針對(duì)薄膜沉積產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種在降低短溝道效應(yīng)后所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法，首先采用增加?xùn)艠O側(cè)墻的寬度方法進(jìn)行離子注入，來(lái)降低短溝道效應(yīng)；然后，減小柵極側(cè)墻的寬度，再進(jìn)行薄膜沉積工藝。減小柵極側(cè)墻寬度的方法為：利用抗反射層保護(hù)住柵極和柵極側(cè)墻的頂部，并利用圖案化的抗反射層來(lái)定義柵極側(cè)墻要減少的寬度，再采用干法刻蝕工藝刻蝕減薄柵極側(cè)墻。很明顯，由于柵極側(cè)墻的寬度減少了，柵極之間的填充空間就增加了，從而進(jìn)一步提升柵極之間的薄膜填充能力，避免了采用現(xiàn)有的在降低短溝道效應(yīng)的方法之后進(jìn)行薄膜沉積時(shí)出現(xiàn)的負(fù)載效應(yīng)。
【專(zhuān)利說(shuō)明】針對(duì)薄膜沉積產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種在降低短溝道效應(yīng)后所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著工藝尺寸不斷縮小，特別是65nm及其以下，由于柵極自身及其側(cè)墻的寬度進(jìn)一步減小，源漏區(qū)的離子注入更加接近溝道(channel)，導(dǎo)致器件的短溝道效應(yīng)非常明顯。為了降低短溝道效應(yīng)，現(xiàn)有的主流工藝是在形成柵極和柵極側(cè)墻的半導(dǎo)體襯底上，通過(guò)調(diào)節(jié)源漏區(qū)的離子注入的劑量、注入能量、注入角度、或改變注入離子的種類(lèi)等方式來(lái)解決短溝道效應(yīng)問(wèn)題。但是，由于離子注入對(duì)器件的影響非常大，所以通過(guò)離子注入來(lái)解決短溝道效應(yīng)的工藝窗口非常小。
[0003]此外，還有一種解決短溝道效應(yīng)問(wèn)題的方法，是通過(guò)增加?xùn)艠O側(cè)墻的寬度來(lái)增大離子注入與channel之間的距離；請(qǐng)參閱圖1_3，圖1為形成柵極和柵極側(cè)墻之后的襯底截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2為增加側(cè)墻寬度之后的襯底截面結(jié)構(gòu)示意圖，圖3為在圖2中的襯底上沉積薄膜之后的截面結(jié)構(gòu)示意圖，其中，I表示襯底，2表示柵極，3表示柵極側(cè)墻，4表示所沉積的薄膜。
[0004]增加?xùn)艠O側(cè)墻寬度雖然能夠增大離子注入和channel之間的距離，然而，由于柵極側(cè)墻變寬，導(dǎo)致柵極與柵極之間的有效空間變小，從而在后續(xù)應(yīng)力接近技術(shù)(SMT)或硅化金屬阻止區(qū)(SAB)制程中導(dǎo)致薄膜填充的工藝窗口減小，進(jìn)行薄膜沉積后出現(xiàn)負(fù)載效應(yīng)。如圖3所示，所沉積的薄膜4底部的厚度(虛線a和a’之間的厚度)遠(yuǎn)大于薄膜4頂部的厚度(虛線b和b’之間的厚度)，即出現(xiàn)負(fù)載效應(yīng)；側(cè)墻3之間的距離減小，很容易導(dǎo)致側(cè)墻3之間的薄膜4無(wú)法完全沉積在襯底I的表面，從而造成薄膜填充能力下降。
[0005]因此，需要改進(jìn)現(xiàn)有工藝，在沿用第二種方法降低短溝道效應(yīng)的同時(shí)，增大柵極之間的空間和薄膜填充能力，避免后續(xù)所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了克服上述問(wèn)題，本發(fā)明目的是在降低短溝道效應(yīng)后消除在薄膜沉積工藝中出現(xiàn)負(fù)載效應(yīng)的方法，以期在解決短溝道效應(yīng)問(wèn)題的同時(shí)，增大柵極之間的填充空間，避免后續(xù)所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)。
[0007]本發(fā)明提供了一種在降低短溝道效應(yīng)后所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法，其包括以下步驟:
[0008]步驟SOl:在半導(dǎo)體襯底上形成柵極和柵極側(cè)墻；
[0009]步驟S02:增加所述柵極側(cè)墻的寬度，并對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行源漏區(qū)離子注入；
[0010]步驟S03:在所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋一層抗反射層；
[0011]步驟S04:在所述抗反射層表面涂覆光刻膠，采用光刻工藝，圖案化所述光刻膠，在所述光刻膠中形成所述柵極側(cè)墻要減薄區(qū)域的圖案；[0012]步驟S05:以圖案化的所述光刻膠為模版，采用干法刻蝕工藝，圖案化所述抗反射層，在所述抗反射層中形成所述柵極側(cè)墻要減薄區(qū)域的圖案；
