于屏蔽壁531的打口區(qū)域的位置。在這種情況中，在信號過孔537與屏蔽過孔538之間的距離可以被設(shè)置為足夠保持信號過孔537的信號性能的距離。屏蔽過孔538可以被電連接至第一襯底510 (圖12)的接地層(未示出)以執(zhí)行屏蔽功能。
[0170]導(dǎo)電過孔532可以將外部連接端子533 (圖12)電連接至在第一襯底510 (圖12)和第二襯底530中形成的電路圖案中的至少一者。
[0171]在圖8至13所示的半導(dǎo)體封裝300、400以及500中，嵌入部分334、434以及534的內(nèi)側(cè)可以被填充有塑封材料(未示出)。在這里，制成塑封材料(未示出)的材料與圖14中所示的第二塑封部分760 (圖14)的材料相同并且可以得到相同的效果。
[0172]圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明第六優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝的示例性圖示。
[0173]參照圖14，半導(dǎo)體封裝700可以包括第一電子設(shè)備722、第二電子設(shè)備721、第一襯底710、第二襯底730、第一塑封部分740、第一屏蔽膜750、第二塑封部分760、第二屏蔽膜761以及外部連接端子733。
[0174]第一電子設(shè)備722被安裝在第一襯底710的一個表面上。此外，第二電子設(shè)備721被安裝在第一襯底710的另一個表面上。第一電子設(shè)備722和第二電子設(shè)備721可以包括各種設(shè)備，例如無源設(shè)備和有源設(shè)備，但是任何可以安裝在第一襯底710中的設(shè)備都可以被使用。
[0175]第一襯底710具有安裝在其兩個表面上的第一電子設(shè)備722和第二電子設(shè)備721。對于第一襯底710，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖14中示出，但是第一襯底710可以被提供有電路層。此外，第一襯底710可以被提供有接地層(未示出)。
[0176]第二襯底730可以被形成在第一襯底710的一個表面上。對于第二襯底730，本領(lǐng)域中已知的各種類型的襯底均可以被使用。雖然未在圖14中示出，但是第二襯底730可以被提供有一層或多層的電路層。電路層可以包括電路圖案、連接板以及導(dǎo)電過孔732。連接過孔732可以與在第二襯底730中形成的電路圖案電連接。此外，導(dǎo)電過孔732可以被連接至連接板以將第一襯底710電連接至第二襯底730。此外，雖然未被示出，但是第二襯底730可以被提供有連接至第一襯底710的接地層(未示出)的接地過孔(未示出)。
[0177]第二襯底730可以包括嵌入部分734。在這里，嵌入部分734可以被形成在其內(nèi)布置有第一電子設(shè)備722的區(qū)域內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，嵌入部分734可以以通孔的形式形成。
[0178]形成在第二襯底730上的嵌入部分734的壁表面可以被提供有屏蔽壁731。第一屏蔽壁731可以由導(dǎo)電金屬制成。用于形成屏蔽壁731的方法可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何電鍍方法形成。屏蔽壁731可以被電連接至接地過孔(未示出)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，屏蔽壁731可以以封閉嵌入至嵌入部分734的第一電子設(shè)備722的形式形成。在第一電子設(shè)備722和外側(cè)之間的屏蔽可以通過上述的結(jié)構(gòu)同時在屏蔽壁731的兩側(cè)和底部表面執(zhí)行。
[0179]第一塑封部分740可以被形成在第一襯底710的另一表面上。第一塑封部分740可以將在第一襯底710的另一表面上形成的第二電子設(shè)備721密閉。第一塑封部分740被填充在第二電子設(shè)備721之間從而能夠使第一電子設(shè)備722彼此之間電隔尚。此外，第一塑封部分740被形成以封閉第一電子設(shè)備722從而可以防止第一電子設(shè)備722受到外部沖擊。第一塑封部分740可以由絕緣樹脂制成，例如環(huán)氧基樹脂。
[0180]第一屏蔽膜750可以被形成為具有封閉第一塑封部分740的結(jié)構(gòu)。第一屏蔽膜750可以由導(dǎo)電材料制成。例如，第一屏蔽膜750可以通過將包含導(dǎo)電粉末的樹脂材料涂覆至第一塑封部分740的外表面來形成?？商鎿Q地，第一屏蔽膜750可以通過將金屬薄膜附著至第一塑封部分740的外表面來形成。第一屏蔽膜750可以獨立地形成而不是分別地連接至其它組件，或可以被電連接連至第一襯底710的接地層(未示出)。