[0013]步驟S06:以圖案化的所述抗反射層為掩膜，經(jīng)干法刻蝕工藝，減薄所述柵極側(cè)m ;
[0014]步驟S07:在所述半導(dǎo)體襯底上沉積薄膜。
[0015]優(yōu)選地，所述步驟S04中，在減薄所述柵極側(cè)墻之后，采用等離子體干法刻蝕工藝去除剩余的所述光刻膠和/或所述抗反射層。
[0016]進(jìn)一步地，所述等離子體干法刻蝕工藝中利用純O2或SO2作為反應(yīng)氣體。
[0017]進(jìn)一步地，所述等離子體干法刻蝕工藝所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為5-15mT0rr，上電極功率為500-1500瓦，下電極電壓為零，氣體流量為150-250sccm，反應(yīng)時(shí)間為40-80秒。
[0018]優(yōu)選地，所述步驟S05中，采用HBr和O2的混合氣體作為反應(yīng)氣體。進(jìn)一步地，所述步驟S05中，所述HBr與所述O2的流量比例為1:1至15:2。
[0019]優(yōu)選地，所述步驟S05中，所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為5-10mTorr，所采用的上電極功率為300-500瓦，反應(yīng)時(shí)間為10-80秒。
[0020]優(yōu)選地，所述步驟S06中，采用氟系氣體刻蝕所述柵極側(cè)墻。進(jìn)一步地，所述步驟S06中，所述氟系氣體為CH2F2和CHF3的混合氣體。更進(jìn)一步地，所述步驟S06中，所述CH2F2與所述CHF3的流量比例為1:1至4:1。
[0021]優(yōu)選地，所述步驟S06中，所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為20-40mTorr，所采用的上電極功率為500-800瓦，所采用的下電極電壓為O，反應(yīng)時(shí)間為10-40秒。
[0022]優(yōu)選地，所述步驟S07中，所述薄膜為應(yīng)力記憶技術(shù)或硅化物阻止區(qū)制程中形成的。
[0023]本發(fā)明的在降低短溝道效應(yīng)后所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法，先采用增加?xùn)艠O側(cè)墻的寬度方法進(jìn)行離子注入，來(lái)降低短溝道效應(yīng)；然后，減小柵極側(cè)墻的寬度，再進(jìn)行薄膜沉積工藝。減小柵極側(cè)墻寬度的方法:利用抗反射層保護(hù)住柵極和柵極側(cè)墻的頂部，并利用圖案化的抗反射層來(lái)定義柵極側(cè)墻要減少的寬度，再采用干法刻蝕工藝刻蝕減薄柵極側(cè)墻。很明顯，由于柵極側(cè)墻的寬度減少了，柵極之間的填充空間就增加了，從而進(jìn)一步提升柵極之間的薄膜填充能力，避免采用現(xiàn)有方法進(jìn)行薄膜沉積時(shí)出現(xiàn)的負(fù)載效應(yīng)。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0024]圖1為形成柵極和柵極側(cè)墻之后的襯底截面結(jié)構(gòu)示意圖
[0025]圖2為增加側(cè)墻寬度之后的襯底截面結(jié)構(gòu)示意圖
[0026]圖3為在圖2中的襯底上沉積薄膜之后的截面結(jié)構(gòu)示意圖
[0027]圖4為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的針對(duì)所沉積的薄膜產(chǎn)生的負(fù)載效應(yīng)的消除方法的流程示意圖
[0028]圖5-11為本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例的針對(duì)所沉積的薄膜產(chǎn)生的負(fù)載效應(yīng)的消除方法的各個(gè)步驟所對(duì)應(yīng)的截面結(jié)構(gòu)示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說(shuō)明書(shū)附圖，對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說(shuō)明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0030]以下將結(jié)合具體實(shí)施例和附圖4-11對(duì)本發(fā)明的在降低短溝道效應(yīng)之后薄膜沉積過(guò)程中出現(xiàn)負(fù)載效應(yīng)的消除方法作進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。其中，圖4為本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例的針對(duì)所沉積的薄膜產(chǎn)生的負(fù)載效應(yīng)的消除方法的流程示意圖，圖5-11為本發(fā)明的上述較佳實(shí)施例的針對(duì)所沉積的薄膜產(chǎn)生的負(fù)載效應(yīng)的消除方法的各個(gè)步驟所對(duì)應(yīng)的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
[0031]請(qǐng)參閱圖4，本實(shí)施例的在降低短溝道效應(yīng)之后薄膜沉積過(guò)程中出現(xiàn)負(fù)載效應(yīng)的消除方法，具體包括以下步驟:
[0032]步驟SOl:請(qǐng)參閱圖5，在半導(dǎo)體襯底101上形成柵極102和柵極側(cè)墻103 ；
[0033]這里，可以采用現(xiàn)有的常規(guī)工藝來(lái)形成柵極102和柵極側(cè)墻103，還可以但不限于包括硅化物的形成等工藝來(lái)形成本發(fā)明的半導(dǎo)體襯底101。
[0034]本實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底101可以但不限于為娃襯底,半導(dǎo)體襯底101的表面具有一層氧化膜，其成分可以為熱氧化生成的氧化硅材料，柵極102和柵極側(cè)墻103位于該氧化膜的表面上，本發(fā)明對(duì)此不再贅述。柵極側(cè)墻103的材料可以為氮化硅、氧化硅等，較佳的，本實(shí)施例中，采用氮化硅作為柵極側(cè)墻103的材料。
[0035]步驟S02:請(qǐng)參閱圖6，增加?xùn)艠O側(cè)墻103的寬度，并對(duì)半導(dǎo)體襯底101進(jìn)行源漏區(qū)離子注入；
[0036]這里，增加?xùn)艠O側(cè)墻103寬度，從而形成柵極側(cè)墻103”，增加?xùn)艠O側(cè)墻103寬度的方法可以采用現(xiàn)有的工藝來(lái)完成，本發(fā)明對(duì)此不再作詳細(xì)描述；眾所周知，在柵極側(cè)墻103寬度增加后，進(jìn)行源漏區(qū)的離子注入，可以增加離子注入?yún)^(qū)域與溝道的距離，從而降低短溝道效應(yīng)，這是本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以知曉的，本發(fā)明對(duì)此不再贅述。
[0037]步驟S03:請(qǐng)參閱圖7，在半導(dǎo)體襯底101上覆蓋一層抗反射層104 ；
[0038]具體的，可以采用機(jī)械法在半導(dǎo)體襯底101上涂覆一層抗反射層104，較佳的，抗反射層104可以為底部抗反射層，比如可以為有機(jī)抗反射層，這是由于在后續(xù)的工藝中，要在抗反射層上涂覆光刻膠進(jìn)行光刻工藝，底部抗反射層可以有效減小在光刻膠曝光過(guò)程中光刻膠底部對(duì)光線的反射，提高曝光質(zhì)量。這里，抗反射層104包裹住柵極102和柵極側(cè)墻103”，不僅可以保護(hù)柵極102和側(cè)墻103”頂部在后續(xù)的減薄刻蝕過(guò)程中不受到刻蝕損傷，還可以確保半導(dǎo)體襯底101表面的平坦，提高后續(xù)光刻和刻蝕工藝的精度。較佳的，在本實(shí)施例中，在涂覆過(guò)程中，確保所覆蓋的抗反射層104的頂部趨于平坦。
[0039]步驟S04:請(qǐng)參閱圖8，在抗反射層104表面涂覆光刻膠105，采用光刻工藝，圖案化光刻膠105，在光刻膠105中形成柵極側(cè)墻103”要減薄區(qū)域的圖案；
[0040]這里，可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來(lái)選擇合適的光刻版，對(duì)光刻膠105進(jìn)行曝光，在光刻膠105中形成曝光后的圖案，光刻版中關(guān)鍵尺寸的大小可以盡量增大，從而使得光刻后的光刻膠105的寬度較大，足以遮擋住側(cè)墻103”頂部，這樣使得后續(xù)的圖案化后的抗反射層104能夠遮擋住側(cè)墻103”的頂部區(qū)域，使其不會(huì)受到后續(xù)減薄工藝的損傷。
[0041]步驟S05:請(qǐng)參閱圖9，以圖案化的光刻膠105為模版，采用干法刻蝕工藝，圖案化抗反射層104，在抗反射層104中形成柵極側(cè)墻103”要減薄區(qū)域的圖案；
[0042]這里，可以但不限于采用等離子體干法刻蝕工藝，以上述圖案化的光刻膠105為掩膜，刻蝕抗反射層104，從而暴露出柵極側(cè)墻103”要減薄的區(qū)域。當(dāng)然，圖案化后的抗反射層104的具體寬度則可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來(lái)設(shè)定，比如，圖案化后的抗反射層也可以覆蓋住柵極側(cè)墻103”頂部的一部分，如圖7中左邊的柵極兩邊的虛線a與a’之間的寬度；也可以將柵極側(cè)墻頂部全部覆蓋住，如圖7中右邊的柵極兩邊的虛線b與b’之間的寬度；也可以將柵極側(cè)墻103”恢復(fù)到增加寬度之前的柵極側(cè)墻103的寬度等。本實(shí)施例中，采用將柵極側(cè)墻103”的寬度恢復(fù)到柵極側(cè)墻103的寬度作為覆蓋在柵極側(cè)墻103”頂部的圖案化后的抗反射層104寬度。