[0181 ] 第二塑封部分760可以被形成在第二襯底730的嵌入部分734內(nèi)。第二塑封部分760可以被形成以密閉被布置在嵌入部分734內(nèi)的第一電子設(shè)備。第二塑封部分760被填充在第一電子設(shè)備722之間從而可以使彼此之間電絕緣。如此，第二塑封部分760被形成在第二襯底730的嵌入部分734內(nèi)，從而提高了第二襯底730的結(jié)構(gòu)可靠性。此外，第二塑封部分760可以防止第一電子設(shè)備722暴露至外側(cè)。此外，第二塑封部分760可以防止第一電子設(shè)備722受到外部物理沖擊。第二塑封部分760可以由絕緣樹脂制成，例如環(huán)氧基樹脂。也就是說，第二塑封部分760可以由本領(lǐng)域中使用的塑封材料中的一者制成。
[0182]第二屏蔽膜761可以被形成在第二塑封部分760的一個表面上。在這里,一個表面是圖14中的第二塑封部分760的底部表面。第二屏蔽膜761可以由導(dǎo)電金屬制成。第二屏蔽膜761可以通過電鍍方法、無電式電鍍方法、噴涂方法等形成。用于形成第二屏蔽膜761的方法不僅限于此，并且因此第二屏蔽膜761可以通過使用本領(lǐng)域中使用的任何電鍍方法而形成。第二屏蔽膜761可以被電連接至第二襯底730的屏蔽壁731?？商鎿Q地，第二屏蔽膜761可以被直接連接至接地過孔(未示出)。因此，第二屏蔽膜761也可以提供屏蔽功能。
[0183]外部連接端子733可以形成在第二襯底730的一個表面上。外部連接端子733可以被電連接至第二襯底730的導(dǎo)電過孔732或連接板(未示出)。如此形成的外部連接端子733可以將半導(dǎo)體封裝700電連接以及物理連接至安裝了半導(dǎo)體封裝700的主襯底(未示出)。例如，外部連接端子733可以被形成為焊凸或焊球。
[0184]雖然未在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中示出，但是絕緣層(未示出)可以被形成在第一襯底710和第二襯底730之間。絕緣層可以保護導(dǎo)電元件(未示出)，例如凸起，該導(dǎo)電元件將第一襯底710電連接至第二襯底730。此外，絕緣層(未示出)可以提高第一襯底710和第二襯底730之間的粘合力。如此，半導(dǎo)體封裝700的可靠性可以通過絕緣層(未示出)被提聞。
[0185]根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，當半導(dǎo)體封裝被安裝在主板上時，屏蔽層(接地層)被形成在其內(nèi)安裝有半導(dǎo)體封裝的主板區(qū)域內(nèi)，從而提高屏蔽功能。然而，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝700具有形成在其底部表面上的第二屏蔽膜761，從而不需要在主板(未示出)上形成屏蔽層(接地層)。此外，根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝700，布線圖案可以被形成在主板(未示出)的屏蔽層所形成的區(qū)域內(nèi)。也就是說，根據(jù)根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝700，主板(未示出)的設(shè)計的自由度可以被提高。
[0186]圖15是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的示例性圖
/Jn ο
[0187]參照圖15，第二襯底730包括第二屏蔽膜761、接地過孔735、接地圖案736以及導(dǎo)電過孔732。
[0188]第二屏蔽膜761可以被形成在第二襯底730的嵌入部分734 (圖14)內(nèi)。第二屏蔽膜761可以被電連接至沿著嵌入部分734(圖14)的壁表面形成的屏蔽壁731 (圖14)?？商鎿Q地，如圖14所示，第二屏蔽膜761可以被電連接至接地過孔735。在這里，第二屏蔽膜761可以通過接地圖案736被連接至接地過孔735。
[0189]接地過孔735可以被電連接至第一襯底710 (圖14)的接地層(未示出)。也就是說，屏蔽壁731 (圖14)和第二屏蔽膜761中的至少一者可以通過接地過孔735被電連接至接地層(未示出)。
[0190]導(dǎo)電過孔732可以將外部連接端子733 (圖14)電連接至在第一襯底710 (圖14)和第二襯底730中形成的電路圖案中的至少一個。
[0191]第二襯底730可以通過具有上述結(jié)構(gòu)的第二屏蔽膜761和屏蔽壁731 (圖14)在第一電子設(shè)備722 (圖14)和半導(dǎo)體封裝700 (圖14)的外側(cè)之間執(zhí)行屏蔽。
[0192]圖16是示出了根據(jù)本發(fā)明的第六優(yōu)選實施方式的第二襯底的橫截面的另一示例性圖示。
[0193]參照圖16，第二襯底730包括第二屏蔽膜761、第二塑封部分760、接地過孔735、接地圖案736以及導(dǎo)電過孔732。