[0043]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中，對(duì)于刻蝕過(guò)程中所采用的工藝參數(shù)可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來(lái)設(shè)定。較佳的，在本實(shí)施例中，所采用的壓強(qiáng)為5-10mTorr，所采用的上電極功率為300-500瓦，反應(yīng)時(shí)間為10-80秒，與此相配合的下電極電壓可以但不限于為100V。在刻蝕過(guò)程中，可以采用HBr和O2的混合氣體作為刻蝕氣體，HBr與O2的流量比例為1:1至15:2，較佳的比例為4:1。本實(shí)施例中，HBr的流量為10-30sccm，O2的流量為4-10sccm。
[0044]步驟S06:請(qǐng)參閱圖10，以圖案化的抗反射層104為掩膜，經(jīng)干法刻蝕工藝，減薄柵極側(cè)墻103” ；
[0045]具體的，在本實(shí)施例中的本步驟中，所說(shuō)的干法刻蝕工藝可以但不限于為采用現(xiàn)有的SPT工藝進(jìn)行柵極側(cè)墻103”的減薄，從而得到減薄的柵極側(cè)墻103’。由于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以知曉現(xiàn)有的柵極側(cè)墻減薄工藝即SPT工藝的具體工藝過(guò)程，本發(fā)明對(duì)此不再贅述。如前所述，正是由于有抗反射膜覆蓋在柵極102和柵極側(cè)墻103”頂部，刻蝕氣體不能夠接觸到柵極102和柵極側(cè)墻103”頂部，從而避免了柵極側(cè)墻103”頂部受到刻蝕損傷。同時(shí)，由于柵極側(cè)墻103”頂部受到保護(hù)，可以不考慮柵極側(cè)墻103”頂部的影響，自由控制側(cè)墻水平方向的刻蝕過(guò)程，提升了柵極側(cè)墻103”的減薄的效果。
[0046]需要說(shuō)明的是，本發(fā)明中，對(duì)于刻蝕過(guò)程中所采用的工藝參數(shù)可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來(lái)設(shè)定。在本實(shí)施例中，所采用的壓強(qiáng)為20-40mTorr，所采用的上電極功率為500-800瓦，反應(yīng)時(shí)間為10-40秒，所采用的下電極電壓為O。在刻蝕過(guò)程中，所采用的刻蝕氣體可以為氟系氣體，本實(shí)施例中，采用的氟系氣體為CH2F2和CHF3的混合氣體。CH2F2與CHF3的流量比例為1:1至4:1，較佳比例為2:1。在本實(shí)施例中，CH2F2的流量為60-120sccm, CHF3的流量為 30_60sccm。
[0047]在本實(shí)施例中，在減薄所述柵極側(cè)墻103”之后，還包括:采用等離子體干法刻蝕工藝去除剩余的光刻膠105和/或抗反射層104。這是由于實(shí)際工藝要求不同，在形成減薄的柵極側(cè)墻103’之后，可能有光刻膠105和抗反射層104的殘留，或只有抗反射層104的殘留，因此，需要將其去除，以確保后續(xù)薄膜沉積工藝的質(zhì)量。所采用的反應(yīng)氣體可以但不限于為純O2或SO2等，本實(shí)施例中，采用純O2作為反應(yīng)氣體，但這不用于限制本發(fā)明的范圍。需要說(shuō)明的是，去除光刻膠105和/或抗反射層104的干法刻蝕工藝過(guò)程的具體工藝參數(shù)可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來(lái)設(shè)定，本實(shí)施例中，較佳的，所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為5-15mT0rr，上電極功率為500-1500瓦，下電極電壓為零，氣體流量為150-250sccm，反應(yīng)時(shí)間為40-80秒。當(dāng)然，去除的方法還可以為濕法腐蝕，濕法腐蝕所采用的具體工藝條件可以根據(jù)實(shí)際工藝要求來(lái)設(shè)定，本發(fā)明在此不作限制。
[0048]步驟S07:請(qǐng)參閱圖11，在半導(dǎo)體襯底101上沉積薄膜106。
[0049]具體的，在形成減薄的柵極側(cè)墻103’之后，進(jìn)行SMT或SAB制程，在SMT或SAB制程中沉積薄膜106，如圖11中所示，薄膜106頂部的厚度與薄膜106底部的厚度近似相同，巧妙地消除了現(xiàn)有的在降低短溝道效應(yīng)之后在薄膜沉積過(guò)程中出現(xiàn)的負(fù)載效應(yīng)。
[0050]綜上所述，本發(fā)明的在降低短溝道效應(yīng)后在薄膜沉積工藝中出現(xiàn)負(fù)載效應(yīng)的消除方法，先采用增加?xùn)艠O側(cè)墻的寬度方法進(jìn)行離子注入，來(lái)降低短溝道效應(yīng)；然后，減小柵極側(cè)墻的寬度，再進(jìn)行薄膜沉積工藝。減小柵極側(cè)墻寬度的方法:利用抗反射層保護(hù)住柵極和柵極側(cè)墻的頂部，并利用圖案化的抗反射層來(lái)定義柵極側(cè)墻要減少的寬度，再采用干法刻蝕工藝刻蝕減薄柵極側(cè)墻。很明顯，由于柵極側(cè)墻的寬度減少了，柵極之間的填充空間就增加了，從而進(jìn)一步提升柵極之間的薄膜填充能力，避免采用現(xiàn)有方法進(jìn)行薄膜沉積時(shí)出現(xiàn)的負(fù)載效應(yīng)。