[0194]第二屏蔽膜761可以在第二塑封部分760的一個表面上形成，該第二塑封部分760在第二襯底730的嵌入部分734(圖14)中形成。第二屏蔽膜761可以被電連接至沿著嵌入部分734(圖14的)的壁表面形成的屏蔽壁731 (圖14)?？商鎿Q地，如圖14所示，第二屏蔽膜761可以被電連接至接地過孔735。在這里，第二屏蔽膜761可以通過接地圖案736被連接至接地過孔735。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，第二屏蔽膜761可以以晶格的形式形成。第二屏蔽膜761的晶格之間的間距可以被設(shè)置為足夠屏蔽諸如RF信號的電信號的間隔。也就是說，即使如圖15所示，第二屏蔽膜761 (圖15)沒有形成在第二塑封部分760的全部表面上，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的具有晶格結(jié)構(gòu)的第二屏蔽膜761也可以具有足夠的屏蔽效果。
[0195]接地過孔735可以被電連接至第一襯底710 (圖14)的接地層(未示出)。也就是說，屏蔽壁731 (圖14)和第二屏蔽膜761中的至少一者可以通過接地過孔735被電連接至接地層(未示出)。
[0196]導(dǎo)電過孔732可以將外部連接端子733 (圖14)電連接至在第一襯底710 (圖14)和第二襯底730中形成的電路圖案中的至少一者。
[0197]第二襯底730可以通過具有上述結(jié)構(gòu)的第二屏蔽膜761和屏蔽壁731 (圖14)在第一電子設(shè)備722(圖14)和半導(dǎo)體封裝700(圖14)的外側(cè)之間執(zhí)行屏蔽。
[0198]圖17至19是示出了根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式形成屏蔽膜的方法的示例圖。
[0199]在用于形成如圖17至19中所示的屏蔽膜的方法中，形成在第一襯底610的一個表面(底部表面)上的第二電子設(shè)備以及第二襯底的附圖和描述與圖1至16中的相同，因此將被省略。
[0200]參照圖17，可以準備其上將形成塑封部分640的第一襯底610。第一電子設(shè)備622可以被安裝在第一襯底610的另一個表面(頂部表面)上。塑封部分640被形成在第一襯底610的另一個表面上從而能夠封閉第一電子設(shè)備622。
[0201]接地層611可以在第一襯底610內(nèi)形成。接地層611可以由導(dǎo)電金屬制成。接地層611可以通過在電路板領(lǐng)域中使用的結(jié)構(gòu)和方法來形成。
[0202]參照圖18,第一襯底610可以被形成圖案以暴露接地層611。如圖18所不，第一襯底610的兩個表面通過化學(xué)或物理方法被清除從而可以將接地層611暴露至外側(cè)。
[0203]參照圖19，屏蔽膜650被形成以封閉塑封部分640。在這種情況中，屏蔽膜650也可以被形成在第一襯底610的形成有圖案的部分。因此，屏蔽壁650可以被電連接至接地層611。屏蔽膜650可以通過噴涂方法或印刷方法形成。然而，用于形成屏蔽膜650的方法不僅限于此。
[0204]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝形成了即使當半導(dǎo)體封裝被小型化時也具有足夠屏蔽區(qū)域的具有各種結(jié)構(gòu)的屏蔽壁以及屏蔽膜和接地過孔。半導(dǎo)體封裝具有足夠的屏蔽區(qū)域，從而提高了屏蔽能力。此外，根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的半導(dǎo)體封裝同時使用屏蔽壁和屏蔽過孔，從而提高了屏蔽能力并且保持了信號過孔的信號性能。此外，通過同時使用屏蔽壁和屏蔽過孔，信號過孔被自由地形成，從而提高了設(shè)計的自由度。
[0205]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，半導(dǎo)體封裝可以具有足夠的屏蔽區(qū)域。
[0206]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，半導(dǎo)體封裝可以在完善屏蔽能力改進的同時維持信號性能。
[0207]根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，半導(dǎo)體封裝可以提高設(shè)計的自由度。
[0208]雖然于此出于示例的目的已經(jīng)公開了本發(fā)明的實施方式，但是應(yīng)當理解的是本發(fā)明并不限于此，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是在不背離本發(fā)明的范圍和思想的情況下，可以作各種修改、添加和替換。
[0209]因此，任意和所有的修改、變型或者等同布置都應(yīng)當被認為是在本發(fā)明的范圍內(nèi)，并且本發(fā)明的具體范圍將由所附權(quán)利要求公開。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體封裝，包括: 第一襯底，該第一襯底具有安裝在其兩個表面上的電子設(shè)備；以及第二襯底，該第二襯底與所述第一襯底的一個表面結(jié)合并且包括嵌入部分，其中安裝在所述第一襯底的一個表面上的電子設(shè)備被嵌入所述嵌入部分中， 其中所述第二襯底包括接地過孔以及沿著所述第二襯底的內(nèi)壁或外壁形成的屏蔽壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述接地過孔被電連接至所述屏蔽壁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 第一塑封部分，該第一塑封部分密封安裝在所述第一襯底的另一個表面上的電子設(shè)備。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 第一屏蔽膜，該第一屏蔽膜形成在第一塑封部分的外表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一襯底還包括形成在該第一襯底中的接地層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述接地層被電連接至所述第一屏蔽膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述接地層被電連接至所述接地過孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 接地層，該接地層形成在所述第一襯底中并且被形成為具有暴露至所述第一襯底的外側(cè)的兩端。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一屏蔽膜被電連接至所述接地層，該接地層被暴露至所述第一襯底的外側(cè)。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述接地層被電連接至所述接地過孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第二襯底還包括信號過孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中在所述屏蔽壁中，對應(yīng)于形成信號過孔的位置的區(qū)域被打開。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 屏蔽過孔，該屏蔽過孔在對應(yīng)于所述屏蔽壁所打開的區(qū)域的位置形成，并且在沿著所述信號過孔的直線上形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述嵌入部分具有通孔的形式。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述嵌入部分具有凹槽的形式。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，其中在所述嵌入部分中的底部表面還被提供有所述屏蔽壁。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第一襯底還被提供有電路層。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝，其中所述第二襯底還包括電連接至所述第一襯底的導(dǎo)電過孔。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 外部連接端子，該外部連接端子形成在所述第二襯底的一個表面上并且連接至所述導(dǎo)電過孔。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 第二塑封部分，該第二塑封部分形成在所述嵌入部分中從而密封所述第一電子設(shè)備。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 第二屏蔽膜，該第二屏蔽膜形成在所述第二塑封部分的一個表面上并且電連接至所述屏蔽壁。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的半導(dǎo)體封裝，還包括: 第二塑封部分，該第二塑封部分形成在所述嵌入部分中以密封所述第一電子設(shè)備。
【文檔編號】H01L23/31GK104253094SQ201410174930
【公開日】2014年12月31日 申請日期:2014年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月28日
【發(fā)明者】南允邰 申請人:三星電機株式會社