[0051]雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然所述實(shí)施例僅為了便于說(shuō)明而舉例而已，并非用以限定本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下可作若干的更動(dòng)與潤(rùn)飾，本發(fā)明所主張的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求書(shū)所述為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種在降低短溝道效應(yīng)后所沉積的薄膜產(chǎn)生負(fù)載效應(yīng)的消除方法，其特征在于，包括以下步驟: 步驟SOl:在半導(dǎo)體襯底上形成柵極和柵極側(cè)墻； 步驟S02:增加所述柵極側(cè)墻的寬度，并對(duì)所述半導(dǎo)體襯底進(jìn)行源漏區(qū)離子注入； 步驟S03:在所述半導(dǎo)體襯底上覆蓋一層抗反射層； 步驟S04:在所述抗反射層表面涂覆光刻膠，采用光刻工藝，圖案化所述光刻膠，在所述光刻膠中形成所述柵極側(cè)墻要減薄區(qū)域的圖案； 步驟S05:以圖案化的所述光刻膠為模版，采用干法刻蝕工藝，圖案化所述抗反射層，在所述抗反射層中形成所述柵極側(cè)墻要減薄區(qū)域的圖案； 步驟S06:以圖案化的所述抗反射層為掩膜，經(jīng)干法刻蝕工藝，減薄所述柵極側(cè)墻； 步驟S07:在所述半導(dǎo)體襯底上沉積薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S04中，在減薄所述柵極側(cè)墻之后，采用等離子體干法刻蝕工藝去除剩余的所述光刻膠和/或所述抗反射層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述等離子體干法刻蝕工藝中利用純O2或SO2作為反應(yīng)氣體。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述等離子體干法刻蝕工藝所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為5-15mTorr，上電極功率為500-1500瓦，下電極電壓為零，氣體流量為150-250sccm,反應(yīng)時(shí)間為40-80秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S05中，采用HBr和O2的混合氣體作為反應(yīng)氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述步驟S05中，所述HBr與所述O2的流量比例為1:1至15:2。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S05中，所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為5-10mTorr，所采用的上電極功率為300-500瓦，反應(yīng)時(shí)間為10-80秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S06中，采用氟系氣體刻蝕所述柵極側(cè)墻。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述步驟S06中，所述氟系氣體為CH2F2和CHF3的混合氣體。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述步驟S06中，所述CH2F2與所述CHF3的流量比例為1:1至4:1。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極側(cè)墻減薄工藝，其特征在于，所述步驟S06中，所采用的反應(yīng)壓強(qiáng)為20-40mTorr，所采用的上電極功率為500-800瓦，所采用的下電極電壓為0，反應(yīng)時(shí)間為10-40秒。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述步驟S07中，所述薄膜為應(yīng)力記憶技術(shù)或硅化物阻止區(qū)制程中形成的。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK103943462SQ201410174773
【公開(kāi)日】2014年7月23日 申請(qǐng)日期:2014年4月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年4月28日
【發(fā)明者】崇二敏, 黃君, 毛志彪 申請(qǐng)人:上海華力微電子有限公司